JPH06167694A - セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 - Google Patents
セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式Info
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- JPH06167694A JPH06167694A JP4341221A JP34122192A JPH06167694A JP H06167694 A JPH06167694 A JP H06167694A JP 4341221 A JP4341221 A JP 4341221A JP 34122192 A JP34122192 A JP 34122192A JP H06167694 A JPH06167694 A JP H06167694A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶を裏から光で照らすバックライトに使用
される光源には冷陰極管が使用される。この冷陰極管を
点灯させるための電源に従来の巻線トランスの代りに圧
電トランスを使用し、トランスに起因する諸問題を解消
すると共に、この圧電トランスの出力電圧、電流を圧電
トランスの昇圧比の周波数特性を利用して冷陰極管との
整合をとり、冷陰極管の点灯及び調光を行う。 【構成】 発振器からの出力を増幅し、セラミックトラ
ンスに印加する。発振器からの出力周波数は高い方から
低い方に掃引される。出力周波数がｆａ→ｆｂに減少し
た時に、実線で示される負荷抵抗の大きい場合のセラミ
ックトランスの出力電圧はＶｂとなり冷陰極管は点灯す
る。点灯により冷陰極管のインピーダンスは急減し、電
圧は破線で示される負荷抵抗の小さい場合のセラミック
トランスの出力電圧Ｖｃに移行する。さらに周波数をｆ
ｄに減少させることによって適切な電圧Ｖｄを冷陰極管
に印加し輝度調整を行う。
される光源には冷陰極管が使用される。この冷陰極管を
点灯させるための電源に従来の巻線トランスの代りに圧
電トランスを使用し、トランスに起因する諸問題を解消
すると共に、この圧電トランスの出力電圧、電流を圧電
トランスの昇圧比の周波数特性を利用して冷陰極管との
整合をとり、冷陰極管の点灯及び調光を行う。 【構成】 発振器からの出力を増幅し、セラミックトラ
ンスに印加する。発振器からの出力周波数は高い方から
低い方に掃引される。出力周波数がｆａ→ｆｂに減少し
た時に、実線で示される負荷抵抗の大きい場合のセラミ
ックトランスの出力電圧はＶｂとなり冷陰極管は点灯す
る。点灯により冷陰極管のインピーダンスは急減し、電
圧は破線で示される負荷抵抗の小さい場合のセラミック
トランスの出力電圧Ｖｃに移行する。さらに周波数をｆ
ｄに減少させることによって適切な電圧Ｖｄを冷陰極管
に印加し輝度調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶を裏から光で照らす
バックライト用の光源に使用されている冷陰極管の駆動
方式に関し、特にセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式に関する。
バックライト用の光源に使用されている冷陰極管の駆動
方式に関し、特にセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、液晶を裏から光で照らすバックラ
イトに使用される光源には冷陰極管が使用される。この
冷陰極管を点灯させるための電源として冷陰極管用イン
バータを使用する。冷陰極管を点灯させるために必要な
１２００Ｖ位の高電圧は、巻線トランスの２次側を数千
回巻き、５〜１５Ｖの電圧を昇圧して得ている。この巻
線には４０ミクロン位の細い線を使用している。このよ
うに細い線を多く巻いた巻線トランスを使用すると、断
線，レアショート等の問題が発生し、多くの工数を必要
とする。また、薄型を要求されるノートブックタイプの
パソコン等に巻線トランスを使用すると、小型化するの
に構造的な限界がある。この問題の改善策として、巻線
トランスをセラミック板の圧電トランスで代替えする方
式が検討されている。
イトに使用される光源には冷陰極管が使用される。この
冷陰極管を点灯させるための電源として冷陰極管用イン
バータを使用する。冷陰極管を点灯させるために必要な
１２００Ｖ位の高電圧は、巻線トランスの２次側を数千
回巻き、５〜１５Ｖの電圧を昇圧して得ている。この巻
線には４０ミクロン位の細い線を使用している。このよ
うに細い線を多く巻いた巻線トランスを使用すると、断
線，レアショート等の問題が発生し、多くの工数を必要
とする。また、薄型を要求されるノートブックタイプの
パソコン等に巻線トランスを使用すると、小型化するの
に構造的な限界がある。この問題の改善策として、巻線
トランスをセラミック板の圧電トランスで代替えする方
式が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の巻線ト
ランスに代替えされる圧電トランスを使用した冷陰極管
の駆動方式では、圧電トランスは或る一定の狭い帯域の
周波数だけしか通さないという性質のめに、発振器と圧
電トランスとの周波数の整合をとるのが難しく、充分な
