JP2007220636A - 透明導電膜ヒータ - Google Patents
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Abstract
【課題】 視認性を犠牲にすることなく、十分な加熱温度が得られ、尚且つ耐久性に優れた透明導電膜ヒータを提供する。
【解決手段】透明性及び耐熱性に優れた樹脂あるいは樹脂を含む基体(1)の表面(1a)の6箇所に、二酸化シリコン膜(2a)〜(2c)を介して帯状抵抗体としてのITO膜(3a)〜(3c)を形成する。更に、左右6箇所に配設されたITO膜(3a)〜(3c)の両端の電極部(4a)〜(4f)にリード線(5)を接続する。
【選択図】 図2
【解決手段】透明性及び耐熱性に優れた樹脂あるいは樹脂を含む基体(1)の表面(1a)の6箇所に、二酸化シリコン膜(2a)〜(2c)を介して帯状抵抗体としてのITO膜(3a)〜(3c)を形成する。更に、左右6箇所に配設されたITO膜(3a)〜(3c)の両端の電極部(4a)〜(4f)にリード線(5)を接続する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、道路標示灯、屋外照明装置、屋外表示装置、さらには車両窓などの融雪をするための透明導電膜ヒータに関するものである。
近年、車両用や歩行者用の信号機を例にとるまでもなく、従来のランプ光源に代わって発光素子(LED)群を光源とした道路標示灯が急増している。
この道路標示灯が寒冷地や降雪地帯で使用される際には、融雪対策が不可欠となる。この対策が採られないと、雪が発光素子間に詰まって凍結し、その結果、各発光素子が氷に覆われて、該標示灯の視認性が悪化するからである。この問題を解消する一つの対策として、各発光素子の周囲あるいは発光素子群の保護ケースの周囲にコード状ヒータ線を配設して、各発光素子の外周を加熱することにより、融雪効果(ないしは凍結防止効果)を得ることが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
しかし、この対策では、各発光素子間のスペースが狭い場合は、上記ヒータ線の配設が困難であり、また、発光面積が大きく熱伝導率が小さい基体の場合、上記ヒータ線から距離的に離れている箇所での加熱が不十分となる。特に、後者については、従来のランプ光源と比較し、自己発熱量の少ない発光素子では、より深刻な問題となる。
一方、別の対策が車両窓用として提案されている。この提案によれば、透明樹脂基体の表面に、透明導電膜であるITO膜が全面被覆され、さらに該膜上にヒータ線が配設される(例えば、特許文献2参照。)。
しかし、この透明導電膜ヒータの加熱温度は、同文献2の図4のグラフにも示されているように、ヒータ線上の温度にして高々20℃に過ぎず、この程度の発熱量では、視認性がより重視されしかも大きな発熱量が必要となる道路標示灯に対しては、満足すべき融雪効果は期待できない。
本発明者らの実験によれば、上記の透明導電膜ヒータにおいても、ヒータ全体の加熱温度を40℃〜50℃程度に上昇させることは可能であることが確認された。しかしながら、加熱が進むにしたがって、透明樹脂基体とITO膜との熱膨張率の差が顕現し、その結果、ITO膜が基材から剥離し、また、該膜にクラックが生じる等、ITO膜の経年劣化が生じる、という致命的欠陥が潜在していることが判明した。
さらに、視認性の面から言えば、該透明導電膜上に配設されたヒータ線は、光源(発光素子)からの照射光路を遮ることは言うに及ばない。これと併せて、照射光量の低下の問題をも誘発される。
したがって、本発明の課題は、視認性を低下させることなく、十分な加熱温度が得られ尚且つ耐久性に優れた透明導電膜ヒータを提供することにある。
本発明者等は、透明樹脂基体の表面とITO膜との間に特定膜厚の二酸化シリコン膜を応力バランス層として介在させることにより、該ITO膜単独での高温発熱を実現するに至った。
