JPH0614477Y2 - ダミーウェハ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案はダミーウェハに係り、特にサセプタの洗浄時の
シール性が高く、また不純物汚染の問題もないダミーウ
ェハに関する。

［従来の技術］ ＳｉウェハのＳｉエピタキシャル成長用に使用されるサ
セプタは、使用中において、Ｓｉウェハを載置した場所
以外にもＳｉが蒸着されるため、適宜形成されたＳｉ蒸
着膜を除去する必要がある。このＳｉ蒸着膜の除去に
は、通常、ＨＣｌガス洗浄が行なわれている。

ところで、Ｓｉエピタキシャル成長用に用いられるサセ
プタは、Ｓｉウェハを載置する座ぐり面に予めＳｉの薄
い蒸着膜を形成してある。このため、ＨＣｌガス洗浄に
際しては、この座ぐり面のＳｉ蒸着膜が除去されないよ
うに、第３図に示す如く、サセプタ１１の座ぐり面１２
にマスク用のダミーウェハ１３を載置して洗浄を行な
う。

従来用いられているダミーウェハは、黒鉛円板にＣＶＤ
法によりＳｉＣをコーティングしたものである。

［考案が解決しようとする課題］ 従来のダミーウェハでは、次のような問題があり、その
改良が望まれていた。

即ち、まず第１に、ダミーウェハのＳｉＣ膜がＨＣｌに
より侵食されて孔食（ピンホール）を生ずる場合があ
る。この場合には、ダミーウェハも使用不可能となる上
に、内部の黒鉛基体に含有される不純物が孔食部から浸
出してサセプタを汚染し、サセプタ自体が使用不可能と
なる。

第２に、通常の技術では、高精度に平板状のダミーウェ
ハを製造することは極めて困難であり、わずかな反りや
歪を避けることは殆んど不可能である。ダミーウェハに
わずかでも反りや歪があると、そのマスクウェハとして
の機能が損なわれ、第４図に示す如く、ダミーウェハ１
３の変形部１３ａにおいて、座ぐり面１２を十分にシー
ルすることができなくなり、その部分のＳｉ膜がＨＣｌ
ガス洗浄時にエツチングされてしまう。

本考案は上記従来の問題点を解決し、不純物によるサセ
プタ汚染の問題がなく、またサセプタのシール性に優れ
るダミーウェハを提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本考案のダミーウェハは、中央部がドーム形に湾曲し、
該ドーム形が同一曲率を有する球面形で、該曲率半径が
５００ｒ以下であり、周縁部が平坦な鍔形状を有し、該
鍔状周縁部の幅が５mm以上であり、かつＣＶＤ法による
ＳｉＣ製であることを特徴とする。

［作用］ 本考案のダミーウェハは、その全体がＣＶＤ−ＳｉＣ製
であるため、耐食性に優れ、サセプタの不純物汚染の問
題が全くない。

また、中央部が所定の曲率を有する球面のドーム形に湾
曲し、周縁部が所定の幅の平坦な鍔形状とされているた
め、剛性が高く、反りや変形の殆どないものとすること
ができ、そのシール性能は極めて優れる。

［実施例］ 以下、図面を参照して本考案の実施例を詳細に説明す
る。

第１図は本考案の一実施例に係るダミーウェハをサセプ
タに載置した状態を示す断面図、第２図は同平面図であ
る。

図示の如く、本考案のダミーウェハ１は、中央部１Ａが
ドーム形に湾曲し、周縁部１Ｂが平坦な形状を有し、か
つＣＶＤ法によるＳｉＣ製とされている。

ダミーウェハ１の中央部１Ａのドーム形は、その剛性の
面から同一曲率を有する球面形状であり、その曲率半径
は５００ｒ以下、好ましくは２００〜３００ｒ程度とす
る。

また、周縁部１Ｂは、平坦な鍔（フランジ）を形成する
部分であるが、ダミーウェハ１のシール性の面から、そ
の幅ｗは５mm以上、好ましくは１０〜１５mmとする。

本考案のダミーウェハは、剛性、シール性に優れること
から、１インチ（約２５mm）程度の小さいものから、８
インチ程度の大きなものまで製作可能であり、その厚さ
は通常０．３〜１．０mm程度とされる。

このような本考案のダミーウェハは、ＳｉＣと熱膨張係
数が大きく異なる材料よりなり、かつ所望とする形状よ
りも若干大きいかあるいは小さい相似形状の基体を用
い、この基体の表面に常法に従ってＣＶＤ法によるＳｉ
Ｃ膜を所望厚さに形成し、得られたＳｉＣ膜を基体との
熱膨張差を利用して剥離するか、基体を燃焼除去するな
どの方法により、容易に製造することができる。

なお、第１図及び第２図に示すダミーウェハは、本考案
の一実施例であって、本考案は何ら図示のものに限定さ
れるものではない。ダミーウェハは、ハンドリングを容
易にするために、つまみ、取手等を取り付けることもで
きる。

［考案の効果］ 以上詳述した通り本考案のダミーウェハは、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＣ単層から構成されるものであることから、耐食性、
耐久性に優れ、サセプタを汚染することもなく、しか
も、その形状が所定形状のドーム部分とこれを周回する
所定幅のフランジ部分とからなるため、剛性に優れ、フ
ランジ部分により極めて優れたシール性能が発揮され
る。

従って、本考案のダミーウェハによれば、サセプタのＨ
Ｃｌガス洗浄の作業性、洗浄効率が向上され、また、サ
セプタを良好な状態に保つことが可能とされる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例に係るダミーウェハを示す断
面図、第２図は同平面図である。第３図は従来のダミー
ウェハを示す断面図、第４図は従来のダミーウェハの問
題点を説明する断面図である。 １……ダミーウェハ、１Ａ……中央部、 １Ｂ……周縁部、１１……サセプタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】サセプタの洗浄時にウェハ保持面を被装す
   るためのダミーウェハにおいて、中央部がドーム形に湾
   曲し、該ドーム形が同一曲率を有する球面形で、該曲率
   半径が５００ｒ以下であり、周縁部が平坦な鍔形状を有
   し、該鍔状周縁部の幅が５mm以上であり、かつＣＶＤ法
   によるＳｉＣ製であることを特徴とするダミーウェハ。