JPH06139920A - 偏極電子線源 - Google Patents

偏極電子線源

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JPH06139920A
JPH06139920A JP30826092A JP30826092A JPH06139920A JP H06139920 A JPH06139920 A JP H06139920A JP 30826092 A JP30826092 A JP 30826092A JP 30826092 A JP30826092 A JP 30826092A JP H06139920 A JPH06139920 A JP H06139920A
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JP
Japan
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electron beam
polarized electron
polarized
generating element
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Katsumi Kishino
克巳 岸野
Toshihiro Kato
俊宏 加藤
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Daido Steel Co Ltd
Kishino Katsumi
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Daido Steel Co Ltd
Kishino Katsumi
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 励起される偏極電子線の密度を調整できるよ
うにする。 【構成】 レーザ光Lが入射されることによりスピン方
向が偏在している偏極電子線を発生する第2半導体(ス
トレインドGaAs)44を有する偏極電子線発生素子
16の裏側に、DBR面発光レーザと同様に構成された
ダブルヘテロ構造の光増幅器14を配設し、その光増幅
器14の注入電流を変更することにより、偏極電子線発
生素子16に入射されるレーザ光Lの光強度を変調す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スピン方向が偏在して
いる偏極電子線を発生する偏極電子線源の改良に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】スピン方向が2種類のうちの一方に偏在
している電子群から成る偏極電子線は、高エネルギー素
粒子実験分野においては原子核内部の磁気構造を、物性
物理実験分野においては物質表面の磁気構造を調査する
上で有効な手段として利用されている。かかる偏極電子
線は、価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導
体光電層を備えた偏極電子線発生素子を用い、その半導
体光電層に励起レーザを入射させることによって取り出
すことが可能であり、偏極電子線発生素子としては、例
えばGaAs1-x x (混晶比x>0)半導体の上に、
それよりもバンドギャップが小さく且つ格子定数が僅か
に異なるGaAs半導体を結晶成長させたストレインド
GaAs半導体がある。すなわち、GaAs1-x x
導体に対して格子定数が異なるGaAs半導体がヘテロ
結合させられることにより、そのGaAs半導体には格
子歪が付与されるため、その価電子帯にバンドスプリッ
ティングが発生してヘビーホールのサブバンドとライト
ホールのサブバンドにエネルギー準位差が生じる一方、
両サブバンドの励起によって取り出される電子のスピン
方向は互いに反対向きであるため、エネルギー準位が高
い方すなわち伝導帯とのエネルギーギャップが小さい方
のサブバンドのみを励起するような光エネルギーをGa
As半導体に注入すれば、一方のスピン方向に偏在した
電子群が専ら励起されて放出され、高い偏極率を備えた
偏極電子線が得られるのである。偏極電子線発生素子と
しては、上記ストレインドGaAs半導体の他、本出願
人が先に出願した特願平4−196245号において提
案したストレインドGaAs1-yy (混晶比y>0)
半導体や他のストレインド化合物半導体、或いは価電子
帯に元々バンドスプリッティングを有するカルコパイラ
イト型半導体等が用いられ得る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の偏極電子線発生素子においては、励起される偏極
電子線の密度を調整することができないため、例えば磁
性体表面の磁区観察等において、照射する偏極電子線の
強度と得られる像との関係など、照射偏極電子線の強度
