JPH06124420A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置Info
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- JPH06124420A JPH06124420A JP27180992A JP27180992A JPH06124420A JP H06124420 A JPH06124420 A JP H06124420A JP 27180992 A JP27180992 A JP 27180992A JP 27180992 A JP27180992 A JP 27180992A JP H06124420 A JPH06124420 A JP H06124420A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）及びこ
のＭＲヘッドからの再生信号等を再生するリード／ライ
トＩＣ側の端子数を削減し、且つセンス電流及びバイア
ス電流をロット毎に調整可能なＭＲヘッド及びＭＲヘッ
ド用信号再生装置を得る。 【構成】 ＭＲヘッド１のバイアス導体２とＭＲ素子３
を直列接続し、一つのバイアス及びセンス電流入力端子
Ｔ12を設けて、この端子Ｔ12から兼用バイアス及びセン
ス電流ＩB ／ＩMRを供給する。
のＭＲヘッドからの再生信号等を再生するリード／ライ
トＩＣ側の端子数を削減し、且つセンス電流及びバイア
ス電流をロット毎に調整可能なＭＲヘッド及びＭＲヘッ
ド用信号再生装置を得る。 【構成】 ＭＲヘッド１のバイアス導体２とＭＲ素子３
を直列接続し、一つのバイアス及びセンス電流入力端子
Ｔ12を設けて、この端子Ｔ12から兼用バイアス及びセン
ス電流ＩB ／ＩMRを供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型ヘッド(M
agneto-Resistive Head:以下ＭＲヘッドと記す）に用い
て有用なＭＲヘッド及びＭＲヘッド用再生装置に係わ
り、特にＭＲ素子とバイアス磁界発生用導体（以下バイ
アス導体と記す）とを直列接続させる様にしたＭＲヘッ
ド及びＭＲヘッド用信号再生装置に関する。
agneto-Resistive Head:以下ＭＲヘッドと記す）に用い
て有用なＭＲヘッド及びＭＲヘッド用再生装置に係わ
り、特にＭＲ素子とバイアス磁界発生用導体（以下バイ
アス導体と記す）とを直列接続させる様にしたＭＲヘッ
ド及びＭＲヘッド用信号再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からハードディスクドライブ（ＨＤ
Ｄ）用の再生用ヘッドとしては通常の誘導型ヘッドの他
にＭＲヘッドが用いられている。このＭＲヘッドは磁気
媒体からの磁界によって磁性薄膜の抵抗率が変化し、こ
の抵抗変化を再生出力電圧として検出する様に成された
ものであり、この様なＭＲヘッドは高出力、低クロスト
ークで、速度依存性がないと云った特徴を有するためデ
ジタルオーディオテープレコーダ等の高密度記録再生用
ヘッドとして広く利用されている。
Ｄ）用の再生用ヘッドとしては通常の誘導型ヘッドの他
にＭＲヘッドが用いられている。このＭＲヘッドは磁気
媒体からの磁界によって磁性薄膜の抵抗率が変化し、こ
の抵抗変化を再生出力電圧として検出する様に成された
ものであり、この様なＭＲヘッドは高出力、低クロスト
ークで、速度依存性がないと云った特徴を有するためデ
ジタルオーディオテープレコーダ等の高密度記録再生用
ヘッドとして広く利用されている。
【０００３】ＭＲヘッドは再生用ヘッドであるため、記
録再生ヘッドとして用いる場合は、同一基板上に薄膜誘
導型の記録ヘッドを重ねるか或いは並べた複合ヘッドと
するか、独立した記録ヘッドと一体化して用いる様に成
されている。
録再生ヘッドとして用いる場合は、同一基板上に薄膜誘
導型の記録ヘッドを重ねるか或いは並べた複合ヘッドと
するか、独立した記録ヘッドと一体化して用いる様に成
されている。
【０００４】この様なＭＲ型ヘッドの構造は図５及び図
６に示す様なシールド型ＭＲヘッド及びヨーク型ＭＲヘ
ッドが知られている。
６に示す様なシールド型ＭＲヘッド及びヨーク型ＭＲヘ
ッドが知られている。
【０００５】図５に示すシールド型ＭＲヘッド１はシー
