JPH06161870A - デュアルポートram回路 - Google Patents

デュアルポートram回路

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Publication number
JPH06161870A
JPH06161870A JP4317019A JP31701992A JPH06161870A JP H06161870 A JPH06161870 A JP H06161870A JP 4317019 A JP4317019 A JP 4317019A JP 31701992 A JP31701992 A JP 31701992A JP H06161870 A JPH06161870 A JP H06161870A
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JP
Japan
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signal
read
write
circuit
cpu
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JP4317019A
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English (en)
Inventor
Mitsuru Suzuki
充 鈴木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】RAM部をシングルポート型としてチップ・サ
イズを小型化し、信頼性の向上及びコストの低減をはか
る。 【構成】RAM部1をシングルポート型とする。切換制
御信号によりCPU−A,CPU−Bからのアドレス信
号PADA,PADBの切換え、データバス4a,4b
とRAM部1との間のデータの伝達切換を行う切換制御
部2を設ける。CPU−A,CPU−Bからの書込み
用,読出し用の制御信号を内部クロックの1周期に同期
化すると共に、2つのCPUから同一タイミングで書込
み用,読出し用の制御信号が入力されたときは一方を1
クロック周期だけ遅延させてタイミシェアリングにRA
M部1をアクセスするように上記切換制御信号を発生す
るアービトレーション回路3を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデュアルポートRAM回
路に関し、特に2つの制御装置から書込み,読出しが可
能なデュアルポートRAM回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来デュアルポートRAM回路は、書込
みは1系統の入力、読出しは2系統出力を持った特殊な
メモリセルを多数配列したランダム・アクセス・メモリ
部(以下RAM部という)を用い、読出し動作時には競
合しても2系統が非同期に行えるが、書込みは1系統し
か持たないため、アドレス情報による調停を行い、書込
み動作競合時にはどちらか一方の書き込み動作のみが有
効となり、他方の書込み動作を無効になる構成となって
いた。
【0003】また、読出し動作はどちらの系統も非同期
で行えるため、どちらか一方が書込み動作中に、他方が
読出し動作を行う事も可能である。そのため、一方が書
込み状態である場合は他方に対して書込み状態である事
を示すステータス信号を出力する構成を取っていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のデュア
ルポートRAM回路は、特殊なRAM部を用いているた
め、通常の入出力を1系統しか持たないシングルポート
型のRAM部に対してトランジスタ数が数倍必要とな
り、同一容量であればモノリシックIC化した場合、チ
ップサイズの大型化を招き、信頼性の低下、コストの増
大という問題点があった。
【0005】また、双方より常時、非同期に読出しが可
能な構成であるため、同一アドレスで一方が書込み動作
を行っているタイミングで他方が読出し動作を行った場
合、読出されたデータは不定となる欠点があった。
【0006】更に、RAM部を使用しているため、ゲー
ト・アレイ等の汎用のセミ・カスタムICに搭載する事
は不可能であった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のデュアルポート
RAM回路は、1つずつの書込み用のポート及び読出し
