JP3232229B2 - 磁気記録情報検出装置および磁気ディスク装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録情報検出
技術に関し、特に、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド：Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ Ｈｅａｄ）
を採用した磁気ディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉ
ｓｋ Ｄｒｉｖｅ）において、ＭＲヘッドの再生信号を
高い周波数まで低損失で伝送するヘッドディスクアセン
ブリ（ＨＤＡ：Ｈｅａｄ Ｄｉｓｋ Ａｓｓｅｍｂｌ
ｙ）と、集積化に適したＭＲヘッド用の抵抗変化検出手
段に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、株式会社オーム社、平成４年
１１月３０日発行、「光と磁気の記録技術」Ｐ８３、Ｐ
１１２、等の文献にも記載されているように、従来の磁
気ディスク装置（ＨＤＤ）は、ＨＤＡ部と、プリンテッ
ドサーキットボード（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒ
ｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）等に搭載された制御回路で構成
される。

【０００３】ＨＤＡ部は、回転するスピンドル上に固定
されたディスク（磁気円板）と、磁気ヘッドとサスペン
ションとアクチュエータとＲ／ＷＩＣ（リードライト集
積回路：Ｒｅａｄ Ｗｒｉｔｅ ＩＣ）とフレキシブル
ケーブルやエナメル線等の配線部分とからなる。磁気ヘ
ッドはアクチュエータに取り付けられたＲ／ＷＩＣとフ
レキシブルケーブルやエナメル線等の配線を介して接続
され、更にＲ／ＷＩＣはフレキシブルケーブルを介して
ＨＤＡ外部のＰＣＢ上の制御回路に接続される。

【０００４】最近のＨＤＡの技術動向としては、磁気ヘ
ッドとＲ／ＷＩＣ間も全てフレキシブルケーブルで構成
する方向にある。この時のヘッド／サスペンションの外
観構成の考えられる一例を図９に、これを下部から見た
図を図１０に、側面から見た図を図１１に示す。また、
サスペンションとＲ／ＷＩＣの基本構成を図１２に示
す。詳細な動作等は、Ｋ．Ｂ．Ｋｌａｓｓｅｎらの“Ｒ
ｅａｄ−Ｗｒｉｔｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ Ｄｅｓｉｇ
ｎ Ｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎ ｆｏｒ ＭＲＨｅａ
ｄｓ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ ｏｎ Ｍａｇ． Ｖｏ
ｌ．３１ Ｎｏ．２ Ｍａｒｃｈ １９９５、等の文献
に詳しい。ＭＲヘッド２１の両端に一定電位を与え、Ｍ
Ｒヘッド２１の抵抗値変化による電流変化を検出する構
成である。サスペンション３にフレキシブルケーブル５
１を接着し、この先端に磁気ヘッド２を固定すると共に
磁気ヘッドに配線を接続する。このサスペンション３を
アクチュエータに固定し、アクチュエータの側面に固定
したフレキシブルケーブル上のＲ／ＷＩＣと更に接続す
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この時、磁気ヘッド２
の再生ヘッドにＭＲヘッド２１を採用した単一電源型Ｈ
ＤＤの場合、従来技術では広帯域化が困難であることを
説明する。

【０００６】図１０に示したように、磁気ヘッド２とＲ
／ＷＩＣ６の間には２つのフレキシブルケーブル５１が
介在し、その距離は、3.５インチのＨＤＡ９で概ね５か
ら７センチとなる。２つのフレキシブルケーブル５１に
よるインダクタンス成分Ｌは概ね２０から３０ｎＨであ
る。また、ＭＲヘッド２１の素子抵抗値Ｒｍｒは磁気ヘ
ッド２の近傍の配線抵抗を含めて２０Ω程度である。

【０００７】一方、ＭＲヘッド２１は、高記録密度化に
有利なスパッタディスクと組み合わせて用いる場合が多
く、スパッタディスクは金属膜である。従って、ディス
クとＭＲヘッド２１間の放電等の現象を避けるため、概
ねＭＲヘッド端子電位Ｖｈとディスク電位Ｖｄとは同電
位に設定されなければならない。この時、スパッタディ
スク単体を筐体から絶縁することは技術的に困難であ
り、装置の組み立て工程も複雑となる。従って、ディス
ク電位Ｖｄは筐体と同一の接地電位とし、ＭＲヘッド２
１の２端子の一端を接地するのが好ましい。この時のＭ
Ｒヘッド２１からＲ／ＷＩＣ６の近傍の等価回路を図１
３に示す。ＭＲヘッド２１から見たＲ／ＷＩＣ６側の入
力インピーダンスＲｉｎは、耐外来雑音性の面から互い
に等しいことが好ましい。即ち、ＭＲヘッド２１の一端
が接地であるから、他端もできるだけ低いインピーダン
スであることが望まれる。

