JP2767730B2 - セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 - Google Patents
セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶を裏から光で照らす
バックライト用の光源に使用されている冷陰極管の駆動
方式に関し、特にセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式に関する。
バックライト用の光源に使用されている冷陰極管の駆動
方式に関し、特にセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、液晶を裏から光で照らすバックラ
イトに使用される光源には冷陰極管が使用される。この
冷陰極管を点灯させるための電源として冷陰極管用イン
バータを使用する。冷陰極管を点灯させるために必要な
１２００Ｖ位の高電圧は、巻線トランスの２次側を数千
回巻き、５〜１５Ｖの電圧を昇圧して得ている。この巻
線には４０ミクロン位の細い線を使用している。このよ
うに細い線を多く巻いた巻線トランスを使用すると、断
線，レアショート等の問題が発生し、多くの工数を必要
とする。また、薄型を要求されるノートブックタイプの
パソコン等に巻線トランスを使用すると、小型化するの
に構造的な限界がある。この問題の改善策として、巻線
トランスをセラミック板の圧電トランスで代替えする方
式が検討されている。
イトに使用される光源には冷陰極管が使用される。この
冷陰極管を点灯させるための電源として冷陰極管用イン
バータを使用する。冷陰極管を点灯させるために必要な
１２００Ｖ位の高電圧は、巻線トランスの２次側を数千
回巻き、５〜１５Ｖの電圧を昇圧して得ている。この巻
線には４０ミクロン位の細い線を使用している。このよ
うに細い線を多く巻いた巻線トランスを使用すると、断
線，レアショート等の問題が発生し、多くの工数を必要
とする。また、薄型を要求されるノートブックタイプの
パソコン等に巻線トランスを使用すると、小型化するの
に構造的な限界がある。この問題の改善策として、巻線
トランスをセラミック板の圧電トランスで代替えする方
式が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の巻線ト
ランスに代替えされる圧電トランスを使用した冷陰極管
の駆動方式では、圧電トランスは或る一定の狭い帯域の
周波数だけしか通さないという性質のめに、発振器と圧
電トランスとの周波数の整合をとるのが難しく、充分な
出力を取り出すことが困難であるという課題がある。
ランスに代替えされる圧電トランスを使用した冷陰極管
の駆動方式では、圧電トランスは或る一定の狭い帯域の
周波数だけしか通さないという性質のめに、発振器と圧
電トランスとの周波数の整合をとるのが難しく、充分な
出力を取り出すことが困難であるという課題がある。
【０００４】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、巻線トランスに起因する諸問題を圧電トラン
ス（以下、セラミックトランスと称する）を使用するこ
とによって解消し、かつ発振周波数を正確に制御するこ
とによって、冷陰極管の点灯及び調光を行うセラミック
トランスを用いた冷陰極管の駆動方式を提供することを
目的とする。
のであり、巻線トランスに起因する諸問題を圧電トラン
ス（以下、セラミックトランスと称する）を使用するこ
とによって解消し、かつ発振周波数を正確に制御するこ
とによって、冷陰極管の点灯及び調光を行うセラミック
トランスを用いた冷陰極管の駆動方式を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰極管の
駆動方式は、セラミックトランスの昇圧比の周波数特性
を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させるセ
ラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、発振器からの出力をセラミックトランスに与え、前
記出力周波数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧比
が増加するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性の
負傾斜において前記出力の出力周波数を高い方から低い
方に掃引して冷陰極管を点灯させ、引き続いて、前記出
力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、点灯によ
る冷陰極管のインピーダンスの急減に合ったセラミック
トランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜において前記掃
引により得た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を
制御し、冷陰極管の輝度を調整することに特徴を有して
いる。
に本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰極管の
駆動方式は、セラミックトランスの昇圧比の周波数特性
を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させるセ
ラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、発振器からの出力をセラミックトランスに与え、前