用のポートをもち、伝達されたアドレス信号により選択
されたアドレスに前記書込み用のポートに供給された書
込み用のデータを書込み前記選択されたアドレスから記
憶データを読出し前記読出し用のポートに供給するRA
M部と、第1及び第2の制御装置のデータをそれぞれ対
応して伝達する第1及び第2のデータバスと、前記読出
し用のポートに供給されたデータをそれぞれ所定のタイ
ミングでラッチする第1及び第2のリード・ラッチ回
路、前記第1及び第2のデータバスからのデータをそれ
ぞれ対応して所定のタイミングでラッチする第1及び第
2のライト・ラッチ回路、並びに伝達された第1及び第
2のアドレス信号のうちの一方をアドレス選択制御信号
に従って選択し前記RAM部に伝達するアドレス選択制
御部を備え書込み・読出し切換制御信号に従って前記第
1及び第2のリード・ラッチ回路のデータを前記第1及
び第2のデータバスにそれぞれ対応して伝達し前記第1
及び第2のライト・ラッチ回路のデータのうちの一方を
選択して前記書込み用のポートに供給する切換制御回路
と、前記第1及び第2の制御装置からの第1及び第2の
アドレス信号をそれぞれ所定のタイミングでラッチし前
記アドレス選択制御部へ伝達し、前記第1及び第2の制
御装置からの書込み制御信号,読出し制御信号を内部ク
ロック信号の1クロック周期幅に同期化し、前記第1及
び第2の制御装置からの書込み制御信号,読出し制御信
号が同一タイミングに発生したときは何れか一方を前記
1クロック周期分遅延させると共にこの遅延に関連する
前記RAM部及び第1,第2のデータバス間のデータの
伝達制御並びに前記アドレス選択回路によるアドレス選
択制御を前記書込み・読出し切換制御信号及びアドレス
選択制御信号により行うアービトレーション回路とを有
している。
【0008】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【0009】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。
【0010】この実施例は、1つずつの書込み用のポー
ト及び読出し用のポートをもち、伝達されたアドレス信
号により選択されたアドレスに上記書込み用のポートに
供給された書込み用のデータを書込み上記選択されたア
ドレスから記憶データを読出し上記読出し用のポートに
供給するRAM部1と、第1及び第2の制御装置のCP
U−A,CPU−Bのデータをそれぞれ対応して伝達す
る第1及び第2のデータバス4a,4bと、上記読出し
用のポートに供給されたデータをそれぞれ所定のタイミ
ングでラッチする第1及び第2のリード・ラッチ回路と
第1及び第2のデータバス4a,4bからのデータをそ
れぞれ対応して所定のタイミングでラッチする第1及び
第2のライト・ラッチ回路とを含む入出力切換制御部2
2a,22b、並びに伝達された第1及び第2のアドレ
ス信号PADA,PADBのうちの一方をアドレス選択
制御信号に従って選択しRAM部1に伝達するアドレス
選択制御部21を備え書込み・読出し切換制御信号に従
って上記第1及び第2のリード・ラッチ回路のデータを
第1及び第2のデータバス4a,4bにそれぞれ対応し
て伝達し上記第1及び第2のライト・ラッチ回路のデー
タのうちの一方を選択して上記書込み用のポートに供給
する切換制御回路2と、CPU−A,CPU−Bからの
第1及び第2のアドレス信号PADA,PADBをそれ
ぞれ所定のタイミングでラッチしアドレス選択制御部2
1へ伝達し、CPU−A,CPU−Bからの書込み制御
信号,読出し制御信号(WR*,RD*,R*/W)を
内部クロック信号C1,C2の1クロック周期幅に同期
化し、CPU−A,CPU−Bからの書込み制御信号,
読出し制御信号(WR*,RD*,R*/W)が同一タ
イミングに発生したときは何れか一方を1クロック周期
分遅延させると共にこの遅延に関連するRAM部1及び
第1,第2のデータバス間4a,4bのデータの伝達制
御並びにアドレス選択制御回路21によるアドレス選択
制御を上記書込み・読出し切換制御信号及びアドレス選
択制御信号により行うアービトレーション回路3とを有
する構成となっている。
【0011】次に、この実施例のアービトレーション回
路3及び切換制御回路2の具体的な回路構成について説
明する。
【0012】図2はこの実施例のアービトレーション回
路3のブロック図である。
【0013】アドレスラッチ回路31aは、CPU−A
側のアドレス信号PADAをアドレスラッチ信号ALE
Aによりラッチし出力する。論理ゲートG31は、本デ