【０００８】図１２より、Ｒ／ＷＩＣ６の抵抗変化検出
手段６１は、ベース接地動作のトランジスタＴｒ１のエ
ミッタ端子が信号入力端子Ｔｓ１に接続され、ベース端
子はセンス電流制御電圧出力端子Ｖｉｓと抵抗素子Ｒｆ
に接続される。コレクタ端子は接続端Ａで抵抗素子Ｒｃ
を介して電源端子Ｖｃに接続される。一方、センス電流
制御入力端子Ｓｍｒからの制御によって電流源Ｉｓｇの
供給電流が制御され、一端を電源端子Ｖｃに接続された
抵抗素子Ｒｃｒに直流電流を供給する。これによって、
センス電流制御値に対応した接続端Ｂの接続端電位Ｖｂ
を抵抗素子Ｒｃｒと電流源Ｉｓｇの接続端Ｂに発生させ
る。この接続端Ｂの接続端電位Ｖｂと前記接続端Ａの接
続端電位Ｖａとが等しくなるように差動アンプＡｄとオ
ペアンプＡｏｐを動作させて、ＭＲヘッド２１に流れる
直流のセンス電流値Ｉｍｒを制御する。差動アンプＡｄ
の＋入力端を接続端Ａに−入力端を接続端Ｂに接続し、
更にオペアンプＡｏｐを縦続に接続する。オペアンプＡ
ｏｐの出力端が抵抗素子Ｒｆを介してセンス電流制御電
圧出力端子Ｖｉｓに出力され、このセンス電流制御電圧
出力端子Ｖｉｓと接地端子ＧＮＤ間にコンデンサＣｆが
接続される。この時、ＭＲヘッド２１の素子抵抗値Ｒｍ
ｒが信号磁界によって変化することによって生じる信号
電流変化ΔＩｍｒは、トランジスタＴｒ１を介して抵抗
素子Ｒｃに供給されるから、抵抗素子Ｒｃによって信号
電流変化ΔＩｍｒが接続端Ａでの電圧変化ΔＶｍｒに変
換される。この電圧変化ΔＶｍｒが差動アンプＡｄで増
幅され、差動出力端子Ｖｐ、Ｖｎに出力される。

【０００９】抵抗変化検出手段６１の信号入力端子Ｔｓ
１に接続されているトランジスタＴｒ１は、ベース接地
として動作する。従って、信号入力端子Ｔｓ１側から見
た入力インピーダンスＲｉｎは、ＭＲヘッド２１のセン
ス電流値をＩｍｒとすると、

【００１０】

【数１】

【００１１】となる。Ｉｍｒ＝９ｍＡとするとＲｉｎ＝
３Ωであり、低いインピーダンスが実現できる。図１３
より、ＭＲヘッド２１から見た抵抗変化検出手段６１の
側の電流の伝達特性は、前記のＭＲヘッド２１の素子抵
抗値Ｒｍｒ、フレキシブルケーブル５１等の配線のイン
ダクタンス成分Ｌ、抵抗変化検出手段６１の入力インピ
ーダンスＲｉｎから次式で示される。すなわち、Ｓ＝ｊ
ω、ω＝２πｆとすると、電流伝達関数Ｈｉは、

【００１２】

【数２】

【００１３】となる。ここで、Ｌ＝３０ｎＨ、Ｒｉｎ＝
３Ω、Ｒｍｒ＝２０Ωとすると、直流の伝達特性Ｈｉ０
は、

【００１４】

【数３】

【００１５】ｆ＝１００ＭＨｚでの特性Ｈｉ１００は、

【００１６】

【数４】

【００１７】となる。従って、フレキシブルケーブル５
１等のインダクタンス成分Ｌによって、周波数１００Ｍ
Ｈｚの交流電流信号は直流に対して、

【００１８】

【数５】

【００１９】に減衰する。

【００２０】即ち、フレキシブルケーブル５１等のイン
ダクタンス成分ＬがＭＲヘッド２１の電流伝達特性を劣
化させることがわかる。従って、図１２に示す従来技術
で広帯域な伝達特性を得ることは困難であった。

【００２１】また、図１２に示す従来技術を用いた抵抗
変化検出手段をマルチヘッド構成に適用する場合、抵抗
変化検出手段６１には、少なくともトランジスタＴｒ１
と同一の大型のトランジスタをヘッド数分内蔵する必要
があり、ＬＳＩ化時のチップ面積が増大するといった問
題があった。

【００２２】本発明の目的は、ＭＲ素子から抵抗変化検
出手段に至る信号伝送経路における磁気記録情報の検出
信号の信号伝送帯域が広く高速転送化を容易に実現する
ことが可能な磁気記録情報検出装置を提供することにあ
る。

【００２３】本発明の他の目的は、ＭＲ素子から抵抗変
化検出手段に至る信号伝送経路の設計の自由度を大きく
することが可能な磁気記録情報検出装置を提供すること
にある。

【００２４】本発明のさらに他の目的は、ＭＲ素子用の
抵抗変化検出手段の集積回路化が容易な磁気記録情報検
出装置を提供することにある。

【００２５】本発明のさらに他の目的は、ＭＲヘッドを
再生ヘッドとする磁気ディスク装置において、再生デー
タの高速転送化を容易にする信号伝送帯域の広いヘッド
／ディスクアセンブリ（ＨＤＡ）を提供することにあ
る。

【００２６】本発明のさらに他の目的は、複数ヘッド構
成の再生系のＭＲヘッド用の抵抗変化検出手段の集積回
路化を容易に実現することが可能なヘッド／ディスクア
センブリ（ＨＤＡ）を提供することにある。

