JPH06138300A - Ｘ線用位相型ゾーンプレート - Google Patents
Ｘ線用位相型ゾーンプレートInfo
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- JPH06138300A JPH06138300A JP4286539A JP28653992A JPH06138300A JP H06138300 A JPH06138300 A JP H06138300A JP 4286539 A JP4286539 A JP 4286539A JP 28653992 A JP28653992 A JP 28653992A JP H06138300 A JPH06138300 A JP H06138300A
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- Japan
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- zone plate
- phase shifter
- ray
- rays
- phase
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線用位相型ゾーンプレートのパターンを低
コストで精度よく形成する。 【構成】 Ｘ線が透過するＸ線透過部２とＸ線透過部２
を透過したＸ線との間に位相差が生じるようにＸ線を透
過させる位相シフタ部３とで形成されるパターンを有す
るＸ線用位相型ゾーンプレート１において、前記位相シ
フタ部３をニッケル−クロム合金により形成した。
コストで精度よく形成する。 【構成】 Ｘ線が透過するＸ線透過部２とＸ線透過部２
を透過したＸ線との間に位相差が生じるようにＸ線を透
過させる位相シフタ部３とで形成されるパターンを有す
るＸ線用位相型ゾーンプレート１において、前記位相シ
フタ部３をニッケル−クロム合金により形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線（軟Ｘ線）用の光
学素子として用いられるゾーンプレートに関するもので
ある。
学素子として用いられるゾーンプレートに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線に用いることができる光学素子とし
て、光の回折現象を利用したゾーンプレートが知られて
いる。図３は、ゾーンプレートの一例を示す概略平面図
である。このゾーンプレートは、Ｘ線の集光用または結
像用手段としてＸ線顕微鏡等で使用されるもので、Ｘ線
を遮蔽する物質からなる輪帯３２とＸ線を透過させる物
質からなる輪帯３３とを同心状に交互に複数並べて構成
されている。そして、輪帯３３を通過したＸ線が同位相
で一点に集光されるように、ゾーンプレートの外周へ行
くに従って輪帯の幅ｈが狭くなるように設定されてい
る。ゾーンプレートを設計する際は、図のように各輪帯
の半径（同心部から輪帯の内側の縁までの距離）をｒ1,
ｒ2,・・・とし、中心から数えてｎ番目の輪帯の半径を
ｒn とすると、 ｒn 2 ＝ｎｆλ＋（ｎ2 λ2 ／４） の式が成立するようにする。ここで、ｆはゾーンプレー
トによる一次回折Ｘ線に対する焦点距離で、λはＸ線の
波長である。また、この式は軟Ｘ線の波長領域において
は、 ｒn 2 ＝ｎｆλ と近似できる。
て、光の回折現象を利用したゾーンプレートが知られて
いる。図３は、ゾーンプレートの一例を示す概略平面図
である。このゾーンプレートは、Ｘ線の集光用または結
像用手段としてＸ線顕微鏡等で使用されるもので、Ｘ線
を遮蔽する物質からなる輪帯３２とＸ線を透過させる物
質からなる輪帯３３とを同心状に交互に複数並べて構成
されている。そして、輪帯３３を通過したＸ線が同位相
で一点に集光されるように、ゾーンプレートの外周へ行
くに従って輪帯の幅ｈが狭くなるように設定されてい
る。ゾーンプレートを設計する際は、図のように各輪帯
の半径（同心部から輪帯の内側の縁までの距離）をｒ1,
ｒ2,・・・とし、中心から数えてｎ番目の輪帯の半径を
ｒn とすると、 ｒn 2 ＝ｎｆλ＋（ｎ2 λ2 ／４） の式が成立するようにする。ここで、ｆはゾーンプレー
トによる一次回折Ｘ線に対する焦点距離で、λはＸ線の
波長である。また、この式は軟Ｘ線の波長領域において