をパラメータとして磁区観察等を行うことが難しかっ
た。
【0004】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、励起される偏極電子
線の密度を容易に調整できるようにすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の偏極電子線源は、(a)価電子帯にバン
ドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、その
半導体光電層に励起レーザが入射されることによりその
半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極
電子線を発生する偏極電子線発生素子と、(b)その偏
極電子線発生素子の前記半導体光電層と反対側に設けら
れて、その半導体光電層に入射される前記励起レーザの
光強度を変調する半導体光変調素子とを有することを特
徴とする。
【0006】
【作用および発明の効果】このような偏極電子線源にお
いては、半導体光電層を備えた偏極電子線発生素子の裏
側、すなわち半導体光電層と反対側に半導体光変調素子
が設けられ、その半導体光電層に入射される励起レーザ
の光強度を変調するようになっているため、その変調の
程度によって励起される偏極電子線の密度を調整するこ
とができる。これにより、例えば磁性体表面の磁区観察
等において、照射する偏極電子線の強度と得られる像と
の関係など、照射偏極電子線の強度をパラメータとした
磁区観察等を容易に行い得るようになる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。
【0008】図1は、偏極電子線発生装置の基本構成を
示す図で、レーザ光源10,1/4波長板12,半導体
光変調素子としての光増幅器14,および偏極電子線発
生素子16を備えており、光増幅器14および偏極電子
線発生素子16により偏極電子線源が構成されている。
これ等のレーザ光源10,1/4波長板12,光増幅器
14,および偏極電子線発生素子16は、図2に示され
ているようにハウジング8に位置固定に配設されてお
り、磁区観察装置等において磁性体試料に偏極電子線を
照射する真空チャンバ6に着脱可能に取り付けられるよ
うになっている。レーザ光源10は、波長が例えば85
0nm程度の直線偏光レーザ光Lを出射するもので、半
導体レーザ等にて構成されている。レーザ光Lは1/4
波長板12によって円偏光に変換されたのち光増幅器1
4に入射させられ、その光増幅器14によって光強度が
増幅されたレーザ光Lが励起レーザとして偏極電子線発
生素子16の裏面に入射させられることにより、その偏
極電子線発生素子16の表面18から、スピン方向が偏
在している偏極電子線が発生させられる。
【0009】上記光増幅器14はダブルヘテロ構造のD
BR(分布反射型)面発光レーザと同様に構成されてお
り、p−GaAs半導体基板20上にMOCVD(有機
金属化学気相成長)法等のエピタキシャル成長技術によ
り順次積層された半導体多層膜反射鏡22,n−GaA
s半導体から成る電流ブロック層24,p−Al0.4
0.6 As半導体から成るクラッド層26,p−Al
0.03Ga0.97As半導体から成る活性層28,n−Al
0.4 Ga0.6 As半導体から成るクラッド層30,半導
体多層膜反射鏡32を備えている。半導体多層膜反射鏡
22は、p−Al0.6 Ga0.4 As半導体とp−Al
0.1 Ga0.9 As半導体とを交互に40ペア積層したも
ので、半導体多層膜反射鏡32は、n−Al0.6 Ga
0.4 As半導体とn−Al0.1 Ga0.9 As半導体とを
交互に15ペア積層したものである。これ等の半導体の
膜厚は、その屈折率と前記レーザ光Lの波長に応じて定
められる。また、上記電流ブロック層24,クラッド層
26,活性層28,クラッド層30の膜厚は、それぞれ
2μm,2μm,0.1μm,2μmである。そして、
上記基板20の下面および半導体多層膜反射鏡32の上
面には電極34,36が取り付けられ、それ等の電極間
に順方向電流を流すと、活性層28における誘導放出に
よりレーザ光Lの光強度が増幅される。注入する電流の
大きさにより光強度の増幅率は異なり、前記偏極電子線
発生素子16に入射されるレーザ光Lの光強度を変調す
ることができる。なお、ブロック層24および基板20
は、エッチングにより中央部が除去されている。また、
図1における光増幅器14,偏極電子線発生素子16
や、以下の実施例における各半導体の厚さは必ずしも正
確な割合で示したものではない。
【0010】偏極電子線発生素子16は、半導体基板4
0上にMOCVD法等のエピタキシャル成長技術により
第1半導体42および第2半導体44を積層した後、基
板40の中央部をエッチングにより除去したものであ
る。基板40は350μm程度の厚みであって、Znが