ルドコア１１，１１に挟まれたギャップ１２内にＭＲ素
子３が置かれ、信号導体１４と一体化され、この信号導
体１４に並設してバイアス導体２もギャップ１２内に配
設されていて、磁気媒体からの信号磁界はＭＲ素子３が
直接拾う構成と成っている。
ルドコア１１，１１に挟まれたギャップ１２内にＭＲ素
子３が置かれ、信号導体１４と一体化され、この信号導
体１４に並設してバイアス導体２もギャップ１２内に配
設されていて、磁気媒体からの信号磁界はＭＲ素子３が
直接拾う構成と成っている。
【０００６】図６に示すヨーク型ＭＲヘッド１は信号導
体１４と一体化されたＭＲ素子３と対向配置されたバイ
アス導体２がヨーク１６，１６間に挟まれ、ヨーク１
６，１６の一方の端面に形成したギャップ１２を介して
磁気媒体からの信号磁界はＭＲ素子３に印加される様に
なされている。
体１４と一体化されたＭＲ素子３と対向配置されたバイ
アス導体２がヨーク１６，１６間に挟まれ、ヨーク１
６，１６の一方の端面に形成したギャップ１２を介して
磁気媒体からの信号磁界はＭＲ素子３に印加される様に
なされている。
【０００７】上述の電流バイアス型ＭＲヘッド１の再生
回路の構成は図７に示す様にＭＲ素子３に電流源９から
ＭＲ電流を流し、磁気媒体からの信号磁界によるＭＲ素
子３の抵抗変化を電圧として取出すと共にＭＲ素子３を
線形動作させるためにＭＲ素子３にバイアス磁界を印加
させる様にバイアス電流源１７からバイアス導体２にバ
イアス電流を流す様に成されている。
回路の構成は図７に示す様にＭＲ素子３に電流源９から
ＭＲ電流を流し、磁気媒体からの信号磁界によるＭＲ素
子３の抵抗変化を電圧として取出すと共にＭＲ素子３を
線形動作させるためにＭＲ素子３にバイアス磁界を印加
させる様にバイアス電流源１７からバイアス導体２にバ
イアス電流を流す様に成されている。
【０００８】バイアス導体２及びＭＲ素子３は一端が接
地され、ＭＲ素子３からの電圧は直流阻止用コンデンサ
６を介し非平衡出力として再生アンプ１３Ａに供給され
て、増幅される様に成されている。
地され、ＭＲ素子３からの電圧は直流阻止用コンデンサ
６を介し非平衡出力として再生アンプ１３Ａに供給され
て、増幅される様に成されている。
【０００９】上述のＭＲヘッド１は例えば図８に示すＨ
ＤＤの如き磁気ディスク装置に用いられる。図８で回転
する磁気ディスク１３上にジンバルの如きサスペンショ
ン１８で支持されながら浮上しているＭＲヘッド１はヘ
ッドスライダ１９上に配設されている。
ＤＤの如き磁気ディスク装置に用いられる。図８で回転
する磁気ディスク１３上にジンバルの如きサスペンショ
ン１８で支持されながら浮上しているＭＲヘッド１はヘ
ッドスライダ１９上に配設されている。
【００１０】リード／ライト（Ｒ／Ｗ）回路基板４上に
はＲ／ＷＩＣ５や、その他の信号処理回路、コントロー
ル回路等が形成されている。Ｒ／ＷＩＣ５はサスペンシ
ョン１８上のＭＲヘッド１と接続されていて、ヘッドス
ライダ１９上の記録ヘッドに記録電流を流すための記録
アンプ、再生用のＭＲヘッド１からの再生信号を増幅す
る図７で示した再生アンプ１３Ａ等を有し、更にＭＲヘ
ッド１が電流バイアス型等の場合はＭＲ素子３に流すセ
ンス電流ＩMRやバイアス電流ＩB を流す電流源９及び１
７を有する。
はＲ／ＷＩＣ５や、その他の信号処理回路、コントロー
ル回路等が形成されている。Ｒ／ＷＩＣ５はサスペンシ
ョン１８上のＭＲヘッド１と接続されていて、ヘッドス
ライダ１９上の記録ヘッドに記録電流を流すための記録
アンプ、再生用のＭＲヘッド１からの再生信号を増幅す
る図７で示した再生アンプ１３Ａ等を有し、更にＭＲヘ
ッド１が電流バイアス型等の場合はＭＲ素子３に流すセ
ンス電流ＩMRやバイアス電流ＩB を流す電流源９及び１
７を有する。
【００１１】この様な電流バイアス型のＭＲヘッド１へ
のＲ／ＷＩＣ５からの再生回路の電流供給方法を図９に
示す。
のＲ／ＷＩＣ５からの再生回路の電流供給方法を図９に
示す。
【００１２】即ち、ＭＲヘッド１側のヘッドスライダ１
９にはバイアス導体２に再生信号の歪を低減するために
直流バイアス電流を流すためのバイアス電流用端子Ｔ1
及びＴ2 と、ＭＲ素子３に一定の直流電流、即ちセンス
電流ＩMRを流すと共に抵抗変化を電圧信号として取り出
すためのセンス電流／再生出力端子Ｔ3 及びＴ4 が設け
