JPH0613651A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH0613651A JPH0613651A JP16584492A JP16584492A JPH0613651A JP H0613651 A JPH0613651 A JP H0613651A JP 16584492 A JP16584492 A JP 16584492A JP 16584492 A JP16584492 A JP 16584492A JP H0613651 A JPH0613651 A JP H0613651A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光ダイオードや半導体レーザ等の半導体発
光素子に関するもので、特に青色から紫外域の波長まで
発光可能な半導体発光素子を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＳ層２とｐ型Ａ
ｌＳ層３を成長させｐ-ｎ接合をもつ半導体発光素子と
する。
光素子に関するもので、特に青色から紫外域の波長まで
発光可能な半導体発光素子を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＳ層２とｐ型Ａ
ｌＳ層３を成長させｐ-ｎ接合をもつ半導体発光素子と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードや半導
体レーザ等の半導体発光素子において、特に、青色から
紫外域の波長まで発光（発振）可能な半導体発光素子に
関するものである。
体レーザ等の半導体発光素子において、特に、青色から
紫外域の波長まで発光（発振）可能な半導体発光素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有力な発光部品である発光ダイオードに
おいて、ＡｌＧａＡｓを用いた赤色ＬＥＤ、ＧａＰを用
いた緑色ＬＥＤが主に表示デバイスとして広く使用され
ている。現在、多色化等の意味から高光度の青色ＬＥＤ
の実現が切望されている状況にあるが、まだ実用レベル
のものは得られていない。一方、半導体レーザの分野で
は、III-V族化合物半導体のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓを
用いた半導体レーザが広く実用化され、光デイスクの信
号ピックアップ用として使用されている。ここで、信号
ピックアップ用の半導体レーザの発振波長を短くすれば
デイスクに記憶可能な情報量を増加させることができ、
光デイスクの情報処理能力を高めることが可能となる。
また、レーザプリンタの分野においてもレーザ発振波長
を短くすれば、感光体の感度を向上させてプリント速度
を増大させることも可能である。このように、情報処理
機器および民生機器の性能向上のためには、半導体レー
ザの発振波長を短くすることが不可欠である。現在まで
のところ、実用化されている最短波長の半導体レーザは
III-V族化合物半導体のＡｌＧａＩｎＰを用いた発振波
長域５８０〜６９０ｎｍの赤色から黄色にわたるもので
ある。このような状況の中、より短波長の青色半導体発
光素子を得るために、禁制帯幅の大きな材料であるＺｎ
（ＳＳｅ）について研究が行われているが、主としてｐ
型伝導制御の困難性のためにまだ実用レベルのものは得
られていない。
おいて、ＡｌＧａＡｓを用いた赤色ＬＥＤ、ＧａＰを用
いた緑色ＬＥＤが主に表示デバイスとして広く使用され
ている。現在、多色化等の意味から高光度の青色ＬＥＤ
の実現が切望されている状況にあるが、まだ実用レベル
のものは得られていない。一方、半導体レーザの分野で
は、III-V族化合物半導体のＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓを
用いた半導体レーザが広く実用化され、光デイスクの信
号ピックアップ用として使用されている。ここで、信号
ピックアップ用の半導体レーザの発振波長を短くすれば
デイスクに記憶可能な情報量を増加させることができ、
光デイスクの情報処理能力を高めることが可能となる。
また、レーザプリンタの分野においてもレーザ発振波長
を短くすれば、感光体の感度を向上させてプリント速度
を増大させることも可能である。このように、情報処理
機器および民生機器の性能向上のためには、半導体レー
ザの発振波長を短くすることが不可欠である。現在まで
のところ、実用化されている最短波長の半導体レーザは
III-V族化合物半導体のＡｌＧａＩｎＰを用いた発振波
長域５８０〜６９０ｎｍの赤色から黄色にわたるもので
ある。このような状況の中、より短波長の青色半導体発
光素子を得るために、禁制帯幅の大きな材料であるＺｎ
（ＳＳｅ）について研究が行われているが、主としてｐ
型伝導制御の困難性のためにまだ実用レベルのものは得
られていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】高輝度の青色ＬＥＤの
作製が切望されているが、まだ実用レベルのもは得られ
