JPH07176002A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】複合ヘッドユニットの引き出し端子数を削減で
きる磁気ディスク装置を提供する。 【構成】誘導型ヘッド記録ヘッド１０１と、磁気抵抗効
果型再生ヘッド１０２からなる複合ヘッドユニット１０
０を用いて記録および再生を行う磁気ディスク装置であ
って、複合ヘッドユニット１００は記録ヘッド１０１と
再生ヘッド１０２が直列接続され、３つの引き出し端子
１１１〜１１３を有する。複合ヘッドユニット１００に
接続される駆動回路２００は、記録時には記録回路２０
１を記録ヘッド１０１に接続すると共に再生回路を複合
ヘッドユニット１００および記録回路２０１から電気的
に切り離し、再生時には再生回路を再生ヘッド１０２に
接続すると共に記録回路２０１を複合ヘッドユニット１
００および再生回路から電気的に切り離すためのスイッ
チＳ１〜Ｓ４を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置に関
し、特に磁気抵抗型再生ヘッドと誘導型記録ヘッドを組
み合わせた複合ヘッドユニットを用いる磁気ディスク装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディスク状磁気記録媒体に情報を記録
し、記録した情報を再生する磁気ディスク装置において
は、高記録密度化に伴い、再生ヘッドとして再生感度に
優れた磁気抵抗型ヘッド（以下ＭＲヘッドという）が用
いられるようになってきている。ＭＲ型再生ヘッドは、
外部磁界強度に応じて電気的な抵抗値が変化するＭＲ素
子を利用したヘッドである。このＭＲヘッドは、その原
理上、再生のみに使用されるものであるため、一般に誘
導型ヘッドからなる記録ヘッドと組み合わせた複合ヘッ
ドユニットの形で使用される。

【０００３】このような複合ヘッドユニットは、その引
き出し端子の数が一つの誘導型ヘッドを記録と再生に兼
用した場合より多くなる。例えば、ＳＡＬ(soft adjace
nt layer) バイアス方式のＭＲ型再生ヘッドを有する複
合ヘッドユニットは、記録ヘッドからの２個の引き出し
端子と再生ヘッドからの２個の引き出し端子、の計４個
の引き出し端子を有する。各引き出し端子にはリード線
の一端がそれぞれ接続され、それらのリード線の他端は
磁気ディスク装置のケース内部に設けられた基板に接続
される。リード線と基板との接続には通常、半田付けが
用いられる。

【０００４】パーソナルコンピュータに内蔵されるよう
な小型のハードディスク装置では、基板上の半田付けス
ペースが狭いため、ヘッドの引き出し端子数、すなわち
半田付けの接続点数、が増加することは、深刻な問題と
なる。さらに、ヘッドを搭載するヘッドスライダも微小
化の傾向にあるため、引き出し端子数が多くなることは
ヘッドスライダへのリード線の取り付けも困難とする。

【０００５】一方、複合ヘッドユニットのための駆動回
路はＩＣ（ドライバＩＣ）によって実現される。ドライ
バＩＣは、記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路
と、ＭＲ型再生ヘッドにセンス電流を供給して再生信号
を得る再生回路を主たる構成要素としている。このドラ
イバＩＣと複合ヘッドユニットとの接続においては、記
録系と再生系が完全に分離して結線されるため、再生ヘ
ッドにＳＡＬバイアス方式のＭＲヘッドを用いた場合、
１個の複合ヘッドユニット当たりの引き出し端子数は４
個となる。

【０００６】近年、小型の磁気ディスク装置にも大容量
が要求されるようになっており、それに伴い一台の磁気
ディスク装置に搭載するヘッドの数は増加する傾向にあ
る。例えば、既存の２．５インチハードディスク装置で
は、記録再生兼用ヘッドとして最大８個の誘導型ヘッド
が搭載されている。この場合、ヘッドの引き出し端子数
は１６個である。この記録再生兼用ヘッドを前述の複合
ヘッドユニットに置き換えると、ＳＡＬバイアス方式の
ＭＲヘッドを用いた場合、ヘッドと駆動回路との引き出
し端子数は３２個にも達する。また、ＭＲヘッドの近傍
に配置されたバイアス用導体にバイアス電流を流してＭ
ＲヘッドのＭＲ素子にバイアス磁界を印加する方式を用
いた複合ヘッドユニットでは、バイアス用導体のための
引き出し端子がさらに必要となるため、引き出し端子数
はさらに増加する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このようにヘッドの引
き出し端子数が増えると、特に小型の磁気ディスク装置
では、前述のように半田付けスペースや、ヘッドスライ
ダへのリード線の取り付けスペースの制約から、ヘッド
の実装が困難となり、かつ製造歩留まりが低下するた
め、この引き出し端子数を削減することが大きな課題と
なる。

【０００８】本発明の第１の目的は、複合ヘッドユニッ
トの引き出し端子数を削減できる磁気ディスク装置を提
供することにある。本発明の第２の目的は、高Ｓ／Ｎの
再生回路を有する磁気ディスク装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
る本発明の磁気ディスク装置は、第１の端子、第２の端
子および少なくとも一つの第３の端子と、前記第１の端
子と第２の端子との間に直列接続された誘導型記録ヘッ
ドと少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘッド、および前
記第３の端子に接続された少なくとも一つの共通接続ノ
ードを有する複合ヘッドユニットとを具備することを特
徴とする。

【００１０】この場合、上記複合ヘッドユニットを駆動
する駆動回路は、前記記録ヘッドに記録電流を供給する
記録回路と、前記再生ヘッドにセンス電流を供給するこ
とによって再生信号を得る再生回路と、記録時には前記
記録回路を前記記録ヘッドに接続すると共に前記再生回
路を前記複合ヘッドユニットおよび前記記録回路から電
気的に切り離し、再生時には前記再生回路を前記再生ヘ
ッドに接続すると共に前記記録回路を前記複合ヘッドユ
ニットおよび前記再生回路から電気的に切り離すための
スイッチ手段とを具備することを特徴とする。

【００１１】上記第１の目的を達成する本発明の他の磁
気ディスク装置は、第１の端子、第２の端子および少な
くとも一つの第３の端子と、前記第１の端子と第２の端
子との間に直列接続された誘導型記録ヘッドと、少なく
とも一つの磁気抵抗型再生ヘッドと、前記記録ヘッドと
前記再生ヘッドとの間に接続され、該再生ヘッドにバイ
アス磁界を印加するためのバイアス用導体と、このバイ
アス用導体と前記記録ヘッドとを接続する第１の共通接
続ノードおよび前記バイアス用導体と前記再生ヘッドと
を接続する第２の共通接続ノードを有し、前記第１の共
通接続ノードが前記第３の端子の一つに接続され、前記
第２の共通接続ノードが前記第３の端子の他の一つに接
続されおよび前記第３の端子に接続された少なくとも一
つの共通接続ノードを有する複合ヘッドユニットとを具
備することを特徴とする。

【００１２】この場合、上記複合ヘッドユニットを駆動
する駆動回路は、前記記録ヘッドに記録電流を供給する
記録回路と、前記再生ヘッドにセンス電流を供給するこ
とによって再生信号を得る再生回路と、前記バイアス用
導体にバイアス電流を供給するバイアス電流源と、記録
時には前記記録回路を前記記録ヘッドに接続すると共に
前記再生回路および前記バイアス電流源を前記複合ヘッ
ドユニットおよび前記記録回路から電気的に切り離し、
再生時には前記再生回路および前記バイアス電流源をそ
れぞれ前記再生ヘッドおよび前記バイアス用導体に接続
すると共に、前記記録回路を前記複合ヘッドユニットと
前記再生回路および前記バイアス電流源から電気的に切
り離すためのスイッチ手段とを具備することを特徴とす
る。