られている。そして端子Ｔ2 及びＴ4 はＲ／Ｗ回路基板
４上で共通にされて接地されている。
９にはバイアス導体２に再生信号の歪を低減するために
直流バイアス電流を流すためのバイアス電流用端子Ｔ1
及びＴ2 と、ＭＲ素子３に一定の直流電流、即ちセンス
電流ＩMRを流すと共に抵抗変化を電圧信号として取り出
すためのセンス電流／再生出力端子Ｔ3 及びＴ4 が設け
られている。そして端子Ｔ2 及びＴ4 はＲ／Ｗ回路基板
４上で共通にされて接地されている。
【００１３】Ｒ／Ｗ回路基板４上のＲ／ＷＩＣ５にはバ
イアス電流用電流源１７（図７参照）及びセンス電流用
電流源９（図７参照）からのバイアス電流ＩB 及びセン
ス電流ＩMRが出力される出力端子Ｔ5 及びＴ6 とＭＲ素
子３でピックアップした再生電圧を直流阻止コンデンサ
６を介してＲ／ＷＩＣの再生アンプ１３（図７参照）に
取りこむ再生信号入力端子Ｔ7 とを有する。
イアス電流用電流源１７（図７参照）及びセンス電流用
電流源９（図７参照）からのバイアス電流ＩB 及びセン
ス電流ＩMRが出力される出力端子Ｔ5 及びＴ6 とＭＲ素
子３でピックアップした再生電圧を直流阻止コンデンサ
６を介してＲ／ＷＩＣの再生アンプ１３（図７参照）に
取りこむ再生信号入力端子Ｔ7 とを有する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】叙上の図９で示した様
に従来のＭＲヘッド１又はＭＲヘッド用信号再生装置で
はヘッドスライダ１９上にＭＲ素子３とバイアス導体２
の両端に合計４つの端子Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 を必要
とし、更にこれら各端子Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4からＲ
／ＷＩＣ５までに４本のリード線が必要となる問題があ
る。
に従来のＭＲヘッド１又はＭＲヘッド用信号再生装置で
はヘッドスライダ１９上にＭＲ素子３とバイアス導体２
の両端に合計４つの端子Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4 を必要
とし、更にこれら各端子Ｔ1 ，Ｔ2 ，Ｔ3 ，Ｔ4からＲ
／ＷＩＣ５までに４本のリード線が必要となる問題があ
る。
【００１５】又、センス電流ＩMR＋バイアス電流ＩB が
再生時の消費電力としてＲ／ＷＩＣ５の消費電力に加わ
って消費電力が増加する問題がある。
再生時の消費電力としてＲ／ＷＩＣ５の消費電力に加わ
って消費電力が増加する問題がある。
【００１６】更にＲ／ＷＩＣ５にはバイアス電流供給端
子Ｔ5 ，センス電流供給端子Ｔ6 並に再生信号入力端子
Ｔ7 の３個の端子が必要となる問題がある。
子Ｔ5 ，センス電流供給端子Ｔ6 並に再生信号入力端子
Ｔ7 の３個の端子が必要となる問題がある。
【００１７】上述の各問題点は例えばＭＲヘッド１が多
チャンネルヘッドに成ってｎチャンネルとなると４×
ｎ，３×ｎ倍され端子増加数がより増大することにな
る。
チャンネルヘッドに成ってｎチャンネルとなると４×
ｎ，３×ｎ倍され端子増加数がより増大することにな
る。
【００１８】本発明は叙上の問題点を解消するために成
されたもので、その目的とするところはＭＲヘッド側及
びＲ／ＷＩＣ側の端子数を削減させ、且つセンス電流Ｉ
MR及びバイアス電流ＩB をロット毎に調整可能なＭＲヘ
ッド及びＭＲヘッド用信号再生装置を提供しようとする
ものである。
されたもので、その目的とするところはＭＲヘッド側及
びＲ／ＷＩＣ側の端子数を削減させ、且つセンス電流Ｉ
MR及びバイアス電流ＩB をロット毎に調整可能なＭＲヘ
ッド及びＭＲヘッド用信号再生装置を提供しようとする
ものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１のＭＲヘッ
ドはその例が図１に示されている様にＭＲ素子３とこの
ＭＲ素子３にバイアス磁界を与えるバイアス導体２とを
有する電流バイアス型のＭＲヘッド１において、ＭＲ素
子３とバイアス導体２とを直列に接続するとともに、Ｍ
Ｒ素子３に供給するセンス電流ＩMRとバイアス導体２に
供給するバイアス電流ＩB とを入力する共通の入力端子
Ｔ12と、ＭＲ素子３とバイアス導体２との接続部分から