記出力周波数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧比
が増加するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性の
負傾斜において前記出力の出力周波数を高い方から低い
方に掃引して冷陰極管を点灯させ、引き続いて、前記出
力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し、点灯によ
る冷陰極管のインピーダンスの急減に合ったセラミック
トランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜において前記掃
引により得た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を
制御し、冷陰極管の輝度を調整することに特徴を有して
いる。
【０００６】
【作用】発振器からの出力をセラミックトランスに与え
る。この発振器からの出力周波数は高い方から低い方に
掃引される。セラミックトランスの昇圧比には周波数に
よる共振がある。セラミックトランスの昇圧比の周波数
特性の負傾斜で冷陰極管を点灯させる。引き続き発振器
からの出力周波数を高い方から低い方に掃引させなが
ら、点灯によりインピーダンスが急減した冷陰極管に対
応するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性の負傾
斜で冷陰極管に流れる電流を制御して冷陰極管の輝度を
調整する。
る。この発振器からの出力周波数は高い方から低い方に
掃引される。セラミックトランスの昇圧比には周波数に
よる共振がある。セラミックトランスの昇圧比の周波数
特性の負傾斜で冷陰極管を点灯させる。引き続き発振器
からの出力周波数を高い方から低い方に掃引させなが
ら、点灯によりインピーダンスが急減した冷陰極管に対
応するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性の負傾
斜で冷陰極管に流れる電流を制御して冷陰極管の輝度を
調整する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図３は本発明によるセラミックトランスを用い
た冷陰極管の点灯及び輝度調整を実施するための冷陰極
管駆動装置の構成を示す概要ブロック図である。図にお
いて、２０は冷陰極管駆動装置であり、１は負荷電流を
決定するための設定電圧を決める可変電圧装置、２は液
晶のバックライト光源となる冷陰極管、１２は負荷であ
る冷陰極管３に流れる負荷電流、３は負荷電流１２を検
出する負荷電流検出回路、４は負荷電流検出回路３で検
出した負荷電流に比例する交流電圧を整流する交流電圧
整流回路、５は可変電圧装置１からの設定電圧と交流電
圧整流回路４からの出力電圧の差電圧を積分する積分回
路、６は電圧レベルをシフトする電圧レベルシフト回
路、７は電圧レベルシフト回路６の出力電圧に比例する
周波数を発振する無安定マルチバイブレータ、８は無安
定マルチバイブレータの出力電流を増幅する電流増幅回
路、９は必要な場合に挿入する巻線トランス、１０はセ
ラミックトランスをそれぞれ示す。
明する。図３は本発明によるセラミックトランスを用い
た冷陰極管の点灯及び輝度調整を実施するための冷陰極
管駆動装置の構成を示す概要ブロック図である。図にお
いて、２０は冷陰極管駆動装置であり、１は負荷電流を
決定するための設定電圧を決める可変電圧装置、２は液
晶のバックライト光源となる冷陰極管、１２は負荷であ
る冷陰極管３に流れる負荷電流、３は負荷電流１２を検
出する負荷電流検出回路、４は負荷電流検出回路３で検
出した負荷電流に比例する交流電圧を整流する交流電圧
整流回路、５は可変電圧装置１からの設定電圧と交流電
圧整流回路４からの出力電圧の差電圧を積分する積分回
路、６は電圧レベルをシフトする電圧レベルシフト回
路、７は電圧レベルシフト回路６の出力電圧に比例する
周波数を発振する無安定マルチバイブレータ、８は無安
定マルチバイブレータの出力電流を増幅する電流増幅回
路、９は必要な場合に挿入する巻線トランス、１０はセ
ラミックトランスをそれぞれ示す。
【０００８】先ず、冷陰極管駆動装置の一般的な動作原
理を説明する。可変電圧装置１の設定電圧をＶ１、冷陰
極管２の負荷電流の大きさを１２、負荷電流検出回路３
の出力電圧をＶ３、交流電圧整流回路４の出力をＥ４、
積分回路５の出力をＶ５、電圧レベルシフト回路６の出
力電圧をＶ６，シフト電圧をＶ０６、無安定マルチバイ
ブレータ７の発振周波数をｆ７、電流増幅回路８の出力
電圧をＶ８、巻線トランス９の昇圧比をＮ，出力電圧を
Ｖ９、セラミックトランス１０の周波数特性をＦ（ｊ２
πｆ），出力電圧をＶ１０とする。
理を説明する。可変電圧装置１の設定電圧をＶ１、冷陰
極管２の負荷電流の大きさを１２、負荷電流検出回路３
の出力電圧をＶ３、交流電圧整流回路４の出力をＥ４、
積分回路５の出力をＶ５、電圧レベルシフト回路６の出
力電圧をＶ６，シフト電圧をＶ０６、無安定マルチバイ
ブレータ７の発振周波数をｆ７、電流増幅回路８の出力
電圧をＶ８、巻線トランス９の昇圧比をＮ，出力電圧を
Ｖ９、セラミックトランス１０の周波数特性をＦ（ｊ２
πｆ），出力電圧をＶ１０とする。
【０００９】設定電圧Ｖ１から負荷電流１２までの各ブ