【００１３】上記第２の目的を達成する本発明の磁気デ
ィスク装置は、誘導型記録ヘッドと少なくとも一つの磁
気抵抗型再生ヘッドを有する複合ヘッドユニットと、前
記記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路と、前記再
生ヘッドにセンス電流を供給することによって再生信号
を得る再生回路と、記録時には前記記録回路を前記記録
ヘッドに接続すると共に前記再生回路を前記複合ヘッド
ユニットおよび前記記録回路から電気的に切り離し、再
生時には前記再生回路を前記再生ヘッドに接続すると共
に前記記録回路を前記複合ヘッドユニットおよび前記再
生回路から電気的に切り離すためのスイッチ手段とを具
備し、前記再生回路は、前記再生ヘッドの一端にエミッ
タが接続されたトランジスタと、このトランジスタのコ
レクタと電源端との間に挿入接続された負荷抵抗と、こ
の負荷抵抗に並列に接続された定電流源とを含むことを
特徴とする。

【００１４】また、本発明によれば誘導型記録ヘッドと
少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘッドを有する複合ヘ
ッドユニットと、前記記録ヘッドに記録電流を供給する
記録回路と、前記再生ヘッドにセンス電流を供給するこ
とによって再生信号を得る再生回路と、記録時には前記
記録回路を前記記録ヘッドに接続すると共に前記再生回
路を前記複合ヘッドユニットおよび前記記録回路から電
気的に切り離し、再生時には前記再生回路を前記再生ヘ
ッドに接続すると共に前記記録回路を前記複合ヘッドユ
ニットおよび前記再生回路から電気的に切り離すための
スイッチ手段とを具備する磁気ディスク装置が提供され
る。

【００１５】さらに、本発明によれば誘導型記録ヘッド
と少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘッドを有する複合
ヘッドユニットを駆動するための集積回路装置におい
て、前記記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路と、
前記再生ヘッドにセンス電流を供給することによって再
生信号を得る再生回路と、記録時には前記記録回路を前
記記録ヘッドに接続すると共に前記再生回路を前記複合
ヘッドユニットおよび前記記録回路から電気的に切り離
し、再生時には前記再生回路を前記再生ヘッドに接続す
ると共に前記記録回路を前記複合ヘッドユニットおよび
前記再生回路から電気的に切り離すためのスイッチ手段
を具備する集積回路装置が提供される。

【００１６】

【作用】このように構成された本発明の磁気ディスク装
置では、記録ヘッドと再生ヘッドを直列接続し、その共
通接続ノードを含む複数の端子を引き出したことによ
り、共通接続ノードから引き出される端子については記
録と再生に共用できるため、複合ヘッドユニット全体の
引き出し端子数が削減される。具体的には、例えば再生
ヘッドが一つの場合、複合ヘッドユニットの引き出し端
子数は最小限で３個となり、従来の４個に比較して１個
削減される。また、再生ヘッドが一つでバイアス用導体
を備えている複合ヘッドユニットでは、引き出し端子数
は３個ないし４個となり、従来の６個に比較して削減さ
れる。さらに、再生ヘッドが２つの場合の引き出し端子
数は４個となり、従来の５個に比較して削減される。

【００１７】また、本発明のように複合ヘッドユニット
を構成すると、記録ヘッドと再生ヘッドさらにはバイア
ス用導体が一部で共通接続されるため、記録時には再生
ヘッドや再生回路さらにはバイアス電流源が記録回路に
対して与える影響、また再生時には記録ヘッドや記録回
路が再生回路に対して与える影響を考慮する必要がある
が、これらの影響は前述のスイッチ手段を備えることに
より回避される。

【００１８】さらに、本発明によると再生回路において
再生ヘッドの一端にエミッタが接続されたトランジスタ
と、このトランジスタのコレクタと電源端との間に挿入
接続された負荷抵抗によってベース接地増幅器が構成す
るとともに、この負荷抵抗に並列に定電流源を接続する
ことにより、磁気抵抗型再生ヘッドに供給されるセンス
電流の一部が該定電流源によって供給されるので、負荷
抵抗を流れる電流の直流成分を小さくできる。従って、
負荷抵抗の抵抗値を大きくしても負荷抵抗での定電圧効
果を小さく抑え、もってベース接地増幅器を正しく動作
させることができる。一方、磁気抵抗型再生ヘッドの抵
抗値変化によの変化する電流成分は、全て負荷抵抗器を
流れるので、負荷抵抗の抵抗値を大きくした分だけベー
ス接地増幅器の利得を挙げることができ、結果として再
生回路のＳ／Ｎを高くすることが可能となる。

【００１９】

【実施例】図１〜図３を参照して、本発明の一実施例に
係る磁気ディスク装置全体の概略構成を説明する。複数
枚、この例では２枚用意された磁気ディスク１１は、一
般にハードディスクと称されるリジッドなディスク状磁
気記録媒体であり、スピンドルモータ１２上に所定の間
隔で装着され、所定速度で回転される。複数個、この例
では４個の磁気ヘッド１３は、各磁気ディスク１１の両
面に対向するように薄板状のサスペンション１４の先端
に支持されている。磁気ヘッド１３は、記録／再生時に
は磁気ディスク１１の表面から僅かに浮上する。サスペ
ンション１４の基端はアーム１５の先端に固定されてい
る。各々のアーム１５の基端は一体化されて共通のピボ
ット１６に固定されている。ピボット１６は図示しない
ボールベアリングによって回転可能に支持されている。
アーム１５の一体化された基端部に固定された図示しな
いコイルと、このコイルと相互作用する図示しないマグ
ネットおよびヨークからなる磁気回路とによってボイス
コイルモータ１７が構成され、このモータ１７によって
ピボット１６は回転される。このピボット１６の回転に
よって、アーム１５およびサスペンション１４は磁気デ
ィスク１１の表面上を揺動する。この揺動によって、磁
気ヘッド１３は磁気ディスク１１上の所望のトラックに
アクセスできる。

【００２０】磁気ヘッド１３は後述するように３端子構
成の複合ヘッドユニットであり、これらの端子に各々リ
ード線１８の一端が接続されている。リード線１８はサ
スペンション１４およびアーム１５に沿って配置され、
その各他端はフレキシブルケーブル１９の一端に配置さ
れたランド２０に半田付けによって接続固定されてい
る。フレキシブルテーブル１９の他端は、駆動ＩＣ２１
に接続される。駆動ＩＣ２１の内部構成については、後
述する。

【００２１】以上の各構成要素は、ケース２２内に配置
され、さらに薄板状のカバー２３によって上側から覆わ
れている。図４に、磁気ヘッド１３として用いられる複
合ヘッドユニットの一つの構成を示す。この複合ヘッド
ユニットは、誘導型記録ヘッドとＭＲ再生ヘッドとを一
体的に組み合わせて構成される。図４においては、磁気
ディスク１１上の記録トラックおよび該トラック内の記
録磁化パターンが二点鎖線で仮想的に示されている。
Ｎ，Ｓは記録磁化パターンの極性を表わしている。誘導
型記録ヘッドは、先端部に記録用ギャップ３３を有する
磁気コア３０と、このコア３０の一方の磁極３１に巻か
れた記録コイル３４からなる。記録用ギャップ３３の記
録トラック長手方向（矢印Ｙで示す）における長さ（ギ
ャップ長）は、例えば０．３乃至０．６μｍ程度であ
る。一方、ＭＲ型再生ヘッドは、磁気コア３０の他方の
磁極３２とこれに対向して記録トラック長手方向に例え
ば０．３μｍ程度の距離離れて設けられたシールド導体
３５と、磁極３２とシールド導体３５との間のギャップ
に配置された膜状のＭＲ素子３６およびＭＲ素子３６の
記録トラック幅方向（矢印Ｘで示す）両端に接続された
リード導体３７，３８からなる。

【００２２】誘導型記録ヘッドの記録コイル３４の両端
から引き出されたリード線４１，４２は、端子１１１，
１１３にそれぞれ接続される。ＭＲ型再生ヘッドのリー
ド導体３７，３８から引き出されたリード線４３，４４
は端子１１２，１１３にそれぞれ接続される。すなわ
ち、リード線４２とリード線４４は端子１１３に共通接
続される。