引き出される再生信号を出力する出力端子Ｔ13とを備え
たことを特徴とするＭＲヘッドである。
ドはその例が図１に示されている様にＭＲ素子３とこの
ＭＲ素子３にバイアス磁界を与えるバイアス導体２とを
有する電流バイアス型のＭＲヘッド１において、ＭＲ素
子３とバイアス導体２とを直列に接続するとともに、Ｍ
Ｒ素子３に供給するセンス電流ＩMRとバイアス導体２に
供給するバイアス電流ＩB とを入力する共通の入力端子
Ｔ12と、ＭＲ素子３とバイアス導体２との接続部分から
引き出される再生信号を出力する出力端子Ｔ13とを備え
たことを特徴とするＭＲヘッドである。
【００２０】本発明の第２のＭＲヘッドはその例が図２
に示されている様にＭＲ素子３とこのＭＲ素子３にバイ
アス磁界を与えるバイアス導体２とを有する電流バイア
ス型のＭＲヘッド１において、ＭＲ素子３とバイアス導
体２とを直列に接続するとともに、ＭＲ素子に供給する
センス電流ＩMRとバイアス導体２に供給するバイアス電
流ＩB とを入力するとともに再生信号を出力する共通の
入力端子Ｔ12を備えたことを特徴とするＭＲヘッドであ
る。
に示されている様にＭＲ素子３とこのＭＲ素子３にバイ
アス磁界を与えるバイアス導体２とを有する電流バイア
ス型のＭＲヘッド１において、ＭＲ素子３とバイアス導
体２とを直列に接続するとともに、ＭＲ素子に供給する
センス電流ＩMRとバイアス導体２に供給するバイアス電
流ＩB とを入力するとともに再生信号を出力する共通の
入力端子Ｔ12を備えたことを特徴とするＭＲヘッドであ
る。
【００２１】本発明の第３のＭＲヘッド用信号再生装置
はその例が図３及び図４に示されている様に、ＭＲ素子
３とこのＭＲ素子３にバイアス磁界を与えるバイアス導
体２とを有する電流バイアス型のＭＲヘッド１からの信
号を再生するＭＲヘッド用信号再生装置において、ＭＲ
素子３とバイアス導体２とを直列に接続するとともに、
ＭＲ素子３に供給するセンス電流ＩMRとバイアス導体３
に供給するバイアス電流ＩB とを入力する共通の入力端
子Ｔ12と、ＭＲ素子３とバイアス導体２との接続部Ｐか
ら引き出される再生信号を出力する出力端子Ｔ13とをＭ
Ｒヘッド１に備え、かつバイアス導体２と並列にバイア
ス電流調整用の抵抗７，８を接続したことを特徴とする
ＭＲヘッド用信号再生装置である。
はその例が図３及び図４に示されている様に、ＭＲ素子
３とこのＭＲ素子３にバイアス磁界を与えるバイアス導
体２とを有する電流バイアス型のＭＲヘッド１からの信
号を再生するＭＲヘッド用信号再生装置において、ＭＲ
素子３とバイアス導体２とを直列に接続するとともに、
ＭＲ素子３に供給するセンス電流ＩMRとバイアス導体３
に供給するバイアス電流ＩB とを入力する共通の入力端
子Ｔ12と、ＭＲ素子３とバイアス導体２との接続部Ｐか
ら引き出される再生信号を出力する出力端子Ｔ13とをＭ
Ｒヘッド１に備え、かつバイアス導体２と並列にバイア
ス電流調整用の抵抗７，８を接続したことを特徴とする
ＭＲヘッド用信号再生装置である。
【００２２】
【作用】本発明のＭＲヘッド及びＭＲヘッド用信号再生
装置によればＭＲ素子３とバイアス導体２とを直列に接
続し、センス電流ＩMRとバイアス電流ＩB とを共通の端
子Ｔ12を介して供給する様にしたのでＭＲヘッド１側及
びＲ／ＷＩＣ５側の端子数を削減可能で且つバイアス電
流とセンス電流を別々に調整可能なものが得られる。
装置によればＭＲ素子３とバイアス導体２とを直列に接
続し、センス電流ＩMRとバイアス電流ＩB とを共通の端
子Ｔ12を介して供給する様にしたのでＭＲヘッド１側及
びＲ／ＷＩＣ５側の端子数を削減可能で且つバイアス電
流とセンス電流を別々に調整可能なものが得られる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明のＭＲヘッド及びＭＲヘッド用
再生装置の一実施例を図１乃至図５について詳記する。
再生装置の一実施例を図１乃至図５について詳記する。
【００２４】図１は本発明のＭＲヘッド及びＭＲヘッド
用再生装置の全体的な系統図を示すものでＭＲヘッド１
は電流バイアス型でありＭＲ素子３とバイアス磁界発生
用通電導体であるバイアス導体２は直列に接続され、バ
イアス導体２の一端はＭＲヘッド素子或いはヘッドスラ
イダ１９等に形成されたバイアス及びセンス電流用端子