ロックにおける入出力は、次に示す式が成立する。 Ｖ３ ＝ｋ１・Ｉ２ （１） Ｅ４ ＝ｋ２・Ｖ３ （２） Ｖ５（ｔ）＝ｋ３∫（Ｅ４−Ｖ１）ｄｔ （３） Ｖ６ ＝Ｖ５＋Ｖ０６ （４） ｆ７ ＝ｋ４・Ｖ６ （５） Ｖ８ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｆ７ｔ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （６） Ｖ９ ＝Ｎ・Ｖ８ （７） Ｖ１０＝｜Ｆ（ｊ２πｆ７）｜Ｖ９ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （８） １２ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐ／ＺＬ （９） ここで、Ｖｐは電流増幅回路８の出力振幅であり、ＺＬ
は冷陰極管２のインピーダンスである。
ロックにおける入出力は、次に示す式が成立する。 Ｖ３ ＝ｋ１・Ｉ２ （１） Ｅ４ ＝ｋ２・Ｖ３ （２） Ｖ５（ｔ）＝ｋ３∫（Ｅ４−Ｖ１）ｄｔ （３） Ｖ６ ＝Ｖ５＋Ｖ０６ （４） ｆ７ ＝ｋ４・Ｖ６ （５） Ｖ８ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｆ７ｔ ＝Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （６） Ｖ９ ＝Ｎ・Ｖ８ （７） Ｖ１０＝｜Ｆ（ｊ２πｆ７）｜Ｖ９ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐｓｉｎ２πｋ４・Ｖ６ｔ （８） １２ ＝Ｎ｜Ｆ（ｊ２πｋ４・Ｖ６）｜Ｖｐ／ＺＬ （９） ここで、Ｖｐは電流増幅回路８の出力振幅であり、ＺＬ
は冷陰極管２のインピーダンスである。
【００１０】積分回路２はその被積分値が０、すなわち Ｅ４−Ｖ１＝０ （１０） が成立すれば出力の変化がなくなり一定となる。（１
０），（２），（１）から、 ｋ２・Ｖ３−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・１２−Ｖ１＝０ （１１） が得られる。これから変化が終了したときの負荷電流１
２の大きさは １２＝Ｖ１／ｋ１・ｋ２ （１２） となる。このように、冷陰極管２を流れる負荷電流１
２、すなわち冷陰極管２の輝度は設定電圧Ｖ１によって
決められることになる。
０），（２），（１）から、 ｋ２・Ｖ３−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・１２−Ｖ１＝０ （１１） が得られる。これから変化が終了したときの負荷電流１
２の大きさは １２＝Ｖ１／ｋ１・ｋ２ （１２） となる。このように、冷陰極管２を流れる負荷電流１
２、すなわち冷陰極管２の輝度は設定電圧Ｖ１によって
決められることになる。
【００１１】図２は冷陰極管の電流−電圧特性を示して
いる。図が示すように、冷陰極管２の電極間は点灯する
までは高抵抗を示し、点灯電圧Ｖｂは１０００Ｖ程度の
高電圧を必要とするが、点灯後は抵抗が急減する性質が
あり、冷陰極管２に電流が流れる。電圧Ｖｄはこの負荷
電流に対応するものである。従って、冷陰極管駆動装置
２０は点灯までは高電圧を発生し、点灯後は電圧を下げ
る必要がある。圧電現象を利用したセラミックトランス
の高電圧発生装置は、その昇圧比は駆動周波数によって
大きく変化し、またその周波数特性は負荷インピーダン
スによって大きく変わる素子である。
いる。図が示すように、冷陰極管２の電極間は点灯する
までは高抵抗を示し、点灯電圧Ｖｂは１０００Ｖ程度の
高電圧を必要とするが、点灯後は抵抗が急減する性質が
あり、冷陰極管２に電流が流れる。電圧Ｖｄはこの負荷
電流に対応するものである。従って、冷陰極管駆動装置
２０は点灯までは高電圧を発生し、点灯後は電圧を下げ
る必要がある。圧電現象を利用したセラミックトランス
の高電圧発生装置は、その昇圧比は駆動周波数によって
大きく変化し、またその周波数特性は負荷インピーダン
スによって大きく変わる素子である。
【００１２】図１はセラミックトランスの昇圧比の周波
数特性の例を負荷抵抗が大きい場合（冷陰極管の点灯前
の状態）を実線で、小さい場合（冷陰極管の点灯後）を
破線で示したものである。冷陰極管駆動装置２０の電源
を投入したとき、積分回路５の出力電圧は０である。こ
の時の電圧レベルシフト回路６の出力電圧Ｖ０６によっ
て発振周波数ｆ７が無安定マルチバイブレータ７から出
力される。この発振周波数ｆ７は図における周波数ｆａ
である。この時、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ
１０はＶａであり、冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂ
まで達しないため冷陰極管２は点灯しない。従って、 １２＝Ｖ３＝Ｅ４＝０ であり、積分回路５の出力は Ｖ５（ｔ）＝−ｋ３・Ｖ１ｔ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
は ｆ７＝ｋ４（Ｖ０６−ｋ３・Ｖ１ｔ） のように時間と共に減少する。この結果やがてｆ７はｆ
ｂとなり、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１０は
冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂとなり、冷陰極管２
は点灯する。冷陰極管２は点灯するとインピーダンスが
小となり、それに従ってセラミックトランス１０の昇圧
比は破線で示す特性に移行する。
数特性の例を負荷抵抗が大きい場合（冷陰極管の点灯前
の状態）を実線で、小さい場合（冷陰極管の点灯後）を
破線で示したものである。冷陰極管駆動装置２０の電源
を投入したとき、積分回路５の出力電圧は０である。こ
の時の電圧レベルシフト回路６の出力電圧Ｖ０６によっ
て発振周波数ｆ７が無安定マルチバイブレータ７から出
力される。この発振周波数ｆ７は図における周波数ｆａ