【００２７】

【課題を解決するための手段】本発明では、磁気に感応
して抵抗値が変化するＭＲ素子を備えたヘッドと、この
ヘッドの信号を高インピーダンスの電流信号に変換して
出力するインピーダンス変換手段と、このインピーダン
ス変換手段からの前記電流信号を受ける電流検出型の抵
抗検出手段とを備え、前記インピーダンス変換手段は、
エミッタ端子が前記ヘッドからの信号の入力端子であ
り、コレクタ端子が前記高インピーダンスに変換された
電流信号の出力端子であるトランジスタと、このトラン
ジスタのベース端子と接地線との間に接続され、前記ヘ
ッドで検出する再生信号の周波数成分が帰還しないよう
にするコンデンサとで構成する磁気記録情報検出装置を
提供する。また、本発明は、磁気に感応して抵抗値が変
化するＭＲ素子を備えたヘッドと、このヘッドの信号を
高インピーダンスの電流信号に変換して出力するインピ
ーダンス変換手段と、このインピーダンス変換手段から
の前記電流信号を電圧信号に変換する抵抗検出手段とを
備え、前記インピーダンス変換手段は、エミッタ端子が
前記ヘッドからの信号の入力端子であり、コレクタ端子
が前記高インピーダンスに変換された電流信号の出力端
子であるトランジスタと、このトランジスタのベース端
子と接地線との間に接続され、前記ヘッドで検出する再
生信号の周波数成分が帰還しないようにするコンデンサ
とで構成する磁気記録情報検出装置を提供する。また、
本発明は、情報が記録されるディスクと、このディスク
に対する前記情報の記録／再生動作を行う磁気ヘッド
と、この磁気ヘッドを搭載するサスペンションと、この
サスペンションを駆動するアクチュエータと、前記サス
ペンション上に設けられ前記磁気ヘッドの信号を出力す
るインピーダンス変換手段と、このインピーダンス変換
手段の出力を受け前記磁気ヘッドの抵抗値の変化を検出
する抵抗検出手段と、この抵抗検出手段と前記インピー
ダンス変換手段とを接続するケーブルとを備え、前記イ
ンピーダンス変換手段は、エミッタ端子が前記磁気ヘッ
ドからの信号の入力端子であり、コレクタ端子が高イン
ピーダンスに変換された電流信号の出力端子であるトラ
ンジスタと、このトランジスタのベース端子と接地線と
の間に接続され、前記磁気ヘッドで検出する再生信号の
周波数成分が帰還しないようにするコンデンサを備えて
前記抵抗検出手段に前記磁気ヘッドが出力した信号より
も高インピーダンスの電流信号を出力し、前記抵抗検出
手段はこの電流信号を電圧信号に変換して出力する磁気
ディスク装置を提供する。より具体的には、一例とし
て、たとえば磁気ディスク装置等に備えられ、少なくと
も、ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの抵抗値変化を電流値の
変化に変換して検出する電流検出型の抵抗変化検出手段
と、ＭＲヘッドと抵抗変化検出手段とを接続する配線手
段とを有する磁気記録情報検出装置において、以下のよ
うに構成する。すなわち、第１の構成として、ＭＲヘッ
ド上に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗変化検出
手段側を高インピーダンスとするインピーダンス変換手
段を設ける。

【００２８】第２の構成として、ＭＲヘッドと近接した
配線手段に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗変化
検出手段側を高インピーダンスとするインピーダンス変
換手段を設ける。

【００２９】第３の構成として、第１および第２の構成
におけるインピーダンス変換手段をトランジスタで実現
する。

【００３０】第４の構成として、第１および第２の構成
におけるインピーダンス変換手段はトランジスタとコン
デンサとで実現してもよい。

【００３１】第５の構成として、第４の構成におけるイ
ンピーダンス変換手段はトランジスタとコンデンサとを
集積したチップ状素子としてもよい。

【００３２】第６の構成として、ＭＲヘッド上にインピ
ーダンス変換手段としてのトランジスタを設け、ＭＲヘ
ッドと近接した配線手段にコンデンサを設けることがで
きる。

【００３３】第７の構成として、ＭＲヘッドと近接した
配線手段に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗変化
検出手段側を高インピーダンスとするインピーダンス変
換手段を設け、インピーダンス変換手段と抵抗変化検出
手段間は３線以上の配線手段を設ける。

【００３４】また、第８の構成として、抵抗変化検出手
段には、ＭＲヘッドに流す直流電流値を制御するための
制御端子を設ける。

【００３５】更には、第９の構成として、ＭＲヘッドと
抵抗変化検出手段とを接続する配線手段には、ＭＲヘッ
ド近傍にチップ部品が搭載できるような端子を設ける。

【００３６】第１０の構成として、複数のＭＲヘッドに
対して共通の２つの入力端子と、複数のＭＲヘッドに流
す直流電流値を制御するための複数の制御電圧出力端子
とを少なくとも有する抵抗変化検出手段を設ける。

【００３７】上述した本発明の構成によれば、少なくと
も、ＭＲヘッドと、ＭＲヘッドの抵抗値変化を電流値の
変化に変換して検出する電流検出型の抵抗変化検出手段
と、ＭＲヘッドと抵抗変化検出手段とを接続する配線手
段とを有する磁気記録情報検出装置において、第１に、
ＭＲヘッド上に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗
変化検出手段側を高インピーダンスとするインピーダン
ス変換手段を設けることによって、ＭＲヘッドの抵抗値
変化を配線手段のインダクタンス成分の殆どない状態で
電流値変化として低インピーダンスで検出する。この電
流値変化を高インピーダンスで出力すれば、抵抗変化検
出手段との間の配線手段のインダクタンスが大きくても
広帯域の伝達特性が実現できる。

【００３８】第２に、ＭＲヘッドと近接した配線手段
に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗変化検出手段
側を高インピーダンスとするインピーダンス変換手段を
設けることによっても、ＭＲヘッドの抵抗値変化を配線
手段のインダクタンス成分の極めて少ない状態で電流値
変化として低インピーダンスで検出できる。従って、第
１の手段に準じた効果が期待できる。

【００３９】第３に、第１および第２の構成におけるイ
ンピーダンス変換手段をトランジスタとすれば、このト
ランジスタのＭＲヘッド側の入力インピーダンスは抵抗
変化検出手段と同様に低インピーダンスであり、抵抗変
化検出手段側の出力インピーダンスは極めて高インピー
ダンスとなる。従って、配線手段等によるインダクタン
ス成分による伝達特性の劣化は殆どなくなる。

【００４０】第４に、第１および第２の構成におけるイ
ンピーダンス変換手段はトランジスタとコンデンサとす
る。このトランジスタのベース端子と接地端子間にコン
デンサを接続する。コンデンサによって、トランジスタ
のベース端子に接続された配線とＭＲヘッドの接地側に
接続された配線との端子間に誘発される雑音を吸収す
る。従って、フレキシブルケーブル等による配線が長く
なることによって生じる外来雑音の影響を低減できる。