ていない。また、半導体レーザにおいては、これを光デ
イスク、レーザプリンタ等の情報処理機器に利用する場
合、情報処理能力をより高めるためには、できるだけ半
導体レーザの発振波長を短くする必要がある。しかしな
がら、従来のIII-V族半導体を用いた半導体レーザでは
青色領域までの発振波長を得ることは不可能で、II-VI
族半導体では伝導制御の困難性等の問題のために青色か
ら紫外域にわたる波長域で室温で信頼性のある連続発振
はまだ得られていない。このため、青色から紫外域にわ
たる波長で発振する半導体レーザの実現が強く要望され
ている。本発明はかかる点に鑑み、青色から紫外域の波
長まで発光（発振）可能な半導体発光素子を提供するこ
とを目的とする。
作製が切望されているが、まだ実用レベルのもは得られ
ていない。また、半導体レーザにおいては、これを光デ
イスク、レーザプリンタ等の情報処理機器に利用する場
合、情報処理能力をより高めるためには、できるだけ半
導体レーザの発振波長を短くする必要がある。しかしな
がら、従来のIII-V族半導体を用いた半導体レーザでは
青色領域までの発振波長を得ることは不可能で、II-VI
族半導体では伝導制御の困難性等の問題のために青色か
ら紫外域にわたる波長域で室温で信頼性のある連続発振
はまだ得られていない。このため、青色から紫外域にわ
たる波長で発振する半導体レーザの実現が強く要望され
ている。本発明はかかる点に鑑み、青色から紫外域の波
長まで発光（発振）可能な半導体発光素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題点
を解決するために、ＡｌＳ化合物がワイドギャップの半
導体特性を示し、ｐ型伝導制御およびｎ型伝導制御が可
能であること、また、Ａｌ元素を他のIII族元素で置換
すること、さらにＳ元素をＳｅあるいはＴｅ置換するこ
とが可能で、バンドギャップを赤外から紫外まで取り得
ることを見いだし、発光（発振）波長の選択幅を広くと
れることがわかった。これらの置換型化合物においても
ｐ型伝導制御、ｎ型伝導制御のが達成が可能で、これら
のｐ型化合物、ｎ型化合物を用いたｐｎ接合型半導体発
光素子が可能であることがわかった。
を解決するために、ＡｌＳ化合物がワイドギャップの半
導体特性を示し、ｐ型伝導制御およびｎ型伝導制御が可
能であること、また、Ａｌ元素を他のIII族元素で置換
すること、さらにＳ元素をＳｅあるいはＴｅ置換するこ
とが可能で、バンドギャップを赤外から紫外まで取り得
ることを見いだし、発光（発振）波長の選択幅を広くと
れることがわかった。これらの置換型化合物においても
ｐ型伝導制御、ｎ型伝導制御のが達成が可能で、これら
のｐ型化合物、ｎ型化合物を用いたｐｎ接合型半導体発
光素子が可能であることがわかった。
【０００５】
【作用】ＡｌＳ化合物半導体のバンドギャップは４．２
ｅＶであり、Ａｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置換した場
合、そのバンドギャップはＧａＳが３．０ｅＶ、ＩｎＳ
が１．８ｅＶ、ＴｌＳが０．８ｅＶとなる。次に、Ｓ元
素をＳｅもしくはＴｅ置換すると、ＡｌＳｅ化合物半導
体のバンドギャップは３．２ｅＶであり、ＡｌＴｅ化合
物半導体のバンドギャップは２．６ｅＶとなる。ＡｌＳ
ｅ化合物のＡｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置換した場
合、そのバンドギャップはＧａＳｅが２．０ｅＶ、Ｉｎ
Ｓｅが０．８ｅＶ、ＴｌＳｅが０．２ｅＶとなり、ま
た、ＡｌＴｅ化合物のＡｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置
換した場合、そのバンドギャップはＧａＴｅが１．５ｅ
Ｖ、ＩｎＴｅが０．８ｅＶ、ＴｌＴｅが０．２ｅＶとな
る。以上、いずれの化合物半導体もｐ型伝導制御、ｎ型
伝導制御が可能である。したがって、これらのｐ型化合
物、ｎ型化合物を用いることにより、ｐｎ接合型発光素
子を得ることができる。発光（振）波長は用いる化合物
半導体のバンドギャップに依存し、３００〜６２００ｎ
ｍの広範囲が可能であるが、応用面で青色から紫外域の
波長まで発光（振）可能な半導体発光素子が重要である
ことから、本発明は特に、青色から紫外域の波長の発光
素子ということで特徴づけを行っている。上記ｐｎ接合
型発光素子によって、発光ダイオードの多色化、光デス
クの情報処理量の増大、レーザプリンタの高速化が可能
となり、情報処理機器、民生機器の大幅な性能向上が達
成される。
ｅＶであり、Ａｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置換した場
合、そのバンドギャップはＧａＳが３．０ｅＶ、ＩｎＳ
が１．８ｅＶ、ＴｌＳが０．８ｅＶとなる。次に、Ｓ元
素をＳｅもしくはＴｅ置換すると、ＡｌＳｅ化合物半導
体のバンドギャップは３．２ｅＶであり、ＡｌＴｅ化合
物半導体のバンドギャップは２．６ｅＶとなる。ＡｌＳ
ｅ化合物のＡｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置換した場