出力を取り出すことが困難であるという課題がある。
ランスに代替えされる圧電トランスを使用した冷陰極管
の駆動方式では、圧電トランスは或る一定の狭い帯域の
周波数だけしか通さないという性質のめに、発振器と圧
電トランスとの周波数の整合をとるのが難しく、充分な
出力を取り出すことが困難であるという課題がある。
【０００４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、巻線トランスに起因する諸問題を圧電トラン
ス（以下、セラミックトランスと称する）を使用するこ
とによって解消し、かつ発振周波数を正確に制御するこ
とよって、冷陰極管の点灯及び調光を行うセラミックト
ランスを用いた冷陰極管の駆動方式を提供することを目
的とする。
のであり、巻線トランスに起因する諸問題を圧電トラン
ス（以下、セラミックトランスと称する）を使用するこ
とによって解消し、かつ発振周波数を正確に制御するこ
とよって、冷陰極管の点灯及び調光を行うセラミックト
ランスを用いた冷陰極管の駆動方式を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰極管の
駆動方式は、セラミックトランスの昇圧比の周波数特性
を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させるセ
ラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、発振器からの出力をセラミックトランスに与え、前
記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、前記
出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で固定
し、セラミックトランスの駆動周波数を制御することに
よって冷陰極管を点灯させることに特徴を有している。
に本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰極管の
駆動方式は、セラミックトランスの昇圧比の周波数特性
を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させるセ
ラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、発振器からの出力をセラミックトランスに与え、前
記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、前記
出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で固定
し、セラミックトランスの駆動周波数を制御することに
よって冷陰極管を点灯させることに特徴を有している。
【０００６】また、本発明による他のセラミックトラン
スを用いた冷陰極管の駆動方式は、セラミックトランス
の昇圧比の周波数特性を利用して得た高電圧によって冷
陰極管を点灯させるセラミックトランスを用いた冷陰極
管の駆動方式において、発振器からの出力をセラミック
トランスに与え、前記出力の出力周波数を高い方から低
い方に掃引し、前記出力周波数の減少に伴いセラミック
トランスの昇圧比が増加するセラミックトランスの昇圧
比の周波数特性の負傾斜において冷陰極管を点灯させ、
前記出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で
固定し、点灯による冷陰極管のインピーダンスの急減に
合ったセラミックトランスの昇圧比の周波数特性を利用
して得た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を制御
し、冷陰極管の輝度を調整することに特徴を有してい
る。
スを用いた冷陰極管の駆動方式は、セラミックトランス
の昇圧比の周波数特性を利用して得た高電圧によって冷
陰極管を点灯させるセラミックトランスを用いた冷陰極
管の駆動方式において、発振器からの出力をセラミック
トランスに与え、前記出力の出力周波数を高い方から低
い方に掃引し、前記出力周波数の減少に伴いセラミック
トランスの昇圧比が増加するセラミックトランスの昇圧
比の周波数特性の負傾斜において冷陰極管を点灯させ、
前記出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で
固定し、点灯による冷陰極管のインピーダンスの急減に
合ったセラミックトランスの昇圧比の周波数特性を利用
して得た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を制御
し、冷陰極管の輝度を調整することに特徴を有してい
る。
【０００７】
【作用】発振器からの出力をセラミックトランスに与え
る。この発振器からの出力周波数は高い方から低い方に
掃引される。この出力周波数の変化に応じて、セラミッ
クトランスの昇圧比は上昇し、降下する。すなわち、セ
ラミックトランスの昇圧比には周波数による共振があ
る。冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で発振器の出力
周波数を固定する。このように、セラミックトランスの
駆動周波数を制御することによって冷陰極管を点灯させ
る。
る。この発振器からの出力周波数は高い方から低い方に