Ｔ12に接続され、バイアス導体２の他端とＭＲ素子３の
一端とを直列接続した接続点Ｐは再生出力端子Ｔ13に接
続され、更にＭＲ素子３の他端は接地端子Ｔ14に接続さ
れている。
用再生装置の全体的な系統図を示すものでＭＲヘッド１
は電流バイアス型でありＭＲ素子３とバイアス磁界発生
用通電導体であるバイアス導体２は直列に接続され、バ
イアス導体２の一端はＭＲヘッド素子或いはヘッドスラ
イダ１９等に形成されたバイアス及びセンス電流用端子
Ｔ12に接続され、バイアス導体２の他端とＭＲ素子３の
一端とを直列接続した接続点Ｐは再生出力端子Ｔ13に接
続され、更にＭＲ素子３の他端は接地端子Ｔ14に接続さ
れている。
【００２５】一方Ｒ／Ｗ回路基板４内には図９の従来例
と同様のＲ／ＷＩＣ５を有する。このＲ／ＷＩＣにはバ
イアス電流源とセンス電流源兼用のバイアス電流及びセ
ンス電流を供給するバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ
10並びにＭＲ素子３からのピックアップ電圧を受け入れ
る再生信号入力端子Ｔ11のみが設けられる。
と同様のＲ／ＷＩＣ５を有する。このＲ／ＷＩＣにはバ
イアス電流源とセンス電流源兼用のバイアス電流及びセ
ンス電流を供給するバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ
10並びにＭＲ素子３からのピックアップ電圧を受け入れ
る再生信号入力端子Ｔ11のみが設けられる。
【００２６】ＭＲ素子３の接地端子Ｔ14はＲ／Ｗ回路基
板４に設けた接地部にリード１０Ｃを介して接続され、
再生出力は端子Ｔ13と再生信号入力端子Ｔ11間には直流
阻止コンデンサ６がリード線１０Ｂを介して接続され、
バイアス及びセンス電流用端子Ｔ12とバイアス及びセン
ス電流供給端子Ｔ10とはリード１０Ａによって直接接続
されている。
板４に設けた接地部にリード１０Ｃを介して接続され、
再生出力は端子Ｔ13と再生信号入力端子Ｔ11間には直流
阻止コンデンサ６がリード線１０Ｂを介して接続され、
バイアス及びセンス電流用端子Ｔ12とバイアス及びセン
ス電流供給端子Ｔ10とはリード１０Ａによって直接接続
されている。
【００２７】上述の構成に於いて、バイアス及びセンス
電流供給端子Ｔ10に図示しないがバイアス及びセンス電
流兼用の１つの電流源から所定のバイアス及びセンス電
流Ｉ B ／ＩMRを供給させれば、リード１０Ａ→端子Ｔ12
→バイアス導体２→ＭＲ素子３→端子Ｔ14→リード１０
Ｃ→接地の経路でバイアス導体２とＭＲ素子３に同一方
向のバイアス及びセンス電流ＩB ／ＩMRを流すことが出
来る。
電流供給端子Ｔ10に図示しないがバイアス及びセンス電
流兼用の１つの電流源から所定のバイアス及びセンス電
流Ｉ B ／ＩMRを供給させれば、リード１０Ａ→端子Ｔ12
→バイアス導体２→ＭＲ素子３→端子Ｔ14→リード１０
Ｃ→接地の経路でバイアス導体２とＭＲ素子３に同一方
向のバイアス及びセンス電流ＩB ／ＩMRを流すことが出
来る。
【００２８】この時バイアス導体２に流れる兼用の電流
ＩB ／ＩMRによってＭＲ素子３の非線形性は補償され、
ＭＲ素子３に流れる兼用の電流ＩB ／ＩMRによってピッ
クアップされた再生信号電圧は直流阻止コンデンサ６を
介して再生入力端子Ｔ11に供給されてＲ／ＷＩＣ５内の
再生アンプ１３Ａ等で増幅されて出力されることに成
る。
ＩB ／ＩMRによってＭＲ素子３の非線形性は補償され、
ＭＲ素子３に流れる兼用の電流ＩB ／ＩMRによってピッ
クアップされた再生信号電圧は直流阻止コンデンサ６を
介して再生入力端子Ｔ11に供給されてＲ／ＷＩＣ５内の
再生アンプ１３Ａ等で増幅されて出力されることに成
る。
【００２９】上述の構成及び動作に依るとヘッド素子或
いはヘッドスライダ上の端子数はＭＲ素子３とバイアス
導体２の一端の２つの端子Ｔ12及びＴ14と接続部Ｐにつ
ながる端子Ｔ13の３端子と成り、ＭＲヘッド１側の端子
数を１個削減可能と成り、スライダヘッド１９とＲ／Ｗ
回路基板４間の組立が容易と成る。同様にＲ／ＷＩＣ５
のバイアス供給端子Ｔ5 とセンス電流供給端子Ｔ6 とを
兼用してバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ10としたの
で１つの端子が削減出来ることになり、Ｒ／ＷＩＣを小