は、 ｒn 2 ＝ｎｆλ と近似できる。
【０００３】図３に示すゾーンプレート３１は、Ｘ線が
透過する物質からなる薄膜状の支持膜３３と、支持膜３
３上に同心円状に複数配置されたＸ線を遮蔽する物質か
らなる輪帯３２とで構成され、これらの輪帯によりゾー
ンプレートのパターンが形成される。そして、このパタ
ーンの形状（各輪帯の半径ｒn および幅ｈn ）によって
光学的機能が設定されている。支持膜３３としては一般
にＳｉＮ（メンブレン）が用いられる。また、Ｘ線を遮
蔽する輪帯３２にはＡｕ（金）を用いるのが一般的であ
った。このようなゾーンプレートは、図１に示すように
支持部材（例えばＳｉ：シリコン）４に設けられた開口
部４ａに配置されてＸ線用の光学素子として使用されて
いた。
透過する物質からなる薄膜状の支持膜３３と、支持膜３
３上に同心円状に複数配置されたＸ線を遮蔽する物質か
らなる輪帯３２とで構成され、これらの輪帯によりゾー
ンプレートのパターンが形成される。そして、このパタ
ーンの形状（各輪帯の半径ｒn および幅ｈn ）によって
光学的機能が設定されている。支持膜３３としては一般
にＳｉＮ（メンブレン）が用いられる。また、Ｘ線を遮
蔽する輪帯３２にはＡｕ（金）を用いるのが一般的であ
った。このようなゾーンプレートは、図１に示すように
支持部材（例えばＳｉ：シリコン）４に設けられた開口
部４ａに配置されてＸ線用の光学素子として使用されて
いた。
【０００４】ところで、前述のような構成のゾーンプレ
ートにおいては、遮蔽部に照射されたＸ線はこの部材に
ほとんど吸収されてしまうため、ゾーンプレートを通過
したＸ線の光量が低下するという問題があった。例え
ば、ゾーンプレートに入射したＸ線の強度（入射Ｘ線強
度とする）に対するゾーンプレートにより集光されたＸ
線の強度（１次回折Ｘ線強度とする）の割合を回折効率
とすると、この回折効率は最大で10％程度であり、実際
に利用できる光量は前記支持膜による吸収やゾーンプレ
ートの収差によりこれよりもさらに低くなる。
ートにおいては、遮蔽部に照射されたＸ線はこの部材に
ほとんど吸収されてしまうため、ゾーンプレートを通過
したＸ線の光量が低下するという問題があった。例え
ば、ゾーンプレートに入射したＸ線の強度（入射Ｘ線強
度とする）に対するゾーンプレートにより集光されたＸ
線の強度（１次回折Ｘ線強度とする）の割合を回折効率
とすると、この回折効率は最大で10％程度であり、実際
に利用できる光量は前記支持膜による吸収やゾーンプレ
ートの収差によりこれよりもさらに低くなる。
【０００５】そこで、Ｘ線の遮蔽部の代わりに、Ｘ線を
通過させ、かつその際にＸ線の位相を 180°（πラジア
ン）ずらすような作用を有する位相シフタを設けたＸ線
用位相型ゾーンプレートが提案された。このＸ線用位相
型ゾーンプレートでは、Ｘ線の経路差によって生じる 1
80°の位相のズレが相殺され、焦点においては透過部
（シフタ以外の部分）を通過したＸ線と位相が合って互
いに強め合うような干渉を生じさせることができる。ま
た、前記位相シフタにはＸ線が透過する物質を使用でき
るのでゾーンプレート通過後のＸ線の光量低下を抑える
ことができ、前記回折効率を向上させることが可能とな
る。位相シフタの厚さｄは、Ｘ線の波長をλ、位相シフ
タの屈折率をｓとすると、 ｄ＝λ／２／（ｓ−１） を満たすように設定される。Ｘ線は位相シフタを通過す
る際にも回折を生じるため、前記位相型ゾーンプレート
は光学素子としては従来のゾーンプレートと同様の機能
を有する。
通過させ、かつその際にＸ線の位相を 180°（πラジア
ン）ずらすような作用を有する位相シフタを設けたＸ線
用位相型ゾーンプレートが提案された。このＸ線用位相
型ゾーンプレートでは、Ｘ線の経路差によって生じる 1
80°の位相のズレが相殺され、焦点においては透過部
（シフタ以外の部分）を通過したＸ線と位相が合って互
いに強め合うような干渉を生じさせることができる。ま
た、前記位相シフタにはＸ線が透過する物質を使用でき
るのでゾーンプレート通過後のＸ線の光量低下を抑える
ことができ、前記回折効率を向上させることが可能とな
る。位相シフタの厚さｄは、Ｘ線の波長をλ、位相シフ
タの屈折率をｓとすると、 ｄ＝λ／２／（ｓ−１） を満たすように設定される。Ｘ線は位相シフタを通過す
る際にも回折を生じるため、前記位相型ゾーンプレート