本発明によれば、以下の効果が奏される。
(1)高温加熱時においても、透明樹脂基体とITO膜との熱膨張係数差などに起因する剥離やクラック現象が防止され、ITO膜の耐久性が向上する。これは、介在する二酸化シリコン膜が、上記の熱膨張係数差の問題を解消する応力バランス層として機能しているから、と推察される。
(2)40℃〜50℃という十分な加熱量が得られるので、優れた融雪および凍結防止効果が得られる。
(3)ヒータ線を使用する必要がないので、透明樹脂基体、二酸化シリコン膜およびITO膜の透明性が三位一体的に発揮され、したがって、得られる透明導電膜ヒータの視認性が格段に向上する。
(1)高温加熱時においても、透明樹脂基体とITO膜との熱膨張係数差などに起因する剥離やクラック現象が防止され、ITO膜の耐久性が向上する。これは、介在する二酸化シリコン膜が、上記の熱膨張係数差の問題を解消する応力バランス層として機能しているから、と推察される。
(2)40℃〜50℃という十分な加熱量が得られるので、優れた融雪および凍結防止効果が得られる。
(3)ヒータ線を使用する必要がないので、透明樹脂基体、二酸化シリコン膜およびITO膜の透明性が三位一体的に発揮され、したがって、得られる透明導電膜ヒータの視認性が格段に向上する。
図1は、本発明の透明導電膜ヒータの基本概念を示す斜視図である。
図2は、本発明の透明導電膜ヒータを信号機の照射用カバーに適用した例を示す正面図である。
図3は、図2のA―A線に沿う断面図である。
図4は、図2のB―B線に沿う断面図である。
図5は、図2の例で用いた発熱抵抗体(ITO膜)の接続状態を示す模式図である。
図6(a)は、図4の態様の応用例を示す部分拡大断面図である。
図6(b)は、図6(a)の態様のさらなる応用例を示す部分拡大断面図である。
図2は、本発明の透明導電膜ヒータを信号機の照射用カバーに適用した例を示す正面図である。
図3は、図2のA―A線に沿う断面図である。
図4は、図2のB―B線に沿う断面図である。
図5は、図2の例で用いた発熱抵抗体(ITO膜)の接続状態を示す模式図である。
図6(a)は、図4の態様の応用例を示す部分拡大断面図である。
図6(b)は、図6(a)の態様のさらなる応用例を示す部分拡大断面図である。
図1において、(1)は平板状の透明樹脂基体、(1a)は該基体の表面、(2)は透明樹脂基体(1a)の表面(1a)に形成された、膜厚が少なくとも100nmの二酸化シリコン膜、(3)は二酸化シリコン膜(2)上に形成されたITO膜からなる発熱抵抗体、(4)はITO膜(3)の両端部に設けられた電極部である。これらの電極間は、図示したように、リード線(5)で接続されている。また、(P1)、(P2)は入力端子である。
上記の態様で特徴的なことは、透明樹脂基体(1)の表面(1a)とITO膜(3)との間に、その膜厚が少なくとも100nmの二酸化シリコン膜(2)を介在させ、これにより、ヒータ線を用いることなく40℃〜50℃の高温加熱を実現し、しかもヒータ構造体としての十分な耐熱性と構造安定性とを確保したことにある。
以下、この点について、さらに詳述する。透明樹脂基体(1)の表面(1a)にITO膜(3)を直接に配した構造体が40℃〜50℃に加熱された場合、種々の不利益が生じることは、既に述べたとおりである。すなわち、ITO膜自体が呈する引っ張り応力に加え、加熱による応力変化や両者の熱膨張率の差に起因する応力などにより、全体の応力バランスが崩れ、その結果、該ITO膜(3)が該基材(1)から剥離し、また、該膜にクラックが生じる。本発明では、上記の応力バランスを調整するために、ITO膜(3)とは逆の圧縮応力を持つ二酸化シリコン膜(2)を配置させる。この二酸化シリコン膜(2)が適切な応力バランスを保つためには、その膜厚が100nm〜500nmであることが好ましい。該膜厚があまりに薄いと、応力バランス効果が得られなくなる。この意味で、該膜厚は、170nm以上にあるのが好ましい。他方、該膜が厚過ぎると、ITO膜(3)にクラックが生じることがあるので、その上限値は、高々500nmに留めておくのが適当である。この結果、発熱抵抗体であるITO膜(3)の剥離やクラックが防止され、経年変化のない透明導電膜ヒータが得られる。