掃引される。この出力周波数の変化に応じて、セラミッ
クトランスの昇圧比は上昇し、降下する。すなわち、セ
ラミックトランスの昇圧比には周波数による共振があ
る。冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で発振器の出力
周波数を固定する。このように、セラミックトランスの
駆動周波数を制御することによって冷陰極管を点灯させ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図３は本発明によるセラミックトランスを用い
た冷陰極管の点灯及び輝度調整を実施するための冷陰極
管駆動装置の構成を示す概要ブロック図である。図にお
いて、２０は冷陰極管駆動装置であり、１は負荷電流を
決定するための設定電圧を決める可変電圧装置、２は液
晶のバックライト光源となる冷陰極管、Ｉ２は負荷であ
る冷陰極管３に流れる負荷電流、３は負荷電流Ｉ２を検
出する負荷電流検出回路、４は負荷電流検出回路３で検
出した負荷電流に比例する交流電圧を整流する交流電圧
整流回路、５は可変電圧装置１からの設定電圧と交流電
圧整流回路４からの出力電圧の差電圧を積分する積分回
路、６は電圧レベルをシフトする電圧レベルシフト回
路、７は電圧レベルシフト回路６の出力電圧に比例する
周波数を発振する無安定マルチバイブレータ、８は無安
定マルチバイブレータの出力電流を増幅する電流増幅回
路、９は必要な場合に挿入する巻線トランス、１０はセ
ラミックトランスをそれぞれ示す。
明する。図３は本発明によるセラミックトランスを用い
た冷陰極管の点灯及び輝度調整を実施するための冷陰極
管駆動装置の構成を示す概要ブロック図である。図にお
いて、２０は冷陰極管駆動装置であり、１は負荷電流を
決定するための設定電圧を決める可変電圧装置、２は液
晶のバックライト光源となる冷陰極管、Ｉ２は負荷であ
る冷陰極管３に流れる負荷電流、３は負荷電流Ｉ２を検
出する負荷電流検出回路、４は負荷電流検出回路３で検
出した負荷電流に比例する交流電圧を整流する交流電圧
整流回路、５は可変電圧装置１からの設定電圧と交流電
圧整流回路４からの出力電圧の差電圧を積分する積分回
路、６は電圧レベルをシフトする電圧レベルシフト回
路、７は電圧レベルシフト回路６の出力電圧に比例する
周波数を発振する無安定マルチバイブレータ、８は無安
定マルチバイブレータの出力電流を増幅する電流増幅回
路、９は必要な場合に挿入する巻線トランス、１０はセ
ラミックトランスをそれぞれ示す。
【０００９】先ず、冷陰極管駆動装置の一般的な動作原
理を説明する。可変電圧装置１の設定電圧をＶ１、冷陰
極管２の負荷電流の大きさをＩ２、負荷電流検出回路３
の出力電圧をＶ３、交流電圧整流回路４の出力をＥ４、
積分回路５の出力をＶ５、電圧レベルシフト回路６の出
力電圧をＶ６，シフト電圧をＶ06、無安定マルチバイブ
レータ７の発振周波数をｆ７、電流増幅回路８の出力電
圧をＶ８、巻線トランス９の昇圧比をＮ，出力電圧をＶ
９、セラミックトランス１０の周波数特性をＦ（ｊ２π
ｆ），出力電圧をＶ１０とする。
理を説明する。可変電圧装置１の設定電圧をＶ１、冷陰
極管２の負荷電流の大きさをＩ２、負荷電流検出回路３
の出力電圧をＶ３、交流電圧整流回路４の出力をＥ４、
積分回路５の出力をＶ５、電圧レベルシフト回路６の出
力電圧をＶ６，シフト電圧をＶ06、無安定マルチバイブ
レータ７の発振周波数をｆ７、電流増幅回路８の出力電
圧をＶ８、巻線トランス９の昇圧比をＮ，出力電圧をＶ
９、セラミックトランス１０の周波数特性をＦ（ｊ２π
ｆ），出力電圧をＶ１０とする。
【００１０】設定電圧Ｖ１から負荷電流Ｉ２までの各ブ
ロックにおける入出力は、次に示す式が成立する。 Ｖ３ ＝ｋ１・Ｉ２ （１） Ｅ４ ＝ｋ２・Ｖ３ （２） Ｖ５（ｔ）＝ｋ３∫（Ｅ４−Ｖ１）ｄｔ （３） Ｖ６ ＝Ｖ５＋Ｖ06 （４） ｆ７ ＝ｋ４・Ｖ６ （５） Ｖ８ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｆ７ｔ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （６） Ｖ９ ＝Ｎ・Ｖ８ （７） Ｖ１０＝｜Ｆ（ｊ２πｆ７）｜Ｖ９ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （８） Ｉ２ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐ／ＺＬ （９） ここで、Ｖｐは電流増幅回路８の出力振幅であり、ＺＬ
は冷陰極管２のインピーダンスである。
ロックにおける入出力は、次に示す式が成立する。 Ｖ３ ＝ｋ１・Ｉ２ （１） Ｅ４ ＝ｋ２・Ｖ３ （２） Ｖ５（ｔ）＝ｋ３∫（Ｅ４−Ｖ１）ｄｔ （３） Ｖ６ ＝Ｖ５＋Ｖ06 （４） ｆ７ ＝ｋ４・Ｖ６ （５） Ｖ８ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｆ７ｔ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （６） Ｖ９ ＝Ｎ・Ｖ８ （７） Ｖ１０＝｜Ｆ（ｊ２πｆ７）｜Ｖ９ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （８） Ｉ２ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐ／ＺＬ （９） ここで、Ｖｐは電流増幅回路８の出力振幅であり、ＺＬ