は光学素子としては従来のゾーンプレートと同様の機能
を有する。
【０００６】なお、Ｘ線用ゾーンプレートは短い波長を
対象とするため、所望の光学的性能を満たすためには輪
帯の幅や半径等を適切に設定して微細なパターン形状を
得ることが要求される。そのため、製造に際しては輪帯
を精度よく形成（パターニング）する必要があった。位
相シフタを輪帯状にパターニングしてゾーンプレートを
製造する場合、その製造方法としては主にエッチング法
と電気メッキ法が用いられていた。エッチング法は、位
相シフタを形成する物質を成膜した後、この物質を輪帯
状に残す部分をレジストで保護してそれ以外の部分をエ
ッチングによって除去する方法で、不活性ガスを使用す
る物理的エッチングと反応性ガスを使用する化学的エッ
チングとがある。これに対して電気メッキ法は、輪帯を
形成する部分以外をマスキングしてからシフタを形成す
る物質を成膜し、その後不要となる部分をマスキング部
材ごと除去する方法である。
対象とするため、所望の光学的性能を満たすためには輪
帯の幅や半径等を適切に設定して微細なパターン形状を
得ることが要求される。そのため、製造に際しては輪帯
を精度よく形成（パターニング）する必要があった。位
相シフタを輪帯状にパターニングしてゾーンプレートを
製造する場合、その製造方法としては主にエッチング法
と電気メッキ法が用いられていた。エッチング法は、位
相シフタを形成する物質を成膜した後、この物質を輪帯
状に残す部分をレジストで保護してそれ以外の部分をエ
ッチングによって除去する方法で、不活性ガスを使用す
る物理的エッチングと反応性ガスを使用する化学的エッ
チングとがある。これに対して電気メッキ法は、輪帯を
形成する部分以外をマスキングしてからシフタを形成す
る物質を成膜し、その後不要となる部分をマスキング部
材ごと除去する方法である。
【０００７】位相シフタを形成する物質としては、主に
Ｎｉ（ニッケル）やＣｒ（クロム）が使用される。これ
らの物質は、Ｘ線が透過する他の物質からなる薄膜（支
持膜）上に、各々所望の半径および幅を有する輪帯状に
形成されてゾーンプレートのパターンを構成していた。
Ｎｉ（ニッケル）やＣｒ（クロム）が使用される。これ
らの物質は、Ｘ線が透過する他の物質からなる薄膜（支
持膜）上に、各々所望の半径および幅を有する輪帯状に
形成されてゾーンプレートのパターンを構成していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、位相シフタ
として前記ニッケルやクロムを用いてＸ線用位相型ゾー
ンプレートを製造する場合、これらの物質を低コストで
精度よくパターニングすることができないという問題が
あった。例えば、位相シフタとしてニッケルを用いた場
合、このニッケルは前記電気メッキ法によって輪帯状に
パターニングされていたので非常に手間がかかり、製造
コストが高くなっていた。コストを下げるために、比較
的簡単に実施できるエッチング法を用いることも考えら
れる。しかし、ニッケルは化学反応を起こし難いため化
学的エッチングが困難であった。また、物理的エッチン
グではパターニングされた輪帯の形状精度が十分でなく
光学的性能が低くなってしまう。これは、物理的エッチ
ングの場合、エッチング材料（ここではニッケル）のエ
ッチングにおける選択比が低いことに起因する。この選
択比は、〔（エッチング材料のエッチング速度）／（レ
ジストのエッチング速度）〕として表されるもので、こ
の選択比が低いとエッチング材料がエッチングされるよ
りもエッチングに際して前記材料上に塗布されたレジス
トの方が速くエッチングされてしまい、レジストが所定
のパターン形状に形成されていてもエッチングの進行に
つれてパターン通りにエッチングされなくなってしまう
のである。
として前記ニッケルやクロムを用いてＸ線用位相型ゾー
ンプレートを製造する場合、これらの物質を低コストで
精度よくパターニングすることができないという問題が
あった。例えば、位相シフタとしてニッケルを用いた場
合、このニッケルは前記電気メッキ法によって輪帯状に
パターニングされていたので非常に手間がかかり、製造
コストが高くなっていた。コストを下げるために、比較
的簡単に実施できるエッチング法を用いることも考えら
れる。しかし、ニッケルは化学反応を起こし難いため化
学的エッチングが困難であった。また、物理的エッチン
