JPH06151047A - 透明面発熱体 - Google Patents
透明面発熱体Info
- Publication number
- JPH06151047A JPH06151047A JP33942592A JP33942592A JPH06151047A JP H06151047 A JPH06151047 A JP H06151047A JP 33942592 A JP33942592 A JP 33942592A JP 33942592 A JP33942592 A JP 33942592A JP H06151047 A JPH06151047 A JP H06151047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- transparent
- film layer
- gan
- sputtering method
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 透明成形物基体と、片面あるいは両面に金属
窒化物からなる透明薄膜層を有する金属薄膜層とを積層
した構成を有し、更に金属窒化物はGaNからなり、透
明薄膜層表面のシート抵抗が20Ω/□以下であること
を特徴とする。 【効果】 昇温時間が短く、耐湿熱特性、耐久性に優れ
た透明薄膜ヒータを提供する。
窒化物からなる透明薄膜層を有する金属薄膜層とを積層
した構成を有し、更に金属窒化物はGaNからなり、透
明薄膜層表面のシート抵抗が20Ω/□以下であること
を特徴とする。 【効果】 昇温時間が短く、耐湿熱特性、耐久性に優れ
た透明薄膜ヒータを提供する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は透明面発熱体に関し、よ
り詳しくは、LCDディスプレイ等の保温用ヒータ等と
して使用される透明面発熱体に関する。
り詳しくは、LCDディスプレイ等の保温用ヒータ等と
して使用される透明面発熱体に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば車載用LCDディスプレイは、寒
冷地や冬場において、LCDが0℃以上でないと正常な
動作をしないため水点下から0〜10℃以上に暖める必
要があり、ITO/PETフィルム等の積層体からなる
透明面発熱体がヒータとして使用されていた。ITO/
PETフィルムの積層体では、通常表面のシート抵抗が
50Ω/□以上が可能であり、このような値のシート抵
抗では車載用LCDディスプレイ用等として昇温時間が
長くなり過ぎるし、PETフィルムを使用する場合は、
製膜温度が150℃以下に制約され、150℃以下で製
膜したITO膜は一般的に結晶性や耐久性も悪く、抵抗
値の上昇を招くことが多かった。
冷地や冬場において、LCDが0℃以上でないと正常な
動作をしないため水点下から0〜10℃以上に暖める必
要があり、ITO/PETフィルム等の積層体からなる
透明面発熱体がヒータとして使用されていた。ITO/
PETフィルムの積層体では、通常表面のシート抵抗が
50Ω/□以上が可能であり、このような値のシート抵
抗では車載用LCDディスプレイ用等として昇温時間が
長くなり過ぎるし、PETフィルムを使用する場合は、
製膜温度が150℃以下に制約され、150℃以下で製
膜したITO膜は一般的に結晶性や耐久性も悪く、抵抗
値の上昇を招くことが多かった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、昇温時間の短い面ヒータ、即ちシート抵抗が小
さく、耐湿熱性が良く、耐久性の良い透明薄膜ヒータを
提供する点にある。
ころは、昇温時間の短い面ヒータ、即ちシート抵抗が小
さく、耐湿熱性が良く、耐久性の良い透明薄膜ヒータを
提供する点にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の透明面
発熱体は、透明成型物基体と、片面あるいは両面に金属
窒化物からなる透明薄膜層を有する金属薄膜層を積層し
たことを特徴とする。
発熱体は、透明成型物基体と、片面あるいは両面に金属
窒化物からなる透明薄膜層を有する金属薄膜層を積層し
たことを特徴とする。
【0005】請求項2に記載の透明面発熱体は、金属窒
化物がGaNからなり透明薄膜層表面のシート抵抗が2
0Ω/□以下であることを特徴とする。
化物がGaNからなり透明薄膜層表面のシート抵抗が2
0Ω/□以下であることを特徴とする。
【0006】
【作用】本発明においては、シート抵抗が充分小さい金
属薄膜層の片面あるいは両面に金属窒化物からなる透明
薄膜層を積層するので、耐久性の良いシート抵抗の小さ
い面発熱体が得られる。
属薄膜層の片面あるいは両面に金属窒化物からなる透明
薄膜層を積層するので、耐久性の良いシート抵抗の小さ
い面発熱体が得られる。
【0007】金属窒化物に、透明薄膜層表面のシート抵
抗が20Ω/□以下のGaNを使用するので、面発熱体
のシート抵抗を大きくすることなく昇温時間の小さい透
明面発熱体が得られる。
抗が20Ω/□以下のGaNを使用するので、面発熱体
のシート抵抗を大きくすることなく昇温時間の小さい透
明面発熱体が得られる。
【0008】
【実施例】次ぎに、本発明の実施例について説明する。
本発明に係る透明面発熱体に用いられる透明成型物基体
