JPH06139596A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
- Publication number
- JPH06139596A JPH06139596A JP4031744A JP3174492A JPH06139596A JP H06139596 A JPH06139596 A JP H06139596A JP 4031744 A JP4031744 A JP 4031744A JP 3174492 A JP3174492 A JP 3174492A JP H06139596 A JPH06139596 A JP H06139596A
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- JP
- Japan
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- light
- grating
- reflecting surface
- optical pickup
- proton exchange
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型かつ軽量で一体構成した光磁気ディスク
装置の光ピックアップを提供する。 【構成】 LiNbO3基板にプロトン交換法で製作されるグ
レーティング３、集光グレーティングレンズ４および第
二の反射面５をガラス素子２に一体形成し、半導体レー
ザ１および多分割光検出器６をガラス素子２と樹脂７と
で接着固定することにより、一体構成した光ピックアッ
プ。 【効果】 レーザ光束が光学系で１往復し、全部品が一
体構成となっているので、小型、軽量、コンパクトな光
ピックアップを実現でき、高速アクセス、低コスト、部
品調整が容易である。
装置の光ピックアップを提供する。 【構成】 LiNbO3基板にプロトン交換法で製作されるグ
レーティング３、集光グレーティングレンズ４および第
二の反射面５をガラス素子２に一体形成し、半導体レー
ザ１および多分割光検出器６をガラス素子２と樹脂７と
で接着固定することにより、一体構成した光ピックアッ
プ。 【効果】 レーザ光束が光学系で１往復し、全部品が一
体構成となっているので、小型、軽量、コンパクトな光
ピックアップを実現でき、高速アクセス、低コスト、部
品調整が容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光によって情報を記録
または再生する光学情報記録装置に関するものである。
または再生する光学情報記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気ディスク装置は、ハードデ
ィスク装置やフロッピーディスク装置に代わる高密度・
大容量の情報記憶装置として期待されている。光磁気デ
ィスク装置の光ピックアップを小型化、軽量化すること
は、装置全体を小型にするだけでなく、アクセス時間を
短縮し性能を向上させる。
ィスク装置やフロッピーディスク装置に代わる高密度・
大容量の情報記憶装置として期待されている。光磁気デ
ィスク装置の光ピックアップを小型化、軽量化すること
は、装置全体を小型にするだけでなく、アクセス時間を
短縮し性能を向上させる。
【０００３】従来の光磁気ディスクの光ピックアップに
ついて説明する。図７は従来の光ピックアップの説明図
である。25は光源である半導体レーザである。26はコリ
メータレンズ、27はプリズムアナモルフィックで、半導
体レーザからの楕円光束を平行円光束に変換する。28は
ＰＢＳプリズムで、プローブ光と信号光を分離する。29
ははね上げミラー、30は対物レンズでディスクに光束を
集光する。31はディスクである。32は半波長板で信号光
の偏向方向を９０度回転させる。33はレンズである。34
はホログラム素子、35は検光子である。36は６分割光検
出器、37は２分割光検出器で信号光を電気信号に変換す
る。
ついて説明する。図７は従来の光ピックアップの説明図
である。25は光源である半導体レーザである。26はコリ
メータレンズ、27はプリズムアナモルフィックで、半導
体レーザからの楕円光束を平行円光束に変換する。28は
ＰＢＳプリズムで、プローブ光と信号光を分離する。29
ははね上げミラー、30は対物レンズでディスクに光束を
集光する。31はディスクである。32は半波長板で信号光
の偏向方向を９０度回転させる。33はレンズである。34
はホログラム素子、35は検光子である。36は６分割光検
出器、37は２分割光検出器で信号光を電気信号に変換す
る。
【０００４】以上のように構成された光ピックアップに
おいて、その動作を説明する。半導体レーザ25からの光
束は、コリメータレンズ26、プリズムアナモルフィック
27を通して平行円光束に変換され、ＰＢＳプリズム28、
はね上げミラー29を経由して、対物レンズ30によりでデ
ィスク31に集光される。集光された光束は記録信号をピ