グではパターニングされた輪帯の形状精度が十分でなく
光学的性能が低くなってしまう。これは、物理的エッチ
ングの場合、エッチング材料（ここではニッケル）のエ
ッチングにおける選択比が低いことに起因する。この選
択比は、〔（エッチング材料のエッチング速度）／（レ
ジストのエッチング速度）〕として表されるもので、こ
の選択比が低いとエッチング材料がエッチングされるよ
りもエッチングに際して前記材料上に塗布されたレジス
トの方が速くエッチングされてしまい、レジストが所定
のパターン形状に形成されていてもエッチングの進行に
つれてパターン通りにエッチングされなくなってしまう
のである。
【０００９】これに対してクロムは化学反応を起こし易
いので反応性ガスにＣｌ2 （塩素）、Ｏ2 （酸素）を使
用して化学的エッチングを行うことができ、また、前記
選択比が高いためエッチングに対して良好な物質として
知られている。しかし、クロムを化学的エッチングによ
ってパターニングする場合でも、100 nm以下の微細なパ
ターニングを行おうとすると充分な精度が得られず、ゾ
ーンプレートの光学的性能が低下していた。これは、ゾ
ーンプレートの位相シフタとしてクロムを成膜する際
に、このクロムの膜中に格子欠陥の一種である結晶粒界
が生じることが原因であった。結晶粒界は転位の集まり
または転位と空格子の集合組織からなるもので、この粒
界部ではエッチング速度が他の部分よりも遅くなる。そ
の結果、結晶粒界が生じた膜では、エッチングの進行に
伴ってクロムが除去された部分と前記結晶粒界によって
除去が完了していない部分とが現れるため、得られたパ
ターンの形状精度が低下していた。結晶粒界が生じた部
分を完全に除去するためにはエッチング時間を長くする
必要があるが、この場合、結晶粒界のない部分ではパタ
ーン膜の下の支持膜までがエッチングされて該支持膜が
破損してしまう。
いので反応性ガスにＣｌ2 （塩素）、Ｏ2 （酸素）を使
用して化学的エッチングを行うことができ、また、前記
選択比が高いためエッチングに対して良好な物質として
知られている。しかし、クロムを化学的エッチングによ
ってパターニングする場合でも、100 nm以下の微細なパ
ターニングを行おうとすると充分な精度が得られず、ゾ
ーンプレートの光学的性能が低下していた。これは、ゾ
ーンプレートの位相シフタとしてクロムを成膜する際
に、このクロムの膜中に格子欠陥の一種である結晶粒界
が生じることが原因であった。結晶粒界は転位の集まり
または転位と空格子の集合組織からなるもので、この粒
界部ではエッチング速度が他の部分よりも遅くなる。そ
の結果、結晶粒界が生じた膜では、エッチングの進行に
伴ってクロムが除去された部分と前記結晶粒界によって
除去が完了していない部分とが現れるため、得られたパ
ターンの形状精度が低下していた。結晶粒界が生じた部
分を完全に除去するためにはエッチング時間を長くする
必要があるが、この場合、結晶粒界のない部分ではパタ
ーン膜の下の支持膜までがエッチングされて該支持膜が
破損してしまう。
【００１０】本発明は、このような問題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的のために、本発
明では、Ｘ線が透過するＸ線透過部と該Ｘ線透過部を透
過したＸ線との間に位相差が生じるようにＸ線を透過さ
せる位相シフタ部とで形成されるパターンを有するＸ線
用位相型ゾーンプレートにおいて、前記位相シフタ部を
ニッケル−クロム合金により形成した。
明では、Ｘ線が透過するＸ線透過部と該Ｘ線透過部を透
過したＸ線との間に位相差が生じるようにＸ線を透過さ
せる位相シフタ部とで形成されるパターンを有するＸ線
用位相型ゾーンプレートにおいて、前記位相シフタ部を
ニッケル−クロム合金により形成した。
【００１２】
【作用】本発明者は、ＮｉとＣｒの合金を成膜するとほ
とんどが非結晶化されて膜中に前述のような結晶粒界が
形成されないことを見出し、本発明を成すに至った。本
発明によれば、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金を位相シフタとして
用い、この合金からなる膜を化学的エッチングすること
でゾーンプレートをパターニングする。そのため、Ｎｉ
−Ｃｒ合金の膜内においてはエッチング速度はほぼ一定