合、そのバンドギャップはＧａＳｅが２．０ｅＶ、Ｉｎ
Ｓｅが０．８ｅＶ、ＴｌＳｅが０．２ｅＶとなり、ま
た、ＡｌＴｅ化合物のＡｌ元素をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌで置
換した場合、そのバンドギャップはＧａＴｅが１．５ｅ
Ｖ、ＩｎＴｅが０．８ｅＶ、ＴｌＴｅが０．２ｅＶとな
る。以上、いずれの化合物半導体もｐ型伝導制御、ｎ型
伝導制御が可能である。したがって、これらのｐ型化合
物、ｎ型化合物を用いることにより、ｐｎ接合型発光素
子を得ることができる。発光（振）波長は用いる化合物
半導体のバンドギャップに依存し、３００〜６２００ｎ
ｍの広範囲が可能であるが、応用面で青色から紫外域の
波長まで発光（振）可能な半導体発光素子が重要である
ことから、本発明は特に、青色から紫外域の波長の発光
素子ということで特徴づけを行っている。上記ｐｎ接合
型発光素子によって、発光ダイオードの多色化、光デス
クの情報処理量の増大、レーザプリンタの高速化が可能
となり、情報処理機器、民生機器の大幅な性能向上が達
成される。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例における半導体
発光素子の構成図である。図１において図中１はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＳ化合物半導体
層２およびｐ型ＡｌＳ化合物半導体層３が成長形成され
ている。図中４はｐ型電極としてのＩｎ−Ｇａ電極であ
り、５はｎ型電極としてのＡｕ−Ｇｅ電極である。ｎ型
層、ｐ型層の禁制帯幅は４．２ｅＶである。当発光ダイ
オードをＭＢＥ法で作製した。ｎ型ＧａＡｓ基板１を４
５０℃に加熱し、Ａｌ、Ｓをソース材として各Ｋセル温
度をＡｌ１１００℃、Ｓ６０℃に設定して、厚み１μｍ
のｎ型ＡｌＳ化合物半導体層２を成長させた。ＡｌＳ層
のｎ型化は、ＡｌＣｌ3を用いてＫセル温度２００℃の
設定で成長中ドーピングを行い、この方法で１０19／ｃ
ｍ3ドープ量のｎ型化薄膜を得た。次に、同一条件のま
まＡｌＣｌ3ソースのシャッタ−を閉じた状態で、Ｚｎ
ドープのｐ型ＡｌＳ化合物半導体層３を成長させた。こ
の薄膜では、ｐ型化はＺｎドープによって達成され、ド
ープ量は１０18／ｃｍ3である。作製した発光ダイオー
ドに電流を流して電流−電圧特性を評価したところ、順
方向電流４０ｍＡで光度１００ｍｃｄの紫外〜青色発光
ダイオードが得られた。
発光素子の構成図である。図１において図中１はｎ型Ｇ
ａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＳ化合物半導体
層２およびｐ型ＡｌＳ化合物半導体層３が成長形成され
ている。図中４はｐ型電極としてのＩｎ−Ｇａ電極であ
り、５はｎ型電極としてのＡｕ−Ｇｅ電極である。ｎ型
層、ｐ型層の禁制帯幅は４．２ｅＶである。当発光ダイ
オードをＭＢＥ法で作製した。ｎ型ＧａＡｓ基板１を４
５０℃に加熱し、Ａｌ、Ｓをソース材として各Ｋセル温
度をＡｌ１１００℃、Ｓ６０℃に設定して、厚み１μｍ
のｎ型ＡｌＳ化合物半導体層２を成長させた。ＡｌＳ層
のｎ型化は、ＡｌＣｌ3を用いてＫセル温度２００℃の
設定で成長中ドーピングを行い、この方法で１０19／ｃ
ｍ3ドープ量のｎ型化薄膜を得た。次に、同一条件のま
まＡｌＣｌ3ソースのシャッタ−を閉じた状態で、Ｚｎ
ドープのｐ型ＡｌＳ化合物半導体層３を成長させた。こ
の薄膜では、ｐ型化はＺｎドープによって達成され、ド
ープ量は１０18／ｃｍ3である。作製した発光ダイオー
ドに電流を流して電流−電圧特性を評価したところ、順
方向電流４０ｍＡで光度１００ｍｃｄの紫外〜青色発光
ダイオードが得られた。
【０００７】図２は本発明の第２の実施例における半導
体発光素子の構成図である。図２において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＧａＳ化合物半導
体層６およびｐ型ＧａＳ化合物半導体層７が成長形成さ
れている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５はＡｕ−Ｇ
ｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅は３．０
ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例と同様の
方法でＭＢＥ法で作製することができる。当発光ダイオ
ードは順方向電流４０ｍＡで光度１００ｍｃｄの発光中
心波長４２０ｎｍの青色発光ダイオードとなるが、その
動作電流で長期に亘って安定である。
体発光素子の構成図である。図２において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＧａＳ化合物半導
体層６およびｐ型ＧａＳ化合物半導体層７が成長形成さ
れている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５はＡｕ−Ｇ
ｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅は３．０
ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例と同様の
方法でＭＢＥ法で作製することができる。当発光ダイオ
ードは順方向電流４０ｍＡで光度１００ｍｃｄの発光中
心波長４２０ｎｍの青色発光ダイオードとなるが、その
動作電流で長期に亘って安定である。
【０００８】図３は本発明の第３の実施例における半導
体発光素子の構成図である。図３において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＳｅ化合物半
導体層８およびｐ型あｌＳｅ化合物半導体層９が成長形
成されている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５はＡｕ
−Ｇｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅は
３．２ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例と
同様の方法でＭＢＥ法で作製することができる。当発光
ダイオードの発光中心波長は４００ｎｍとなる。当実施
例では、ＡｌＳｅ化合物を用いた場合について説明した
が、ＡｌＳｅ化合物において、そのＡｌ元素の一部もし
くは全部をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌの１元素もしくは複数元素
で置換した置換型化合物を用いた場合においても図３の
場合と同様にｐｎ接合型発光ダイオードが作製できる。
その場合の発光波長は用いる化合物半導体のバンドギャ
ップに依存し、赤外から青までの波長をカバーすること
が可能である。
体発光素子の構成図である。図３において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＳｅ化合物半
導体層８およびｐ型あｌＳｅ化合物半導体層９が成長形
成されている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５はＡｕ
−Ｇｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅は
３．２ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例と
同様の方法でＭＢＥ法で作製することができる。当発光
ダイオードの発光中心波長は４００ｎｍとなる。当実施
例では、ＡｌＳｅ化合物を用いた場合について説明した
が、ＡｌＳｅ化合物において、そのＡｌ元素の一部もし
くは全部をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌの１元素もしくは複数元素
で置換した置換型化合物を用いた場合においても図３の
場合と同様にｐｎ接合型発光ダイオードが作製できる。
その場合の発光波長は用いる化合物半導体のバンドギャ
ップに依存し、赤外から青までの波長をカバーすること
が可能である。
【０００９】図４は本発明の第４の実施例における半導
体発光素子の構成図である。図４において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＴｅ化合物半
導体層１０およびｐ型ＡｌＴｅ化合物半導体層１１が成
長形成されている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５は
Ａｕ−Ｇｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅
は２．６ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例
と同様の方法でＭＢＥ法で作製することができる。作製
した発光ダイオードに電流を流して電流−電圧特性を評
価したところ、順方向電流４０ｍＡで光度２００ｍｃｄ
の発光中心波長４８０ｎｍの青色発光ダイオードが得ら
れた。
体発光素子の構成図である。図４において図中１はｎ型
ＧａＡｓ基板であり、基板１上にｎ型ＡｌＴｅ化合物半
導体層１０およびｐ型ＡｌＴｅ化合物半導体層１１が成
長形成されている。図中４はＩｎ−Ｇａｐ型電極、５は
Ａｕ−Ｇｅｎ型電極である。ｎ型層、ｐ型層の禁制帯幅
は２．６ｅＶである。当発光ダイオードは第１の実施例
と同様の方法でＭＢＥ法で作製することができる。作製
した発光ダイオードに電流を流して電流−電圧特性を評
価したところ、順方向電流４０ｍＡで光度２００ｍｃｄ
の発光中心波長４８０ｎｍの青色発光ダイオードが得ら
れた。
【００１０】図５は本発明の第５の実施例における半導
体発光素子の構成図である。図１と異なる点は、（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半導体活性層１２がｎ型ＡｌＳ
ｅ化合物半導体層８とｐ型ＡｌＳｅ化合物半導体層９の
間に設けられたことである。活性層１２の禁制帯幅は
２．９ｅＶである。当半導体レーザは図１の場合と同様
にＭＢＥ法で作製することができる。Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ
をソース材としてＫセルによって、厚み１μｍのｎ型Ａ
ｌＳｅ化合物半導体層８、厚み０．１２μｍの（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半導体活性層１２及び厚み１μ
ｍのｐ型ＡｌＳｅ化合物半導体層９を成長温度４００℃
で順次成長させた。ｎ型化はＡｌＣｌ3ドープで、ｐ型
化はＺｎドープで達成される。作製した半導体レーザに
電流を流して電流−光出力特性を評価したところ、順方
向電流８０ｍＡで光出力５ｍＷの発振波長４３０ｎｍの
青色半導体レーザが得られた。図５ではｐ型、ｎ型Ａｌ
Ｓｅ化合物半導体層と（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半
導体活性層を用いた場合について説明したが、前記した
各種の置換型化合物をｐ型層、ｎ型層に用いた場合にお
いても、活性層としてバンドギャップが０．２〜０．３
ｅＶ程度小さい化合物半導体を適用することによって図
５の場合と同様にダブルヘテロ構造半導体レーザが作製
できる。その場合の発振波長は用いる化合物半導体活性
層のバンドギャップに依存する。なお、活性層に用いる
化合物半導体の種類は、本発明の化合物半導体に限られ
るものではなく、活性層のバンドギャップが活性層に隣
接して用いられるｐ型層、ｎ型層に比べて小さい関係で
あればいずれの化合物半導体を活性層に用いてもよい。
その１例としてはｐ型層、ｎ型層にＡｌＳｅを用い、活
性層にＺｎＳｅを用いたものが挙げられる。また、本実
施例では、いずれもｎ型基板を用いたため、基板上にｎ
型層、活性層、ｐ型層の順に構成したが、ｐ型基板を用
いた場合は当然の事ながら、基板上にｐ型層、活性層、
ｎ型層の順に構成する。また、本発明は構成上におい
て、バッファー層を設けたり、必要に応じて電流狭窄の
ためのストライプ構造（電極ストライプ、内部ストライ
プ）等を設けてもよい。その他、本発明の主旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
体発光素子の構成図である。図１と異なる点は、（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半導体活性層１２がｎ型ＡｌＳ
ｅ化合物半導体層８とｐ型ＡｌＳｅ化合物半導体層９の
間に設けられたことである。活性層１２の禁制帯幅は
２．９ｅＶである。当半導体レーザは図１の場合と同様
にＭＢＥ法で作製することができる。Ａｌ、Ｇａ、Ｓｅ
をソース材としてＫセルによって、厚み１μｍのｎ型Ａ
ｌＳｅ化合物半導体層８、厚み０．１２μｍの（Ａｌ
0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半導体活性層１２及び厚み１μ
ｍのｐ型ＡｌＳｅ化合物半導体層９を成長温度４００℃
で順次成長させた。ｎ型化はＡｌＣｌ3ドープで、ｐ型
化はＺｎドープで達成される。作製した半導体レーザに
電流を流して電流−光出力特性を評価したところ、順方
向電流８０ｍＡで光出力５ｍＷの発振波長４３０ｎｍの
青色半導体レーザが得られた。図５ではｐ型、ｎ型Ａｌ
Ｓｅ化合物半導体層と（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半
導体活性層を用いた場合について説明したが、前記した
各種の置換型化合物をｐ型層、ｎ型層に用いた場合にお
いても、活性層としてバンドギャップが０．２〜０．３
ｅＶ程度小さい化合物半導体を適用することによって図
５の場合と同様にダブルヘテロ構造半導体レーザが作製
できる。その場合の発振波長は用いる化合物半導体活性
層のバンドギャップに依存する。なお、活性層に用いる
化合物半導体の種類は、本発明の化合物半導体に限られ
るものではなく、活性層のバンドギャップが活性層に隣
接して用いられるｐ型層、ｎ型層に比べて小さい関係で
あればいずれの化合物半導体を活性層に用いてもよい。
その１例としてはｐ型層、ｎ型層にＡｌＳｅを用い、活
性層にＺｎＳｅを用いたものが挙げられる。また、本実
施例では、いずれもｎ型基板を用いたため、基板上にｎ
型層、活性層、ｐ型層の順に構成したが、ｐ型基板を用
いた場合は当然の事ながら、基板上にｐ型層、活性層、
ｎ型層の順に構成する。また、本発明は構成上におい
て、バッファー層を設けたり、必要に応じて電流狭窄の
ためのストライプ構造（電極ストライプ、内部ストライ
プ）等を設けてもよい。その他、本発明の主旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
青色から紫外域にまでわたる発光（振）波長を有する半
導体発光素子を実現することができる。この理由は、II
I-VI族化合物がｐ型伝導制御、ｎ型伝導制御可能な化合
物半導体であることを発見し、良質な薄膜の成長が達成
されるからである。本発明によって、発光ダイオードの
多色化や光デイスクやレーザプリンタ等の情報処理機器
の性能向上をはかることができ、その実用的効果は大き
い。
青色から紫外域にまでわたる発光（振）波長を有する半
導体発光素子を実現することができる。この理由は、II
I-VI族化合物がｐ型伝導制御、ｎ型伝導制御可能な化合
物半導体であることを発見し、良質な薄膜の成長が達成
されるからである。本発明によって、発光ダイオードの
多色化や光デイスクやレーザプリンタ等の情報処理機器
の性能向上をはかることができ、その実用的効果は大き
い。
【図１】本発明における一実施例の発光ダイオードの構
成断面図
成断面図
【図２】他の実施例の発光ダイオードの構成断面図
【図３】他の実施例の発光ダイオードの構成断面図
【図４】他の実施例の発光ダイオードの構成断面図
【図５】他の実施例の半導体レーザの構成断面図
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＳ化合物半導体層 ３ ｐ型ＡｌＳ化合物半導体層 ４ Ｉｎ−Ｇａ電極 ５ Ａｕ−Ｇｅ電極 ６ ｎ型ＧａＳ化合物半導体層 ７ ｐ型ＧａＳ化合物半導体層 ８ ｎ型ＡｌＳｅ化合物半導体層 ９ ｐ型ＡｌＳｅ化合物半導体層 １０ ｎ型ＡｌＴｅ化合物半導体層 １１ ｐ型ＡｌＴｅ化合物半導体層 １２ （Ａｌ0.7Ｇａ0.3）Ｓｅ化合物半導体活性層
Claims (3)
- 【請求項１】ＡｌＳ化合物におけるｐ型半導体とｎ型半
導体を用いた半導体発光素子。 - 【請求項２】ＡｌＳ化合物におけるＡｌ元素の一部もし
くは全部をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌの１元素もしくは複数元素
で置換したことを特徴とする請求項１記載の半導体発光
素子。 - 【請求項３】ＡｌＳ化合物、および、ＡｌＳ化合物にお
けるＡｌ元素の一部もしくは全部をＧａ、Ｉｎ、Ｔｌの
１元素もしくは複数元素で置換した置換型化合物におい
て、Ｓ元素の一部もしくは全部をＳｅ、Ｔｅの１元素も
しくは複数元素で置換したことを特徴とする請求項１記
載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16584492A JPH0613651A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16584492A JPH0613651A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613651A true JPH0613651A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15820075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16584492A Pending JPH0613651A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37645E1 (en) | 1994-09-26 | 2002-04-09 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for removing image forming substance from image holding member forming processing situation mark |
| WO2017142455A1 (en) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | Uddeholms Ab | A mould for the manufacturing of mould steels in an electro slag remelting process |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16584492A patent/JPH0613651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37645E1 (en) | 1994-09-26 | 2002-04-09 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for removing image forming substance from image holding member forming processing situation mark |
| WO2017142455A1 (en) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | Uddeholms Ab | A mould for the manufacturing of mould steels in an electro slag remelting process |
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