JPH06140154A - 透明電極の形成方法 - Google Patents
透明電極の形成方法Info
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- JPH06140154A JPH06140154A JP4284610A JP28461092A JPH06140154A JP H06140154 A JPH06140154 A JP H06140154A JP 4284610 A JP4284610 A JP 4284610A JP 28461092 A JP28461092 A JP 28461092A JP H06140154 A JPH06140154 A JP H06140154A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子
を駆動するのに好適な面積抵抗の低い透明電極を形成す
ることができる製造方法を提供する。 【構成】 基板１１の片側表面上に金属膜１８を形成
し、透明電極１２が形成される部分の金属膜１８をエッ
チングして除去する。その表面上にＩｎ2Ｏ3などの導電
物質１３から成る薄膜を積層し、次に金属膜１８および
金属膜１８上に積層された導電性物質１３をエッチング
して除去する。
を駆動するのに好適な面積抵抗の低い透明電極を形成す
ることができる製造方法を提供する。 【構成】 基板１１の片側表面上に金属膜１８を形成
し、透明電極１２が形成される部分の金属膜１８をエッ
チングして除去する。その表面上にＩｎ2Ｏ3などの導電
物質１３から成る薄膜を積層し、次に金属膜１８および
金属膜１８上に積層された導電性物質１３をエッチング
して除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜ＥＬパネルなどの
表示装置を製造する際に好適に実施される透明電極の形
成方法に関する。
表示装置を製造する際に好適に実施される透明電極の形
成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来行われている透明電極の形
成方法を説明するための断面図である。図６（１）に示
すように、ガラス基板１のほぼ全面にスパッタ法を用い
て透明導電膜８としてＩｎ2Ｏ3膜を約２０００Åの厚さ
に形成する。このとき、透明導電膜８の比抵抗（抵抗
率）を小さくするため、また、透明導電膜８とガラス基
板１との密着性を向上させるため、ガラス基板１は３０
０〜３５０℃程度の高温に保たれる。
成方法を説明するための断面図である。図６（１）に示
すように、ガラス基板１のほぼ全面にスパッタ法を用い
て透明導電膜８としてＩｎ2Ｏ3膜を約２０００Åの厚さ
に形成する。このとき、透明導電膜８の比抵抗（抵抗
率）を小さくするため、また、透明導電膜８とガラス基
板１との密着性を向上させるため、ガラス基板１は３０
０〜３５０℃程度の高温に保たれる。
【０００３】次に図６（２）に示すように、透明導電膜
８上に、スピンナあるいはロールコータなどを用いてフ
ォトレジスト膜７を塗布し、露光、現像、ベーキングな
どの各工程を経て、所望のフォトレジスト膜７のパター
ンを形成する。
８上に、スピンナあるいはロールコータなどを用いてフ
ォトレジスト膜７を塗布し、露光、現像、ベーキングな
どの各工程を経て、所望のフォトレジスト膜７のパター
ンを形成する。
【０００４】さらに、図６（３）に示すように、たとえ
ばＨＣｌとＦｅＣｌ3との混合水溶液などのエッチング
溶液を用いて、フォトレジスト膜７に被覆されていない
部分のＩｎ2Ｏ3膜などから成る透明導電膜８を除去す
る。
ばＨＣｌとＦｅＣｌ3との混合水溶液などのエッチング
溶液を用いて、フォトレジスト膜７に被覆されていない
部分のＩｎ2Ｏ3膜などから成る透明導電膜８を除去す
る。
【０００５】次に図６（４）に示すように、剥離液を用
いてフォトレジスト膜７を剥離し、透明導電膜８から成
る透明電極２が得られる。
いてフォトレジスト膜７を剥離し、透明導電膜８から成
る透明電極２が得られる。
【０００６】図７は、前述のようにして得られた透明電
極２を使用して形成される薄膜エレクトロルミネッセン
ス（ＥＬ）素子９の一例を示す図である。図７に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子９は、ガラス基板１上に複数本の帯