不純物としてドープされることによりキャリア濃度が5
×1018(cm-3)程度とされたp−GaAsであり、
表面は(100)面である。第1半導体42は2.0μ
m程度の厚みであって、Znが不純物としてドープされ
ることによりキャリア濃度が5×1018(cm-3)程度
とされたp−GaAs0.830.17であり、第2半導体4
4は0.085μm程度の厚みであって、Znが不純物
としてドープされることによりキャリア濃度が5×10
18(cm-3)程度とされたp−GaAsである。p−G
aAsのバンドギャップはp−GaAs0.830.17より
小さく、また、両者の格子定数の相違によりp−GaA
sすなわち第2半導体44は格子歪を有する状態で第1
半導体42上にヘテロ結合させられる。この格子歪によ
り、第2半導体44の価電子帯にバンドスプリッティン
グが発生し、ヘビーホールのサブバンドとライトホール
のサブバンドにエネルギー準位差が生じる一方、両サブ
バンドの励起によって取り出される電子のスピン方向は
互いに反対向きであるため、エネルギー準位が高い方、
この場合にはヘビーホールのサブバンドのみを励起する
ような光エネルギーを有するレーザ光Lが第2半導体4
4に注入されると、一方のスピン方向に偏在した電子群
が専ら励起されて表面18から放出される。この実施例
では、上記第2半導体44が半導体光電層に相当し、レ
ーザ光Lの波長は第2半導体44に応じて設定される。
【0011】以上のように構成された偏極電子線発生装
置においては、1/4波長板12によって円偏光に変換
されたレーザ光Lが光増幅器14を経て偏極電子線発生
素子16に入射させられるため、その光増幅器14に通
電する注入電流の大きさを変えてレーザ光Lの光強度を
変調することにより、例えば図3に示されているよう
に、そのレーザ光Lによって励起される偏極電子線の密
度を調整することが可能となる。これにより、その偏極
電子線を用いた磁性体表面の磁区観察などにおいて、照
射する偏極電子線の強度と得られる像との関係など、照
射偏極電子線の強度をパラメータとした磁区観察等を容
易に行い得るようになる。また、例えば発生する偏極電
子線をパルス幅10μsec,デューティ比1/10等
のパルスとして試料に照射することもできる。
【0012】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
4は、前記光増幅器14の反射鏡32上に第1半導体4
2および第2半導体44を連続して積層した後、それ等
の周縁部をエッチングで除去して電極36を取り付けた
もので、前記光増幅器14と偏極電子線発生素子16と
を単一の半導体素子として構成したものである。このよ
うな偏極電子線源48においては、前記実施例と同様の
効果が得られるのに加えて、単一の半導体素子にて構成
されているため取扱いが容易となる。この実施例では、
電極34が取り付けられた基板20から電極36が取り
付けられた半導体多層膜反射鏡32までが半導体光変調
素子として機能し、第1半導体42および第2半導体4
4が偏極電子線発生素子として機能している。
【0013】また、図5は、前記光増幅器14の代わり
にMQW(多重量子井戸)を備えた光変調器50を半導
体光変調素子として用いたものである。この光変調器5
0は、n−GaAs半導体基板52上にMOCVD法等
のエピタキシャル成長技術によりn−Al0.3 Ga0.7
As半導体から成るクラッド層54,MQW56,p−
Al0.3 Ga0.7 As半導体から成るクラッド層58を
順次積層し、基板52の中央部をエッチングで除去した
後、その基板52の下面およびクラッド層58の上面に
電極60,62をそれぞれ取り付けたものである。上記
MQW56は、厚さ10nmのGaAs半導体と厚さ5
0nmのAl0.3 Ga0.7 As半導体とを交互に積層し
たもので、井戸数は10である。また、クラッド層54
および58の膜厚は何れも2μmである。かかる光変調
器50においては、上記一対の電極60,62間に順方
向電流を流すと、MQW56における誘導放出によりレ
ーザ光Lの光強度が変調されるとともに、その光強度は
注入電流の大きさによって異なるため、これにより、前
記実施例と同様に偏極電子線発生素子16から発生する
偏極電子線の密度を調整できる。
【0014】なお、この実施例でも、前記図4と同様に
光変調器50上に第1半導体42,第2半導体44を一
体に積層することにより、光変調器50および偏極電子
線発生素子16を単一の半導体素子として構成すること
ができる。また、クラッド層54の下面およびクラッド
層58の上面に、半導体多層膜反射鏡,誘電体多層膜反
射鏡等の反射鏡を設け、それ等の間でレーザ光Lを共振
させるようにしても良いし、レーザ光Lが通過する中央
部のみを電流が流れるように電流ブロック層を設けるこ
とも可能である。
【0015】図6の偏極電子線源66は、前記図4の偏