型化し得る。更にセンス電流＝バイアス電流としたので
従来に比べてＲ／ＷＩＣ５の消費電力は略々１／２とす
ることが可能と成る。
いはヘッドスライダ上の端子数はＭＲ素子３とバイアス
導体２の一端の２つの端子Ｔ12及びＴ14と接続部Ｐにつ
ながる端子Ｔ13の３端子と成り、ＭＲヘッド１側の端子
数を１個削減可能と成り、スライダヘッド１９とＲ／Ｗ
回路基板４間の組立が容易と成る。同様にＲ／ＷＩＣ５
のバイアス供給端子Ｔ5 とセンス電流供給端子Ｔ6 とを
兼用してバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ10としたの
で１つの端子が削減出来ることになり、Ｒ／ＷＩＣを小
型化し得る。更にセンス電流＝バイアス電流としたので
従来に比べてＲ／ＷＩＣ５の消費電力は略々１／２とす
ることが可能と成る。
【００３０】尚、図１の構成で破線に示す様にバイアス
導体２と並列に薄膜抵抗８等を付加する様にし、この抵
抗の抵抗値をけずり取ることで微調整出来る様にして置
けばバイアス及びセンス電流ＩB ／ＩMRをＭＲヘッドの
ロット毎に調整可能と成る。
導体２と並列に薄膜抵抗８等を付加する様にし、この抵
抗の抵抗値をけずり取ることで微調整出来る様にして置
けばバイアス及びセンス電流ＩB ／ＩMRをＭＲヘッドの
ロット毎に調整可能と成る。
【００３１】図２に示すものは本例の他の構成であり、
図１との相異点はＭＲヘッド１のヘッド素子或いはヘッ
ドスライダ１９に付加する再生出力端子Ｔ13を設けず、
リード１０Ａの一端に接続した接続点Ｑからリード１０
Ｂ及び直流素子コンデンサ６を介してＲ／ＷＩＣ５の再
生信号入力端子Ｔ11にＭＲ素子３で検出した再生信号を
供給する様に成したものである。
図１との相異点はＭＲヘッド１のヘッド素子或いはヘッ
ドスライダ１９に付加する再生出力端子Ｔ13を設けず、
リード１０Ａの一端に接続した接続点Ｑからリード１０
Ｂ及び直流素子コンデンサ６を介してＲ／ＷＩＣ５の再
生信号入力端子Ｔ11にＭＲ素子３で検出した再生信号を
供給する様に成したものである。
【００３２】この構成の場合もバイアス及びセンス電流
ＩB ／ＩMRはバイアス導体２とＭＲ素子３の直列回路を
通して同一方向に流れて接地されると共に接続点Ｑから
再生アンプに再生信号を入力出来る。この場合は更にＭ
Ｒヘッド１側で端子Ｔ13を削減出来るのでマルチヘッド
化に際して有利と成る。
ＩB ／ＩMRはバイアス導体２とＭＲ素子３の直列回路を
通して同一方向に流れて接地されると共に接続点Ｑから
再生アンプに再生信号を入力出来る。この場合は更にＭ
Ｒヘッド１側で端子Ｔ13を削減出来るのでマルチヘッド
化に際して有利と成る。
【００３３】図２に示す場合も図１と同様にＭＲヘッド
１側にバイアス導体２と並列に抵抗８を付加することで
バイアス及びセンス電流を微調整可能である。
１側にバイアス導体２と並列に抵抗８を付加することで
バイアス及びセンス電流を微調整可能である。
【００３４】図３は図１の構成の更に他の改良案を示す
ものでバイアス電流を調整するための可変抵抗器７をリ
ード１０Ａの接続点Ｑとコンデンサ６の一端との間にバ
イアス導体２と並列に接続し、この可変抵抗器７はＲ／
Ｗ回路基板４側に設ける様にしてバイアス電流の微調整
を基板側で行なう様にしたものである。
ものでバイアス電流を調整するための可変抵抗器７をリ
ード１０Ａの接続点Ｑとコンデンサ６の一端との間にバ
イアス導体２と並列に接続し、この可変抵抗器７はＲ／
Ｗ回路基板４側に設ける様にしてバイアス電流の微調整
を基板側で行なう様にしたものである。
【００３５】図４はＭＲヘッド１が載置されるヘッドス
ライダ１９上にバイアス調整用抵抗８をバイアス導体２
と並列に接続させたものでＭＲヘッド１の組立後Ｒ／Ｗ
回路基板４に接続された時に最適バイアス電流が流れる
ようにする調整を、ヘッドスライダ１９をサスペンショ
ン１８に接着したり、磁気ディスク装置に組み込む前の
状態で行なうことが可能となる。
ライダ１９上にバイアス調整用抵抗８をバイアス導体２
と並列に接続させたものでＭＲヘッド１の組立後Ｒ／Ｗ
回路基板４に接続された時に最適バイアス電流が流れる
ようにする調整を、ヘッドスライダ１９をサスペンショ
ン１８に接着したり、磁気ディスク装置に組み込む前の