は、特に制限ないが、透明なフィルムや薄板に形成可能
なものならば適用可能である。例えば有機系成形物基体
としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンナフタレート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタート樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、
フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール系樹脂、ポリ
ビニルアルコール、ポリアクリルニトリル、ポリウレタ
ン、芳香性ポリアミド、ポリビニリデン樹脂等、又無機
系成形物基体としては、ガラス等である。
本発明に係る透明面発熱体に用いられる透明成型物基体
は、特に制限ないが、透明なフィルムや薄板に形成可能
なものならば適用可能である。例えば有機系成形物基体
としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンナフタレート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアセタート樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、
フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール系樹脂、ポリ
ビニルアルコール、ポリアクリルニトリル、ポリウレタ
ン、芳香性ポリアミド、ポリビニリデン樹脂等、又無機
系成形物基体としては、ガラス等である。
【0009】金属薄膜層は、導電性の良い金属、金、
銀、銅、パラジウムの4元素と、各々のうち、選ばれた
2種以上の金属の合金からなる単層膜、あるいは上記4
元素から選択された任意の金属を2〜3層に積層した2
層、3層膜でも良い。
銀、銅、パラジウムの4元素と、各々のうち、選ばれた
2種以上の金属の合金からなる単層膜、あるいは上記4
元素から選択された任意の金属を2〜3層に積層した2
層、3層膜でも良い。
【0010】金属薄膜層の形成は、使用する金属に応じ
て適宜の方法で良いが、パラジウムの製膜は高周波スパ
ッタリング法により、銀の場合は直流スパッタリング法
により、金、銅についても適宜のスパッタリング法によ
り薄膜を形成すれば良い。金属薄膜層としてはシート抵
抗値1〜20Ω/□位が望ましく、膜厚は材料にもよる
が、パラジウムと銀の積層膜では50Å程度である。
て適宜の方法で良いが、パラジウムの製膜は高周波スパ
ッタリング法により、銀の場合は直流スパッタリング法
により、金、銅についても適宜のスパッタリング法によ
り薄膜を形成すれば良い。金属薄膜層としてはシート抵
抗値1〜20Ω/□位が望ましく、膜厚は材料にもよる
が、パラジウムと銀の積層膜では50Å程度である。
【0011】合金薄膜層を形成する場合は、各々の金属
をターゲットとした二源スパッタリング法により、又積
層膜の形成は、連続的に先に形成した薄膜上に次の金属
の薄膜をスパッタリングすることで形成できる。
をターゲットとした二源スパッタリング法により、又積
層膜の形成は、連続的に先に形成した薄膜上に次の金属
の薄膜をスパッタリングすることで形成できる。
【0012】金属窒化物は、一般的に耐湿性、耐薬品性
等、耐久性に優れていることが知られており、透明性の
良いものとしては、AlN,GaN等があり、導体、半
導体レベルの比抵抗を示すものとしては、ZrN,B
N,GaN,InN等がある。面発熱体を使用する目的
に合わせて、適宜の窒化物を用いれば良く透明であれば
特に制限はない。
等、耐久性に優れていることが知られており、透明性の
良いものとしては、AlN,GaN等があり、導体、半
導体レベルの比抵抗を示すものとしては、ZrN,B
N,GaN,InN等がある。面発熱体を使用する目的
に合わせて、適宜の窒化物を用いれば良く透明であれば
特に制限はない。
【0013】特に、GaNの透明薄膜層は粉末GaNを
固めた粉末ターゲットを用いて高周波マグネトロンスパ
ッタリング法によって形成し、スパッタガスにAr、N
2、H2を導入し、Ar、N2、H2の比を夫々調整す
ることで、比抵抗0.1〜105Ω・cm得られる。
固めた粉末ターゲットを用いて高周波マグネトロンスパ
ッタリング法によって形成し、スパッタガスにAr、N
2、H2を導入し、Ar、N2、H2の比を夫々調整す
ることで、比抵抗0.1〜105Ω・cm得られる。
【0014】GaN透明薄膜の光屈折率は2.4であ
り、光屈折率1.9〜2.2であるITO薄膜に比較す
ると、GaN透明薄膜の方が光反射防止膜しては効果が
大きくなるので、金属薄膜+ITO薄膜の組み合わせ
と、金属薄膜+GaN薄膜の組み合わせとの光透過率を
比較しても、金属薄膜+GaN薄膜の組み合わせの方が
有利となる。
り、光屈折率1.9〜2.2であるITO薄膜に比較す
ると、GaN透明薄膜の方が光反射防止膜しては効果が
大きくなるので、金属薄膜+ITO薄膜の組み合わせ
と、金属薄膜+GaN薄膜の組み合わせとの光透過率を
比較しても、金属薄膜+GaN薄膜の組み合わせの方が
有利となる。
【0015】窒化ガリウム薄膜の形成は、粉末GaNを
固めた粉末ターゲットを用いて高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により形成する。スパッタガスは、Ar、