極電子線源48における半導体多層膜反射鏡32を省略
し、クラッド層30上に電極36を取り付けたものであ
る。この場合には、活性層28で強度変調されたレーザ
光Lはそのまま第2半導体44に入射するが、そのレー
ザ光Lは表面18で30%程度の反射率で反射されるた
め、その表面18と反射鏡22との間でレーザ光Lが多
重反射され、活性層28によるレーザ光Lの強度変調が
増大させられるとともに、第2半導体44におけるレー
ザ光Lの吸収量が増加して量子効率(QE)が向上し、
励起される偏極電子線量が一層増大する。この量子効率
の向上効果は、図7に示されているように表面18と反
射鏡22との間の距離dによって異なり、レーザ光Lの
共振条件を満足する距離dn ,dn+1 ,dn+2 ,・・・
において高い量子効率が得られるため、その距離dn
n+1 ,dn+2 ,・・・或いはその近傍の寸法となるよ
うに、レーザ光Lの波長や半導体の屈折率,反射鏡22
に対するレーザ光Lのしみ込み深さ等に基づいて距離
d、すなわち各半導体層の膜厚を設定することが望まし
い。この実施例では、電極34が取り付けられた基板2
0から電極36が取り付けられたクラッド層30までが
半導体光変調素子として機能し、第1半導体42および
第2半導体44が偏極電子線発生素子として機能してい
る。
【0016】図8の実施例は、前記図1の光増幅器14
の代わりに、その光増幅器14から半導体多層膜反射鏡
32を省略した光増幅器70を用いた場合であり、活性
層28で強度変調されたレーザ光Lはそのまま偏極電子
線発生素子16の第2半導体44に入射させられる。こ
の場合に、光増幅器70の反射鏡22を省略することも
可能であるが、光増幅器70の表面72および第1半導
体42の裏面74に無反射コーティングを施すことによ
り、上記図6の実施例と同様に、偏極電子線発生素子1
6の表面18と光増幅器70の反射鏡22との間でレー
ザ光Lを共振させ、レーザ光Lの強度変調を増大させな
がら量子効率を向上させることができる。なお、前記図
5の実施例においても、光変調器50のクラッド層54
の裏面に反射鏡を設けて、図8の実施例や図6の実施例
と同様に構成することが可能である。
【0017】以上、本発明の幾つかの実施例を図面に基
づいて詳細に説明したが、本発明は更に別の態様で実施
することもできる。
【0018】例えば、前記実施例では半導体光電層とし
ての第2半導体44がストレインドGaAs半導体にて
構成されていたが、他のストレインド化合物半導体、或
いは価電子帯に元々バンドスプリッティングを有するカ
ルコパイライト型半導体等が用いられても良い。最大偏
極率が得られる励起レーザの波長は、半導体光電層の種
類によって異なる。
【0019】また、前記実施例の偏極電子線発生素子1
6はGaAs基板40が用いられていたが、他の化合物
半導体基板やSi基板等を用いることも可能である。A
lGaAs等の透明基板を用いた場合には、レーザ光L
を通過させるためにエッチング等により中央部を除去す
る必要がない。このことは、光増幅器14,70や光変
調器50、偏極電子線源48,66についても同様であ
る。
【0020】また、前記実施例における偏極電子線発生
素子16等の第1半導体42の厚さは2μm程度、第2
半導体44の厚さは0.085μm程度であったが、こ
れらの厚さは適宜変更され得る。各半導体のキャリア濃
度、すなわち不純物のドーピング量や、ドーピングする
不純物の種類についても適宜変更できる。
【0021】また、前記実施例の光増幅器14,70や
光変調器50はあくまでも一例であり、その組成や各半
導体の膜厚などを適宜変更できることは勿論、シングル
ヘテロ構造等の他の半導体光変調素子を採用することも
可能である。
【0022】また、前記実施例では光増幅器14等の半
導体光変調素子の裏側からレーザ光Lが入射されるよう
になっていたが、反射鏡22を有する実施例においては
表面18側からレーザ光Lを入射させるとともに、必要
に応じて無反射コーテング等を施すことにより反射鏡2
2と表面18との間でレーザ光Lを多重反射させるよう
にすることが可能である。反射鏡22を備えていない図
5の実施例においても、クラッド層54の裏面に反射鏡
を設けることにより、上記と同様に構成することができ
る。
【0023】また、前記実施例における反射鏡22,3
2は半導体多層膜にて構成されていたが、誘電体多層膜
反射鏡や金属薄膜反射鏡、誘電体薄膜と金属膜とを組み
合わせた反射鏡など、素子構造に応じて種々の反射鏡を
採用できる。
【0024】また、前記実施例では偏極電子線源がレー
ザ光源10および1/4波長板12と共にハウジング8
に配設され、真空チャンバ6に着脱可能に取り付けられ
るようになっていたが、レーザ光源10および1/4波
長板12を備えた偏極電子線発生装置の真空チャンバに
偏極電子線源が別体に取り付けられるものなど、偏極電
子線発生装置の全体構成は適宜変更され得る。