は冷陰極管２のインピーダンスである。
【００１１】積分回路２はその被積分値が０、すなわち Ｅ４−Ｖ１＝０ （１０） が成立すれば出力の変化がなくなり一定となる。（１
０），（２），（１）から、 ｋ２・Ｖ３−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・Ｉ２−Ｖ１＝０ （１１） が得られる。これから変化が終了したときの負荷電流Ｉ
２の大きさは Ｉ２＝Ｖ１／ｋ１・ｋ２ （１２） となる。このように、冷陰極管２を流れる負荷電流Ｉ
２、すなわち冷陰極管２の輝度は設定電圧Ｖ１によって
決められることになる。
０），（２），（１）から、 ｋ２・Ｖ３−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・Ｉ２−Ｖ１＝０ （１１） が得られる。これから変化が終了したときの負荷電流Ｉ
２の大きさは Ｉ２＝Ｖ１／ｋ１・ｋ２ （１２） となる。このように、冷陰極管２を流れる負荷電流Ｉ
２、すなわち冷陰極管２の輝度は設定電圧Ｖ１によって
決められることになる。
【００１２】図２は冷陰極管の電流−電圧特性を示して
いる。図が示すように、冷陰極管２の電極間は点灯する
までは高抵抗を示し、点灯電圧Ｖｂは１０００Ｖ程度の
高電圧を必要とするが、点灯後は抵抗が急減する性質が
あり、冷陰極管２に電流が流れる。電圧Ｖｄはこの負荷
電流に対応するものである。従って、冷陰極管駆動装置
２０は点灯までは高電圧を発生し、点灯後は電圧を下げ
る必要がある。圧電現象を利用したセラミックトランス
の高電圧発生装置は、その昇圧比は駆動周波数によって
大きく変化し、またその周波数特性は負荷インピーダン
スによって大きく変わる素子である。
いる。図が示すように、冷陰極管２の電極間は点灯する
までは高抵抗を示し、点灯電圧Ｖｂは１０００Ｖ程度の
高電圧を必要とするが、点灯後は抵抗が急減する性質が
あり、冷陰極管２に電流が流れる。電圧Ｖｄはこの負荷
電流に対応するものである。従って、冷陰極管駆動装置
２０は点灯までは高電圧を発生し、点灯後は電圧を下げ
る必要がある。圧電現象を利用したセラミックトランス
の高電圧発生装置は、その昇圧比は駆動周波数によって
大きく変化し、またその周波数特性は負荷インピーダン
スによって大きく変わる素子である。
【００１３】図１はセラミックトランスの昇圧比の周波
数特性の例を負荷抵抗が大きい場合（冷陰極管の点灯前
の状態）を実線で、小さい場合（冷陰極管の点灯後）を
破線で示したものである。冷陰極管駆動装置２０の電源
を投入したとき、積分回路５の出力電圧は０である。こ
の時の電圧レベルシフト回路６の出力電圧Ｖ06によって
発振周波数ｆ７が無安定マルチバイブレータ７から出力
される。この発振周波数ｆ７は図における周波数ｆａで
ある。この時、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１
０はＶａであり、冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂま
で達しないため冷陰極管２は点灯しない。従って、 Ｉ２＝Ｖ３＝Ｅ４＝０ であり、積分回路２の出力は Ｖ５（ｔ）＝−ｋ３・Ｖ１ｔ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
は ｆ７＝ｋ４（Ｖ06−ｋ３・Ｖ１ｔ） のように時間と共に減少する。この結果やがてｆ７はｆ
ｂとなり、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１０は
冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂとなり、冷陰極管２
は点灯する。冷陰極管２は点灯するとインピーダンスが
小となり、それに従ってセラミックトランス１０の昇圧
比は破線で示す特性に移行する。
数特性の例を負荷抵抗が大きい場合（冷陰極管の点灯前
の状態）を実線で、小さい場合（冷陰極管の点灯後）を
破線で示したものである。冷陰極管駆動装置２０の電源
を投入したとき、積分回路５の出力電圧は０である。こ
の時の電圧レベルシフト回路６の出力電圧Ｖ06によって
発振周波数ｆ７が無安定マルチバイブレータ７から出力
される。この発振周波数ｆ７は図における周波数ｆａで
ある。この時、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１
０はＶａであり、冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂま
で達しないため冷陰極管２は点灯しない。従って、 Ｉ２＝Ｖ３＝Ｅ４＝０ であり、積分回路２の出力は Ｖ５（ｔ）＝−ｋ３・Ｖ１ｔ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
は ｆ７＝ｋ４（Ｖ06−ｋ３・Ｖ１ｔ） のように時間と共に減少する。この結果やがてｆ７はｆ
ｂとなり、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１０は
冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂとなり、冷陰極管２