【００４１】第５に、第４の構成におけるインピーダン
ス変換手段をトランジスタとコンデンサとを集積したチ
ップ状素子とすることによって、サスペンションのより
ＭＲヘッドに近い部分の配線手段上にインピーダンス変
換手段を設けることが可能となり、更に性能向上が期待
できる。

【００４２】第６に、ＭＲヘッド上にインピーダンス変
換手段としてのトランジスタを設け、ＭＲヘッドと近接
した配線手段に、コンデンサを設けることによって、第
５の構成に例示したトランジスタとコンデンサとを集積
したチップ状素子を新たに設けなくとも、ＭＲヘッド製
造工程にトランジスタ製造工程を含ませることができ、
第５の構成と同様な効果を期待できる。

【００４３】第７に、ＭＲヘッドと近接した配線手段
に、ＭＲ素子側を低インピーダンス、抵抗変化検出手段
側を高インピーダンスとするインピーダンス変換手段を
設け、インピーダンス変換手段と抵抗変化検出手段との
間は３線以上の配線手段を設ける。これは、本発明によ
るインピーダンス変換手段が機能するために最低限必要
な条件であり、少なくとも、信号線、制御線、接地線と
からなる。ＭＲヘッドの両端子間の直流電圧差を制御す
る線が本発明によって増設される制御線であり、主に抵
抗変化検出手段の直流負帰還手段によって制御される。

【００４４】また、第８に、抵抗変化検出手段には、Ｍ
Ｒヘッドに流す直流的な電流値を制御するための制御端
子を設けるようにする。この制御端子をインピーダンス
変換手段に接続することにより、インピーダンス変換手
段の低インピーダンス側の直流的な電位が制御可能とな
る。

【００４５】更には、第９に、ＭＲヘッドと抵抗変化検
出手段とを接続する配線手段には、ＭＲヘッド近傍にチ
ップ部品が搭載できるような端子を設けるようにする。
これによって、インピーダンス変換手段が接続可能とな
る。

【００４６】第１０に、抵抗変化検出手段に、複数のＭ
Ｒヘッドに対して共通の２つの入力端子と、複数のＭＲ
ヘッドに流す直流電流値を制御するための複数の制御電
圧出力端子とを少なくとも設ける。これによって、入力
端子数が少ない抵抗変化検出手段が構成できると共に、
耐外来雑音性に優れた磁気記録情報検出装置を提供で
き、たとえば磁気ディスク装置のヘッド／ディスクアセ
ンブリ（ＨＤＡ）に適用した場合、耐外来雑音性に優
れ、しかも高速なデータ転送が可能な高性能を実現でき
る。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００４８】（実施の形態１）図１は、本発明の磁気記
録情報検出装置の第１の実施の形態である磁気ディスク
装置におけるサスペンション部の構成の一例を示す平面
図であり、図２は、その再生系の回路構成の一例を示す
概念図である。また、図８は、本実施の形態における磁
気ディスク装置の構成の一例を示す概念図である。

【００４９】まず、本実施の形態における磁気ディスク
装置１０の構成を簡単に説明すると、磁気ディスク装置
１０は、ヘッド／ディスクアセンブリ９（ＨＤＡ）と、
制御回路等が搭載されたプリンテッドサーキットボード
８で構成される。

【００５０】ＨＤＡ９は、回転するスピンドル１１上に
固定されたディスク１と、ディスク１に対する情報の記
録／再生動作を行う磁気ヘッド２と、サスペンション３
と、ボイスコイルモータ等によって駆動されるアクチュ
エータ４と、Ｒ／ＷＩＣ（リードライト集積回路：Ｒｅ
ａｄ Ｗｒｉｔｅ ＩＣ）６とフレキシブルケーブルや
エナメル線等の配線５とからなる。磁気ヘッド２はアク
チュエータ４に取り付けられたＲ／ＷＩＣ６と、たとえ
ばフレキシブルケーブルやエナメル線等の配線５を介し
て接続され、更にＲ／ＷＩＣ６はフレキシブルケーブル
７を介してＰＣＢ８に接続される。

【００５１】そして、回転するディスク１の径方向の任
意の位置にアクチュエータ４によって磁気ヘッド２を移
動させて位置決めすることにより、ディスク１の任意の
領域に対して、磁気ヘッド２を介して情報の記録／再生
動作を行う。本実施の形態の場合、磁気ヘッド２は、Ｍ
Ｒヘッド２１と、図示しない記録ヘッドからなる複合ヘ
ッドである。

【００５２】尚、本発明は記録側の構成には殆ど関与し
ないから、その説明は割愛し、以下の説明では主とし
て、再生回路側の構成や動作に着目して説明を進める。

【００５３】図１に示すように、本実施の形態によるサ
スペンション部は、サスペンション３上の磁気ヘッド２
と、磁気ヘッド２とＲ／ＷＩＣ６とを接続するフレキシ
ブルケーブル５１と磁気ヘッド２の近傍に設けたインピ
ーダンス変換手段１００とからなる。本実施の形態の場
合、磁気ヘッド２とＲ／ＷＩＣ６の抵抗変化検出手段６
１とを接続するためのフレキシブルケーブル５１のＭＲ
ヘッド２１の近傍に、インピーダンス変換手段１００を
接続するための制御電圧入力端子１０１、信号入力端子
１０２、信号出力端子１０３、接地端子１０４を設けて
いる。