【0025】その他一々例示はしないが、本発明は当業
者の知識に基づいて種々の変更,改良を加えた態様で実
施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である偏極電子線源を備えた
偏極電子線発生装置の基本構造を示す図である。
【図2】図1の偏極電子線発生装置のハウジング形状の
一例を示す図である。
【図3】励起レーザの強度と偏極電子線電流との関係を
示すグラフである。
【図4】本発明の他の実施例を示す図である。
【図5】本発明の更に別の実施例を示す図で、図1に対
応する図である。
【図6】本発明の更に別の実施例を示す図である。
【図7】図6の実施例において表面と反射鏡との間の距
離と量子効率との関係を示すグラフである。
【図8】本発明の更に別の実施例を示す図である。
【符号の説明】
14,70:光増幅器(半導体光変調素子) 16:偏極電子線発生素子 18:表面 44:第2半導体(半導体光電層) 48,66:偏極電子線源 50:光変調器(半導体光変調素子) L:レーザ光(励起レーザ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 価電子帯にバンドスプリッティングを有
    する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起レーザ
    が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピ
    ン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線
    発生素子と、 該偏極電子線発生素子の前記半導体光電層と反対側に設
    けられて、該半導体光電層に入射される前記励起レーザ
    の光強度を変調する半導体光変調素子とを有することを
    特徴とする偏極電子線源。
JP30826092A 1992-09-25 1992-10-22 偏極電子線源 Pending JPH06139920A (ja)

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JP30826092A JPH06139920A (ja) 1992-10-22 1992-10-22 偏極電子線源
US08/124,624 US5747862A (en) 1992-09-25 1993-09-22 Spin-polarized electron emitter having semiconductor opto-electronic layer with split valence band and reflecting mirror
EP93115446A EP0589475B1 (en) 1992-09-25 1993-09-24 Spin-polarized electron emitter having semiconductor opto-electronic layer with split valence band
CA002106943A CA2106943C (en) 1992-09-25 1993-09-24 Spin-polarized electron emitter having semiconductor opto-electronic layer with split valence band
DE69308976T DE69308976T2 (de) 1992-09-25 1993-09-24 Spinpolarisierte Elektronenquelle mit optoelektronischer Halbleiterschicht mit geteiltem Valenzband
US09/208,861 US6040587A (en) 1992-09-25 1998-12-10 Spin-polarized electron emitter having semiconductor opto-electronic layer with split valence band

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011181416A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Tohoku Univ 光スイッチング電子源及びそれを用いた電子線描画装置

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JP2011181416A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Tohoku Univ 光スイッチング電子源及びそれを用いた電子線描画装置

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