は点灯する。冷陰極管２は点灯するとインピーダンスが
小となり、それに従ってセラミックトランス１０の昇圧
比は破線で示す特性に移行する。
【００１４】この時、冷陰極管２に印加されるセラミッ
クトランス１０の出力電圧Ｖ１０はＶｃである。この電
圧Ｖｃによる負荷電流Ｉ２が必要な輝度を与えない場合
には、 Ｅ４−Ｖ１＜０ であり、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７
は引き続き減少する。その結果セラミックトランス１０
の出力電圧Ｖ１０に従って負荷電流Ｉ２は増大し、やが
てｆ７＝ｆｄにおいてセラミックトランス１０の出力電
圧Ｖ１０がＶｄとなり、その時、 Ｅ４−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・Ｉ２−Ｖ１＝０ となる。その時の積分回路２の出力電圧Ｖ５は一定とな
り、冷陰極管２の負荷電流Ｉ２は設定値となる。無安定
マルチバイブレータ７の発振周波数Ｆ７がｆｄより更に
小さくなると、冷陰極管２に流れる負荷電流Ｉ２は設定
値より大となり、従って Ｅ４−Ｖ１＞０ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
ｆ７は増加に転じ、結局積分回路５の被積分値は０、す
なわち Ｅ４−Ｖ１＝０ となって回路は平衡する事になる。以上のように、セラ
ミックトランス１０の共振特性を利用して、冷陰極管２
の輝度を変える調光機能を持たせている。セラミックト
ランス１０の共振カーブのピークに近い所では明るく、
ピークから外れるに従って暗くなる。
クトランス１０の出力電圧Ｖ１０はＶｃである。この電
圧Ｖｃによる負荷電流Ｉ２が必要な輝度を与えない場合
には、 Ｅ４−Ｖ１＜０ であり、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７
は引き続き減少する。その結果セラミックトランス１０
の出力電圧Ｖ１０に従って負荷電流Ｉ２は増大し、やが
てｆ７＝ｆｄにおいてセラミックトランス１０の出力電
圧Ｖ１０がＶｄとなり、その時、 Ｅ４−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・Ｉ２−Ｖ１＝０ となる。その時の積分回路２の出力電圧Ｖ５は一定とな
り、冷陰極管２の負荷電流Ｉ２は設定値となる。無安定
マルチバイブレータ７の発振周波数Ｆ７がｆｄより更に
小さくなると、冷陰極管２に流れる負荷電流Ｉ２は設定
値より大となり、従って Ｅ４−Ｖ１＞０ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
ｆ７は増加に転じ、結局積分回路５の被積分値は０、す
なわち Ｅ４−Ｖ１＝０ となって回路は平衡する事になる。以上のように、セラ
ミックトランス１０の共振特性を利用して、冷陰極管２
の輝度を変える調光機能を持たせている。セラミックト
ランス１０の共振カーブのピークに近い所では明るく、
ピークから外れるに従って暗くなる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるセラ
ミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式は、発振器
からの出力をセラミックトランスに与え、前記出力の出
力周波数を高い方から低い方に掃引し、前記出力周波数
を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で固定し、セラミ
ックトランスの駆動周波数を制御することによって冷陰
極管を点灯させるようにしたので、また、発振器からの
出力をセラミックトランスに与え、前記出力の出力周波
数を高い方から低い方に掃引し、前記出力周波数の減少
に伴いセラミックトランスの昇圧比が増加するセラミッ
クトランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜において冷陰
極管を点灯させ、前記出力周波数を冷陰極管が点灯する
昇圧比の周波数で固定し、点灯による冷陰極管のインピ
ーダンスの急減に合ったセラミックトランスの昇圧比の
周波数特性を利用して得た電圧によって冷陰極管に流れ
る負荷電流を制御し、冷陰極管の輝度を調整するように
したので、巻線トランスに起因する諸問題をセラミック
トランスを使用することによって解消し、かつ発振周波
数を制御することよって、冷陰極管の点灯及び調光を容
易に行うことができる。
ミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式は、発振器
からの出力をセラミックトランスに与え、前記出力の出
力周波数を高い方から低い方に掃引し、前記出力周波数
を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で固定し、セラミ
ックトランスの駆動周波数を制御することによって冷陰
極管を点灯させるようにしたので、また、発振器からの
出力をセラミックトランスに与え、前記出力の出力周波
数を高い方から低い方に掃引し、前記出力周波数の減少
に伴いセラミックトランスの昇圧比が増加するセラミッ
クトランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜において冷陰