N2、H2を導入し、Ar、N2、H2の比を各々調整
することで、比抵抗0.1〜105Ω・cmのGaN薄
膜を形成する。この時必要なGaN薄膜の厚さは400
Å程度となる。
固めた粉末ターゲットを用いて高周波マグネトロンスパ
ッタリング法により形成する。スパッタガスは、Ar、
N2、H2を導入し、Ar、N2、H2の比を各々調整
することで、比抵抗0.1〜105Ω・cmのGaN薄
膜を形成する。この時必要なGaN薄膜の厚さは400
Å程度となる。
【0016】次ぎに具体的実施例を図1、図2に示す。
図1は、本発明にかかる1実施例の透明面発熱体1の一
部断面図であり、同発熱体1は、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム(厚さ125μm)からなる透明成形物
基体6の上にPd薄膜層5を積層し、その上にAg薄膜
層4を積層し、更にその上に、Pd薄膜層3を積層し、
その上にGaN薄膜層2を積層したものである。
図1は、本発明にかかる1実施例の透明面発熱体1の一
部断面図であり、同発熱体1は、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム(厚さ125μm)からなる透明成形物
基体6の上にPd薄膜層5を積層し、その上にAg薄膜
層4を積層し、更にその上に、Pd薄膜層3を積層し、
その上にGaN薄膜層2を積層したものである。
【0017】透明面発熱体1の製造工程は、先ずPd薄
膜層5が基体6のPETフィルムの温度を室温〜100
℃とし、製膜圧力0.0088Torr、高周波電力2
50wの高周波スパッタリング法により基体6の上に形
成される。引き続きAg薄膜層4が、基体6の温度を室
温〜100℃、製膜圧力0.0088Torr、直流電
力800wの直流スパッタリング法により、上記Pd薄
膜層5の上に、直接形成される。更にAg薄膜層4の上
に上記と同じ条件の高周波スパッタリング法により、P
d薄膜層3が形成される。この時Pd+Ag+Pdの膜
厚は50Å程度とする。次ぎにGaN薄膜2が基体6の
温度、室温〜150℃、製膜圧力0.013Torr、
高周波電力200wの条件で、前記したGaNの粉末タ
ーゲットを用いて高周波マグネットスパッタリング法に
よりPd薄膜層3の上に350Åの厚さに形成された。
膜層5が基体6のPETフィルムの温度を室温〜100
℃とし、製膜圧力0.0088Torr、高周波電力2
50wの高周波スパッタリング法により基体6の上に形
成される。引き続きAg薄膜層4が、基体6の温度を室
温〜100℃、製膜圧力0.0088Torr、直流電
力800wの直流スパッタリング法により、上記Pd薄
膜層5の上に、直接形成される。更にAg薄膜層4の上
に上記と同じ条件の高周波スパッタリング法により、P
d薄膜層3が形成される。この時Pd+Ag+Pdの膜
厚は50Å程度とする。次ぎにGaN薄膜2が基体6の
温度、室温〜150℃、製膜圧力0.013Torr、
高周波電力200wの条件で、前記したGaNの粉末タ
ーゲットを用いて高周波マグネットスパッタリング法に
よりPd薄膜層3の上に350Åの厚さに形成された。
【0018】図2は、本発明にかかる別の実施例の透明
面発熱体21の一部断面図を示す。同発熱体21の構成
は、透明成形物基体26、GaN薄膜層27、Pd薄膜
層25、Ag薄膜層24、Pd薄膜層23、GaN薄膜
22からなる。
面発熱体21の一部断面図を示す。同発熱体21の構成
は、透明成形物基体26、GaN薄膜層27、Pd薄膜
層25、Ag薄膜層24、Pd薄膜層23、GaN薄膜
22からなる。
【0019】各薄膜層の成形は、前記した方法に準じて
行う。この時、各薄膜層の厚さは、GaN薄膜層7が4
00Å、Pd25+Ag24+Ad23層で50Å、G
aN薄膜層22が350Åとされる。
行う。この時、各薄膜層の厚さは、GaN薄膜層7が4
00Å、Pd25+Ag24+Ad23層で50Å、G
aN薄膜層22が350Åとされる。
【0020】具体的な実施例の透明面発熱体1と、別の
実施例21を共に図3に示す車載用カラーLCDヒータ
10として試作し性能評価を行ったが、どちらも光透過
率85%以上(全光線)、耐湿熱性60℃95%RHで
1000時間、昇温時間DC12Vで−20℃からスタ
ートして0℃〜5℃に昇温するのに1分間以内、温度サ
イクルヒータOFFで−30℃(30分)、80℃(3
0分)、3000サイクル、ヒータONで−30℃(3
0分)、80℃(30分)、1000サイクルの各項目
を満足するものであった。
実施例21を共に図3に示す車載用カラーLCDヒータ
10として試作し性能評価を行ったが、どちらも光透過
率85%以上(全光線)、耐湿熱性60℃95%RHで
1000時間、昇温時間DC12Vで−20℃からスタ
ートして0℃〜5℃に昇温するのに1分間以内、温度サ
イクルヒータOFFで−30℃(30分)、80℃(3
0分)、3000サイクル、ヒータONで−30℃(3
0分)、80℃(30分)、1000サイクルの各項目
を満足するものであった。
【0021】車載用カラーLCD14は、LCDヒータ
10を液晶ディスプレイ11の裏面に透明接着層12に
より接着し、更に、LCDヒータ10の下方にバックラ
イト13を設けたものである。LCDヒータ10として