【００２３】端子１１１，１１３を通じて記録電流を流
すと、記録用ギャップ３３からの漏洩磁束によって磁気
ディスク１１上に記録磁化パターンが形成されて、情報
が記録される。ＭＲ素子３６は、磁気ディスク１１上の
記録磁化パターンによる磁界が作用すると、抵抗値が変
化する。このとき、端子１１２，１１３を通じてＭＲ素
子３６にセンス電流を流すと、この抵抗値変化が電流の
変化として端子１１２，１１３から取り出される。従っ
て、この電流変化を検出することによって、再生を行う
ことができる。

【００２４】図５は、本実施例における磁気ヘッド１３
として用いられる複合ヘッドユニット１００とこれを駆
動する駆動回路２００を示す等価回路図である。複合ヘ
ッドユニット１００は、上述したように誘導型記録ヘッ
ド１０１と、ＭＲ型再生ヘッド１０２を有し、これらは
第１の端子１１１と第２の端子１１２との間に直列接続
されている。記録ヘッド１０１の一端から第１の端子１
１１が引き出され、記録ヘッド１０１の他端と再生ヘッ
ド１０２の一端とを共通接続する共通接続ノードＮ１か
ら第３の端子１１３が引き出され、さらに再生ヘッド１
０２の他端から端子１１２が引き出されている。このよ
うに、複合ヘッドユニット１００は３端子構成となって
いる。

【００２５】駆動回路２００は複合磁気ヘッド１００か
ら引き出された端子１１１〜１１３に接続される。この
駆動回路２００は、前述したようにＩＣ（ドライバＩＣ
２１）として構成され、記録ヘッド１０１に記録電流を
供給するための記録回路２０１と、再生ヘッド１０２に
センス電流を供給し、再生信号を得る再生回路２０２を
主体として構成されている。記録回路２０１の入力端子
は外部回路に接続されている信号入力端子２１１に接続
される。記録回路２０１の二つの出力端子は、記録ヘッ
ド１０１の両端から引き出されている端子１１１，１１
３にスイッチＳ１，Ｓ２をそれぞれ介して接続される。
端子１１１と端子１１３との間には、記録ヘッド１０１
に流す記録電流の波形を制御するためのダンピング抵抗
Ｒｄが接続される。スイッチＳ１，Ｓ２は、記録時には
オン状態となって記録ヘッド１０１に記録電流を伝達
し、再生時にはオフ状態となって記録回路１０１を複合
ヘッドユニット１００から電気的に切り離す。

【００２６】一方、再生回路はトランジスタＱ１、電圧
源Ｅ１、バイアス抵抗Ｒｅ１および増幅器２０２を主体
として構成される。増幅器２０２の入力端子は、トラン
ジスタＱ１のコレクタに接続され、トランジスタＱ１の
エミッタは端子１１３に接続され、トランジスタＱ１の
ベースはスイッチＳ４を介して電圧源Ｅ１に接続され
る。トランジスタＱ１のベースは、さらにバイアス抵抗
Ｒｅ１を介して接地されている。端子１１２にはスイッ
チＳ３の一端が接続され、スイッチＳ３の他端は接地さ
れている。トランジスタＱ１はベース接地増幅器として
働き、再生時に再生ヘッドＭＲ１に対して定電圧を印加
してセンス電流を供給し、磁気ディスク上の記録磁化に
よる再生ヘッド１０２の抵抗値変化を電流の変化として
取り出す。この電流の変化は増幅器２０２で増幅され、
外部回路に接続されている信号出力端子２１２へ再生出
力として取り出される。

【００２７】スイッチＳ４は、記録時にはオフ状態とな
ってトランジスタＱ１を非能動状態とし、再生時にはオ
ン状態となってトランジスタＱ１を能動状態とする。ス
イッチＳ３は記録時にはオフ状態となって再生ヘッド１
０２へのセンス電流および再生ヘッド１０２からの再生
信号のパスを遮断し、再生時にはオン状態となって該パ
スを形成する。このように、スイッチＳ３，Ｓ４および
トランジスタＱ１は記録時にはオフ状態となってトラン
ジスタＱ１および増幅器４を含む再生回路を複合ヘッド
ユニット１から電気的に切り離す。

【００２８】次に、本実施例の動作を説明する。 ＜記録時＞一般に、磁気ディスク装置は記録動作と再生
動作を同時に行うことはない。従って記録時に記録ヘッ
ド１０１に記録電流を供給している間は、再生ヘッド１
０２にセンス電流を供給する必要はない。そこで、記録
時には記録回路２０１からの記録電流を記録ヘッド１０
１に供給するために、スイッチＳ１，Ｓ２をオン状態と
し、スイッチＳ３，Ｓ４はオフ状態にする。スイッチＳ
３をオフ状態とすることによって、再生ヘッド１０２は
駆動回路２０１から切り離される。また、スイッチＳ４
をオフ状態にすることによって、トランジスタＱ１はベ
ース・エミッタ間に逆バイアスが印加されることによっ
て非能動状態となる。すなわち、記録回路２０１は従来
の場合と同様に、記録ヘッド１０１とダンピング用抵抗
Ｒｄのみが接続されているように振る舞い、再生ヘッド
１０２や再生回路の影響を何ら受けない。

【００２９】＜再生時＞再生時には、記録回路２０１を
複合ヘッドユニット１００と再生回路から電気的に切り
離すためにスイッチＳ１，Ｓ２がオフ状態とされる。一
方、スイッチＳ３，Ｓ４はオン状態とされる。これによ
り、再生ヘッド１０２は端子１１２に接続されている一
端が接地され、端子１１３に接続されている他端にトラ
ンジスタＱ１によって直流電圧が印加されるため、再生
ヘッド１０２にはセンス電流が流れる。

【００３０】再生ヘッド１０２は、ＭＲ素子に磁気ディ
スク上の記録磁化による磁界を受けることにより抵抗値
が変化し、その抵抗値変化に応じてトランジスタＱ１の
コレクタ電流が変化する。すなわち、磁気ディスクに記
録されている情報がトランジスタＱ１のコレクタ電流の
変化として検出される。このトランジスタＱ１のコレク
タ電流の変化が増幅器２０２で増幅され、信号出力端子
２１２から再生出力として取り出される。

【００３１】一方、このとき誘導型記録ヘッド１０１は
磁気ディスク上の記録磁化による誘導起電力を発生し、
もって、その両端に電圧を発生する。しかし、ベース接
地増幅器を形成しているトランジスタＱ１をエミッタ側
から見たインピーダンスが非常に低いため、記録ヘッド
１０１に発生する誘導起電力による電圧はトランジスタ
Ｑ１で遮断され、増幅器２０２には伝わらない。

【００３２】このように複合ヘッドユニット１００を３
端子構成として、引き出し端子数を従来より削減しなが
らも、記録ヘッドと再生ヘッドを完全に分離させた場合
と同様に、記録系と再生系の相互影響のない、安定した
記録・再生動作を実現することができる。

【００３３】図６に、図５における駆動回路２００の再
生系の回路をより具体化して示す。ＮＰＮトランジスタ
３０１は、図５中に示されたスイッチＳ３に対応し、そ
のコレクタは端子１１２に接続され、エミッタは接地端
ＧＮＤに接続され、ベースは抵抗３０２を介して接地端
ＧＮＤに接続されると共にコントロール端子３０３に接
続される。ＮＰＮトランジスタ３０４は、図５中に示さ
れたスイッチＳ４に対応し、そのエミッタは接地端ＧＮ
Ｄに接続され、ベースはインバータ回路３０５を介して
コントロール端子３０３に接続され、コレクタはＮＰＮ
トランジスタ３０６にベースに接続される。トランジス
タ３０６は図５中に示されたトランジスタＱ１に対応
し、ベース接地増幅器を構成する。このトランジスタ３
０６のエミッタは端子１１３に接続される。

【００３４】差動増幅器３０７は、図５中に示された増
幅器２０２に対応し、その第１、第２入力端子ＩＮ１，
ＩＮ２は、抵抗３０８と負荷抵抗３０９のそれぞれの一
端に接続される。負荷抵抗３０９の抵抗値をＲ_L とすれ
ば、抵抗３０８の抵抗値はｎＲ_L （ｎ＞１）に選定され
る。すなわち、抵抗３０８と３０９の抵抗値比はｎ：１
である。第２入力端子ＩＮ２はトランジスタ３０６のコ
レクタにも接続される。抵抗３０８，３０９の他端は電
源端Ｖｃｃに接続される。差動増幅器３０７の２個の差
動出力端子は、図５中に示された信号出力端子２１２に
対応する信号出力端子３１１，３１２にそれぞれ接続さ
れる。