となり、位相シフタを精度よく輪帯状に形成することが
できる。また、Ｎｉ−Ｃｒ合金は前記エッチング時の選
択比が高いので、エッチング法によりパターニングを行
っても十分な精度で輪帯状に形成できる。
とんどが非結晶化されて膜中に前述のような結晶粒界が
形成されないことを見出し、本発明を成すに至った。本
発明によれば、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金を位相シフタとして
用い、この合金からなる膜を化学的エッチングすること
でゾーンプレートをパターニングする。そのため、Ｎｉ
−Ｃｒ合金の膜内においてはエッチング速度はほぼ一定
となり、位相シフタを精度よく輪帯状に形成することが
できる。また、Ｎｉ−Ｃｒ合金は前記エッチング時の選
択比が高いので、エッチング法によりパターニングを行
っても十分な精度で輪帯状に形成できる。
【００１３】ＮｉとＣｒとは位相シフタとしてのＸ線に
対する効果がほぼ同様であるため、両者を合金として位
相シフタに用いても機能上の不都合は特に生じない。Ｎ
ｉとＣｒとの比率にもよるが、位相シフタの光学的特性
としてはそれぞれ単体の場合で得られるの値の中間程度
になると考えられる。また、Ｎｉ−Ｃｒ合金におけるＮ
ｉとＣｒの比率を特に限定する必要はないが、化学反応
を起こし易いＣｒの割合を多くすると化学的エッチング
が進行し易く、より精度よくパターニングすることがで
きる。好ましくは、Ｃｒを55〜90wt％、Ｎｉを10〜35wt
％に設定するとよい。位相シフタの厚さは、使用するＸ
線の波長に応じて設定するが、あまり厚くするとエッチ
ングが困難になる恐れがある。
対する効果がほぼ同様であるため、両者を合金として位
相シフタに用いても機能上の不都合は特に生じない。Ｎ
ｉとＣｒとの比率にもよるが、位相シフタの光学的特性
としてはそれぞれ単体の場合で得られるの値の中間程度
になると考えられる。また、Ｎｉ−Ｃｒ合金におけるＮ
ｉとＣｒの比率を特に限定する必要はないが、化学反応
を起こし易いＣｒの割合を多くすると化学的エッチング
が進行し易く、より精度よくパターニングすることがで
きる。好ましくは、Ｃｒを55〜90wt％、Ｎｉを10〜35wt
％に設定するとよい。位相シフタの厚さは、使用するＸ
線の波長に応じて設定するが、あまり厚くするとエッチ
ングが困難になる恐れがある。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の構成を示し、図
１ａは概略平面図、図１ｂは図１ａのＡＡ断面図であ
る。Ｘ線用位相型ゾーンプレート１は、メンブレン（Ｓ
ｉＮ）からなる支持膜２とこの支持膜２に互いに半径が
異なる複数の輪帯状に形成されたＮｉ−Ｃｒ合金からな
る位相シフタ部３とで構成されている。位相シフタ部３
は同心状に複数設けられ、各輪帯の幅や半径は使用する
Ｘ線の波長や所望の焦点距離に応じて適宜設定されてい
る。このゾーンプレート１は、シリコン（Ｓｉ）からな
る支持部材４に設けられた開口４ａに設置される。
１ａは概略平面図、図１ｂは図１ａのＡＡ断面図であ
る。Ｘ線用位相型ゾーンプレート１は、メンブレン（Ｓ
ｉＮ）からなる支持膜２とこの支持膜２に互いに半径が
異なる複数の輪帯状に形成されたＮｉ−Ｃｒ合金からな
る位相シフタ部３とで構成されている。位相シフタ部３
は同心状に複数設けられ、各輪帯の幅や半径は使用する
Ｘ線の波長や所望の焦点距離に応じて適宜設定されてい
る。このゾーンプレート１は、シリコン（Ｓｉ）からな
る支持部材４に設けられた開口４ａに設置される。
【００１５】図２は、本発明のゾーンプレートの製造過
程の一例を示す概略図である。Ｓｉからなる基板２１を
用意し、この基板２１上にＸ線に対して高い透過率を示
すメンブレンからなる支持膜２２を厚さ0.05〜 0.1μｍ
となるように形成する（図２ａ）。次に、支持膜２２上
にＮｉ−Ｃｒ合金からなる位相シフタ膜（位相シフタ
部）２３をイオンビームスパッタリング法により成膜す
る（図２ｂ）。このシフタ膜２３の厚さは使用するＸ線
の波長に応じて設定する。本実施例においてはＸ線の波
長を40Åとし、それに応じて膜厚を 200nmに設定した。
位相シフタ膜２３の成膜方法はイオンビームスパッタリ
ング法に限るものではなく、他のスパッタリング法や真
空蒸着法を用いてもよい。シフタ膜２３として成膜した