【００５４】図２の回路構成を説明する。ＭＲヘッド２
１の非接地側の端子を、インピーダンス変換手段１００
の低インピーダンス入力に接続し、インピーダンス変換
手段１００の高インピーダンス出力を配線手段であるフ
レキシブルケーブル５１の一端に接続する。このフレキ
シブルケーブル５１は、従来が２線であるのに対して本
実施の形態では３線であり、信号線５１１、接地線５１
２の他に制御線５１３を持つ。フレキシブルケーブル５
１の他端はＲ／ＷＩＣ６の抵抗変化検出手段６１の入力
部に接続される構成である。

【００５５】抵抗変化検出手段６１は、ベース接地動作
のトランジスタＴｒ１のエミッタ端子が信号入力端子Ｔ
ｓ１に接続され、ベース端子は固定電位Ｖｔに接続され
る。コレクタ端子は接続端Ａで抵抗素子Ｒｃを介して電
源端子Ｖｃに接続される。一方、センス電流制御入力端
子Ｓｍｒからの制御によって電流源Ｉｓｇの供給電流が
制御され、一端を電源端子Ｖｃに接続された抵抗素子Ｒ
ｃｒに直流電流を供給する。これによって、センス電流
制御値に対応した直流の接続端電位Ｖｂを抵抗素子Ｒｃ
ｒと電流源Ｉｓｇの接続端Ｂに発生させる。この接続端
Ｂの接続端電位Ｖｂと前記接続端Ａの接続端電位Ｖａと
が等しくなるように差動アンプＡｄとオペアンプＡｏｐ
を動作させて、ＭＲヘッド２１に流れる直流のセンス電
流値Ｉｍｒを制御する。差動アンプＡｄの＋入力端を接
続端Ａに、−入力端を接続端Ｂに接続し、更にオペアン
プＡｏｐを縦続に接続する。オペアンプＡｏｐの出力端
が抵抗素子Ｒｆを介してセンス電流制御電圧出力端子Ｖ
ｉｓに出力され、このセンス電流制御電圧出力端子Ｖｉ
ｓがフレキシブルケーブル５１の制御線５１３と接続さ
れる。

【００５６】この時、ＭＲヘッド２１の素子抵抗値Ｒｍ
ｒが信号磁界によって変化することによって生じる信号
電流変化ΔＩｍｒは、トランジスタＴｒ１を介して抵抗
素子Ｒｃに供給されるから、抵抗素子Ｒｃによって信号
電流変化ΔＩｍｒが接続端Ａでの電圧変化ΔＶｍｒに変
換される。この電圧変化ΔＶｍｒが差動アンプＡｄで増
幅され、差動出力端子Ｖｐ、差動出力端子Ｖｎに出力さ
れる。

【００５７】フレキシブルケーブル５１の制御線５１３
が接続されるインピーダンス変換手段１００の制御電圧
入力端子１０１は、トランジスタＴｒｉのベース端子に
接続されると共にコンデンサＣｆの一端に接続され、コ
ンデンサの他端は接地線５１２が接続される接地端子１
０４に接続される。このトランジスタＴｒｉのエミッタ
端子がインピーダンス変換手段１００の低インピーダン
スの信号入力端子１０２であり、コレクタ端子が高イン
ピーダンスの信号出力端子１０３となる。制御電圧入力
端子１０１の電位によってＭＲヘッド２１に供給される
センス電流値Ｉｍｒが決定され、この制御電圧値は前記
の抵抗変化検出手段６１のセンス電流制御電圧出力端子
Ｖｉｓからフレキシブルケーブル５１を介して供給され
る。尚、オペアンプＡｏｐの出力端に設けた抵抗素子Ｒ
ｆとインピーダンス変換手段１００に設けたコンデンサ
Ｃｆによって、ＭＲヘッド２１で検出する再生信号等の
高い周波数成分はインピーダンス変換手段１００に帰還
しないように動作する。

【００５８】ＭＲヘッド２１のインピーダンス変換手段
１００に接続した信号入力端子１０２の側は、インピー
ダンス変換手段１００を構成するトランジスタＴｒｉの
エミッタ端子に接続されるので、再生信号の周波数帯域
で十分に低いインピーダンスで固定されることになる。
一方、インピーダンス変換手段１００の出力側の信号出
力端子１０３はトランジスタＴｒｉのコレクタ端子が接
続されるので基本的に高インピーダンスである。トラン
ジスタＴｒｉの出力容量等を考慮しても１００ＭＨｚで
出力インピーダンス数ｋΩが期待できる。インピーダン
ス変換手段１００を極めてＭＲヘッド２１に近い位置に
設ければ、入力部での特性劣化は生じない。一方、フレ
キシブルケーブル５１が接続される出力側のインピーダ
ンスが数ｋΩであるので、フレキシブルケーブル５１の
インダクタンス成分Ｌによるインピーダンスは無視でき
る。従って、ＭＲヘッド２１の抵抗変化ΔＲｍｒによる
信号電流変化ΔＩｍｒは、殆ど劣化なく抵抗変化検出手
段６１で検出される。この際、コンデンサＣｆによっ
て、ＭＲヘッド２１の両端がフレキシブルケーブル５１
を介さずにＭＲヘッド２１の近傍端子である信号入力端
子１０２と接地端子１０４で固定されるので、外来雑音
に対する耐力向上も期待できる。

【００５９】尚、ＭＲヘッド２１とインピーダンス変換
手段１００とは、インピーダンス変換手段１００をフレ
キシブルケーブル５１上のＭＲヘッド２１の近傍に接続
パッド等の制御電圧入力端子１０１、信号入力端子１０
２、信号出力端子１０３、接地端子１０４を設けて接続
すればよい。