【００３５】差動増幅器３０７の入力端子ＩＮ１，ＩＮ
２には、さらに電位制御回路３１３の第１、第２入力端
子Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ接続される。この電位制御回路
３１３の出力端子Ｐ３はトランジスタ３０６のベースに
接続される。ドライバＩＣに対する外付け素子として設
けられた抵抗３１４の一端は電源端Ｖｃｃに接続され、
他端はＮＰＮトランジスタ３１５のエミッタに接続され
る。トランジスタ３１５は電流源として用いられ、その
ベースには基準電圧発生器３１６からの基準電圧Ｖｒｅ
ｆが与えられる。トランジスタ３１５のコレクタには、
この基準電圧Ｖｒｅｆと抵抗３１４の抵抗値Ｒｏとで決
定される電流値（＝Ｖｒｅｆ／Ｒｏ）の基準電流が流れ
る。トランジスタ３１５のコレクタは、ダイオード接続
された（つまりコレクタとベースとが結合された）ＮＰ
Ｎトランジスタ３１７の結合されたコレクタに接続され
る。トランジスタ３１７は、ＮＰＮトランジスタ３１８
と共に第１のカレントミラー回路を形成し、トランジス
タ３１７のベースは、トランジスタ３１８のベースと接
続される。トランジスタ３１８のコレクタは差動増幅器
３０７の第１入力端子ＩＮ１に接続される。トランジス
タ３１７，３１８のエミッタは、抵抗３１９，３２０を
それぞれ介して接地端ＧＮＤに接続される。トランジス
タ３１７と３１８はエミッタ面積が異なっており、その
エミッタ面積比は１：ｍ（ｍ＞１）である。抵抗３１
９，３２０の抵抗値比はｍ：１である。

【００３６】電位制御回路３１３，抵抗３１４、トラン
ジスタ３１５、基準電圧発生器３１６、トランジスタ３
１７，３１８および抵抗３１９，３２０は、図５中に示
された電圧源Ｅ１を構成している。電位制御回路３１３
の出力端子Ｐ３は、電圧源Ｅ１の出力端に相当する。

【００３７】図６の構成によると、図５中のスイッチＳ
３に対応するトランジスタ３０１のベースにはコントロ
ール端子３０３を介してコントロール信号ＣＳが与えら
れ、図５中のスイッチＳ４に対応するトランジスタ３０
４のベースにはコントロール信号ＣＳがインバータ回路
３０５を介して与えられる。コントロール信号ＣＳは、
記録時にはローレベル、再生時にはハイレベルに設定さ
れる。これによって、トランジスタ３０１は記録時にオ
フ状態、再生時にオン状態とされ、またトランジスタ３
０４は逆に記録時にオン状態、再生時にオフ状態とされ
る。なお、図６においては、図５中に示した電圧源Ｅ１
の出力端に相当する、電位制御回路３１３の出力端子Ｐ
３は、スイッチＳ４に相当する素子を介さずに直接トラ
ンジスタ３０６のベースに接続され、かつスイッチＳ４
に相当するトランジスタ３０４のコレクタに接続されて
いる。しかし、トランジスタ３０４のオン・オフ動作を
図５のスイッチＳ４と逆にし、上述のようにスイッチＳ
３に相当するトランジスタ３０１と相補的に動作させる
ことによって、図５と同じ動作が得られる。

【００３８】電位制御回路３１３は、差動増幅器３０７
の入力端子ＩＮ１，ＩＮ２の直流電位が等しくなるよう
に、すなわち増幅器３０７の出力に現れる直流オフセッ
ト電圧が零となるように、トランジスタ３０６のベース
電位を制御する。この制御により、抵抗３０８と３０９
のそれぞれの電圧降下は等しくなる。このため、負荷抵
抗３０９を流れる電流の値は、抵抗３０８を流れる電流
によって決定される。抵抗３０８には、前記カレントミ
ラー回路によって与えられる一定の電流が流れる。この
カレントミラー回路の入力端、すなわちダイオード接続
されたトランジスタ３１７のコレクタには、トランジス
タ３１５のコレクタから基準電圧発生器３１６からの基
準電圧Ｖｒｅｆと抵抗３１４の抵抗値で決まる一定の直
流電流が供給される。このカレントミラー回路の出力
端、すなわちトランジスタ３１８のコレクタは差動増幅
器３０７の第１入力端子ＩＮ１と抵抗３０８との接続ノ
ードに接続されている。

【００３９】再生時には、トランジスタ３０６のコレク
タからＭＲ型再生ヘッド１０２にセンス電流が供給され
る。このとき、負荷抵抗３０９はＭＲ型再生ヘッド１０
２の抵抗値変化に応じたトランジスタ３０６のコレクタ
電流の変化を電圧変化に変換する。この電圧変化が差動
増幅器３０７により増幅され、出力端子３１１，３１２
から再生信号出力として取り出される。この負荷抵抗３
０９を流れるセンス電流の値は、例えば数ｍＡ〜十数ｍ
Ａ程度と比較的大きい。抵抗３０８にもセンス電流と同
じ大きさの電流を流すことは、ドライバＩＣの消費電流
を増大させてしまい、好ましくない。本実施例による
と、前述のように抵抗３０８の抵抗値を負荷抵抗３０９
のそれのｎ倍に設定しているため、抵抗３０８を流れる
電流は負荷抵抗３０９のそれの１／ｎとなり、ドライバ
ＩＣの消費電流が低減される。しかも、前記カレントミ
ラー回路を形成するトランジスタ３１７と３１８のエミ
ッタ面積比と、抵抗３１９，３１９の抵抗値比がいずれ
も１：ｍに定められていることにより、センス電流は抵
抗３１４の抵抗値と前記基準電圧Ｖｒｅｆで決まるトラ
ンジスタ３１５のコレクタ電流のｍ・ｎ倍に正確に規定
される。

【００４０】図７には、電位制御回路３１３の具体的な
構成が示されている。図７において、ＮＰＮトランジス
タ４０１，４０２のベースは電位制御回路３１３の入力
端子Ｐ１，Ｐ２にそれぞれ接続され、コレクタは電源端
Ｖｃｃに接続される。トランジスタ４０１，４０２のエ
ミッタは、抵抗４０３，４０４をそれぞれ介してＰＮＰ
トランジスタ４０５，４０６のエミッタに接続される。
トランジスタ４０５，４０６のコレクタはＮＰＮトラン
ジスタ４０７，４０８のコレクタに接続される。トラン
ジスタ４０７，４０８はカレントミラー回路を形成して
おり、トランジスタ４０７はダイオード接続され、その
ベースはトランジスタ４０８のベースに接続される。ト
ランジスタ４０７，４０８のエミッタは、抵抗４０９，
４１０をそれぞれ介して接地端ＧＮＤに接続される。ト
ランジスタ４０６のコレクタとトランジスタ４０８のコ
レクタとを接続する共通接続ノードは、電位制御回路３
１３の出力端子Ｐ３に接続されると共に、キャパシタ４
１１を介して接地端ＧＮＤに接続される。

【００４１】一方、電源端と接地端ＧＮＤとの間に、ダ
イオード接続されたトランジスタ４１２および４１３と
抵抗４１４および定電流源４１５が直列に接続されてい
る。抵抗４１４と定電流源４１５とを接続する共通接続
ノードに、トランジスタ４０５，４０６のベースが共通
接続される。トランジスタ４１２，４１３は、トランジ
スタ４０１，４０２，４０５および４０６の温度補償用
であり、抵抗４１４はトランジスタ４０５，４０６のベ
ースの直流電位を所定値に規定するためのレベルシフト
を行う。なお、抵抗４０３と４０４の抵抗値は等しく、
また抵抗４０９と４１０の抵抗値も等しいとする。