状の透明電極２を平行に設ける。この上に、たとえばＳ
ｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2Ｏ3などから成る第１絶縁層
３、マンガン（Ｍｎ）などの活性剤を添加したＺｎＳな
どから成る発光層４、およびＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2
Ｏ3などから成る第２絶縁体層５を、順次スパッタ法、
蒸着法などの薄膜形成技術を用いてそれぞれ約１μｍの
膜厚で積層し、３層構造とする。さらにこの上に、前記
透明電極２と直交する方向にアルミニウム（Ａｌ）など
の金属膜から成る複数本の帯状の背面電極６を平行に設
けて構成する。また、透明電極２および背面電極６は、
ガラス基板１端部付近まで伸延され、電極端子とされ
る。
極２を使用して形成される薄膜エレクトロルミネッセン
ス（ＥＬ）素子９の一例を示す図である。図７に示すよ
うに、薄膜ＥＬ素子９は、ガラス基板１上に複数本の帯
状の透明電極２を平行に設ける。この上に、たとえばＳ
ｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2Ｏ3などから成る第１絶縁層
３、マンガン（Ｍｎ）などの活性剤を添加したＺｎＳな
どから成る発光層４、およびＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ2
Ｏ3などから成る第２絶縁体層５を、順次スパッタ法、
蒸着法などの薄膜形成技術を用いてそれぞれ約１μｍの
膜厚で積層し、３層構造とする。さらにこの上に、前記
透明電極２と直交する方向にアルミニウム（Ａｌ）など
の金属膜から成る複数本の帯状の背面電極６を平行に設
けて構成する。また、透明電極２および背面電極６は、
ガラス基板１端部付近まで伸延され、電極端子とされ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図６に示すよ
うな透明電極の形成方法を用いた場合、得られる透明電
極２の断面形状は、図６（４）の矢符Ａで示す部分に角
ができ、透明電極２の膜厚が大きければ大きいほど基板
１に対して大きな段差が形成される。
うな透明電極の形成方法を用いた場合、得られる透明電
極２の断面形状は、図６（４）の矢符Ａで示す部分に角
ができ、透明電極２の膜厚が大きければ大きいほど基板
１に対して大きな段差が形成される。
【０００８】この透明電極２を用いて図７に示すように
薄膜を積層して多層配線を行う場合、電極上に積層され
る絶縁層３は、透明電極２に対して均等な膜厚で透明電
極２を被覆するのではなく、図６（４）の矢符Ａで示す
角部、および、基板１に対して垂直方向のエッチングに
よる電極パターン端部側面では、絶縁膜３の膜厚は基板
１に対して水平方向の膜厚に比べて薄くなってしまう。
この傾向は、透明電極２の膜厚が大きくなるほど顕著で
ある。
薄膜を積層して多層配線を行う場合、電極上に積層され
る絶縁層３は、透明電極２に対して均等な膜厚で透明電
極２を被覆するのではなく、図６（４）の矢符Ａで示す
角部、および、基板１に対して垂直方向のエッチングに
よる電極パターン端部側面では、絶縁膜３の膜厚は基板
１に対して水平方向の膜厚に比べて薄くなってしまう。
この傾向は、透明電極２の膜厚が大きくなるほど顕著で
ある。
【０００９】このように電極２、絶縁層３、発光層４、
絶縁層５、電極６と順次積層形成された薄膜ＥＬ素子９
において、透明電極２と背面電極６とに電圧を印加した
場合には、図６（４）の矢符Ａで示す角部に電界が集中
し、さらにこの角部を被覆する絶縁層３，５および発光
層４の膜厚が薄くなっていることから、この薄膜ＥＬ素
子９は、図６（４）の矢符Ａで示す部分で絶縁破壊を起
こしやすい。
絶縁層５、電極６と順次積層形成された薄膜ＥＬ素子９
において、透明電極２と背面電極６とに電圧を印加した
場合には、図６（４）の矢符Ａで示す角部に電界が集中
し、さらにこの角部を被覆する絶縁層３，５および発光
層４の膜厚が薄くなっていることから、この薄膜ＥＬ素
子９は、図６（４）の矢符Ａで示す部分で絶縁破壊を起
こしやすい。
【００１０】このため、従来の製造方法では、透明電極
２の膜厚を大きくすることができず、したがって透明電
極２の面積抵抗が大きくなり、この電極２を用いた薄膜
ＥＬ素子９では、電極取り出し用端子から遠い画素ほど