さらに、上記二酸化シリコン膜が凹状面や凸状面を有する三次元形状の透明樹脂基体に適用された際には、その応力バランス機能が最大限に発揮される。図1に示した平板状基体にあっては、前述のITO膜に起因する応力変化の分布は単純である。これに対して、透明樹脂基体の面が凹状または凸状である場合は、該応力変化の分布は極めて複雑になる。しかるに、膜厚が100nmの二酸化シリコン膜は、このような複雑な応力変化に柔軟に対応しながら、全体の応力バランスを図る機能を呈する。
以下に、透明樹脂基体の凹状面(碗状内表面)に、二酸化シリコン膜およびITO膜を適用した例について述べる。
図2〜図4には、上述した透明導電膜ヒータを信号機に応用した態様が示されている。これらの図において、透明樹脂基体(1)は、信号機の照射部用カバーである鍔付きの碗状体(以下、“カバー(1)”と称することがある。)として示されている。そして、このカバー(1)の表面(1a)には、複数枚の帯状二酸化シリコン膜(2a)〜(2c)、およびこれらの膜に対応してITO膜(3a)〜(3c)がそれぞれ形成されている。さらに詳しくは、図2において、一点鎖線で示される二等分線(B―B)を軸として、その左右対称の箇所に、帯状の二酸化シリコン膜(2a)、(2b)および(2c)が間隔をもって平行に配設され、さらに各シリコン膜に対応して、帯状のITO膜(3a)、(3b)および(3c)が積層されている。これにともなって、電極(4)も(4a)〜(4f)の符号で表示されている。
上記帯状の二酸化シリコン膜とITO膜との積層状態は、図3〜図4に示されている。すなわち、図3では、図2のA―A線に沿う断面図として、また、図4では、二酸化シリコン膜(2a)とITO膜(3a)について、図2のB―B線に沿う断面図として示されている。
図2〜図4では、二酸化シリコン膜は、互いに面積の異なる帯状体(2a)〜(2c)として配設され、それぞれのシリコン膜に対応して、帯状のITO膜(3a)〜(3c)が積層されている。この配設の態様は、大きい口径と高い発熱量(加熱温度)を必要とする信号機用ヒータにおいては、その温度分布の可及的均一化に好ましく寄与する。つまり、ヒータ面のサイズが信号機用ヒータに比べて小さい場合は、透明樹脂基体(1)の表面(1a)をシリコン膜およびITO膜で全面被覆したもので十分である。他方、この全面被覆品を、加熱面が広く且つ高い発熱量を要する信号機用ヒータとして適用した場合は、不可避的に温度勾配が生じ、ヒータ全面に亘る均一加熱は困難である。この点、抵抗値の設定が容易な帯状のITO膜を複数枚に分けて配することにより、均一加熱が実現する。
帯状のITO膜の抵抗値自体は、その幅と膜厚の調整により実験的に容易に設定される。この幅については10mm〜60mm、膜厚については、その透光性をも考慮して、100nm〜500nmの範囲から適宜採択すればよい。このような抵抗値は、例えば、AC100V印加の場合にターゲット温度を40〜50℃に設定する際は、一般に5W〜40Wが得られるように調整される。このようにして、カバー(1)の表面(1a)に、それぞれに抵抗が調整されたITO膜(3a)〜(3c)を配することより、全加熱面に亘る温度制御が可能になる。一例を挙げれば、−10℃の状態からプラス55℃上昇させるには、ITO膜(3a)〜(3c)が、100V−30W・発熱抵抗体40Ω/sqとなるように調整すればよい。なお、図2〜図4では、6枚のITO膜を用いる例を示したが、この枚数は必要に応じて適宜変更される。
図5には、ITO膜(3a)〜(3c)のリード線(5)による接続状態(図2)が、いわゆる抵抗体の接続の観点から図示されている。この場合、図2に向かって右側のITO膜(3a)、(3b)および(3c)からなる直列接続抵抗体と、図2に向かって左側のITO膜(3a)、(3b)および(3c)からなる直列接続抵抗体とが並列接続されている。