ュアルポートRAM回路の選択信号であるチップセレク
ト信号CSAと書込み制御信号WR*との論理積をと
り、CPU−A側からの書込み制御を行うための信号を
生成する。
【0014】同期回路32aは、論理ゲートG31の出
力、つまりCPU−A側からの書込み制御信号を内部ク
ロック信号C1,C2にて同期する立上がりエッジ検出
回路33aは、同期回路32aにて同期化された書込み
制御信号の立ち上がりエッジを検出し、内部クロック1
周期分の信号を発生する。Dラッチ回路34aは立上が
りエッジ検出回路33aの出力を内部クロック信号C1
に同期させ、同様にDラッチ回路34bは、内部クロッ
ク信号C1に同期した立上がりエッジ検出回路33aの
出力を再度、内部クロック信号C2に同期させる。論理
ゲートG32は、チップセレクト信号CSAと書込み制
御信号RD*との論理積をとり、CPU−A側からの読
出し制御を行うための信号を生成する。同期回路32b
は、論理ゲートG32の出力、つまりCPU−A側から
の読出し制御信号を内部クロック信号C1,C2にて同
期化する。立上がりエッジ検出回路33bは、同期回路
32bにて同期化された読出し制御信号の立上がりエッ
ジを検出し、内部クロック1周期分の信号を発生する。
【0015】アドレスラッチ回路31bは、CPU−B
側のアドレス信号PADBをアドレスラッチ信号ALE
Bを用いてラッチし、出力する。アドレスデコーダ36
は、アドレスラッチ回路31bからのアドレス信号PA
DBをデコードし、RAM部1が選択された事を判定す
るための回路で、アドレスデコーダ36の出力とCPU
−B側からのRAM部をアクセスする信号との論理積を
取り、アドレスデコーダ36の出力がアクティブになら
なければ、RAM部1をアクセス出来ない回路構成とし
ている。遅延回路35aは、CPU−B側より入力され
るアドレスラッチ信号ALEBより、RAM部1をアク
セスするための読み出し,書き込み制御信号を生成する
ための遅延回路で、内部クロック信号C1,C2を用い
てアドレスラッチ信号ALEBをC2の1周期分遅延さ
せる。遅延回路35bは、遅延回路35aと同一の回路
構成を持ち、遅延回路35aにて遅延させた信号を更に
C2の1周期分遅延させ、RAM部1に対する書込み制
御信号を生成する為のタイミング信号を生成する。
【0016】論理ゲートG33は、アドレスデコーダ3
6の出力とリード・ライト信号R*/Wを条件信号と
し、タイミング信号としての遅延回路35bの出力との
論理積を取る回路で、CPU−B側からRAM部に対す
る書込み制御信号を生成する。Dラッチ回路34cは、
論理ゲートG33の出力を内部クロック信号C1に同期
させ、Dラッチ回路34dは、Dラッチ回路34dによ
ってC1に同期した信号を更にC2に同期させる。論理
ゲートG34は、アドレスデコーダ36の出力とリード
・ライト信号R*/Wの反転信号を条件信号とし、タイ
ミング信号としての遅延回路35bの出力との論理積を
取る回路で、CPU−B側からRAM部1に対する読出
し制御信号を生成する。論理ゲートG35は、アドレス
デコーダ36の出力とリード・ライト信号R*/Wを条
件信号とし、タイミング信号としてのストローブ信号S
TRVとの論理積を取る回路で、CPU−B側からRA
M部1に対する読出しストローブ信号を生成する。Dラ
ッチ34eは、Dラッチ34aの出力信号WLAWRを
内部クロック信号C2に同期化する。論理積ゲートG3
6は、CPU−A側からRAM部1に対する読出し、書
込みの制御信号の論理和を取る回路で、この出力がアク
ティブになっている場合は、CPU−A側からRAM部
1に対してアクセスされている事を示している。
【0017】調停回路37aは、CPU−B側からの書
込み制御信号であるDラッチ回路34dの出力信号とC
PU−A側からのRAM部1に対するアクセス信号との
調停を行う回路で、Dラッチ回路34dの出力信号がア
クティブとなっても論理ゲートG36の出力信号がアク
ティブの場合は、Dラッチ回路34dの出力信号を内部
クロック1周期分遅延させて出力し、またDラッチ回路
34dの出力信号がアクティブになったときに論理ゲー
トG36の出力信号がインアクティブならばDラッチ回
路34dの出力信号をそのまま出力する。調停回路37
bは、CPU−B側からの読出し制御信号である論理ゲ
ートG34の出力信号とCPU−A側からのRAM部1
に対するアクセス信号との調停を行う回路で、論理ゲー
トG34の出力信号がアクティブとなっても論理ゲート