状態で行なうことが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】本発明のＭＲヘッド及びＭＲヘッド用信
号再生装置に依れば、ＭＲ素子とバイアス導体が直列接
続されているのでＭＲヘッド１側ではＭＲ素子とバイア
ス導体の両端の２端子Ｔ12及びＴ14と再生出力端子Ｔ13
の３端子ですみ、多チャンネル化に適し、且つ組み立て
が容易なＭＲヘッドが得られる。又、Ｒ／ＷＩＣ５側で
もバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ10と再生信号入力
端子Ｔ11の２端子だけですむのでＲ／ＷＩＣを小型化出
来るので特にＭＲヘッドを多チャンネル化したときに有
利である。
号再生装置に依れば、ＭＲ素子とバイアス導体が直列接
続されているのでＭＲヘッド１側ではＭＲ素子とバイア
ス導体の両端の２端子Ｔ12及びＴ14と再生出力端子Ｔ13
の３端子ですみ、多チャンネル化に適し、且つ組み立て
が容易なＭＲヘッドが得られる。又、Ｒ／ＷＩＣ５側で
もバイアス及びセンス電流供給端子Ｔ10と再生信号入力
端子Ｔ11の２端子だけですむのでＲ／ＷＩＣを小型化出
来るので特にＭＲヘッドを多チャンネル化したときに有
利である。
【００３７】又、共通のセンス電流＝バイアス電流だけ
がＭＲ素子及びバイアス導体に流れるのでＲ／ＷＩＣの
消費電力を従来の略１／２とすることが出来る。
がＭＲ素子及びバイアス導体に流れるのでＲ／ＷＩＣの
消費電力を従来の略１／２とすることが出来る。
【００３８】更にバイアス導体に並列に抵抗を接続する
ことでＭＲ素子とバイアス導体を直列に接続してもセン
ス電流とは独立にバイアス電流を調整することができ
る。特にＭＲヘッド或いはヘッドスライダ側に抵抗を付
加することで組立後にＲ／ＷＩＣに接続した時点で最適
バイアス電流が流れる様な調整を、組立前にヘッドスラ
イダをスライドさせた動作状態で行えるものが得られ、
より実際にそくしたバイアス電流設定を行なうことが出
来る。
ことでＭＲ素子とバイアス導体を直列に接続してもセン
ス電流とは独立にバイアス電流を調整することができ
る。特にＭＲヘッド或いはヘッドスライダ側に抵抗を付
加することで組立後にＲ／ＷＩＣに接続した時点で最適
バイアス電流が流れる様な調整を、組立前にヘッドスラ
イダをスライドさせた動作状態で行えるものが得られ、
より実際にそくしたバイアス電流設定を行なうことが出
来る。
【００３９】上述の並列抵抗をＲ／ＷＩＣ又はＲ／Ｗ回
路基板側に設ける場合には形状や大きさにとらわれない
可変抵抗器等が選択可能と成り、最適バイアスを選択し
得る。
路基板側に設ける場合には形状や大きさにとらわれない
可変抵抗器等が選択可能と成り、最適バイアスを選択し
得る。
【図１】本発明のＭＲヘッドの電流供給方法説明図であ
る。
る。
【図２】本発明のＭＲヘッドの他の電流供給方法の説明
図である。
図である。
【図３】本発明のＭＲヘッドの更に他の電流供給方法の
説明図（Ｉ）である。
説明図（Ｉ）である。
【図４】本発明のＭＲヘッドの更に他の電流供給方法の
説明図（II）である。
説明図（II）である。
【図５】従来のシールド型ＭＲヘッドの構成図である。
【図６】従来のヨーク型ＭＲヘッドの構成図である。
【図７】従来のＭＲヘッド用信号再生装置の回路図であ
る。
る。
【図８】従来の磁気ディスク装置の構成図である。
【図９】従来のＭＲヘッドの電流供給方法の説明図であ
る。
る。
１ ＭＲヘッド ２ バイアス導体（バイアス磁界発生用通電導体） ３ ＭＲ素子 ４ Ｒ／Ｗ回路基板 ５ Ｒ／ＷＩＣ ６ 直流阻止コンデンサ ７，８ 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 早田 裕 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 関谷 哲夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子と該素子にバイアス磁
界を与えるバイアス磁界発生用通電導体とを有する電流
バイアス型の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生用通電導体と
を直列に接続するとともに、上記磁気抵抗効果素子に供
給するセンス電流と上記バイアス磁界発生用通電導体に