透明電極２の抵抗による電圧低下によって表示輝度が低
くなり、表示むらができてしまう。特に、１６階調表示
などの多階調表示で、低輝度表示を行う場合には、この
表示むらが顕著に現れ、実際使用する上で問題となる。
２の膜厚を大きくすることができず、したがって透明電
極２の面積抵抗が大きくなり、この電極２を用いた薄膜
ＥＬ素子９では、電極取り出し用端子から遠い画素ほど
透明電極２の抵抗による電圧低下によって表示輝度が低
くなり、表示むらができてしまう。特に、１６階調表示
などの多階調表示で、低輝度表示を行う場合には、この
表示むらが顕著に現れ、実際使用する上で問題となる。
【００１１】本発明の目的は、より抵抗値の低い透明電
極を形成することができる透明電極の形成方法を提供す
ることである。
極を形成することができる透明電極の形成方法を提供す
ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板の一方表
面に金属膜を形成し、透明電極が形成される領域の金属
膜を除去し、前記基板の一方表面に透明電極となる導電
物質を付着し、前記導電物質が付着した金属膜のみを除
去することを特徴とする透明電極の形成方法である。
面に金属膜を形成し、透明電極が形成される領域の金属
膜を除去し、前記基板の一方表面に透明電極となる導電
物質を付着し、前記導電物質が付着した金属膜のみを除
去することを特徴とする透明電極の形成方法である。
【００１３】また本発明は、前記金属膜は、２種類以上
の異なる金属膜が積層して成ることを特徴とする。
の異なる金属膜が積層して成ることを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明に従えば、基板の一方表面に金属膜を形
成し、透明電極が形成される領域の金属膜を除去し、前
記基板の一方表面に透明電極となる導電物質を付着し、
前記導電物質が付着した金属膜のみを除去することによ
って、透明電極が形成される。導電物質の基板に対する
入射方向が一様でないことから、金属膜断面付近では付
着する導電物質が少なくなり、表面が滑らかに丸みを帯
びた形状の透明電極を形成することができる。したがっ
て、透明電極および対向する電極に電圧を印加しても、
生じる電界が電極表面の一部に集中しない。また、電極
表面に薄膜を積層する場合には、電極膜厚を大きくして
も、薄膜の膜厚を均等に積層することができる。
成し、透明電極が形成される領域の金属膜を除去し、前
記基板の一方表面に透明電極となる導電物質を付着し、
前記導電物質が付着した金属膜のみを除去することによ
って、透明電極が形成される。導電物質の基板に対する
入射方向が一様でないことから、金属膜断面付近では付
着する導電物質が少なくなり、表面が滑らかに丸みを帯
びた形状の透明電極を形成することができる。したがっ
て、透明電極および対向する電極に電圧を印加しても、
生じる電界が電極表面の一部に集中しない。また、電極
表面に薄膜を積層する場合には、電極膜厚を大きくして
も、薄膜の膜厚を均等に積層することができる。
【００１５】また好ましくは、前記金属膜は、２種類以
上の異なる金属膜が積層して成るので、基板表面側の金
属膜を他方側の金属膜より大きくエッチングすることに
よって、基板面に入射する導電物質を遮りやすくなり、
金属膜断面付近で基板面に導電物質が付着する量を減少
させ、電極表面が丸みを帯びた電極をより容易に得るこ
とができる。
上の異なる金属膜が積層して成るので、基板表面側の金
属膜を他方側の金属膜より大きくエッチングすることに
よって、基板面に入射する導電物質を遮りやすくなり、
金属膜断面付近で基板面に導電物質が付着する量を減少
させ、電極表面が丸みを帯びた電極をより容易に得るこ
とができる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例の透明電極形成方法
を説明するための断面図であり、図２は図１に示す実施
例の透明電極１２を形成する工程を示す工程図である。
図１（１）および図２の工程ｋ１に示すように、ガラス
基板１１の片側全面に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法
などを用いて、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などから
成る金属膜１８を１〜５μｍ程度の厚さに形成する。