Ｎｉ−Ｃｒ合金は、Ｎｉの比率が20wt％、Ｃｒの比率が
80wt％とした。
程の一例を示す概略図である。Ｓｉからなる基板２１を
用意し、この基板２１上にＸ線に対して高い透過率を示
すメンブレンからなる支持膜２２を厚さ0.05〜 0.1μｍ
となるように形成する（図２ａ）。次に、支持膜２２上
にＮｉ−Ｃｒ合金からなる位相シフタ膜（位相シフタ
部）２３をイオンビームスパッタリング法により成膜す
る（図２ｂ）。このシフタ膜２３の厚さは使用するＸ線
の波長に応じて設定する。本実施例においてはＸ線の波
長を40Åとし、それに応じて膜厚を 200nmに設定した。
位相シフタ膜２３の成膜方法はイオンビームスパッタリ
ング法に限るものではなく、他のスパッタリング法や真
空蒸着法を用いてもよい。シフタ膜２３として成膜した
Ｎｉ−Ｃｒ合金は、Ｎｉの比率が20wt％、Ｃｒの比率が
80wt％とした。
【００１６】さらに、シフタ膜２３の上にレジスト２４
を膜厚 0.5μｍで塗布した。このレジスト２４に、所望
のゾーンプレートに応じて各輪帯の半径や幅等を設定し
たゾーンプレートパターンをＥＢ（電子ビーム）描画装
置等を用いた電子露光により形成する（図２ｃ）。その
後、パターニングされたレジスト２４をマスクとして、
反応性イオンミリング法（エッチング法の一種）により
位相シフタ膜２３のゾーンプレートパターンを形成する
（図２ｄ）。ここでは、エッチング装置として平行平板
型イオンミリング装置を用いた。エッチング条件の一例
を以下に示す。
を膜厚 0.5μｍで塗布した。このレジスト２４に、所望
のゾーンプレートに応じて各輪帯の半径や幅等を設定し
たゾーンプレートパターンをＥＢ（電子ビーム）描画装
置等を用いた電子露光により形成する（図２ｃ）。その
後、パターニングされたレジスト２４をマスクとして、
反応性イオンミリング法（エッチング法の一種）により
位相シフタ膜２３のゾーンプレートパターンを形成する
（図２ｄ）。ここでは、エッチング装置として平行平板
型イオンミリング装置を用いた。エッチング条件の一例
を以下に示す。
【００１７】導入ガス：Ｏ2 （酸素）、ＣＣｌ4 （四塩
化炭素）、Ａｒ（アルゴン）の３種 ガス圧力：45 Pa Rf出力 ：100W（0.13 W/cm2） 反応時間：約10分 この時、位相シフタ膜２３として設けたＮｉ−Ｃｒ合金
は層内においてエッチングがほぼ一定速度で進行してい
くので、レジスト２４のパターンに従って高精度でパタ
ーニングされる。
化炭素）、Ａｒ（アルゴン）の３種 ガス圧力：45 Pa Rf出力 ：100W（0.13 W/cm2） 反応時間：約10分 この時、位相シフタ膜２３として設けたＮｉ−Ｃｒ合金
は層内においてエッチングがほぼ一定速度で進行してい
くので、レジスト２４のパターンに従って高精度でパタ
ーニングされる。
【００１８】最後に、基板２１に対してゾーンプレート
のパターンが形成された部分の裏側を支持膜２２に達す
るまでエッチングを行ない、Ｘ線通過用の開口２１ａを
形成した（図２ｅ）。
のパターンが形成された部分の裏側を支持膜２２に達す
るまでエッチングを行ない、Ｘ線通過用の開口２１ａを
形成した（図２ｅ）。
【００１９】
【発明の効果】本発明においては、Ｘ線用位相型ゾーン
プレートの位相シフタをＮｉ−Ｃｒ合金により形成した
ので、この位相シフタをエッチング法により精度よくパ
ターニングすることができる。そのため、所望の光学的
性能を満たすことが可能となる。また、面倒な電気メッ
キ法を用いる必要がないため、製造コストを抑えること
ができる。
プレートの位相シフタをＮｉ−Ｃｒ合金により形成した
ので、この位相シフタをエッチング法により精度よくパ
ターニングすることができる。そのため、所望の光学的
性能を満たすことが可能となる。また、面倒な電気メッ
キ法を用いる必要がないため、製造コストを抑えること
ができる。
【００２０】本発明は、サブミクロンオーダーの微細な
パターンを有するＸ線用位相型ゾーンプレートを高精度
で製造する場合に特に有効となるものである。
パターンを有するＸ線用位相型ゾーンプレートを高精度
で製造する場合に特に有効となるものである。
【図１】は、本発明のゾーンプレートを示す概略図であ
る。
る。
【図２】は、本発明のゾーンプレートの製造過程を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】は、ゾーンプレートの一例を示す概略平面図で