【００６０】この時、インピーダンス変換手段１００を
トランジスタＴｒｉとコンデンサＣｆとを集積したチッ
プ状素子とすることによって、サスペンション３のより
ＭＲヘッド２１に近い部分のフレキシブルケーブル５１
上にインピーダンス変換手段１００を設けることが可能
となり、更に性能向上が期待できる。また、フレキシブ
ルケーブル５１の引回し経路や長さ等に制約が少なくな
り、設計の自由度が向上する。

【００６１】また、ＭＲヘッド２１上にインピーダンス
変換手段１００としてのトランジスタＴｒｉを設け、Ｍ
Ｒヘッド２１と近接したフレキシブルケーブル５１上
に、コンデンサＣｆを設けることによって、ＭＲヘッド
２１の薄膜プロセス等からなる製造工程にトランジスタ
Ｔｒｉの製造工程を含ませることができる。

【００６２】更には、図３に示すように、抵抗変化検出
手段６１のトランジスタＴｒ１のエミッタ端子（信号入
力端子Ｔｓ１）と電源端子Ｖｃ間にセンス電流制御入力
端子Ｓｍｒの制御信号によって制御される電流源Ｉｓｄ
を設けてもよい。この電流源Ｉｓｄが供給する直流電流
値はＭＲヘッド２１に供給するセンス電流値Ｉｍｒの0.
５〜0.９倍に設定される。これによれば、電流源Ｉｓｄ
が供給する電流値分、トランジスタＴｒ１が供給する電
流値が少なくて済むので、抵抗素子Ｒｃの抵抗値を大き
くすることができる。従って、抵抗素子Ｒｃによって比
較的大きな信号電圧変化が得られる。たとえば、電流源
Ｉｓｄの電流値をセンス電流値Ｉｍｒの0.９倍に設定す
れば、抵抗素子Ｒｃの抵抗値を電流源Ｉｓｄがない場合
の１０倍にでき、接続端Ａの信号振幅は１０倍になる。
このため、抵抗変化検出手段６１の内部の差動アンプＡ
ｄの入力雑音等の影響が軽減され、信号対雑音比のよい
差動出力信号が差動出力端子Ｖｐ、Ｖｎに得られる。

【００６３】（実施の形態２）図４は、本発明の第２の
実施の形態である磁気ディスク装置における再生系の回
路構成の一例を示す回路図である。本実施の形態のＲ／
ＷＩＣ６の抵抗変化検出手段６１の構成は、特開昭６０
−４０５０４号公報に開示された本件出願人の出願にな
る発明に基づいている。従って抵抗変化検出手段６１の
詳細な動作については、特開昭６０−４０５０４号公報
に詳しいのでここでは省略する。本実施の形態は、２端
子のＭＲヘッド２１であっても、ほぼ完全な差動信号増
幅が可能である。尚、本実施の形態のように単一電源駆
動とした場合、ＭＲヘッド２１の素子電位が接地電位に
ならないので、ディスク電位と回路系の接地電位とを絶
縁して適用する。

【００６４】本実施の形態では、ＭＲヘッド２１の両端
の信号入力端子１０２−１、１０２−２を、それぞれエ
ミッタ端子の入力とする、トランジスタＴｒｉ１、トラ
ンジスタＴｒｉ２とコンデンサＣｆとからなるインピー
ダンス変換手段１００を用いる。それぞれのベース端子
１０１−１、ベース端子１０１−２は前記のコンデンサ
Ｃｆに接続され、同時にフレキシブルケーブルの２本の
制御線５１３−１、制御線５１３−２に接続される。ま
た、２つのトランジスタＴｒｉ１、Ｔｒｉ２のそれぞれ
のコレクタ端子１０３−１、コレクタ端子１０３−２
は、高インピーダンスの出力となり、フレキシブルケー
ブル５１の２本の信号線５１１−１、信号線５１１−２
に接続される。更には、トランジスタＴｒｉ２のエミッ
タ端子１０４ａは、フレキシブルケーブル５１のセンス
電流源用線５１２ａに接続される。フレキシブルケーブ
ル５１の配線数は、本実施の形態では５本となる。

【００６５】抵抗変化検出手段６１の側の構成での相違
点は、第１の実施の形態で１つであったベース接地トラ
ンジスタが２つ（Ｔｒｉ−１，Ｔｒｉ−２）ある点と、
オペアンプＡｏｐの出力が差動出力となり、それぞれフ
レキシブルケーブルの２本の制御線（５１３−１，５１
３−２）に接続される。センス電流源用線５１２ａに
は、ＭＲヘッドのセンス電流値Ｉｍｒの２倍の大きさの
電流を供給する電流源Ｉｓｇ２が接続されている。

【００６６】差動アンプＡｄとオペアンプＡｏｐ、抵抗
素子Ｒｆ１、抵抗素子Ｒｆ２とコンデンサＣｆ等からな
るフィードバック回路は、電流源Ｉｓｇ２の電流が、ト
ランジスタＴｒｉ１とＴｒｉ２とで２分され、抵抗素子
Ｒｃ１とＲｃ２の接続端Ａ１と接続端Ａ２とで直流電位
が等しくなるように動作する。

【００６７】本実施の形態では、ＭＲヘッド２１の両端
子は、共にトランジスタＴｒｉ１、Ｔｒｉ２のエミッタ
端子に接続され、その供給電流が等しい。しかも、ＭＲ
ヘッド２１のセンス電流値Ｉｍｒは数ｍＡと比較的大き
いので、両端のインピーダンスは数Ωと低い。従って、
一方の端子（トランジスタＴｒｉ２のエミッタ端子１０
４ａ）に接続された電流源Ｉｓｇ２のインピーダンスは
無視でき、極めて良好な差動検出が可能となる。

【００６８】（実施の形態３）図５は、本発明の第３の
実施の形態である磁気ディスク装置における再生系の構
成の一例を示す回路図である。本実施の形態は、３端子
の差動型のＭＲヘッド２１ｄを用いた抵抗変化検出手段
６１に対応している。