【００４２】電位制御回路３１３の入力端子Ｐ１，Ｐ２
の電位に差が生じると、この電位差によってトランジス
タ４０１，４０２から抵抗４０３，４０４をそれぞれ介
してトランジスタ４０５，４０６のエミッタに流入する
電流に差が生じる。トランジスタ４０５，４０６のコレ
クタは、トランジスタ４０７，４０８のコレクタに接続
されている。トランジスタ４０７，４０８はカレントミ
ラー回路を構成しているため、それらのコレクタには等
しい電流が流れる。従って、トランジスタ４０６のコレ
クタに接続されたキャパシタ４１１において、トランジ
スタ４０５，４０６のコレクタ電流差に応じた充放電が
行われ、それに応じてキャパシタ４１１の電位が変化す
る。

【００４３】入力端子Ｐ１の電位（図６中の差動増幅器
３０７の第１入力端子ＩＮ１の電位）が入力端子Ｐ２の
電位（差動増幅器３０７の第２入力端子ＩＮ２の電位）
より高い場合は、トランジスタ４０６のコレクタ電流が
トランジスタ４０５のコレクタ電流より小さくなるた
め、キャパシタ４１１は放電され、出力端子Ｐ３の電位
は下がる。この結果、図６中のトランジスタ３０６のコ
レクタ電流が減少することにより、入力端子ＩＮ２の電
位が上昇し、入力端子ＩＮ１の電位に近付く。逆に、入
力端子Ｐ１の電位が入力端子Ｐ２の電位より低い場合
は、トランジスタ４０６のコレクタ電流がトランジスタ
４０５のコレクタ電流より大きくなるため、キャパシタ
４１１は充電され、出力端子Ｐ３の電位は上がる。この
結果、トランジスタ３０６のコレクタ電流が増加するこ
とにより、入力端子ＩＮ２の電位は下がり、入力端子Ｉ
Ｎ１の電位に近付く。このようにして、電位制御回路３
１３は差動増幅器３１３の二つの入力端子ＩＮ１，ＩＮ
２の電位を等しくするように動作する。

【００４４】図８に、駆動回路２００の改良された構成
を示す。図８では、負荷抵抗３０９に並列に接続された
定電流源５００が追加されていることが図６と異なる。
定電流源５００からの出力電流の値は、第１のカレント
ミラー回路を形成するトランジスタ３１７，３１８のベ
ース電位によって設定され、ＭＲ型再生ヘッド１０２に
流すセンス電流の電流値に応じた値に規定される。この
定電流源５００を配置したことによるメリットは、次の
通りである。

【００４５】ベース接地増幅器を構成するトランジスタ
３０６は、そのエミッタを流れるセンス電流の変化を、
そのコレクタに接続された負荷抵抗３０９の電圧降下の
変化として取り出す。この電圧降下の変化が差動増幅器
３０７を介して再生信号出力として取り出される。従っ
て、負荷抵抗３０９の抵抗値が大きいほどレベルの大き
な再生信号出力が得られる。ところが、トランジスタ３
０６をベース接地増幅器として動作させるためには、負
荷抵抗３０９での電圧降下を一定値以上にはできない。
負荷抵抗３０９を流れる直流電流は、ＭＲ型再生ヘッド
１０２に流すセンス電流に等しい。このため、この電圧
降下を一定値以下に抑えるためには、負荷抵抗３０９の
抵抗値を大きくすることができないので、トランジスタ
３０６のベース接地増幅器としての利得を十分大きくで
きない。この結果、差動増幅器３０７で発生する雑音が
等価的に大きく見えるようになるので、再生信号出力の
Ｓ／Ｎを確保するために、増幅器３０７は非常に低雑音
であることが要求される。低消費電力化の目的で、将
来、磁気ディスク装置の電源電圧（Ｖｃｃ）は現状の５
Ｖから３．３Ｖになると予想されている。このように電
源電圧が低電圧化された場合、増幅器３０７に対する低
雑音特性の要求は、より厳しくなる。

【００４６】図８に示す構成の駆動回路によると、ＭＲ
型再生ヘッド１０２に流すセンス電流（直流電流）の一
部が定電流源５００によって供給されるので、負荷抵抗
３０９を流れる電流の直流成分を小さくできる。これに
より、負荷抵抗３０９の抵抗値を大きくしても、負荷抵
抗３０９での電圧降下を小さく抑え、もってトランジス
タ３０６により構成されるベース接地増幅器を正しく動
作させることができる。一方、再生ヘッド１０２の抵抗
値変化により変化する電流成分は、全て負荷抵抗３０９
を流れる。このため、負荷抵抗３０９の抵抗値を大きく
した分だけトランジスタ３０６による増幅器の利得を上
げることができる。

【００４７】図９には、図８をより具体化した構成が示
されている。ＭＲ型再生ヘッド１０２に流すセンス電流
の絶対精度を確保するために、図８中に示した定電流源
５００の電流値を精度よく規定することが要求される。
図９の構成によれば、この要求に応えることができる。
図９において、図８中に示した定電流源５００は、トラ
ンジスタ５０１、抵抗５０２，５０３，５０４、トラン
ジスタ５０５，５０６、および駆動ＩＣの外付け素子と
して設けられた大容量のキャパシタ５０７により構成さ
れる。トランジスタ５０１のベースは前述の第１のカレ
ントミラー回路を形成するトランジスタ３１７，３２８
のベースと結合されており、そのエミッタは抵抗５０２
を介して接地端ＧＮＤに接続される。これによりトラン
ジスタ５０１は、第１のカレントミラー回路の一部を形
成する。

【００４８】一方、ダイオード接続されたトランジスタ
５０５は、このトランジスタ５０５のベースにベースが
接続されたトランジスタ５０６と共に第２のカレントミ
ラー回路を形成する。トランジスタ５０５，５０６のエ
ミッタはそれぞれ抵抗５０３，５０４を介して電源端Ｖ
ｃｃに接続される。トランジスタ５０５のコレクタはト
ランジスタ５０２のコレクタに接続される。トランジス
タ５０６のコレクタは差動増幅器３０７の第２入力端子
ＩＮ２に接続される。さらに、トランジスタ５０５のベ
ースとトランジスタ５０６のベースとを接続する共通接
続ノードは、キャパシタ５０７を介して電源端Ｖｃｃに
接続される。

【００４９】トランジスタ５０６のコレクタには、図８
の定電流源５００の出力電流に相当する電流が流れる。
以下のようにして、負荷抵抗３０９を流れる電流と、こ
のトランジスタ５０６のコレクタ電流の電流値比はα：
（１−α）に設定される。但し、０＜α＜１である。第
１のカレントミラー回路に接続された３つの抵抗３１
９，３２０，５０２の抵抗値比は、１：ｍα：ｍ（１−
α）に定められる。抵抗３１９を流れる電流の値は、前
述したように基準電圧Ｖｒｅｆと抵抗３１４で決まる基
準電流と等しい。この電流値をＩｒｅｆとすると、抵抗
３２０，５０２を流れる電流つまり、トランジスタ３１
８，５０１のコレクタ電流の値は、それぞれｍα・Ｉｒ
ｅｆ，ｍ（１−α）Ｉｒｅｆとなる。第２のカレントミ
ラー回路に接続された抵抗５０３，５０４の抵抗値比
は、１：ｎに設定される。従って、抵抗５０４を流れる
電流（つまりトランジスタ５０６のコレクタ電流）は、
抵抗５０２を流れる電流（つまりトランジスタ５０１の
コレクタ電流）をｎ倍した値、つまりｍｎ（１−α）Ｉ
ｒｅｆとなる。一方、抵抗３０８を流れる電流の値はト
ランジスタ３１８のコレクタ電流と同じく、ｍα・Ｉｒ
ｅｆであるので、この抵抗３０８での電圧降下はｍｎα
・Ｒ_L ・Ｉｒｅｆとなる。前述したように、電位制御回
路３１３の、入力端子Ｐ１，Ｐ２の電位を同一にする働
きにより、抵抗３０８と３０９での電圧降下は等しい。
これにより、負荷抵抗３０９を流れる電流の値は、ｍｎ
α・Ｉｒｅｆとなる。よって、負荷抵抗３０９を流れる
電流と、トランジスタ５０６のコレクタ電流の電流値比
は上述のようにα：（１−α）となり、ＭＲ型再生ヘッ
ド１０２に流れるセンス電流の値は、正確にｍｎ・Ｉｒ
ｅｆに規定される。言い換えれば、定電流源５００の出
力電流は、センス電流に応じた値に正確に規定される。