G36の出力信号がアクティブの場合は、論理ゲートG
34の出力信号を内部クロック1周期分遅延させて出力
し、また論理ゲートG34の出力信号がアクティブとな
ったときに論理ゲートG36の出力信号がインアクティ
ブならば論理ゲートG34の出力信号をそのまま出力す
る。
【0018】切換制御信号WLAWRは、CPU−A側
からRAM部1に対する書込み用の制御信号である。切
換制御信号DPAWRは、CPU−A側からRAM部1
に対する書込み用のストローブ信号である。切換制御信
号RLAWRは、RAM部1に対する読出し用の制御信
号である。切換制御信号DPARDは、CPU−A側か
らRAM部1に対する読出しのストローブ信号である。
切換制御信号WLBWRは、CPU−B側からRAM部
1に対する書込み用の制御信号である。切換制御信号D
PBWRは、CPU−B側からRAM部1に対する書込
み用のストローブ信号である。切換制御信号RLBWR
は、CPU−B側からRAM部1に対する読出し用の制
御信号である。切換制御信号DPBRDは、CPU−B
側からRAM部1に対する読出し用のストローブ信号で
ある。
【0019】図3はこの実施例の切換制御回路2のブロ
ック図である。
【0020】論理ゲートG21は、切換制御信号DPA
WR(以下、DPAWR信号という、他も同様)とRL
AWR信号との論理和回路をとり、その出力はCPU−
A側よりRAM部1がアクセスされている場合アクティ
ブとなる信号である。セレクタSL21は、アドレスラ
ッチ回路31aからのアドレス信号PADAとアドレス
ラッチ回路31bからのアドレス信号PADBとを入力
とし、その選択信号として論理ゲートG21の出力を用
い、その出力がアクティブの場合はアドレス信号PAD
Aをセレクタ選択し、インアクティブの場合はアドレス
信号PADBを選択してRAM部1に供給する。論理ゲ
ートG22は、RLAWR信号とC1信号論理積を取る
回路であり、CPU−A側の読出し用のリード・ラッチ
回路RL21に対する信号を生成する。リード・ラッチ
回路RL21は、RAM部1からのデータを論理ゲート
G22の出力がアクティブとなるタイミングで保持す
る。バッファ回路B21は、DPARD信号がアクティ
ブの期間、リード・ラッチ回路RL21に保持されてい
るデータをデータバス4aに出力し、インアクティブの
期間はデータバス4aに対し出力端をハイ・インピーダ
ンスとする。
【0021】論理ゲートG24は、RLBWR信号とC
1信号との論理積を取る回路であり、CPU−B側の読
出し用のリード・ラッチ回路RL22に対するラッチ信
号を生成する。リード・ラッチ回路RL22は、RAM
部1からのデータを、論理ゲートG24の出力がアクテ
ィブとなるタイミングで保持する。バッファ回路B22
は、DPBRD信号がアクティブの期間、リード・ラッ
チ回路RL22は、DPBRD信号がアクティブの期
間、リード・ラッチ回路RL22に保持されているデー
タをデータバス4bに出力し、インアクティブの期間は
データバス4bに対し出力端をハイ・インピーダンスと
する。
【0022】論理ゲートG23は、WLAWR信号とC
2信号との論理積を取る回路であり、CPU−A側の書
込み用のライト・ラッチ回路WL21に対するラッチ信
号を生成する。ライト・ラッチWL21は、RAM部1
の選択されたアドレスに記憶させるためのデータを、一
時保持しておく回路であり、論理ゲートG23の出力が
アクティブとなっている期間にデータバス4a上のデー
タを保持する。
【0023】論理ゲートG26は、WLBWR信号とC
2信号との論理積を取る回路であり、CPU−B側の書
込み用のライト・ラッチ回路WL22に対するラッチ信
号を生成する。ライト・ラッチ回路WL22は、RAM
部1の選択されたアドレスに記憶させるためのデータ
を、一時保持しておくための回路であり、論理ゲートG
26の出力がアクティブとなっている期間にデータバス
4b上のデータを保持する。セレクタSL22は、ライ
ト・ラッチ回路WL21に保持されているデータとライ
ト・ラッチ回路WL22に保持されているデータを入力
とし、選択信号としてDPAWR信号を用い、この信号
がアクティブの場合はライト・ラッチ回路WL21のデ
ータを選択し、インアクティブの場合はライト・ラッチ
回路WL22のデータを選択する。論理ゲートG25
は、DPAWR信号とDPBWR信号との論理和を取る
回路であり、RAM部1に対する書込みのストローブ信
号を生成する。バッファ回路B23は、論理ゲートG2