【００６９】本実施の形態では、ＭＲヘッド２１ｄのセ
ンタタップを接地端子１０４とし、ＭＲヘッド２１ｄの
両端の信号入力端子１０２−１、１０２−２をそれぞれ
エミッタ端子を入力とする、トランジスタＴｒｉ１、Ｔ
ｒｉ２とコンデンサＣｆとからなるインピーダンス変換
手段１００を用いる。それぞれのベース端子どうしが制
御電圧入力端子１０１で接続され、更にコンデンサＣｆ
とフレキシブルケーブル５１の制御線５１３に接続され
る。コンデンサＣｆの他端子はフレキシブルケーブル５
１のＭＲヘッド側の接地端子１０４に接続される。ま
た、２つのトランジスタＴｒｉ１、Ｔｒｉ２のそれぞれ
のコレクタ端子１０３−１、コレクタ端子１０３−２
は、高インピーダンスの出力となり、フレキシブルケー
ブル５１の２本の信号線５１１−１、信号線５１１−２
に接続される。フレキシブルケーブル５１の配線数は、
本実施の形態では４本となる。

【００７０】抵抗変化検出手段６１の側では、２組のベ
ース接地のトランジスタＴｒ１−１、Ｔｒ１−２とそれ
ぞれのコレクタ端子に接続された２つの抵抗素子Ｒｃ
１、抵抗素子Ｒｃ２が構成され、それぞれの接続端Ａ
１、接続端Ａ２は差動アンプＡｄに接続される。オペア
ンプＡｏｐの入力端の一端はトランジスタＴｒ１−２と
抵抗素子Ｒｃ２との接続端Ａ２に接続され、他端は第１
の実施の形態を示す図２と同様にセンス電流制御値に対
応した直流電位を発生する接続端Ｂに接続される。

【００７１】差動アンプＡｄとオペアンプＡｏｐ、抵抗
素子ＲｆとコンデンサＣｆとからなるフィードバック回
路は、抵抗素子Ｒｃ２の接続端Ａ２と接続端Ｂの直流電
位とが等しくなるようにトランジスタＴｒ１−２の供給
電流を制御する。この時、トランジスタＴｒ１−２に流
れる電流値は、ＭＲヘッド２１ｄが対称性良く構成され
ていればほぼ同値の電流値となることが期待でき、接続
端Ａ１、Ａ２の直流電位はほぼ等しくなる。

【００７２】本実施の形態では、ＭＲヘッド２１ｄの両
端子共にトランジスタのエミッタ端子であり、そのトラ
ンジスタの供給電流はほぼ等しくなる。また、センス電
流値は数ｍＡであるので、両端のインピーダンスは、数
Ωと低い。従って、極めて良好な差動検出が可能とな
る。

【００７３】（実施の形態４）図６は、本発明の第４の
実施の形態である磁気ディスク装置における再生系の構
成の一例を示す回路図である。本実施の形態は、図３に
示す第１の実施の形態を１０個のマルチヘッド構成のＨ
ＤＡ９に適用したものである。

【００７４】本実施の形態では、１０個のサスペンショ
ン上に、それぞれに記録ヘッドとＭＲヘッドを形成した
磁気ヘッド２−１〜２−１０を有し、これらの１０個の
磁気ヘッドの記録再生信号を１つの抵抗変化検出手段６
１に接続する１０個のフレキシブルケーブル５１と、各
ＭＲヘッド近傍に設けた１０個のインピーダンス変換手
段１００とからなる。

【００７５】ＭＲヘッド２１−１の非接地側の信号入力
端子１０２−１を、インピーダンス変換手段１００−１
の低インピーダンス入力に接続し、インピーダンス変換
手段１００−１のトランジスタＴｒｉ１の高インピーダ
ンスのコレクタ端子１０３−１を配線手段であるフレキ
シブルケーブル５１−１の一端に接続する。１０個のフ
レキシブルケーブル５１−１〜５１−１０の抵抗変化検
出手段６１の側の各信号線は、それぞれ互いに接続され
て信号入力端子Ｔｓ１に接続され、５１３−１〜５１３
−１０の抵抗変化検出手段６１の側の各制御線は、それ
ぞれ独立にセンス電流制御電圧出力端子Ｖｉｓ１〜Ｖｉ
ｓ１０に接続される。各フレキシブルケーブルの接地線
５１２−１〜５１２−１０は互いに接続され抵抗変化検
出手段６１の接地端子ＧＮＤに接続する構成である。１
０個のインピーダンス変換手段１００−１〜１００−１
０には、それぞれトランジスタ１個（Ｔｒｉ１〜Ｔｒｉ
１０）とコンデンサ１個（Ｃｆ１〜Ｃｆ１０）とを用い
ている。

【００７６】抵抗変化検出手段６１は、１つの信号入力
端子Ｔｓ１しか持たない。トランジスタＴｒ１のコレク
タ端子は抵抗素子Ｒｃを介して電源端子Ｖｃに接続され
る。また、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子（信号入
力端子Ｔｓ１）と電源端子Ｖｃ間にセンス電流制御入力
端子Ｓｍｒの制御信号によって制御される電流源Ｉｓｄ
を設け、トランジスタＴｒ１のベース端子は、固定電位
Ｖｔに接続される。ＭＲヘッド２１−１〜２１−１０の
内どのＭＲヘッドを選択するかはヘッド選択信号Ｓ０〜
Ｓ３を入力とするヘッド選択回路Ｈｓで、センス電流制
御電圧の出力先を、センス電流制御電圧出力端子Ｖｉｓ
１〜Ｖｉｓ１０のどの端子に出力するかで決めている。
選択されない制御端子の電位は接地電位に保たれる。