【００５０】次に、図９の再生回路で発生する雑音、特
に再生信号出力に含まれる雑音について説明する。その
雑音としては、(1) トランジスタ３０６のベース抵抗で
発生する熱雑音、(2) トランジスタ３０６のコレクタ電
流に含まれるショット雑音、(3) 負荷抵抗３０９で発生
する熱雑音、(4) トランジスタ５０６のベース抵抗で発
生する熱雑音、(5) トランジスタ５０６にのコレクタ電
流に含まれるショット雑音、および(6) 抵抗５０４で発
生する熱雑音が挙げられる。一方、トランジスタ５０５
のベース抵抗および抵抗５０３で発生する雑音は、トラ
ンジスタ５０６のベースを大容量のキャパシタ５０７を
介して交流的に電源端Ｖｃｃと短絡することにより、再
生信号出力に含まれる雑音から取り除くことができる。

【００５１】上に挙げた(1) 〜(6) の雑音のうち、(1)
の雑音は比較的大きいが、原理的に取り除くことは難し
い。しかし、(2) 〜(6) の雑音が十分に小さければ、再
生信号出力に含まれる雑音の総量は、実用上許容限度内
に抑えられる。そこで、(2)〜(6) の雑音について検討
すると、まず(2) および(5) のショット雑音は、ＭＲ型
再生ヘッド１０２に流すセンス電流が数ｍＡ〜十数ｍＡ
と大きいため、ほとんど無視できる。(3) の雑音は、負
荷抵抗３０９の抵抗値の増大によるトランジスタ３０６
の利得の増加に応じて減少する。(4) の雑音は、トラン
ジスタ５０６のベース抵抗を十分小さくすることができ
れば問題とならない。トランジスタ５０６は定電流源と
して用いられるのものであり、信号電流は流れないの
で、優れた高周波特性を持つ必要はない。そこで、トラ
ンジスタ５０６にラテラルタイプのＰＮＰトランジスタ
を用いることで、ベース抵抗を小さくすることができ
る。ラテラルタイプのＰＮＰトランジスタは、その構造
上、ベース領域が大きいため、高周波特性は劣化する
が、ベース抵抗が小さいという特徴を持つ。発明者らの
行った実験によっても、ラテラルタイプのＰＮＰトラン
ジスタのベース抵抗で発生する熱雑音は、他のトランジ
スタに比較して非常に低いことが確認された。(6)の雑
音については、負荷抵抗３０９の抵抗値の増加による雑
音減少分をも考慮して評価することが妥当である。そこ
で、抵抗５０４で発生する熱雑音による雑音増加分と、
負荷抵抗３０９の抵抗値の増加による雑音減少分とを総
合した雑音増加分がどの様になるかを検討する。

【００５２】負荷抵抗３０９での電圧降下をＶ、ＭＲ型
再生ヘッド１０２に流すセンス電流をＩとすると、負荷
抵抗３０９の抵抗値はＶ／αＩで与えられる。一方、抵
抗５０４の抵抗値は、トランジスタ５０６を飽和させな
いようにするために、最大で（Ｖ−Ｖｆ）／（１−α）
Ｉに設定される。但し、Ｖｆはｐｎ接合の順方向電圧降
下である。このとき、負荷抵抗３０９および抵抗５０４
が発生する熱雑音に関する等価入力雑音は、それぞれ次
式（１）（２）となる。

【００５３】 （４ｋＴ・Ｒ_mr ² ・αＩ／Ｖ）^1/2 （１） ｛４ｋＴ・Ｒ_mr ² ・（１−α）Ｉ／（Ｖ−Ｖｆ）｝^1/2 （２） ここで、ｋはボルツマン定数（Boltzmann's constan
t）、Ｔは温度、Ｒ_mrはＭＲ型再生ヘッド１０２のＭＲ
素子の抵抗値である。

【００５４】負荷抵抗３０９および抵抗５０４がそれぞ
れ発生する熱雑音には相関がない。従って、負荷抵抗３
０９および抵抗５０４がそれぞれ発生する熱雑音の和
（総量）は２乗和で求まり、その値は次式（３）で与え
られる。

【００５５】 ｛４ｋＴ・Ｒ_mr ² ・Ｉ（Ｖ−αＶｆ）／（Ｖ（Ｖ−Ｖｆ））｝^1/2 （３） 定電流源５００がない場合に、負荷抵抗３０９が発生す
る熱雑音に関する等価入力雑音は、（１）式でα＝１と
することで求められる。従って、（３）式に示す負荷抵
抗３０９および抵抗５０４が発生する熱雑音の総量は、
定電流源５００がない場合の｛（Ｖ−αＶｆ）／（Ｖ−
Ｖｆ）｝^1/2 倍であり、０≦α≦１においてαの減少に
対して単調増加を示す。従って、負荷抵抗３０９に流す
電流の電流値を小さくすると、(6) に起因する雑音は増
加してしまう。この雑音増加を小さく抑えるためには、
負荷抵抗３０９での電圧降下をできる限り大きくとれば
よい。

【００５６】このように定電流源５００を設けたことに
より、ベース設置増幅器を構成するトランジスタ３０６
の利得を大きくして後段の差動増幅器３０７の雑音の影
響を小さくすると共に、定電流源５００による雑音の増
加を抑えることができる。従って、本実施例によると高
Ｓ／Ｎの再生回路を実現できる。

【００５７】次に、本発明の他の実施例を説明する。図
１０（ａ）（ｂ）は、本発明による複合ヘッドユニット
の第２の実施例であり、バイアス用導体１０３が追加さ
れている。バイアス用導体１０３は、ＭＲヘッドからな
る再生ヘッド１０２に隣接して設置され、バイアス電流
が供給されることにより磁界を発生する。この磁界が再
生ヘッド１０２のＭＲ素子にバイアス磁界として印加さ
れる。このバイアス磁界の印加によって、再生ヘッド１
０２はＭＲ素子の磁界−抵抗特性の傾斜の大きい線形領
域で磁気ディスク上の記録磁化を感度よく検出すること
ができる。

【００５８】バイアス用導体１０３は、図１０（ａ）で
は第１の端子１１１と第２の端子１１２との間に、再生
ヘッド１０２に対して直列に接続され、図１０（ｂ）で
は再生ヘッド１０２に対して並列に接続されている。こ
のように図１０（ａ）（ｂ）に示す複合ヘッドユニット
１００Ａおよび１００Ｂは、図１の複合ヘッドユニット
１００と同じく３端子構成となっている。従って、駆動
回路の構成は図２の実施例と同様でよい。なお、図１０
（ａ）の複合ヘッドユニット１００Ａに対しては、セン
ス電流とバイアス電流が同一電流に設定される。また、
図１０（ｂ）の複合ヘッドユニット１００Ｂに対して
は、センス電流とバイアス電流が再生ヘッド１０２とバ
イアス用導体１０３の抵抗値比によって決定される。

【００５９】図１１は、本発明の第３の実施例に係る磁
気ディスク装置の構成図である。図１１において、図５
と同一部分に同一符号を付して相違点を中心に説明す
る。本実施例における複合ヘッドユニット１００Ｃは、
誘導型記録ヘッド１０１とＭＲ型再生ヘッド１０２およ
びバイアス用導体１０３が再生ヘッド１０２を中央にし
て直列接続されている。記録ヘッド１０１の一端から第
１の端子１１１が引き出され、記録ヘッド１０１の他端
と再生ヘッド１０２の一端とを接続する第１の共通接続
ノードＮ１部から第３の端子１１３が引き出され、再生
ヘッド１０２の他端とバイアス用導体１０３の一端とを
接続する第２の共通接続ノードＮ２からもう一つの第３
の端子１１４が引き出され、バイアス用導体１０３の他
端から第２の端子が引き出された４端子構成となってい
る。