5の出力がアクティブの期間に、セレクタSL22の出
力データをRAM部1の選択されたアドレスに対して書
込みを行い論理ゲートG25の出力がインアクティブの
期間はRAM部1に対し出力をハイ・インピーダンスと
する。
【0024】次にこの実施例の動作について説明する。
図4はこの実施例の動作を説明するための読出し,書込
み時の各部信号のタイミング図,図5はCPU−A側の
読出しとCPU−B側の読出しの競合動作時のタイミン
グ図,図6はCPU−A側の読出しとCPU−B側の書
込みの競合動作時のタイミング図,図7はCPU−A側
の書込みとCPU−B側の書込みの競合動作時のタイミ
ング図,図8はCPU−A側の書込みとCPU−B側の
読出しの競合動作時のタイミング図である。
【0025】まず、CPU−A側のみの読出し,書込み
の動作(非競合時)とCPU−B側のみの読出し,書込
み動作(非競合時)について述べ、次にCPU−A側の
読出し動作とCPU−B側の読出し動作の競合動作時に
ついて説明する。
【0026】前提条件として、CPU−A側はRAM1
に対して非同期で読出し,書込みのアクセスを行い、C
PU−B側はRAM部1に対して同一のクロックに同期
した信号で読出し,書込みのアクセスを行うものとす
る。
【0027】CPU−A側のみの読出し,書込み動作に
ついて図4を参照して説明する。
【0028】まず、CPU−A側からRAM部1に対す
る読出し動作を行う場合はCPU−Aの動作としては、
アドレス信号PADAを出力すると共にアドレスラッチ
信号ALEAを出力し、次にチップ・セレクト信号CS
Aをアクティブとした後、読出し制御信号RD*を少な
くとも内部クロック信号C1,C2の3クロック同期幅
以上の期間、アクティブとし、アドレス信号PADAを
アービトレーション回路3内のアドレスラッチ回路31
aに記憶する。また、CSA信号とRD*信号も、論理
ゲートG32によりCPU−A側からの読出し用の制御
信号DPADRD(アクティブ“1”)を生成し、同期
回路32bと立上がりエッジ検出回路33bとにより内
部クロックに同期した1クロック周期幅の信号のRLA
WRに変換する。DPARD信号がアクティブとなる事
によりバッファ回路B21はリード・ラッチ回路RL2
1の内容をデータバス4aに出力する。
【0029】RLAWR信号がアクティブとなる事によ
り、セレクタSL21はアドレス信号PADAを選択し
RAM部1に対して出力する。これによりRAM部1は
このアドレス(PADA)に格納されているデータをリ
ッド・ラッチ回路RL21に出力する。リード・ラッチ
回路RL21はRLAWR信号がアクティブのため、内
部クロック信号C1のアクティブとなるタイミングでR
AM部1の出力するデータを取り込みバッファ回路B2
1に対し出力し、データバス4a上にこのデータが出力
される。
【0030】次にCPU−A側からRAM部1に対する
書込みの動作を行う場合、CPU−A側の動作としては
書き込みたいアドレスのアドレス信号PADAを出力す
ると共にアドレスラッチ信号ALEAを出力し、次にC
AS信号をアクティブとした後、書込み制御信号である
WR*をアクティブとすると同時にデータバス4a上に
書込みたいデータを出力する。この時、書込み制御WR
*はすくなくとも内部クロックの3クロック周期幅以上
の期間、アクティブとする必要がある。
【0031】書込み動作においても、アドレス信号PA
DAをアドレスラッチ回路31aに記憶する動作は読出
し動作と同一である。
【0032】アービトレーション回路3では、WR*信
号とCAS信号との論理積を取った信号を同期回路32
aにより内部クロックに同期化し、更に立上がりエッジ
検出回路33aにより内部クロックに同期した1クロッ
ク周期幅の信号とした後、Dラッチ回路34aによりC
1クロックと同期を取り直し、WLAWR信号とWLA
WR信号とを更にC2クロックと同期を取り直してDP
AWR信号を生成する。
【0033】切換制御回路2では、WLAWR信号がア
クティブとなる事により、ライト・ラッチ回路WL21
にデータバス4a上のデータをC2クロックのタイミン
グで記憶する。この時、DPAWR信号もアクティブと
なるため、セレクタSL21はアドレス信号PADAを
選択し、RAM部1に供給する。同時に、セレクタSL
22はライト・ラッチ回路WL21の内容を選択しバッ
ファ回路B23に伝達し、バッファ回路B23はDPA
WR信号によりアクティブとなるため、RAM部1には
CPU−A側からの書込み用のデータが供給され書込み