を説明するための断面図であり、図２は図１に示す実施
例の透明電極１２を形成する工程を示す工程図である。
図１（１）および図２の工程ｋ１に示すように、ガラス
基板１１の片側全面に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法
などを用いて、たとえばアルミニウム（Ａｌ）などから
成る金属膜１８を１〜５μｍ程度の厚さに形成する。
【００１７】次に図１（２）および図２の工程ｋ２に示
すように、金属膜１８上にスピンナ、ロールコータなど
を用いて、市販のフォトレジスト膜１７を塗布し、図２
の工程ｋ３に示すようにマスクを重ねて露光、現像、ベ
ーキングの各工程を経て感光しない部分を除去し、フォ
トレジスト膜１７のパターンを形成する。
すように、金属膜１８上にスピンナ、ロールコータなど
を用いて、市販のフォトレジスト膜１７を塗布し、図２
の工程ｋ３に示すようにマスクを重ねて露光、現像、ベ
ーキングの各工程を経て感光しない部分を除去し、フォ
トレジスト膜１７のパターンを形成する。
【００１８】さらに図１（３）および図２の工程ｋ４に
示すように、金属膜１８に適合するエッチング溶液を用
いて金属膜１８のエッチングを行う。たとえば、金属膜
１８をＡｌ膜とした場合、エッチング溶液には、たとえ
ば、Ｈ3ＰＯ4とＨＮＯ3の混合水溶液を用いてエッチン
グを行う。
示すように、金属膜１８に適合するエッチング溶液を用
いて金属膜１８のエッチングを行う。たとえば、金属膜
１８をＡｌ膜とした場合、エッチング溶液には、たとえ
ば、Ｈ3ＰＯ4とＨＮＯ3の混合水溶液を用いてエッチン
グを行う。
【００１９】次に、図２の工程ｋ５に示すように市販の
フォトレジスト膜剥離液でフォトレジスト膜１７を剥離
する。その後、図１（４）および図２の工程ｋ６に示す
ようにスパッタ法を用いてＩｎ2Ｏ3膜を積層する。この
とき、ガラス基板１１に対するＩｎ2Ｏ3粒子の入射角度
は一様でないので、金属膜１８のエッチングによる断面
付近は、矢符Ｃで示すようにＩｎ2Ｏ3膜の表面は丸みを
帯びた滑らかな形状となる。
フォトレジスト膜剥離液でフォトレジスト膜１７を剥離
する。その後、図１（４）および図２の工程ｋ６に示す
ようにスパッタ法を用いてＩｎ2Ｏ3膜を積層する。この
とき、ガラス基板１１に対するＩｎ2Ｏ3粒子の入射角度
は一様でないので、金属膜１８のエッチングによる断面
付近は、矢符Ｃで示すようにＩｎ2Ｏ3膜の表面は丸みを
帯びた滑らかな形状となる。
【００２０】スパッタ法によって透明導電膜を形成する
場合、膜厚と面積抵抗との関係で温度が高いほど低い抵
抗値の膜が得られ、膜が薄くなると抵抗値が急激に増加
することが知られている。さらに、Ｉｎ2Ｏ3膜の比抵抗
（固有抵抗）を小さくし、ガラス基板１１との密着性を
向上させるために、Ｉｎ2Ｏ3膜をガラス基板１１にスパ
ッタ法で形成する際には、３００〜３５０℃の高温下で
行われる。
場合、膜厚と面積抵抗との関係で温度が高いほど低い抵
抗値の膜が得られ、膜が薄くなると抵抗値が急激に増加
することが知られている。さらに、Ｉｎ2Ｏ3膜の比抵抗
（固有抵抗）を小さくし、ガラス基板１１との密着性を
向上させるために、Ｉｎ2Ｏ3膜をガラス基板１１にスパ
ッタ法で形成する際には、３００〜３５０℃の高温下で
行われる。
【００２１】次に、図２の工程ｋ７で示すように、金属
膜１８に適合するエッチング溶液を用いて、金属膜１８
のみを選択的にエッチングして除去する。このとき使用
するエッチング溶液は、金属膜１２のみをエッチングし
て、Ｉｎ2Ｏ3膜に影響を与えないものであることが必要
である。たとえば、金属膜１８としてＡｌ膜を使用する
場合には、ＫＯＨとＫＩＯ3との混合水溶液が最適であ
ることが確認されている。以上のようにして、図１
（５）に示すような所望の透明導電膜１２がガラス基板
１１上に形成される。
膜１８に適合するエッチング溶液を用いて、金属膜１８
のみを選択的にエッチングして除去する。このとき使用
するエッチング溶液は、金属膜１２のみをエッチングし
て、Ｉｎ2Ｏ3膜に影響を与えないものであることが必要
である。たとえば、金属膜１８としてＡｌ膜を使用する
場合には、ＫＯＨとＫＩＯ3との混合水溶液が最適であ
ることが確認されている。以上のようにして、図１
（５）に示すような所望の透明導電膜１２がガラス基板
１１上に形成される。
【００２２】透明導電膜１２は、薄膜エレクトロルミネ