ックアップし、信号光として反射される。このとき記録
信号は磁化方向の違いにより記録されているので、信号
光はカー効果の作用でその信号により偏向面の回転方向
が異なる。
おいて、その動作を説明する。半導体レーザ25からの光
束は、コリメータレンズ26、プリズムアナモルフィック
27を通して平行円光束に変換され、ＰＢＳプリズム28、
はね上げミラー29を経由して、対物レンズ30によりでデ
ィスク31に集光される。集光された光束は記録信号をピ
ックアップし、信号光として反射される。このとき記録
信号は磁化方向の違いにより記録されているので、信号
光はカー効果の作用でその信号により偏向面の回転方向
が異なる。
【０００５】信号光は対物レンズ30、はね上げミラー29
を経由して、ＰＢＳプリズム28で主光軸外に分離された
後、信号光の偏向がホログラム素子に対してＴＭ波にな
るように半波長板32で偏向方向が９０度回転され、レン
ズで集光されながらホログラム素子34にブラッグ角で入
射する。ホログラム素子34で回折された１次回折光は、
６分割光検出器36に結像され焦点誤差およびトラッキン
グ誤差のそれぞれの誤差検出信号として用いられる。ホ
ログラム素子34は４つのホログラムからなり、焦点誤差
信号の測定は、焦点位置でのデフォーカスに伴う結像パ
ターンの変化を４分割センサで検出するダブルナイフエ
ッジ法を用いて行ない、またトラッキング誤差信号の測
定は、２つのホログラムに入射する光強度の変化を２分
割センサで検出するプッシュプル法を用いて行なう。さ
らに０次回折光は検光子35を経て２分割光検出器37に入
射され信号読み取りに用いられる。
を経由して、ＰＢＳプリズム28で主光軸外に分離された
後、信号光の偏向がホログラム素子に対してＴＭ波にな
るように半波長板32で偏向方向が９０度回転され、レン
ズで集光されながらホログラム素子34にブラッグ角で入
射する。ホログラム素子34で回折された１次回折光は、
６分割光検出器36に結像され焦点誤差およびトラッキン
グ誤差のそれぞれの誤差検出信号として用いられる。ホ
ログラム素子34は４つのホログラムからなり、焦点誤差
信号の測定は、焦点位置でのデフォーカスに伴う結像パ
ターンの変化を４分割センサで検出するダブルナイフエ
ッジ法を用いて行ない、またトラッキング誤差信号の測
定は、２つのホログラムに入射する光強度の変化を２分
割センサで検出するプッシュプル法を用いて行なう。さ
らに０次回折光は検光子35を経て２分割光検出器37に入
射され信号読み取りに用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、バルク部品を組み合わせた構成であるの
で、ピックアップの小型化、軽量化に限界があるととも
に各部品の位置調整が困難であるという問題点を有して
いた。本発明は上記従来の問題点を解決するもので、小
型で軽量かつ各光学部品を一体構成した光ピックアップ
を提供することを目的とする。
来の構成では、バルク部品を組み合わせた構成であるの
で、ピックアップの小型化、軽量化に限界があるととも
に各部品の位置調整が困難であるという問題点を有して
いた。本発明は上記従来の問題点を解決するもので、小
型で軽量かつ各光学部品を一体構成した光ピックアップ
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の光ピックアップは、レーザ光を発生するレ
ーザ発生装置と、前記レーザ発生装置からの射出光を反
射する第一の反射面と、前記第一の反射面からの光束を
反射する第二の反射面と、前記第二の反射面からの光束
をディスク上に集光する集光光学素子とを具備し、前記
第一の反射面と第二の反射面とが互いに相対するととも
に前記第一の反射面と前記集光光学素子とが同一面上に
形成されたものとした。
めに本発明の光ピックアップは、レーザ光を発生するレ
ーザ発生装置と、前記レーザ発生装置からの射出光を反
射する第一の反射面と、前記第一の反射面からの光束を
反射する第二の反射面と、前記第二の反射面からの光束
をディスク上に集光する集光光学素子とを具備し、前記
第一の反射面と第二の反射面とが互いに相対するととも
に前記第一の反射面と前記集光光学素子とが同一面上に
形成されたものとした。
【０００８】また、第一の反射面を、集光光学素子の中
央部に位置し、LiNbO3基板にプロトン交換法により製作
されるグレーティングとし、集光光学素子をグレーティ
ングレンズとした。さらに、レーザ発生装置、光検出
器、第一の反射面、第二の反射面および集光光学素子が
一体構成とした光ピックアップとした。
央部に位置し、LiNbO3基板にプロトン交換法により製作
されるグレーティングとし、集光光学素子をグレーティ
ングレンズとした。さらに、レーザ発生装置、光検出
器、第一の反射面、第二の反射面および集光光学素子が
一体構成とした光ピックアップとした。
【０００９】
【作用】光ピックアップの光学部品を一体構成すること
によって半導体レーザからの射出光束を光学系の内部で
１往復させることができる。