動作が行われる。
【0034】CPU−B側の読出し,書込み動作におい
ても、基本的な動作はCPU−A側と同様であり、アド
レス信号PADBをアービトレーション回路3内のアド
レスラッチ回路31bに記憶する。CPU−B側の読出
し,書込み制御信号は内部クロックに同期させている。
このため、同期回路32aや立上がりエッジ検出回路3
3aは必要なく、動作タイミングを合わせるための遅延
回路35a,35bと論理ゲートG33〜G35によ
り、RAM部1に対する読出し用の制御信号としてRL
BWR,DPBRDを生成し、書込み用の制御信号とし
てWLBWR,DPBWRを生成する。
【0035】CPU−B側からのRAM部1に対する読
出し動作は、RLBWR信号とDPBRD信号とにより
制御し、動作順はCPU−A側からの読出し動作と同一
であるが、読出されるRAM部1のアドレスは、アドレ
ス信号PADBにより選択されると共に、リード・ラッ
チ回路RL22に読出されたデータが格納され、バッフ
ァ回路B22を介してデータバス4bに出力される、と
いう点がCPU−A側からの読出し動作と異なる。
【0036】CPU−B側からの書込み動作も動作順は
CPU−A側からの書込み動作と同一であり、WLBW
R信号とDPBWR信号とにより書込み動作が行われ
る。RAM部1ではWLBWR信号がアクティブとなる
事により、ライト・ラッチ回路WL22にデータバス4
b上のデータをC2クロックのタイミングで記憶する。
この時、DPBWR信号もアクティブとなるため、セレ
クタSL21はアドレス信号PADBを選択しRAM部
に入力される。同時に、セレクタSL22はライト・ラ
ッチ回路WL22の内容を選択し、バッファ回路B23
はその内容が入力される。バッファ回路B23はDPB
WR信号によりアクティブとなるため、RAM部1には
CPU−B側からの書込みたいデータが入力され、書き
込み動作が行われる。
【0037】CPU−B側からの書込み,読出し動作に
おいて、CPU−A側は読出し,書込みのアクセスを行
わない為、RLAWR信号とWLAWR信号とはインア
クティブとなっており、調停回路37a,37bは動作
しない。
【0038】次に、CPU−A側,CPU−B側が同時
に共に読出し動作(競合)を行った場合について述べ
る。
【0039】この時、読出したいアドレスはCPU−A
側とCPU−B側とで異なるものとする。ここで述べる
同時読出しとは、CPU−A側からの入力によりアービ
トレーション回路3によって生成される切換制御回路2
に対する読出し用の制御信号RLAWRが、CPU−B
側からの入力によりアービトレーション回路3によって
生成される切換制御回路2に対する読出し用の制御信号
RLBWRのタイミングと同一となる場合である。
【0040】本実施例においては、RAM部1に対する
読出し,書込みの制御は全て内部クロックに同期した1
クロック幅のRLAWR信号及びRLBWR信号によっ
て行うため、両信号が同一となるタイミングでは、調停
回路37a,37bによりRLBWR信号を1クロック
周期分遅延させる事により調停を行う。この時、CPU
−A側では単独で読出し動作を行った場合と同一のタイ
ミングであるため、RD*信号を長くする等のウェイト
動作は必要がなくアクセスが可能である。また、CPU
−B側についても読出し用の制御信号RLBWRは1ク
ロック遅れるが、読出しデータがリード・ラッチRL2
2に書込まれ、データバス4に出力されるのはSTRV
*信号がアクティブの時間内であるため、読出し動作に
影響は与えずウェイト動作の必要がなくアクセスが可能
である。
【0041】(1)CPU−A側の読み出しとCPU−
B側の書き込みの競合動作(図6) (2)CPU−A側の書き込みとCPU−B側の書き込
みの競合動作(図7) (3)CPU−A側の書き込みとCPU−B側の読み出
しの競合動作(図8) の動作タイミングについても同様に、CPU−A側のリ
ード・ラッチ回路RL21及びライト・ラッチ回路WL
21に対するアクセス信号であるRLAWR,WLAW
Rのアクティブとなるタイミングが、CPU−B側のリ
ード・ラッチ回路RL22及びライト・ラッチ回路WL
22に対するアクセス信号であるRLBWR,WLBW
Rのアクティブとなるタイミングと競合し、CPU−B
側のアクセス信号であるRLBWR,WLBWRを調停
回路37a,37bにより1クロック周期分遅延させ、
双方のCPUの動作に影響を与える事なく読出し,書込
みの動作を行う事を可能としている。