ッセンス（ＥＬ）素子を駆動する電極として使用される
場合には、薄膜ＥＬ表示装置の表示品位を向上させるた
め、透明導電膜１２の膜厚を厚くすることが望ましい。
また、金属膜１８の膜厚は、Ｉｎ2Ｏ3膜を付着させるス
パッタ装置の形状、すなわち、Ｉｎ2Ｏ3粒子の入射角度
の分布状態、図１（３）の矢符ａで示す金属膜１８のエ
ッジの角度および所望の透明電極１２の膜厚によって異
なるが、図１（４）の金属膜１８の矢符ｂで示す部分に
金属膜１８が露出することが必要であり、また、図１
（４）の透明導電膜１２の矢符ｃで示す部分がなだらか
に膜厚変化することが必要である。したがって、金属膜
１８と透明電極１２との膜厚比が５：１以上になるよう
形成されることが望ましい。
ッセンス（ＥＬ）素子を駆動する電極として使用される
場合には、薄膜ＥＬ表示装置の表示品位を向上させるた
め、透明導電膜１２の膜厚を厚くすることが望ましい。
また、金属膜１８の膜厚は、Ｉｎ2Ｏ3膜を付着させるス
パッタ装置の形状、すなわち、Ｉｎ2Ｏ3粒子の入射角度
の分布状態、図１（３）の矢符ａで示す金属膜１８のエ
ッジの角度および所望の透明電極１２の膜厚によって異
なるが、図１（４）の金属膜１８の矢符ｂで示す部分に
金属膜１８が露出することが必要であり、また、図１
（４）の透明導電膜１２の矢符ｃで示す部分がなだらか
に膜厚変化することが必要である。したがって、金属膜
１８と透明電極１２との膜厚比が５：１以上になるよう
形成されることが望ましい。
【００２３】本実施例においては、金属膜１８をＡｌ膜
としたが、たとえばＮｉ膜などのようにガラス基板との
密着力が比較的小さな材料を用い、Ｉｎ2Ｏ3膜形成後、
図１（４）に示す状態で、湿式のブラッシングあるいは
超音波などの物理的外力によってＮｉ膜とＮｉ膜上に積
層されたＩｎ2Ｏ3膜とを除去してもよい。
としたが、たとえばＮｉ膜などのようにガラス基板との
密着力が比較的小さな材料を用い、Ｉｎ2Ｏ3膜形成後、
図１（４）に示す状態で、湿式のブラッシングあるいは
超音波などの物理的外力によってＮｉ膜とＮｉ膜上に積
層されたＩｎ2Ｏ3膜とを除去してもよい。
【００２４】また、さらに金属膜１８のパターンを形成
する方法としては、スパッタエッチングなどのドライエ
ッチング法を用いてもよい。ドライエッチングを用いた
場合、図１（３）の矢符ａで示す金属膜１８のエッジ角
度を直角にできて、矢符ｂ，ｃで示す部分にスパッタ法
を用いて入射されるＩｎ2Ｏ3粒子を遮りやすく、したが
って金属膜１８と透明電極１２との膜厚比を小さくする
ことができる。
する方法としては、スパッタエッチングなどのドライエ
ッチング法を用いてもよい。ドライエッチングを用いた
場合、図１（３）の矢符ａで示す金属膜１８のエッジ角
度を直角にできて、矢符ｂ，ｃで示す部分にスパッタ法
を用いて入射されるＩｎ2Ｏ3粒子を遮りやすく、したが
って金属膜１８と透明電極１２との膜厚比を小さくする
ことができる。
【００２５】図３は本発明の他の実施例の透明電極形成
方法を説明するための断面図であり、図４は図３に示す
実施例の透明電極２２を形成する工程を示す工程図であ
る。図３（１）および図４の工程ｍ１に示すように、ガ
ラス基板２１の片側全面に、異種の材料から成る金属膜
２８，２９を形成する。たとえば、金属膜２８としてＡ
ｌ膜、金属膜２９としてＮｉ膜を形成する。
方法を説明するための断面図であり、図４は図３に示す
実施例の透明電極２２を形成する工程を示す工程図であ
る。図３（１）および図４の工程ｍ１に示すように、ガ
ラス基板２１の片側全面に、異種の材料から成る金属膜
２８，２９を形成する。たとえば、金属膜２８としてＡ
ｌ膜、金属膜２９としてＮｉ膜を形成する。
【００２６】次に図３（２）および図４の工程ｍ２に示
すように、金属膜２９上にフォトレジスト膜２７を塗布
し、図１に示す実施例同様に、図４の工程ｍ３に示すよ
うにフォトエッチングによってフォトレジスト膜２７の
パターンを形成する。
すように、金属膜２９上にフォトレジスト膜２７を塗布
し、図１に示す実施例同様に、図４の工程ｍ３に示すよ
うにフォトエッチングによってフォトレジスト膜２７の
パターンを形成する。
【００２７】さらに図３（３）および図４の工程ｍ４に
示すように、金属膜２９に適合するエッチング溶液、た
とえば金属膜２９にＮｉ膜を使用する場合には、ＨＮＯ
3とＨ2Ｏ2との混合水溶液を用いてエッチングを行う。