である。この時、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ
１０はＶａであり、冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂ
まで達しないため冷陰極管２は点灯しない。従って、 １２＝Ｖ３＝Ｅ４＝０ であり、積分回路５の出力は Ｖ５（ｔ）＝−ｋ３・Ｖ１ｔ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
は ｆ７＝ｋ４（Ｖ０６−ｋ３・Ｖ１ｔ） のように時間と共に減少する。この結果やがてｆ７はｆ
ｂとなり、セラミックトランス１０の出力電圧Ｖ１０は
冷陰極管２の点灯に必要な電圧Ｖｂとなり、冷陰極管２
は点灯する。冷陰極管２は点灯するとインピーダンスが
小となり、それに従ってセラミックトランス１０の昇圧
比は破線で示す特性に移行する。
【００１３】この時、冷陰極管２に印加されるセラミッ
クトランス１０の出力電圧Ｖ１０はＶｃである。この電
圧Ｖｃによる負荷電流１２が必要な輝度を与えない場合
には、 Ｅ４−Ｖ１＜０ であり、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７
は引き続き減少する。その結果セラミックトランス１０
の出力電圧Ｖ１０に従って負荷電流１２は増大し、やが
てｆ７＝ｆｄにおいてセラミックトランス１０の出力電
圧Ｖ１０がＶｄとなり、その時、 Ｅ４−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・１２−Ｖ１＝０ となる。その時の積分回路５の出力電圧Ｖ５は一定とな
り、冷陰極管２の負荷電流１２は設定値となる。無安定
マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７がｆｄより更に
小さくなると、冷陰極管２に流れる負荷電流１２は設定
値より大となり、従って Ｅ４−Ｖ１＞０ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
ｆ７は増加に転じ、結局積分回路５の被積分値は０、す
なわち Ｅ４−Ｖ１＝０ となって回路は平衡する事になる。以上のように、セラ
ミックトランス１０の共振特性を利用して、冷陰極管２
の輝度を変える調光機能を持たせている。セラミックト
ランス１０の共振カーブのピークに近い所では明るく、
ピークから外れるに従って暗くなる。
クトランス１０の出力電圧Ｖ１０はＶｃである。この電
圧Ｖｃによる負荷電流１２が必要な輝度を与えない場合
には、 Ｅ４−Ｖ１＜０ であり、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７
は引き続き減少する。その結果セラミックトランス１０
の出力電圧Ｖ１０に従って負荷電流１２は増大し、やが
てｆ７＝ｆｄにおいてセラミックトランス１０の出力電
圧Ｖ１０がＶｄとなり、その時、 Ｅ４−Ｖ１＝ｋ１・ｋ２・１２−Ｖ１＝０ となる。その時の積分回路５の出力電圧Ｖ５は一定とな
り、冷陰極管２の負荷電流１２は設定値となる。無安定
マルチバイブレータ７の発振周波数ｆ７がｆｄより更に
小さくなると、冷陰極管２に流れる負荷電流１２は設定
値より大となり、従って Ｅ４−Ｖ１＞０ となるから、無安定マルチバイブレータ７の発振周波数
ｆ７は増加に転じ、結局積分回路５の被積分値は０、す
なわち Ｅ４−Ｖ１＝０ となって回路は平衡する事になる。以上のように、セラ
ミックトランス１０の共振特性を利用して、冷陰極管２
の輝度を変える調光機能を持たせている。セラミックト
ランス１０の共振カーブのピークに近い所では明るく、
ピークから外れるに従って暗くなる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるセラ
ミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式は、発振器
からの出力をセラミックトランスに与え、前記出力周波
数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧比が増加する
セラミックトランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜にお
いて前記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し
て冷陰極管を点灯させ、引き続いて、前記出力の出力周
波数を高い方から低い方に掃引し、点灯による冷陰極管
のインピーダンスの急減に合ったセラミックトランスの
昇圧比の周波数特性の負傾斜において前記掃引により得
た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を制御し、冷
陰極管の輝度を調整するようにしたので、巻線トランス
に起因する諸問題をセラミックトランスを使用すること
によって解消し、かつ発振周波数を制御することよっ
て、冷陰極管の点灯及び調光を容易に行うことができ
る。
ミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式は、発振器
からの出力をセラミックトランスに与え、前記出力周波
数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧比が増加する
セラミックトランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜にお
いて前記出力の出力周波数を高い方から低い方に掃引し
て冷陰極管を点灯させ、引き続いて、前記出力の出力周