によって半導体レーザからの射出光束を光学系の内部で
１往復させることができる。
【００１０】
（実施例１）以下本発明の第一の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例とし
ての光ピックアップの構成を示す説明図である。図１に
おいて、１は光源である半導体レーザ、２はガラスの素
子である。３は第一の反射面で、LiNbO3基板にプロトン
交換法により製作されるグレーティングである。４はレ
ーザ光束をディスクに集光するグレーティングレンズ
で、前記第一の反射面３と同一面上に形成されている。
５は反射ミラー膜よりなる第二の反射面で、半導体レー
ザ１からの光束および光検出器への入射光が通過するた
めに２つの開口を設けている。６は多分割光検出器であ
る。
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例とし
ての光ピックアップの構成を示す説明図である。図１に
おいて、１は光源である半導体レーザ、２はガラスの素
子である。３は第一の反射面で、LiNbO3基板にプロトン
交換法により製作されるグレーティングである。４はレ
ーザ光束をディスクに集光するグレーティングレンズ
で、前記第一の反射面３と同一面上に形成されている。
５は反射ミラー膜よりなる第二の反射面で、半導体レー
ザ１からの光束および光検出器への入射光が通過するた
めに２つの開口を設けている。６は多分割光検出器であ
る。
【００１１】本実施例における光ピックアップにおいて
は、半導体レーザ１および多分割光検出器６がガラス素
子２と樹脂７とで接着固定されており、前記の全部品が
一体構成された光ピックアップである。次に、図２を用
いてプロトン交換法により製作されるグレーティング３
について説明する。このグレーティング３はLiNbO3基板
９上に周期的にプロトン交換を施した格子10と、この格
子10の上に誘電体膜11とからなる構造で、偏向分離機能
を有している。この構造において、結晶光学軸方向と直
交する偏向光（常光）に対してプロトン交換領域とプロ
トン交換領域外で位相差が生じないように誘電体膜11の
厚さを調整すると、常光12は０次回折光13として反射
し、また入射光の結晶光学軸方向の偏向光（異常光）14
は１次回折光15として回折反射する。
は、半導体レーザ１および多分割光検出器６がガラス素
子２と樹脂７とで接着固定されており、前記の全部品が
一体構成された光ピックアップである。次に、図２を用
いてプロトン交換法により製作されるグレーティング３
について説明する。このグレーティング３はLiNbO3基板
９上に周期的にプロトン交換を施した格子10と、この格
子10の上に誘電体膜11とからなる構造で、偏向分離機能
を有している。この構造において、結晶光学軸方向と直
交する偏向光（常光）に対してプロトン交換領域とプロ
トン交換領域外で位相差が生じないように誘電体膜11の
厚さを調整すると、常光12は０次回折光13として反射
し、また入射光の結晶光学軸方向の偏向光（異常光）14
は１次回折光15として回折反射する。
【００１２】図３において、本実施例のプロトン交換法
で製作されるグレーティングは、半導体レーザからの射
出光束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する
プロトン交換領域16と、射出光束の偏向面に対して４５
度傾いた少なくとも２つの領域17とからなり、またグレ
ーティング直径の１／３を直径とする中央部18は光束が
反射しないように遮光している。
で製作されるグレーティングは、半導体レーザからの射
出光束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する
プロトン交換領域16と、射出光束の偏向面に対して４５
度傾いた少なくとも２つの領域17とからなり、またグレ
ーティング直径の１／３を直径とする中央部18は光束が
反射しないように遮光している。
【００１３】以上のように構成された光ピックアップに
ついて、図１を用いてその動作を説明する。半導体レー
ザ１からの光束は、まずプロトン交換法で製作されるグ
レーティング３で回折反射される。この光束のうち情報
の再生に利用されるのは、半導体レーザ１からの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交するプロ
トン交換領域における０次回折光であるので、この０次
回折光の偏向方向は半導体レーザからの射出光束の方向
と同じであり、また鏡面反射によるものと考えてよい。
ここで回折反射された光束は第二の反射面５で再び反射
され、グレーティングレンズ４に入射し、グレーティン
グレンズ４の集光作用によりディスク８に集光される。
この時、ディスク８に集光される光束の偏向方向は半導
体レーザ１からの射出光束の偏向方向と等しい。またグ
レーティングレンズ４への入射光束の中心部分が遮光さ
れるので、超解像現象により集光される光スポットは小
さくなる。
ついて、図１を用いてその動作を説明する。半導体レー