もちろん、このような帯状のITO膜の抵抗特性を逆用することもできる。例えば、加熱面のサイズが大きい場合、意図的に温度分布を変える場合が、これに該当する。ちなみに、前記の全面被覆においては、意図的に温度分布を変えるような制御は望むべくもない。
つぎに、本発明の透明導電膜ヒータを製造する一例について述べる。まず、透明樹脂基体ないしカバー(1)の表面(1a)に、真空蒸着法、イオンアシスト法、イオンプレーティング法、あるいはスパッタリング法などにより、膜厚が少なくとも100nmの二酸化シリコン膜を全面被覆する。さらに、該二酸化シリコン膜上に真空蒸着法、イオンアシスト法、イオンプレーティング法、あるいはスパッタリング法などによりITO膜を100nm〜500nmの膜厚で全面被覆する。ついで、図1または図2に示すような帯状パターンに応じて、カッター、レーザなどでカット線を入れ、該帯状パターン以外のシリコン膜とITO膜とを取り除けばよい。
具体的な例として、上記の真空蒸着法を採用して、100nmの二酸化シリコン膜を全面被覆するときの真空蒸着条件は、蒸着レート:5Å/s〜15Å/sであればよい。他方、ITO膜を該二酸化シリコン膜に全面被覆するときの真空蒸着条件は、蒸着レート:1Å/s〜5Å/sであればよく、その際、適量の酸素を導入してもよいし、さらにはイオンアシスト法を併用してもよい。さらに、レーザカット条件は、出力2W〜6W程度、そして、レーザトリミング条件は、出力2W〜6W程度であればよい。このようにして、二酸化シリコン膜とITO膜との帯状積層体が形成される。このとき、帯状のITO膜の抵抗値は、必要に応じて、レーザトリミングなどにより調整してもよい。
上記の製造例において、透明樹脂基体ないしカバー(1)は、透明導電膜ヒータとしての視認性を確保する意味で、75%以上の光透過率を有するものが好ましく採用される。該基体の材質は、透光性と耐熱性に優れたポリカーボネイト(PC)、ポリスチレン(PS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリメチルメタクリレートアクリル(PMMA)等の樹脂から適宜採択される。
本発明においては、透明樹脂基体(1)の外形および発熱抵抗体となるITO膜(3)の配置パターンについては、特に制約はなく透明導電膜ヒータを装着する装置の形状に応じて最適なパターンに設定すればよい。
以上に述べた透明導電膜ヒータには、種々の機能膜が追加されてもよい。
図6(a)には、図4のITO膜(3a)の外層に、さらに反射防止膜(6)が付設された例が示されている。もちろん、反射防止膜(6)は、同様にITO膜(3b)および(3c)にも付設される。その結果、不要な反射光が遮断されるので、透明導電膜ヒータの視認性がより向上する。また、この反射防止膜(6)は、カバー(1)の外表面に設けても、同様の効果が得られる。なお、この反射防止膜(6)は単層のみならず、多層にしてもよい。図6(b)には、図6(a)の反射防止膜(6)上に、さらに、ハードコート層(7)を付設した例が示されている。この場合は、透明導電膜ヒータの表面側の耐擦傷性がより向上する。
図6(a)には、図4のITO膜(3a)の外層に、さらに反射防止膜(6)が付設された例が示されている。もちろん、反射防止膜(6)は、同様にITO膜(3b)および(3c)にも付設される。その結果、不要な反射光が遮断されるので、透明導電膜ヒータの視認性がより向上する。また、この反射防止膜(6)は、カバー(1)の外表面に設けても、同様の効果が得られる。なお、この反射防止膜(6)は単層のみならず、多層にしてもよい。図6(b)には、図6(a)の反射防止膜(6)上に、さらに、ハードコート層(7)を付設した例が示されている。この場合は、透明導電膜ヒータの表面側の耐擦傷性がより向上する。
以下は、図2〜図5に示した信号機用の透明導電膜ヒータの具体例である。