さらに図４の工程ｍ５に示すように金属膜２８に適合す
るエッチング溶液、たとえば金属膜２８にＡｌ膜を使用
する場合には、Ｈ3ＰＯ4との混合ＨＮＯ3との混合水溶
液を用いてエッチングを行う。このとき、Ａｌ膜のエッ
チング時間を長くすることによって、図３（３）の矢符
ｄで示すように、金属膜２８と金属膜２９との接合部分
にひさし状凹所を形成する。このとき、エッチング溶液
は、金属膜２９に影響を与えないものを選ぶ。
示すように、金属膜２９に適合するエッチング溶液、た
とえば金属膜２９にＮｉ膜を使用する場合には、ＨＮＯ
3とＨ2Ｏ2との混合水溶液を用いてエッチングを行う。
さらに図４の工程ｍ５に示すように金属膜２８に適合す
るエッチング溶液、たとえば金属膜２８にＡｌ膜を使用
する場合には、Ｈ3ＰＯ4との混合ＨＮＯ3との混合水溶
液を用いてエッチングを行う。このとき、Ａｌ膜のエッ
チング時間を長くすることによって、図３（３）の矢符
ｄで示すように、金属膜２８と金属膜２９との接合部分
にひさし状凹所を形成する。このとき、エッチング溶液
は、金属膜２９に影響を与えないものを選ぶ。
【００２８】次に図３（４）および図４の工程ｍ６に示
すように、フォトレジスト膜２７を剥離後、図４の工程
ｍ７に示すようにスパッタ法を用いて透明導電膜２３で
あるＩｎ2Ｏ3膜を積層する。このとき、図３（３）の矢
符ｄで示すひさし状凹所によって、スパッタ法によって
入射されるＩｎ2Ｏ3粒子を遮りやすくなり、金属膜２８
の矢符ｅで示す部分が露出され、また、透明導電膜２３
の矢符ｆで示す部分の表面が、丸みを帯びた滑らかな形
状となる。
すように、フォトレジスト膜２７を剥離後、図４の工程
ｍ７に示すようにスパッタ法を用いて透明導電膜２３で
あるＩｎ2Ｏ3膜を積層する。このとき、図３（３）の矢
符ｄで示すひさし状凹所によって、スパッタ法によって
入射されるＩｎ2Ｏ3粒子を遮りやすくなり、金属膜２８
の矢符ｅで示す部分が露出され、また、透明導電膜２３
の矢符ｆで示す部分の表面が、丸みを帯びた滑らかな形
状となる。
【００２９】さらに、図４の工程ｍ８に示すように金属
膜２８に適合するエッチング溶液を用いて、たとえば金
属膜２８としてＡｌ膜を使用する場合には、ＫＯＨとＫ
ＩＯ3との混合水溶液を用いて金属膜２８を選択的にエ
ッチングし、金属膜２８，２９を除去する。このとき、
エッチング溶液はＩｎ2Ｏ3膜２３に影響を与えないもの
を選ぶ。以上のようにして図３（５）で示すように、所
望の透明電極２２がガラス基板２１上に形成される。
膜２８に適合するエッチング溶液を用いて、たとえば金
属膜２８としてＡｌ膜を使用する場合には、ＫＯＨとＫ
ＩＯ3との混合水溶液を用いて金属膜２８を選択的にエ
ッチングし、金属膜２８，２９を除去する。このとき、
エッチング溶液はＩｎ2Ｏ3膜２３に影響を与えないもの
を選ぶ。以上のようにして図３（５）で示すように、所
望の透明電極２２がガラス基板２１上に形成される。
【００３０】図５は、本発明の透明導電膜の形成方法を
用いて構成される薄膜ＥＬ素子３０の一例を示す断面図
である。ガラス基板３１上に形成された透明電極３２
は、丸みを帯びた滑らかな断面形状をしており、その表
面上に積層された絶縁層３３はほぼ均一な膜厚で形成さ
れる。さらに、絶縁層３３上に順次積層される発光層３
４、絶縁層３５および背面電極３６は、それぞれ、滑ら
かな凹凸を持って形成される。
用いて構成される薄膜ＥＬ素子３０の一例を示す断面図
である。ガラス基板３１上に形成された透明電極３２
は、丸みを帯びた滑らかな断面形状をしており、その表
面上に積層された絶縁層３３はほぼ均一な膜厚で形成さ
れる。さらに、絶縁層３３上に順次積層される発光層３
４、絶縁層３５および背面電極３６は、それぞれ、滑ら
かな凹凸を持って形成される。
【００３１】このように、透明電極３２の膜厚を大きく
しても、背面電極３６との間に積層される絶縁層３３、
発光層３４、絶縁層３５の膜厚が極端に小さくなること
を防止でき、電極の形状からも電界が極度に集中する部
分がなくなり、電圧印加時の絶縁破壊を予防し、薄膜Ｅ
Ｌ素子３０の信頼性を向上することができる。また透明
電極３２の膜厚を大きくすることによって、電極３２の
面積抵抗を小さくし、電極３２の抵抗による電圧降下を
抑え、薄膜ＥＬ素子３０の表示むらを抑え表示品位を向
上することができる。
しても、背面電極３６との間に積層される絶縁層３３、