極管を点灯させ、前記出力周波数を冷陰極管が点灯する
昇圧比の周波数で固定し、点灯による冷陰極管のインピ
ーダンスの急減に合ったセラミックトランスの昇圧比の
周波数特性を利用して得た電圧によって冷陰極管に流れ
る負荷電流を制御し、冷陰極管の輝度を調整するように
したので、巻線トランスに起因する諸問題をセラミック
トランスを使用することによって解消し、かつ発振周波
数を制御することよって、冷陰極管の点灯及び調光を容
易に行うことができる。
【図１】本発明のセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式を説明するためのセラミックトランスの諸特
性を示す図である。
の駆動方式を説明するためのセラミックトランスの諸特
性を示す図である。
【図２】本発明の実施に使用される冷陰極管の電流−電
圧特性を示す図である。
圧特性を示す図である。
【図３】本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰
極管の駆動方式を実施するための冷陰極管駆動装置の構
成を示す概要ブロック図である。
極管の駆動方式を実施するための冷陰極管駆動装置の構
成を示す概要ブロック図である。
１ 可変電圧装置 ２ 冷陰極管 ３ 負荷電流検出回路 ４ 交流電圧整流回路 ５ 積分回路 ６ 電圧レベルシフト回路 ７ 無安定マルチバイブレータ ８ 電流増幅回路 ９ 巻線トランス １０ セラミックトランス ２０ 冷陰極管駆動装置
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックトランスの昇圧比の周波数特
性を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させる
セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、 発振器からの出力をセラミックトランスに与え、 前記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、 前記出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で
固定し、 セラミックトランスの駆動周波数を制御することによっ
て冷陰極管を点灯させることを特徴とするセラミックト
ランスを用いた冷陰極管の駆動方式。 - 【請求項２】 セラミックトランスの昇圧比の周波数特
性を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させる
セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、 発振器からの出力をセラミックトランスに与え、 前記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、 前記出力周波数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧
比が増加するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性
の負傾斜において冷陰極管を点灯させ、 前記出力周波数を冷陰極管が点灯する昇圧比の周波数で
固定し、 点灯による冷陰極管のインピーダンスの急減に合ったセ
ラミックトランスの昇圧比の周波数特性を利用して得た
電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を制御し、冷陰
極管の輝度を調整することを特徴とするセラミックトラ
ンスを用いた冷陰極管の駆動方式。
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|---|---|---|---|
| JP4341221A JP2767730B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP4341221A JP2767730B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167694A true JPH06167694A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2767730B2 JP2767730B2 (ja) | 1998-06-18 |
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ID=18344320
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|---|---|
| JP (1) | JP2767730B2 (ja) |
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1992
- 1992-11-27 JP JP4341221A patent/JP2767730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2767730B2 (ja) | 1998-06-18 |
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