供給するバイアス電流とを入力する共通の入力端子と、
上記磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生用通電導体と
の接続部分から引き出される再生信号を出力する出力端
子とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子と該素子にバイアス磁
界を与えるバイアス磁界発生用通電導体とを有する電流
バイアス型の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 上記磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生用通電導体と
を直列に接続するとともに、上記磁気抵抗効果素子に供
給するセンス電流と上記バイアス磁界発生用通電導体に
供給するバイアス電流とを入力するとともに再生信号を
出力する共通の入力端子を備えたことを特徴とする磁気
抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記バイアス磁界発生用通電導体と並列
にバイアス電流調整用の抵抗を接続したことを特徴とす
る請求項１及び請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果素子と該素子にバイアス磁
界を与えるバイアス磁界発生用通電導体とを有する電流
バイアス型の磁気抵抗効果型ヘッドからの信号を再生す
る磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置において、 上記磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生用通電導体と
を直列に接続するとともに、上記磁気抵抗効果素子に供
給するセンス電流と上記バイアス磁界発生用通電導体に
供給するバイアス電流とを入力する共通の入力端子と、
上記磁気抵抗効果素子とバイアス磁界発生用通電導体と
の接続部から引き出される再生信号を出力する出力端子
とを上記ヘッドに備え、かつ上記バイアス磁界発生用通
電導体と並列にバイアス電流調整用の抵抗を接続したこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27180992A JPH06124420A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27180992A JPH06124420A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124420A true JPH06124420A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17505155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27180992A Pending JPH06124420A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気抵抗効果型ヘッド用信号再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27180992A patent/JPH06124420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725388A2 (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-07 | Sony Corporation | Magneto-resistance effect type magnetic head operable at optimum biasing point |
| EP0725388A3 (en) * | 1995-01-31 | 1996-12-27 | Sony Corp | Magnetoresistance effect head, operational with optimal bias point |
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