ザ１からの光束は、まずプロトン交換法で製作されるグ
レーティング３で回折反射される。この光束のうち情報
の再生に利用されるのは、半導体レーザ１からの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交するプロ
トン交換領域における０次回折光であるので、この０次
回折光の偏向方向は半導体レーザからの射出光束の方向
と同じであり、また鏡面反射によるものと考えてよい。
ここで回折反射された光束は第二の反射面５で再び反射
され、グレーティングレンズ４に入射し、グレーティン
グレンズ４の集光作用によりディスク８に集光される。
この時、ディスク８に集光される光束の偏向方向は半導
体レーザ１からの射出光束の偏向方向と等しい。またグ
レーティングレンズ４への入射光束の中心部分が遮光さ
れるので、超解像現象により集光される光スポットは小
さくなる。
【００１４】次に、ディスクに集光された光束は、記録
信号をピックアップして反射される。この反射光は、図
４に示すようにカー効果により入射光の偏向方向19から
回転した信号光20となるが、記録信号は磁化方向の違い
により記録されているので、その信号により入射光の偏
向方向を基準として回転方向が逆になる。信号光はグレ
ーティングレンズ４、第二の反射面５を経由した後、プ
ロトン交換法で製作されるグレーティング３に入射し、
回折反射される。回折光のうちで、半導体レーザ１から
の射出光束の偏向面に対してグレーティング３の結晶光
学軸が４５度傾いたプロトン領域で回折反射される１次
回折光が、多分割光検出器６に結像され、カー信号読み
取りと焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤差検
出信号として用いられる。この１次回折光21はグレーテ
ィング３の結晶光学軸が半導体レーザ１からの射出光束
の偏向に対して４５度傾いた方向の検光子機能を有する
ので、信号光20の検光子方向の成分光となる。このよう
に１次回折光強度がカー信号の偏向方向で変化すること
で、カー信号の検出を行なう。
信号をピックアップして反射される。この反射光は、図
４に示すようにカー効果により入射光の偏向方向19から
回転した信号光20となるが、記録信号は磁化方向の違い
により記録されているので、その信号により入射光の偏
向方向を基準として回転方向が逆になる。信号光はグレ
ーティングレンズ４、第二の反射面５を経由した後、プ
ロトン交換法で製作されるグレーティング３に入射し、
回折反射される。回折光のうちで、半導体レーザ１から
の射出光束の偏向面に対してグレーティング３の結晶光
学軸が４５度傾いたプロトン領域で回折反射される１次
回折光が、多分割光検出器６に結像され、カー信号読み
取りと焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤差検
出信号として用いられる。この１次回折光21はグレーテ
ィング３の結晶光学軸が半導体レーザ１からの射出光束
の偏向に対して４５度傾いた方向の検光子機能を有する
ので、信号光20の検光子方向の成分光となる。このよう
に１次回折光強度がカー信号の偏向方向で変化すること
で、カー信号の検出を行なう。
【００１５】次に、図５において多分割光検出器の拡大
図を示し、焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤
差検出方法を説明する。多分割光検出器６は、４つのセ
ンサより形成されている、この４つのセンサを便宜的に
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４とし、その出力をそれぞれＶ
１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４とする。グレーティング３の結晶
光学軸が４５度傾いた２つのプロトン領域で回折反射さ
れる１次回折光は、それぞれＳ１とＳ３、Ｓ２とＳ４の
境界線上に結像する。これより焦点誤差信号について
は、１次回折光の焦点位置でのデフォーカスにともなう
結像パターンの変化を検出するナイフエッジ法を用いて
測定する。すなわち、Ｓ１とＳ４の和とＳ２とＳ３の和
の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ４）−（Ｖ２＋Ｖ３）を検出す
ることによる。またトラッキング誤差信号については、
２つのプロトン交換領域に入射する光強度の変化をその
１次回折光の強度として検出するプッシュプル法を用い
て測定する。すなわち、Ｓ１とＳ３の和とＳ２とＳ４の
和の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ３）−（Ｖ２＋Ｖ４）を検出
することによる。
図を示し、焦点誤差、トラッキング誤差のそれぞれの誤
差検出方法を説明する。多分割光検出器６は、４つのセ
ンサより形成されている、この４つのセンサを便宜的に