は、前記透明面発熱体1、21を用いた。
10を液晶ディスプレイ11の裏面に透明接着層12に
より接着し、更に、LCDヒータ10の下方にバックラ
イト13を設けたものである。LCDヒータ10として
は、前記透明面発熱体1、21を用いた。
【0022】温度サイクルとは、部品を高温と低温の両
極限の雰囲気温度にさらしたり、又極地において機器や
部品を保温された容器のなかに入れたり出したりする時
に経験するような比較的短時間内に交互にさらされる時
の熱衝撃に対する部品の抵抗性を判定する目的で行われ
るテスト条件である。
極限の雰囲気温度にさらしたり、又極地において機器や
部品を保温された容器のなかに入れたり出したりする時
に経験するような比較的短時間内に交互にさらされる時
の熱衝撃に対する部品の抵抗性を判定する目的で行われ
るテスト条件である。
【0023】
【発明の効果】以上の構成からなる透明面発熱体は、昇
温時間が短く、耐湿熱特性、耐久性に優れた透明薄膜ヒ
ータを提供する。
温時間が短く、耐湿熱特性、耐久性に優れた透明薄膜ヒ
ータを提供する。
【図1】本発明にかかる透明面発熱体の一部断面図であ
る。
る。
【図2】本発明にかかる透明面発熱体の別の実施例の一
部断面図である。
部断面図である。
【図3】発明にかかる透明面発熱体を車載用カラーLC
Dに組み込んだ説明図である。
Dに組み込んだ説明図である。
1 透明面発熱体 2 GaN薄腹層 3 Pd薄膜層 4 Ag薄膜層 5 Pd薄膜層 6 透明成形物基体
Claims (2)
- 【請求項1】 透明成型物基体と、片面あるいは両面に
金属窒化物からなる透明薄膜層を有する金属薄膜層とを
積層したことを特徴とする透明面発熱体。 - 【請求頂2】 請求項1に記戴の透明面発熱体におい
て、金属窒化物はGaNからなり、透明薄膜層表面のシ
ート抵抗が20Ω/□以下であることを特徴とする透明
面発熱体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33942592A JPH06151047A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 透明面発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33942592A JPH06151047A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 透明面発熱体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06151047A true JPH06151047A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18327349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33942592A Pending JPH06151047A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 透明面発熱体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06151047A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001091518A1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Park Sung Don | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
WO2020149306A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 積水化学工業株式会社 | 面状発熱体 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP33942592A patent/JPH06151047A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001091518A1 (en) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Park Sung Don | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
GB2375468A (en) * | 2000-05-22 | 2002-11-13 | Sung-Don Park | Method for producing thin film heating element and heating device using same |
WO2020149306A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2020-07-23 | 積水化学工業株式会社 | 面状発熱体 |
JPWO2020149306A1 (ja) * | 2019-01-15 | 2021-12-02 | 積水化学工業株式会社 | 面状発熱体 |
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