【００６０】一方、端子１１１〜１１４に接続される駆
動回路２００Ｃは、スイッチＳ５およびバイアス電流源
２０３が追加されている点が図５に示した駆動回路２０
０と異なる。バイアス電流源２０３は、バイアス用導体
１０３にバイアス電流を供給するためのものであり、ス
イッチＳ５を介して端子１１２に接続されている。

【００６１】本実施例における記録時の動作は図５の実
施例と同様であり、スイッチＳ１，Ｓ２がオン状態とさ
れ、スイッチＳ３，Ｓ４，Ｓ５がオフ状態とされる。一
方、再生時にはスイッチＳ１，Ｓ２がオフ状態とされ、
スイッチＳ３，Ｓ４，Ｓ５がオン状態とされる。この場
合、バイアス電流源２０３から出力されるバイアス電流
は、スイッチＳ５とＳ３を介してバイアス用導体１０３
に供給される。従って、図１０（ａ）および（ｂ）の複
合ヘッドユニット１００Ａおよび１００Ｂを用いた場合
と異なり、バイアス電流をセンス電流に関係なく最適値
に設定することができる。

【００６２】従来、バイアス用導体にセンス電流と独立
してバイアス電流を供給する形式の複合ヘッドユニット
では、記録ヘッドからの引き出し端子と再生ヘッドおよ
びバイアス用導体からの引き出し端子とが独立していた
ため、複合ヘッドユニットは５端子構成となっている
が、本実施例は４端子構成であり、引き出し端子数が削
減されている。

【００６３】図１２は、本発明の第４の実施例に係る磁
気ディスク装置の構成図である。図５と同一部分に同一
符号を付して相違点を中心に説明する。本実施例におけ
る複合ヘッドユニット１００Ｄは、誘導型記録ヘッド１
０１とＭＲ型再生ヘッド１０２およびバイアス用導体１
０３をバイアス導体１０３を中央にして直列接続して構
成されている。記録ヘッド１０１の一端から第１の端子
１２１が引き出され、記録ヘッド１０１の他端とバイア
ス用導体１０３の一端とを接続する共通接続ノードＮ３
から第３の端子１２３が引き出され、バイアス用導体１
０３の他端と再生ヘッド１０２の一端とを接続する共通
接続ノードＮ２からもう一つの第３の端子１２４が引き
出され、再生ヘッド１０２の他端から第２の端子１２２
が引き出された４端子構成となっている。

【００６４】一方、端子１２１〜１２４に接続される駆
動回路２００Ｄは、構成要素は図１１の場合と同様であ
る。但し、複合ヘッドユニット２００Ｄにおける再生ヘ
ッド１０２とバイアス用導体１０３の接続位置が図１１
の場合と逆になっていることに伴い、トランジスタＱ１
のエミッタが端子１２２に接続され、スイッチＳ５の一
端が端子１２３に接続されていることが図１１の場合と
異なる。また、その動作は基本的に図１１のそれと同様
であるため、説明を省略する。

【００６５】図１３は、本発明の第５の実施例に係る磁
気ディスク装置の構成図である。図５と同一部分に同一
符号を付して相違点を中心に説明する。本実施例におけ
る複合ヘッドユニット１００Ｅは、２個のＭＲ型再生ヘ
ッド１０２および１０４を有する。再生ヘッド１０２お
よび１０４は、磁気ディスク上の記録トラック長手方向
（線密度方向）に所定のギャップを介して並置されてお
り、電気的には図のように誘導型記録ヘッド１０１と直
列接続されている。記録ヘッド１０１の一端から第１の
端子１３１が引き出され、記録ヘッド１０１の他端と再
生ヘッド１０２の一端とを接続する第１の共通接続ノー
ドＮ１から第３の端子１３３Ａが引き出され、再生ヘッ
ド１０２の他端と再生ヘッド１０４の一端とを接続する
第２の共通接続ノードＮ４からもう一つの第３の端子１
３３Ｂが引き出され、さらに再生ヘッド１０４の他端か
ら第２の端子１３２が引き出された４端子構成となって
いる。

【００６６】一方、端子１３１〜１３４に接続される駆
動回路２００Ｅにおいては、追加されたＭＲ型再生ヘッ
ド１０４に対応して、再生回路にトランジスタＱ１と同
じ役割のトランジスタＱ２が追加されている。トランジ
スタＱ１のためのバイアス抵抗Ｒｅ１，スイッチＳ４お
よび電圧源Ｅ１は、追加したトランジスタＱ２にも共通
に用いてもよいが、破線で示すようにトランジスタＱ２
のためのバイアス抵抗Ｒｅ２，スイッチＳ７および電圧
源Ｅ２を独立に設けてもよい。

【００６７】再生回路の増幅器２０２は、この例では差
動増幅器であり、トランジスタＱ１，Ｑ２のコレクタに
二つの入力端子が接続される。この実施例における複合
ヘッドユニット１００Ｅは、再生ヘッド１０２および１
０４が互いに対してバイアス磁界を印加するためのバイ
アス用導体としても機能する。これにより、磁気ディス
ク上の磁化転移領域では再生ヘッド１０２および１０４
の抵抗値は互いに逆方向の変化する。つまり、再生ヘッ
ド１０２および１０４のいずれか一方の抵抗値が増加す
れば、他方の抵抗値は減少する。このため、再生ヘッド
１０２および１０４からの再生信号出力は逆相となる。
従って、差動増幅器２０２によって再生ヘッド１０２か
らの再生信号と再生ヘッド１０４からの再生信号の差分
をとることにより、信号出力端子２１２，２１３に再生
信号出力を得ることができる。

【００６８】従来、２個のＭＲ型再生ヘッドを有する複
合ヘッドユニットでは、記録ヘッドからの引き出し端子
と、再生ヘッドからの引き出し端子とが独立していたた
め、複合ヘッドユニットは５端子ないし６端子構成とな
っているが、本実施例の複合ヘッドユニット２００Ｅは
４端子構成であり、引き出し端子数が削減される。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば複
合ヘッドユニットの引き出し端子数を従来に比して削減
できるため、複合ヘッドユニットと基板との接続点数を
削減でき、製造歩留まりが飛躍的に向上すると共に、装
置の小型化および大容量化を達成することが可能とな
る。

【００７０】また、本発明によると再生回路において磁
気抵抗型再生ヘッドの一端にエミッタが接続されたトラ
ンジスタと、このトランジスタのコレクタと電源端との
間に挿入接続された負荷抵抗によってベース接地増幅器
が構成し、かつこの負荷抵抗に並列に定電流源を接続す
ることによって、再生回路の高Ｓ／Ｎ化を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る磁気ディスク装置全体
の概略構成を示す斜視図