発光層３４、絶縁層３５の膜厚が極端に小さくなること
を防止でき、電極の形状からも電界が極度に集中する部
分がなくなり、電圧印加時の絶縁破壊を予防し、薄膜Ｅ
Ｌ素子３０の信頼性を向上することができる。また透明
電極３２の膜厚を大きくすることによって、電極３２の
面積抵抗を小さくし、電極３２の抵抗による電圧降下を
抑え、薄膜ＥＬ素子３０の表示むらを抑え表示品位を向
上することができる。
【００３２】この結果、６４０×４００ドット、端子間
ピッチ０．３ｍｍの薄膜ＥＬ素子３０において、１電極
あたりの抵抗を、従来の製法による電極では約５ＫΩで
あったものを、本実施例による電極では約５００Ωに低
減することができた。
ピッチ０．３ｍｍの薄膜ＥＬ素子３０において、１電極
あたりの抵抗を、従来の製法による電極では約５ＫΩで
あったものを、本実施例による電極では約５００Ωに低
減することができた。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板の一
方表面に金属膜を形成し、透明電極が形成される領域の
金属膜を除去し、前記基板の一方表面に透明電極となる
導電物質を付着し、前記導電物質が付着した金属膜のみ
を除去することによって、導電物質の基板に対する入射
方向が一様でないことから、金属膜断面付近では付着す
る導電物質が少なくなり、電極表面が滑らかに丸みを帯
びた形状の透明電極を形成することができる。したがっ
て、透明電極および対向する電極に電圧を印加しても、
生じる電界が電極表面の一部に集中しない。また、電極
表面に薄膜を積層する場合には、電極膜厚を大きくして
も、薄膜の膜厚を均等に積層することができる。
方表面に金属膜を形成し、透明電極が形成される領域の
金属膜を除去し、前記基板の一方表面に透明電極となる
導電物質を付着し、前記導電物質が付着した金属膜のみ
を除去することによって、導電物質の基板に対する入射
方向が一様でないことから、金属膜断面付近では付着す
る導電物質が少なくなり、電極表面が滑らかに丸みを帯
びた形状の透明電極を形成することができる。したがっ
て、透明電極および対向する電極に電圧を印加しても、
生じる電界が電極表面の一部に集中しない。また、電極
表面に薄膜を積層する場合には、電極膜厚を大きくして
も、薄膜の膜厚を均等に積層することができる。
【００３４】また好ましくは、前記金属膜は、２種類以
上の異なる金属膜が積層して成るので、基板表面上の金
属膜を他方側の金属膜より大きくエッチングすることに
よって、基板面に入射する導電物質を遮りやすくなり、
金属膜断面付近で基板面に導電物質が付着する量を減少
させ、電極表面が丸みを帯びた電極をより容易に得るこ
とができる。
上の異なる金属膜が積層して成るので、基板表面上の金
属膜を他方側の金属膜より大きくエッチングすることに
よって、基板面に入射する導電物質を遮りやすくなり、
金属膜断面付近で基板面に導電物質が付着する量を減少
させ、電極表面が丸みを帯びた電極をより容易に得るこ
とができる。
【００３５】したがって、たとえば、透明電極、絶縁
層、発光層、絶縁層、背面電極の順に積層されて形成さ
れる薄膜ＥＬ素子の電極として使用される場合には、透
明電極の膜厚を大きくし、面積抵抗を低減することによ
って、表示品位の高い薄膜ＥＬ素子を得ることができ
る。
層、発光層、絶縁層、背面電極の順に積層されて形成さ
れる薄膜ＥＬ素子の電極として使用される場合には、透
明電極の膜厚を大きくし、面積抵抗を低減することによ
って、表示品位の高い薄膜ＥＬ素子を得ることができ
る。
【図１】本発明の一実施例の透明電極形成方法を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
【図２】図１に示す実施例の透明電極１２を形成する工
程を示す工程図である。
程を示す工程図である。
【図３】本発明の他の実施例の透明電極形成方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図４】図３に示す実施例の透明電極２２を形成する工
程を示す工程図である。
程を示す工程図である。
【図５】本発明の透明電極形成方法を用いて構成される
薄膜ＥＬ素子３０の一例を示す断面図である。
薄膜ＥＬ素子３０の一例を示す断面図である。