ある。
ある。
１ Ｘ線用位相型ゾーンプレート ２ 支持膜 ３ 位相シフタ部 ４ 支持部材 ４ａ 開口 ２１ 基板 ２２ 支持膜 ２３ 位相シフタ膜 ２４ レジスト ３１ ゾーンプレート ３２ 支持膜 ３３ 輪帯
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線が透過するＸ線透過部と該Ｘ線透過
部を透過したＸ線との間に位相差が生じるようにＸ線を
透過させる位相シフタ部とで形成されるパターンを有す
るＸ線用位相型ゾーンプレートにおいて、 前記位相シフタ部がニッケル−クロム合金からなること
を特徴とするＸ線用位相型ゾーンプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286539A JPH06138300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Ｘ線用位相型ゾーンプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4286539A JPH06138300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Ｘ線用位相型ゾーンプレート |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5242251A Division JPH06220659A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 金属薄膜の微細加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138300A true JPH06138300A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17705725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4286539A Pending JPH06138300A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | Ｘ線用位相型ゾーンプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138300A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009047430A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線集光レンズ |
| JP2009068430A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の制御装置 |
| JP2009121904A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線集光レンズ |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP4286539A patent/JPH06138300A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009047430A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線集光レンズ |
| JP4700034B2 (ja) * | 2007-08-13 | 2011-06-15 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線集光レンズ |
| JP2009068430A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Toyota Motor Corp | 内燃機関の制御装置 |
| JP2009121904A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線集光レンズ |
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