【0042】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、2つの制御
装置からの読出し,書込み用の制御信号を内部クロック
に同期した1クロック周期幅の制御信号とし、双方の制
御装置からの同期化した制御信号が同一タイミングとな
った場合、どちらか一方の制御信号を1クロック周期分
遅延させる事により、時分割で1ポート型のRAM部を
アクセスするので、双方の制御装置はいつも同一のタイ
ミングで非同期にアクセスできるという効果を有する。
またRAM部を通常のシングル・ポートRAMとして信
頼性の向上をはかり、かつコストの低減をはかると共
に、特殊なRAMセルを使用していないため、ゲート・
アレイ等の汎用のセミ・カスタムICにて実現する事も
可能であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のブロック図である。
【図2】図1に示された実施例のアービトレーション回
路のブロック図である。
【図3】図1に示された実施例の切換制御回路のブロッ
ク図である。
【図4】図1に示された実施例のCPU−A側からの読
出し,書込み動作時のタイミング図である。
【図5】図1に示された実施例のCPU−A側の読出し
とCPU−B側の読出しの競合動作時のタイミング図で
ある。
【図6】図1に示された実施例のCPU−A側の読出し
とCPU−B側の書込みの競合動作時のタイミング図で
ある。
【図7】図1に示された実施例のCPU−A側の書込み
とCPU−B側の書込み競合動作時のタイミング図であ
る。
【図8】図1に示された実施例のCPU−A側の書込み
とCPU−B側の読出しの競合動作時のタイミング図で
ある。
【符号の説明】
1 RAM部 2 切換制御回路 3 アービトレーション回路 4a,4b データバス 21 アドレス選択制御部 22a,22b 入出力切換制御部 31a,31b アドレスラッチ回路 32a,32b 同期回路 33a,33b 立上りエッジ検出回路 34a〜34e Dラッチ回路 35a,35b 遅延回路 36 アドレスデコーダ 37a,37b 調停回路 B21〜B23 バッファ回路 G21〜G26,G31〜G36 論理ゲート RL21,RL22 リード・ラッチ回路 SL21,SL22 セレクタ WL21,WL22 ライト・ラッチ回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1つずつの書込み用のポート及び読出し
    用のポートをもち、伝達されたアドレス信号により選択
    されたアドレスに前記書込み用のポートに供給された書
    込み用のデータを書込み前記選択されたアドレスから記
    憶データを読出し前記読出し用のポートに供給するRA
    M部と、第1及び第2の制御装置のデータをそれぞれ対
    応して伝達する第1及び第2のデータバスと、前記読出
    し用のポートに供給されたデータをそれぞれ所定のタイ
    ミングでラッチする第1及び第2のリード・ラッチ回
    路、前記第1及び第2のデータバスからのデータをそれ
    ぞれ対応して所定のタイミングでラッチする第1及び第
    2のライト・ラッチ回路、並びに伝達された第1及び第
    2のアドレス信号のうちの一方をアドレス選択制御信号
    に従って選択し前記RAM部に伝達するアドレス選択制
    御部を備え書込み・読出し切換制御信号に従って前記第
    1及び第2のリード・ラッチ回路のデータを前記第1及
    び第2のデータバスにそれぞれ対応して伝達し前記第1
    及び第2のライト・ラッチ回路のデータのうちの一方を
    選択して前記書込み用のポートに供給する切換制御回路
    と、前記第1及び第2の制御装置からの第1及び第2の
    アドレス信号をそれぞれ所定のタイミングでラッチし前
    記アドレス選択制御部へ伝達し、前記第1及び第2の制
    御装置からの書込み制御信号,読出し制御信号を内部ク
    ロック信号の1クロック周期幅に同期化し、前記第1及
    び第2の制御装置からの書込み制御信号,読出し制御信
    号が同一タイミングに発生したときは何れか一方を前記
    1クロック周期分遅延させると共にこの遅延に関連する
    前記RAM部及び第1,第2のデータバス間のデータの
    伝達制御並びに前記アドレス選択回路によるアドレス選
    択制御を前記書込み・読出し切換制御信号及びアドレス
    選択制御信号により行うアービトレーション回路とを有