【図２】図１における要部の側面図

【図３】図１におけるヘッドアクチュエータ部の斜視図

【図４】本発明による複合ヘッドユニットの一実施例の
概略構成を示す斜視図

【図５】本発明による複合ヘッドユニットおよび駆動回
路の一実施例を示す等価回路図

【図６】図５における再生回路の一実施例を示す回路図

【図７】図６における電位制御回路の一例の回路図

【図８】図５における再生回路の他の実施例を示す回路
図

【図９】図８の再生回路をさらに具体的に示す回路図

【図１０】本発明による複合ヘッドの他の実施例を示す
等価回路図

【図１１】本発明による複合ヘッドユニットおよび駆動
回路の他の実施例を示す等価回路図

【図１２】本発明による複合ヘッドユニットおよび駆動
回路の別の実施例を示す等価回路図

【図１３】本発明による複合ヘッドユニットおよび駆動
回路のさらに別の実施例を示す等価回路図

【符号の説明】

１１…磁気ディスク １２…スピン
ドルモータ １３…磁気ヘッド １４…サスペ
ンション １５…アーム １６…ピボッ
ト １７…モータ １８…リード
線 １９…フレキシブルケーブル ２０…ランド ２１…駆動ＩＣ ２２…ケース ２３…カバー ３０…磁気コ
ア ３１…磁極 ３２…磁極 ３３…記録用ギャップ ３４…記録コ
イル ３５…シールド導体 ３６…ＭＲ素
子 ３７，３８…リード導体 ４１〜４４…
リード線 １００，１００Ａ〜１００Ｅ……複合ヘッドユニット １０１…誘導型記録ヘッド １０２…ＭＲ
型再生ヘッド １１１…第１の端子 １１２…第２
の端子 １１３…第３の端子 １１４…第３
の端子 １２１…第１の端子 １２２…第２
の端子 １２３…第３の端子 １２４…第３
の端子 １３１…第１の端子 １３２…第２
の端子 １３３Ａ…第３の端子 １３３Ｂ…第
３の端子 Ｎ１〜Ｎ４…共通接続ノード ２００，２００Ｃ〜２００Ｅ…駆動回路 ２０１…記録回路 ２０２…増幅
器 ２０３…バイアス電流源 ２１１，２１
２…信号出力端子 ３０１…トランジスタ ３０２…抵抗 ３０３…コントロール端子 ３０４…トラ
ンジスタ ３０５…インバータ回路 ３０６…トラ
ンジスタ ３０７…差動増幅器 ３０８…抵抗 ３０９…負荷抵抗 ３１１，３１
２…信号出力端子 ３１３…電位制御回路 ３１４…抵抗 ３１５…トランジスタ ３１６…基準
電圧発生器 ３１７…トランジスタ ３１８…トラ
ンジスタ ３１９，３２０…抵抗 ５００…定電
流源 ５０１…トランジスタ ５０２〜５０
４…抵抗 ５０５〜５０６…トランジスタ Ｑ１，Ｑ２…トランジスタ Ｅ１，Ｅ２…
電圧源 Ｒｄ…ダンピング抵抗 Ｒｅ１，Ｒｅ
２…バイアス抵抗

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 修康 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】情報をディスク状磁気記録媒体に記録し、
   記録した情報を再生する磁気ディスク装置において、 第１の端子、第２の端子および少なくとも一つの第３の
   端子と、 前記第１の端子と第２の端子との間に直列接続された誘
   導型記録ヘッドと少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘッ
   ド、および前記第３の端子に接続された少なくとも一つ
   の共通接続ノードを有する複合ヘッドユニットとを具備
   することを特徴とする磁気ディスク装置。
2. 【請求項２】情報をディスク状磁気記録媒体に記録し、
   記録した情報を再生する磁気ディスク装置において、 第１の端子、第２の端子および少なくとも一つの第３の
   端子と、 前記第１の端子と第２の端子との間に直列接続された誘
   導型記録ヘッドと少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘッ
   ド、および前記第３の端子に接続された少なくとも一つ
   の共通接続ノードを有する複合ヘッドユニットと、 前記記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路と、 前記再生ヘッドにセンス電流を供給することによって再
   生信号を得る再生回路と、 記録時には前記記録回路を前記記録ヘッドに接続すると
   共に前記再生回路を前記複合ヘッドユニットおよび前記
   記録回路から電気的に切り離し、再生時には前記再生回
   路を前記再生ヘッドに接続すると共に前記記録回路を前
   記複合ヘッドユニットおよび前記再生回路から電気的に
   切り離すためのスイッチ手段とを具備することを特徴と
   する磁気ディスク装置。
3. 【請求項３】情報をディスク状磁気記録媒体に記録し、
   記録した情報を再生する磁気ディスク装置において、 第１の端子、第２の端子および少なくとも一つの第３の
   端子と、 前記第１の端子と第２の端子との間に直列接続された誘
   導型記録ヘッドと、少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘ
   ッドと、前記記録ヘッドと前記再生ヘッドとの間に接続
   され、該再生ヘッドにバイアス磁界を印加するためのバ
   イアス用導体と、このバイアス用導体と前記記録ヘッド
   とを接続する第１の共通接続ノードおよび前記バイアス
   用導体と前記再生ヘッドとを接続する第２の共通接続ノ
   ードを有し、前記第１の共通接続ノードが前記第３の端
   子の一つに接続され、前記第２の共通接続ノードが前記
   第３の端子の他の一つに接続されおよび前記第３の端子
   に接続された少なくとも一つの共通接続ノードを有する
   複合ヘッドユニットとを具備することを特徴とする磁気
   ディスク装置。
4. 【請求項４】情報をディスク状磁気記録媒体に記録し、
   記録した情報を再生する磁気ディスク装置において、 第１の端子、第２の端子および少なくとも一つの第３の
   端子と、 前記第１の端子と第２の端子との間に直列接続された誘
   導型記録ヘッドと、少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘ
   ッドと、前記記録ヘッドと前記再生ヘッドとの間に接続
   され、該再生ヘッドにバイアス磁界を印加するためのバ
   イアス用導体と、このバイアス用導体と前記記録ヘッド
   とを接続する第１の共通接続ノードおよび前記バイアス
   用導体と前記再生ヘッドとを接続する第２の共通接続ノ
   ードを有し、前記第１の共通接続ノードが前記第３の端
   子の一つに接続され、前記第２の共通接続ノードが前記
   第３の端子の他の一つに接続されおよび前記第３の端子
   に接続された少なくとも一つの共通接続ノードを有する
   複合ヘッドユニットと、 前記記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路と、 前記再生ヘッドにセンス電流を供給することによって再
   生信号を得る再生回路と、 前記バイアス用導体にバイアス電流を供給するバイアス
   電流源と、 記録時には前記記録回路を前記記録ヘッドに接続すると
   共に前記再生回路および前記バイアス電流源を前記複合
   ヘッドユニットおよび前記記録回路から電気的に切り離
   し、再生時には前記再生回路および前記バイアス電流源
   をそれぞれ前記再生ヘッドおよび前記バイアス用導体に
   接続すると共に、前記記録回路を前記複合ヘッドユニッ
   トと前記再生回路および前記バイアス電流源から電気的
   に切り離すためのスイッチ手段とを具備することを特徴
   とする磁気ディスク装置。
5. 【請求項５】前記再生回路は、前記再生ヘッドの一端に
   エミッタが接続されたトランジスタと、このトランジス
   タのコレクタと電源端との間に挿入接続された負荷抵抗
   と、この負荷抵抗に並列に接続された定電流源とを含む
   ことを特徴とする請求項２または４記載の磁気ディスク
   装置。
6. 【請求項６】情報をディスク状磁気記録媒体に記録し、
   記録した情報を再生する磁気ディスク装置において、 誘導型記録ヘッドと少なくとも一つの磁気抵抗型再生ヘ
   ッドを有する複合ヘッドユニットと、 前記記録ヘッドに記録電流を供給する記録回路と、 前記再生ヘッドにセンス電流を供給することによって再
   生信号を得る再生回路とを具備し、 前記再生回路は、前記再生ヘッドの一端にエミッタが接
   続されたトランジスタと、このトランジスタのコレクタ
   と電源端との間に挿入接続された負荷抵抗と、この負荷
   抵抗に並列に接続された定電流源とを含むことを特徴と
   する磁気ディスク装置。
7. 【請求項７】前記再生回路は、前記負荷抵抗での電圧降
   下を増幅して再生信号出力を得るための二つの入力端子
   を有する差動増幅器と、この差動増幅器の二つの入力端
   子の直流電位が等しくなるように前記トランジスタのベ
   ースの電位を制御するための電位制御手段とを含むこと
   を特徴とする請求項２、４、５、６のいずれか１項記載
   の磁気ディスク装置。
8. 【請求項８】前記再生回路は、前記定電流源の電流値を
   所定値に規定する電流値規定手段を含むことを特徴とす
   る請求項５または６記載の磁気ディスク装置。
9. 【請求項９】前記電流値規定手段は、所定の規定された
   電流値の基準電流を発生する基準電流手段と、前記基準
   電流を入力電流とし、この入力電流の電流値に対応した
   電流値の出力電流を出力する第１のカレントミラー回路
   とを含み、 前記定電流源は、前記第１のカレントミラー回路の出力
   電流が入力電流として与えられ、該入力電流の電流値に
   対応した電流値の出力電流を出力する第２のカレントミ
   ラー回路を含むことを特徴とする請求項８記載の磁気デ
   ィスク装置。