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４とし、その出力をそれぞれＶ
１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４とする。グレーティング３の結晶
光学軸が４５度傾いた２つのプロトン領域で回折反射さ
れる１次回折光は、それぞれＳ１とＳ３、Ｓ２とＳ４の
境界線上に結像する。これより焦点誤差信号について
は、１次回折光の焦点位置でのデフォーカスにともなう
結像パターンの変化を検出するナイフエッジ法を用いて
測定する。すなわち、Ｓ１とＳ４の和とＳ２とＳ３の和
の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ４）−（Ｖ２＋Ｖ３）を検出す
ることによる。またトラッキング誤差信号については、
２つのプロトン交換領域に入射する光強度の変化をその
１次回折光の強度として検出するプッシュプル法を用い
て測定する。すなわち、Ｓ１とＳ３の和とＳ２とＳ４の
和の差動信号、（Ｖ１＋Ｖ３）−（Ｖ２＋Ｖ４）を検出
することによる。
【００１６】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。本実施例の光
ピックアップの構成は、図１に示す前記実施例と同様で
ある。本第２の実施例におけるプロトン交換法により製
作されるグレーティングについて図６を用いて説明す
る。このグレーティングは、半導体レーザからの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する少な
くとも２つのプロトン交換領域22と、射出光束の偏向面
に対して４５度傾いた領域23との組み合わせからなる。
また、グレーティングの中央部24は光束が反射しないよ
うに遮光している。このとき、焦点誤差およびトラッキ
ング誤差の測定は、結晶光学軸が半導体レーザからの射
出光束の偏向に対して直交する領域からの１次回折光を
用い、前記と同様の方法で検出される。またカー信号の
検出は、グレーティングの結晶光学軸が半導体レーザか
らの射出光束の偏向に対して４５度傾いた領域からの１
次回折光により、前記と同様の方法で行なう。
について、図面を参照しながら説明する。本実施例の光
ピックアップの構成は、図１に示す前記実施例と同様で
ある。本第２の実施例におけるプロトン交換法により製
作されるグレーティングについて図６を用いて説明す
る。このグレーティングは、半導体レーザからの射出光
束の偏向面に対してその結晶光学軸方向が直交する少な
くとも２つのプロトン交換領域22と、射出光束の偏向面
に対して４５度傾いた領域23との組み合わせからなる。
また、グレーティングの中央部24は光束が反射しないよ
うに遮光している。このとき、焦点誤差およびトラッキ
ング誤差の測定は、結晶光学軸が半導体レーザからの射
出光束の偏向に対して直交する領域からの１次回折光を
用い、前記と同様の方法で検出される。またカー信号の
検出は、グレーティングの結晶光学軸が半導体レーザか
らの射出光束の偏向に対して４５度傾いた領域からの１
次回折光により、前記と同様の方法で行なう。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、２つの反射面を
もつとともに、その第一の反射面をLiNbO3基板にプロト
ン交換法により製作されるグレーティング、集光光学素
子をグレーティングレンズとし、同一面上に形成するこ
とにより、レーザ光束が光学系で１往復することに加え
て、全部品が一体構成となり、小型、軽量、コンパクト
な光ピックアップを実現できるものである。
もつとともに、その第一の反射面をLiNbO3基板にプロト
ン交換法により製作されるグレーティング、集光光学素
子をグレーティングレンズとし、同一面上に形成するこ
とにより、レーザ光束が光学系で１往復することに加え
て、全部品が一体構成となり、小型、軽量、コンパクト
な光ピックアップを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例としての光ピックアップの説
明図
明図
【図２】本発明の一実施例におけるプロトン交換法によ
るグレーティングの構成図
るグレーティングの構成図
【図３】本発明の第一の実施例におけるプロトン交換法
によるグレーティングの平面図
によるグレーティングの平面図
【図４】信号検出方法を説明する図
【図５】本発明の一実施例における光検出器の拡大図
【図６】本発明の第二の実施例におけるプロトン交換法
によるグレーティングの平面図
によるグレーティングの平面図
【図７】従来の光ピックアップの説明図
１ 半導体レーザ ２ ガラス素子 ３ グレーティング ４ グレーティングレンズ ５ 反射ミラー膜 ６ 多分割光検出器 ７ 樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光を発生するレーザ発生装置と、
前記レーザ発生装置からの射出光を反射する第一の反射
面と、前記第一の反射面からの光束を反射する第二の反