    することを特徴とするデュアルポートRAM回路。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710911A1 (en) * 1994-11-04 1996-05-08 Canon Information Systems, Inc. Arbitration device
US6134154A (en) * 1998-04-03 2000-10-17 Nec Corporation Semiconductor memory device with several access enabled using single port memory cell
KR100360265B1 (ko) * 2000-10-14 2002-11-09 엘지전자 주식회사 듀얼포트 램의 제어회로
EP1406265A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-07 Dialog Semiconductor GmbH Memory access collision avoidance scheme
US7843762B2 (en) 2005-08-05 2010-11-30 Rohm Co., Ltd. RAM control device and memory device using the same
CN103064802A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 拉碧斯半导体株式会社 Ram存储装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710911A1 (en) * 1994-11-04 1996-05-08 Canon Information Systems, Inc. Arbitration device
US5557783A (en) * 1994-11-04 1996-09-17 Canon Information Systems, Inc. Arbitration device for arbitrating access requests from first and second processors having different first and second clocks
US6134154A (en) * 1998-04-03 2000-10-17 Nec Corporation Semiconductor memory device with several access enabled using single port memory cell
KR100360265B1 (ko) * 2000-10-14 2002-11-09 엘지전자 주식회사 듀얼포트 램의 제어회로
EP1406265A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-07 Dialog Semiconductor GmbH Memory access collision avoidance scheme
US6915400B2 (en) 2002-10-02 2005-07-05 Dialog Semiconductor Gmbh Memory access collision avoidance scheme
US7843762B2 (en) 2005-08-05 2010-11-30 Rohm Co., Ltd. RAM control device and memory device using the same
CN103064802A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 拉碧斯半导体株式会社 Ram存储装置
JP2013089161A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Lapis Semiconductor Co Ltd Ram記憶装置
US9256556B2 (en) 2011-10-21 2016-02-09 Lapis Semiconductor Co., Ltd. RAM memory device capable of simultaneously accepting multiple accesses

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