波数を高い方から低い方に掃引し、点灯による冷陰極管
のインピーダンスの急減に合ったセラミックトランスの
昇圧比の周波数特性の負傾斜において前記掃引により得
た電圧によって冷陰極管に流れる負荷電流を制御し、冷
陰極管の輝度を調整するようにしたので、巻線トランス
に起因する諸問題をセラミックトランスを使用すること
によって解消し、かつ発振周波数を制御することよっ
て、冷陰極管の点灯及び調光を容易に行うことができ
る。
【図１】本発明のセラミックトランスを用いた冷陰極管
の駆動方式を説明するためのセラミックトランスの諸特
性を示す図である。
の駆動方式を説明するためのセラミックトランスの諸特
性を示す図である。
【図２】本発明の実施に使用される冷陰極管の電流−電
圧特性を示す図である。
圧特性を示す図である。
【図３】本発明によるセラミックトランスを用いた冷陰
極管の駆動方式を実施するための冷陰極管駆動装置の構
成を示す概要ブロック図である。
極管の駆動方式を実施するための冷陰極管駆動装置の構
成を示す概要ブロック図である。
１ 可変電圧装置 ２ 冷陰極管 ３ 負荷電流検出回路 ４ 交流電圧整流回路 ５ 積分回路 ６ 電圧レベルシフト回路 ７ 無安定マルチバイブレータ ８ 電流増幅回路 ９ 巻線トランス １０ セラミックトランス ２０ 冷陰極管駆動装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/133 H05B 41/24 G09F 9/00 337
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックトランスの昇圧比の周波数特
性を利用して得た高電圧によって冷陰極管を点灯させる
セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式におい
て、 発振器からの出力をセラミックトランスに与え、 前記出力周波数の減少に伴いセラミックトランスの昇圧
比が増加するセラミックトランスの昇圧比の周波数特性
の負傾斜において前記出力の出力周波数を高い方から低
い方に掃引して冷陰極管を点灯させ、 引き続いて、前記出力の出力周波数を高い方から低い方
に掃引し、 点灯による冷陰極管のインピーダンスの急減に合ったセ
ラミックトランスの昇圧比の周波数特性の負傾斜におい
て前記掃引により得た電圧によって冷陰極管に流れる負
荷電流を制御し、 冷陰極管の輝度を調整することを特徴とするセラミック
トランスを用いた冷陰極管の駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341221A JP2767730B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341221A JP2767730B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167694A JPH06167694A (ja) | 1994-06-14 |
| JP2767730B2 true JP2767730B2 (ja) | 1998-06-18 |
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ID=18344320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341221A Expired - Fee Related JP2767730B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | セラミックトランスを用いた冷陰極管の駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767730B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2751842B2 (ja) * | 1994-10-05 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 圧電トランスの駆動回路および駆動方法 |
| DE69620517T2 (de) * | 1995-08-07 | 2002-11-07 | Nec Corp., Tokio/Tokyo | Umwandler wobei ein piezoelektrisches Transformatoreingangssignal durch ein pulsbreitenmoduliertes Signal frequenzmoduliert wird |
| TW349278B (en) | 1996-08-29 | 1999-01-01 | Nihon Cement | Control circuit and method for piezoelectric transformer |
| JP3412736B2 (ja) * | 1996-09-11 | 2003-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 圧電トランス駆動装置、圧電トランスおよび液晶表示装置 |
| JP3398734B2 (ja) * | 1997-04-04 | 2003-04-21 | シャープ株式会社 | 液晶バックライト駆動用インバータ回路 |
| JP2000116155A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電トランスインバータ |
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