射面と、前記第二の反射面からの光束をディスク上に集
光する集光光学素子とを具備し、前記第一の反射面と第
二の反射面とが互いに相対するとともに前記第一の反射
面と前記集光光学素子とが同一面上に形成されたことを
特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項２】 第一の反射面が、集光光学素子の中央部
に位置し、LiNbO3基板にプロトン交換法により製作され
るグレーティングであることを特徴とする請求項１記載
の光ピックアップ。 - 【請求項３】 集光光学素子がグレーティングレンズで
あることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。 - 【請求項４】 レーザ発生装置、光検出器、第一の反射
面、第二の反射面および集光光学素子が一体構成である
ことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031744A JP2790264B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 光ピックアップ |
| US08/018,573 US5422870A (en) | 1991-09-27 | 1993-02-17 | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus |
| US08/429,278 US5621716A (en) | 1991-09-27 | 1995-04-25 | Optical pickup having a transparent lens member with two reflecting surfaces |
| US08/514,709 US5566157A (en) | 1991-09-27 | 1995-08-14 | Optical pickup for information recording/reproducing apparatus having polygon prism, hologram, and grating lens |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4031744A JP2790264B2 (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 光ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139596A true JPH06139596A (ja) | 1994-05-20 |
| JP2790264B2 JP2790264B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=12339539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4031744A Expired - Fee Related JP2790264B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-02-19 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790264B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282756A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
| JPH03260604A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Hitachi Ltd | 光導波路及びその製造方法とこの導波路を用いた光偏向装置、光集積ヘッド並びに光情報記録再生装置 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP4031744A patent/JP2790264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01282756A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Seiko Epson Corp | 光ピックアップ |
| JPH03260604A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-20 | Hitachi Ltd | 光導波路及びその製造方法とこの導波路を用いた光偏向装置、光集積ヘッド並びに光情報記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790264B2 (ja) | 1998-08-27 |
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