【図６】従来行われている透明電極形成方法を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図７】従来の透明電極２を使用して形成される薄膜Ｅ
Ｌ素子９の一例を示す断面図である。
Ｌ素子９の一例を示す断面図である。
１１，２１ 基板 １２，２２ 透明電極 １３，２３ 導電物質 １８，２８，２９ 金属膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｂ 33/28 // Ｃ２３Ｆ 1/36 8414−4Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の一方表面に金属膜を形成し、 透明電極が形成される領域の金属膜を除去し、 前記基板の一方表面に透明電極となる導電物質を付着
し、 前記導電物質が付着した金属膜のみを除去することを特
徴とする透明電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記金属膜は、２種類以上の異なる金属
膜が積層して成ることを特徴とする請求項１記載の透明
電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284610A JP2750059B2 (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 透明電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284610A JP2750059B2 (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 透明電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140154A true JPH06140154A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2750059B2 JP2750059B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=17680691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4284610A Expired - Fee Related JP2750059B2 (ja) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | 透明電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750059B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038754B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
-
1992
- 1992-10-22 JP JP4284610A patent/JP2750059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038754B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7136128B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7728942B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US8199300B2 (en) | 1996-01-26 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device utilizing electric field parallel to substrate |
| US8514361B2 (en) | 1996-01-26 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal having common electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750059B2 (ja) | 1998-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |