JPH06131516A - メモリの情報書き替え方法 - Google Patents

メモリの情報書き替え方法

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JPH06131516A
JPH06131516A JP4278555A JP27855592A JPH06131516A JP H06131516 A JPH06131516 A JP H06131516A JP 4278555 A JP4278555 A JP 4278555A JP 27855592 A JP27855592 A JP 27855592A JP H06131516 A JPH06131516 A JP H06131516A
Authority
JP
Japan
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information
memory
memory card
rewriting
rewritten
Prior art date
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Pending
Application number
JP4278555A
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English (en)
Inventor
Isamu Haneda
勇 羽田
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH06131516A publication Critical patent/JPH06131516A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 メモリカード用スロットにメモリカードが接
続されていると(S1)、メモリカードがアプリケーシ
ョンプログラムを格納しているカードか否かを判定する
(S2)。メモリカードがそのようなカードでない場
合、メモリカードにRAMが有るか否かを判定し(S
3)、RAMが有れば、そのRAM内にフラッシュメモ
リの情報を書き替えるための情報が格納されているか否
かを判定する(S4)。その情報がRAM内に格納され
ていることを確認すると、書き込み電圧をオンするとと
もに、表示用電圧をオフしてフラッシュメモリ内の情報
をクリアし(S6)、上記の情報をフラッシュメモリに
書き込む(S7)。 【効果】 メモリカードが接続可能である小型の機器に
おいて、メモリカードを利用してメモリの情報を容易に
書き替えることができ、その機器の実用性をより高める
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的に情報の書き替
えが可能なメモリを備えた小型の情報機器において、容
易に情報の書き替えを行うようにしたメモリの情報書き
替え方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】EEPROMやフラッシュメモリ等のメ
モリは、情報の書き替えが容易に行える反面、価格が高
い、メモリ容量が少ない、消費電力が大きいといった理
由から、普及があまり進んでいないのが現状である。し
かし、近年の高集積化等の半導体技術の進歩により、こ
れらの問題は次第に解決しつつある。
【0003】ところで、上記のようなメモリを備えた情
報機器において、メモリの情報を変更する場合、従来で
は、変更するプログラムとデータを一旦フロッピディス
クに読み込ませてから、メモリに書き込むようにしてい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子手
帳やポータブルコンピュータといった小型の情報機器で
は、小型化のためにフロッピディスク装置を搭載するこ
とができず、上記のようにフロッピディスクを用いてメ
モリの情報変更を行うことができない。
【0005】ところで、近年の小型の情報機器には、フ
ロッピディスク装置の代わりにメモリカードが接続でき
るように構成されたものがある。メモリカードは、機器
の小型化を図る上で最も有効な記憶媒体であり、容量も
年々増大していることから、小型の情報機器用の記憶媒
体として期待されている。
【0006】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、メモリカードを利用して、小型の機器にお
いても電気的に情報の書き替えが可能なメモリの情報を
容易に書き替える方法を提供することを目的としてい
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のメモリの情報書
き替え方法は、上記の課題を解決するために、電気的に
情報の書き替えが可能なEEPROM等のメモリを内蔵
し、このメモリの情報を書き替えることが可能であり、
かつRAM等のメモリカードの接続が可能な機器におい
て、メモリカードに上記メモリの情報と書き替えるべき
情報が存在するとき、その情報を上記メモリの情報と書
き替えるようにしたことを特徴としている。
【0008】また、本発明の他のメモリの情報書き替え
方法は、上記の課題を解決するために、表示装置を備え
るとともに、電気的に情報の書き替えが可能なEEPR
OM等のメモリを内蔵し、このメモリの情報を書き替え
ることが可能であり、かつRAM等のメモリカードの接
続が可能な機器において、メモリカードに上記メモリの
情報と書き替えるべき情報が存在するとき、上記表示装
置への電圧印加を停止する一方、書き込みに必要な電圧
を上記メモリに印加して、その情報を上記メモリの情報
と書き替えるようにしたことを特徴としている。
【0009】
【作用】上記前者のメモリの情報書き替え方法では、機
器に接続されたメモリカードに書き替えるべき情報が存
在すると、その情報がメモリ内の情報と書き替えられ
る。具体的には、メモリがクリアされた後に、メモリカ
ード内の情報がメモリに書き込まれる。
【0010】このように、前者のメモリの情報書き替え
方法では、メモリカードを利用してメモリの情報の書き
替えを行うことができる。それゆえ、メモリカードが接
続可能な小型の情報機器においても、メモリの情報を容
易に書き替えることができる。
【0011】また、上記後者のメモリの情報書き替え方
法では、機器に接続されたメモリカードに書き替えるべ
き情報が存在すると、表示装置への電圧印加が停止す
る。これと同時に、メモリは、書き込みに必要な電圧が
印加され、上記と同様にしてメモリカードの情報に書き
替えられる。
【0012】このように、後者のメモリの情報書き替え
方法では、上記のメモリの情報書き替え方法と同様、メ
モリカードを用いてメモリの情報を容易に書き替えるこ
とができるとともに、メモリの情報書き替え時に表示装
置への電圧印加を停止することにより、消費電力の増大
を抑制することができる。
【0013】
【実施例】本発明の一実施例について図1および図2に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0014】本実施例において使用される情報機器は、
例えば、電子手帳やポータブルコンピュータのような小
型のものである。この情報機器は、図2に示すように、
CPU1と、ROM2と、RAM3と、フラッシュメモ
リ4と、I/O回路5と、キーボード6と、表示部7
と、表示用メモリ8と、メモリカード用スロット9と、
電源制御回路10と、電池11とを備えている。
【0015】ROM2は、読み出し専用のメモリであ
り、本情報機器を動作させるためのプログラムが書き込
まれている。このROM2内の情報は、固定され、書き
替えられないようになっている。RAM3は、読み書き
可能なメモリであり、CPU1のワークエリアや利用者
が入力したデータの格納エリアとして利用されるように
なっている。
【0016】フラッシュメモリ4は、電気的に書き替え
可能なメモリであり、通常はROM2と同様に、読み出
し可能なメモリとして利用されるようになっている。こ
のフラッシュメモリ4には、本情報機器の動作手順や動
作のための諸設定値などが書き込まれており、必要に応
じて書き替えが可能になっている。このフラッシュメモ
リ4の情報を書き替えるには、書き替え用の電圧が必要
であるが、通常の読み出し時にはこのような電圧を必要
としない。
【0017】I/O回路5は、キーボード6を制御する
インターフェース用の回路であり、LSIにより構成さ
れている。CPU1は、このI/O回路5を通じて、キ
ーボード6で押されているキーを認識することができる
ようになっている。
【0018】表示装置としての表示部7は、表示用メモ
リ8から送出された表示データを表示する装置であり、
液晶表示体やCRTなどにより構成されている。表示用
メモリ8は、CPU1から送出された表示データを一時
的に書き込むメモリである。
【0019】メモリカード用スロット9は、メモリカー
ド12を接続するように設けられたスロットである。こ
のメモリカード用スロット9を設けることにより、RO
MやRAMを搭載したメモリカード12をメモリカード
用スロット9に接続してメモリ容量を拡張することがで
きるようになっている。
【0020】電源制御回路10は、電池11の出力電圧
を基にして、CPU1の指令により上記の各部に与える
動作用の電圧を制御する回路である。この電源制御回路
10は、具体的には、CPU1やROM2などを動作さ
せるために必要なロジック電圧VCC、表示部7に与える
表示用電圧VD およびフラッシュメモリ4の書き替えに
必要な書き替え電圧VW を出力するようになっている。
また、電源制御回路10は、フラッシュメモリ4の書き
替え時に、表示用電圧VD の出力を停止するとともに書
き込み電圧VW を出力する一方、通常の動作時に、表示
用電圧VD を出力するとともに書き込み電圧VW の出力
を停止するようになっている。
【0021】CPU1は、ROM2に格納されている動
作手順のプログラムにしたがって上記の各部の動作を制
御する制御部である。このため、CPU1は、ROM
2、RAM3、フラッシュメモリ4、I/O回路5、表
示用メモリ8、メモリカード用スロット9および電源制
御回路10にCPUバス13を介して接続されている。
また、CPU1は、具体的には、フラッシュメモリ4の
情報書き替えの制御を行うようになっている。
【0022】この制御は、本情報機器の電源が投入され
るとメモリカード12が本情報機器に接続されているか
否かを判定し、メモリカード12が接続されている場
合、メモリカード12内の情報がフラッシュメモリ4に
対し書き替えを行うべき情報であるか否かを確認した後
にその情報をフラッシュメモリ4に書き込む手順になっ
ている。また、この書き替えの間は、電源制御回路10
を制御して表示用電圧VD の出力を停止させ、書き込み
電圧VW を出力させるようになっている。
【0023】上記の構成において、フラッシュメモリ4
の書き替えの動作手順を図1のフローチャートを参照に
して説明する。
【0024】まず、本情報機器の電源が投入されると、
メモリカード12がメモリカード用スロット9に接続さ
れているか否かを判定する(S1)。このとき、メモリ
カード12がメモリカード用スロット9に接続されてお
れば、そのメモリカード12がアプリケーションプログ
ラムを格納しているカード(アプリケーションカード)
か否かを判定する(S2)。
【0025】次いで、メモリカード12がアプリケーシ
ョンプログラムを格納しているカードでない場合、メモ
リカード12にRAMが有るか否かを判定する(S
3)。このとき、RAMが有れば、そのRAM内にフラ
ッシュメモリ4の情報を書き替えるための情報であるプ
ログラムやデータが格納されているか否かを判定する
(S4)。ここで、上記のRAM内に書き替え用の情報
が格納されていることを確認すると、書き込み電圧VW
をオンするとともに、表示用電圧VD をオフして(S
5)、フラッシュメモリ4の内容をクリアする(S
6)。
【0026】続いて、上記の書き替え用の情報をフラッ
シュメモリ4に書き込む(S7)。このとき、メモリカ
ード12のRAM内の情報は、メモリカード用スロット
9から取り出され、CPUバス13を通じて一旦CPU
1に取り込まれた後、CPUバス13を通じてフラッシ
ュメモリ4に転送される。フラッシュメモリ4の情報が
書き替えられると、書き込み電圧VW をオフするととも
に、表示用電圧VD をオンする(S8)。
【0027】そして、メモリカード12のRAMの内容
と書き替えられたフラッシュメモリ4の内容とを照合し
て、両者が一致しているか否かを判定する(S9)。こ
の結果、両者が一致していない場合、フラッシュメモリ
4の内容をクリアし(S10)、「書き込みエラー」と
いうメッセージを表示部7に表示させ、書き込みが正し
く行われなかったことを告知する(S11)。
【0028】その後、キー入力待ちの状態となり(S1
2)、何れかキーが押されると自動的に電源が遮断され
る。また、S9で両者が一致していない場合、書き込み
が完了したというメッセージを表示部7に表示させ(S
13)、処理がS12に移行する。
【0029】また、S1でメモリカード12が接続され
ていない場合、S2でメモリカード12がアプリケーシ
ョンカードである場合、S3でメモリカード12にRA
Mがなかった場合、およびS4で書き替え用の情報がな
かった場合は、表示用電圧VD をオンする(S14)。
この後、本情報機器は、通常の処理動作を行う。
【0030】以上述べたように、本実施例によれば、メ
モリカード12を利用してフラッシュメモリ4の情報書
き替えを行うようになっているので、メモリカード12
が接続可能な小型の情報機器においても、フラッシュメ
モリ4の情報書き替えを容易に行うことができる。しか
も、メモリカード12がCPUバス13に直結されてい
るので、メモリカード12に対するアクセスを高速で行
うことができ、ごく短時間で情報の書き替えを行うこと
ができる。また、上記の実施例では、情報の書き替え時
に、書き込み電圧VW をオンする一方で表示用電圧VD
をオフして表示部7の表示を停止させることにより、情
報機器の電力消費を抑えている。
【0031】なお、本実施例においては、情報書き替え
を行うための制御プログラムが予めROM2に格納され
ているが、これに限らず、メモリカード12が有するR
OMに上記の制御プログラムを書き込んでこれを利用す
るような手法を採用してもよい。
【0032】また、本実施例では、メモリカード12が
接続されておれば、電源投入と同時に自動的に書き替え
の処理を行うようになっているが、電源投入後に表示部
7に確認用のメッセージを表示させ、書き替えが選択さ
れた場合のみ書き替えを行うようにしてもよい。
【0033】さらに、本実施例では、例えば、図1のフ
ローチャートにおいて情報書き替えを実行するS5ない
しS8の処理を省くような制御プログラムを搭載するこ
とにより、フラッシュメモリ4の情報とメモリカード1
2の情報とを照合する動作のみを行うことも可能であ
る。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明のメモリの情報書
き替え方法は、電気的に情報の書き替えが可能なメモリ
を内蔵し、このメモリの情報を書き替えることが可能で
あり、かつメモリカードの接続が可能な機器において、
メモリカードに上記メモリの情報と書き替えるべき情報
が存在するとき、その情報を上記メモリの情報と書き替
えるようにしている。
【0035】これにより、フロッピディスク装置などの
外部記憶装置を搭載することができなかった小型の機器
において、メモリカードが接続可能であれば、メモリカ
ードを利用してメモリの情報を容易に書き替えることが
できる。しかも、メモリカードは、接続される機器のC
PUとバスを介して直結することが可能であるので、情
報のアクセスを高速で行うことができ、書き替えを短時
間で行うことができる。
【0036】したがって、このメモリの情報書き替え方
法を採用すれば、電気的に情報の書き替えが可能なメモ
リを内蔵した機器の実用性をより高めることができると
いう効果を奏する。
【0037】また、本発明の他のメモリの情報書き替え
方法は、表示装置を備えるとともに、電気的に情報の書
き替えが可能なメモリを内蔵し、このメモリの情報を書
き替えることが可能であり、かつメモリカードの接続が
可能な機器において、メモリカードに上記メモリの情報
と書き替えるべき情報が存在するとき、上記表示装置へ
の電圧印加を停止する一方、書き込みに必要な電圧を上
記メモリに印加して、その情報を上記メモリの情報と書
き替えるようにしている。
【0038】これにより、上記のメモリの情報書き替え
方法と同様に、メモリカードを利用してメモリの情報を
容易に書き替えることができる。また、情報の書き替え
時には、メモリに書き込みに必要な電圧を印加する一方
で表示装置への電圧印加が止められるので、消費電力の
増大を抑制することができる。
【0039】したがって、このメモリの情報書き替え方
法を採用すれば、電気的に情報の書き替えが可能なメモ
リを内蔵した機器の実用性をより高めることができると
ともに、使用コストの上昇を抑制することができるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るメモリの情報書き替え
の動作手順を示すフローチャートである。
【図2】図1の動作を行うことができる情報機器の概略
構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 CPU 4 フラッシュメモリ(メモリ) 7 表示部(表示装置) 9 メモリカード用スロット 10 電源制御回路 12 メモリカード

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電気的に情報の書き替えが可能なメモリを
    内蔵し、このメモリの情報を書き替えることが可能であ
    り、かつメモリカードの接続が可能な機器において、メ
    モリカードに上記メモリの情報と書き替えるべき情報が
    存在するとき、その情報を上記メモリの情報と書き替え
    るようにしたことを特徴とするメモリの情報書き替え方
    法。
  2. 【請求項2】表示装置を備えるとともに、電気的に情報
    の書き替えが可能なメモリを内蔵し、このメモリの情報
    を書き替えることが可能であり、かつメモリカードの接
    続が可能な機器において、メモリカードに上記メモリの
    情報と書き替えるべき情報が存在するとき、上記表示装
    置への電圧印加を停止する一方、書き込みに必要な電圧
    を上記メモリに印加して、その情報を上記メモリの情報
    と書き替えるようにしたことを特徴とするメモリの情報
    書き替え方法。
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