まず、厚さが3mmで曲率が364mm、外径が303mmのポリカーボネイト製カバー(1)の表面(1a)上に、膜厚が170nmの二酸化シリコン膜を真空蒸着法(蒸着レート:8Å/s)にて全面被覆した。つぎに、この二酸化シリコン膜に、膜厚が170nmのITO膜をイオンアシスト法(出力100V 600mA)による真空蒸着(蒸着レート:2Å/s)にて全面被覆した。さらに、これらの二酸化シリコン膜とITO膜との全面被覆膜部にレーザでカット線を入れて、図2に示すように、互いに並行配置された6本の帯状ITO膜を得た。このときの帯状ITO膜については、(3a)の幅を52mm、(3b)を43mm、そして(3c)を21mmとした。これらITO膜全体の、消費電力は30Wであった。また、各ITO膜間には、それぞれ1mmの空隙を設けた。
さらに、ITO膜(3a)〜(3c)のそれぞれの両端部には、図2に示すように、インジウムからなる電極部(4a)〜(4f)を設けるとともにこれらの電極間をフッ素樹脂絶縁電線(導体10mm、外径0.18mm)のリード線(5)で接続して、本発明の透明導電膜ヒータを得た。
得られた透明導電膜ヒータに、−10℃の環境下において、図2に示す入力端子(P1)―(P2)間に電圧AC100Vを印加して1.5時間の通電テストを実施した。このとき、通電開始から15分で、カバー(1)の表面温度は45℃に達した。また、通電終了後のITO(3a)〜(3c)の表面および界面状態について観察した結果、これら膜にはクラックや剥離は生じていなかった。
以上の例は、本発明の一例に過ぎず、本発明の思想の範囲内であれば、種々の変更および応用が可能であることは言うまでもない。
本発明の透明導電膜ヒータは、信号機や屋外照明装置あるいは屋外表示装置をはじめとして、車両や住宅の窓、監視カメラ、LCDディスプレイへも内蔵できる。
1 透明樹脂基体
1a 基体表面
2 二酸化シリコン膜
3 ITO膜
4 電極部
5 リード線
6 反射防止膜
7 ハードコート層
1a 基体表面
2 二酸化シリコン膜
3 ITO膜
4 電極部
5 リード線
6 反射防止膜
7 ハードコート層
Claims (9)
- ヒータ線を発熱体として採用していない導電膜ヒータであって、透明樹脂基体の表面に、膜厚が少なくとも100nmの二酸化シリコン膜を介して、ITO膜が発熱抵抗体として形成されていることを特徴とする透明導電膜ヒータ。
- 該二酸化シリコン膜の膜厚さが、高々500nmである請求項1に記載の透明導電膜ヒータ。
- 該二酸化シリコン膜が互いに平行関係にある複数枚の帯状膜として配置され、その際、それぞれの帯状膜の形状に対応してITO膜が形成されている請求項1または2に記載の透明導電膜ヒータ。
- 該ITO膜の外層に反射防止膜が設けられた請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
- 該反射防止膜上に、さらに、ハードコート層が設けられた請求項1〜4のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
- 該基体の光透過率が75%以上である請求項1〜5のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
- 該帯状ITO膜の消費電力が5W〜40Wに調整された請求項3〜6のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
- 信号機用、屋外照明装置用、または屋外表示装置用の融雪ないし凍結防止ヒータとして供される請求項1〜7のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
- 該ヒータが少なくとも45℃に加熱されて供される請求項1〜8のいずれかに記載の透明導電膜ヒータ。
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