【００７７】本実施の形態によれば、１０個の磁気ヘッ
ド２を有するＨＤＡ９を１つのＲ／ＷＩＣ６で構成でき
るとともに、Ｒ／ＷＩＣ６の内部の抵抗変化検出用のト
ランジスタＴｒ１も１個でよい。しかもマルチトラック
化によるＲ／ＷＩＣ６の抵抗変化検出手段６１の端子
は、信号入力端子と接地端子を共通化できる。この結
果、集積回路化時のチップ面積の削減が可能になるとと
もに、入出力端子数も削減され、集積回路化を容易に実
現することができる。また、２１−１〜２１−１０の各
ＭＲヘッド近傍に設けたインピーダンス変換手段（１０
０−１〜１００−１０）によって、各ＭＲヘッドから抵
抗変化検出手段６１に至る信号線のインダクタンスや容
量の影響が無視でき、フレキシブルケーブル５１−１〜
５１−１０の接地線５１２−１〜５１２−１０に外乱雑
音が重畳しても信号雑音に影響しにくい構成となってい
るので、信号入力端子と接地端子を共通化しても信号帯
域や耐外来雑音性が劣化することはない。電流源Ｉｓｄ
の効果は図３に示したの第１の実施の形態と同様であ
る。

【００７８】また、図２に示したように、抵抗変化検出
手段６１のトランジスタＴｒ１のエミッタ端子と電源端
子Ｖｃ間に設けた電流源Ｉｓｄを除くことも可能であ
る。更には図７に示すように、図２〜図５に示した抵抗
変化検出手段を用いたＲ／ＷＩＣ６と共に、外部にヘッ
ド選択回路Ｈｓを別個に設けてもよいことは明らかであ
る。この場合には、ヘッド選択回路Ｈｓの仕様変更のみ
で、ヘッド数の異なる機種に対して、Ｒ／ＷＩＣ６を共
通に使用できる、という利点がある。本実施の形態で
は、１０個のＭＲヘッドを選択使用するＨＤＡについて
示したが、ヘッド数は任意であることは言うまでもな
い。

【００７９】なお、さらに、本発明に用いられるトラン
ジスタＴｒ１，Ｔｒ２は、たとえば、雑音指数ＮＦが１
ｄｂ以下、利得帯域幅積ｆ_T が５００ＭＨｚ以上の低雑
音、高帯域の高性能を有しておれば、信号の広帯域増幅
ならびに、高Ｓ／Ｎ比での再生に好適となることは言う
までもない。

【００８０】以上説明したように、上述の各実施の形態
の磁気ディスク装置１０によれば、ＭＲヘッド２１を再
生ヘッドとするヘッド／ディスクアセンブリ９におい
て、ＭＲヘッド２１から抵抗変化検出手段であるＲ／Ｗ
ＩＣ６に至る再生信号の伝送経路であるフレキシブルケ
ーブル５１における信号伝送帯域を広くして、データの
高速転送化を容易に実現することができる。また、マル
チヘッド構成において、Ｒ／ＷＩＣ６の共通化および当
該Ｒ／ＷＩＣ６の内部構成や入出力端子数の簡素化によ
り、当該Ｒ／ＷＩＣ６の集積回路化を容易に実現するこ
とができる。また、外来雑音等に影響されることなく比
較的自由にフレキシブルケーブル５１の引回し経路や長
さを設定でき、設計の自由度が向上する。

【００８１】なお、上述の実施の形態の説明では、磁気
記録情報検出装置の一例として磁気ディスク装置に適用
した場合について説明したが、一般のＭＲ素子を用いる
磁気記録情報検出装置に広く適用することができる。

【００８２】

【発明の効果】本発明の磁気記録情報検出装置によれ
ば、ＭＲ素子から抵抗変化検出手段に至る信号伝送経路
における磁気記録情報の検出信号の信号伝送帯域が広く
高速転送化を容易に実現することができる、という効果
が得られる。

【００８３】また、本発明の磁気記録情報検出装置によ
れば、ＭＲ素子から抵抗変化検出手段に至る信号伝送経
路の設計の自由度を大きくすることができる、という効
果が得られる。

【００８４】また、本発明の磁気記録情報検出装置によ
れば、ＭＲ素子用の抵抗変化検出手段の集積回路化を容
易に実現することができる、という効果が得られる。

【００８５】また、本発明の磁気記録情報検出装置によ
れば、ＭＲヘッドを再生ヘッドとする磁気ディスク装置
に適用した場合、高速転送化を容易にする信号伝送帯域
の広いヘッド／ディスクアセンブリを実現できるという
効果が得られる。

【００８６】また、本発明の磁気記録情報検出装置によ
れば、ＭＲヘッドを再生ヘッドとする磁気ディスク装置
に適用した場合、再生系のＭＲヘッド用の抵抗変化検出
手段の集積回路化を容易に実現できる、という効果が得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録情報検出装置の第１の実施の
形態である磁気ディスク装置におけるサスペンション部
の構成の一例を示す平面図である。

【図２】その再生系の回路構成の一例を示す概念図であ
る。

【図３】その変形例の回路構成の一例を示す概念図であ
る。

【図４】本発明の磁気記録情報検出装置の第２の実施の
形態である磁気ディスク装置における再生系の回路構成
の一例を示す回路図である。

【図５】本発明の磁気記録情報検出装置の第３の実施の
形態である磁気ディスク装置における再生系の構成の一
例を示す回路図である。

【図６】本発明の磁気記録情報検出装置の第４の実施の
形態である磁気ディスク装置における再生系の構成の一
例を示す回路図である。

【図７】本発明の磁気記録情報検出装置の第４の実施の
形態である磁気ディスク装置における再生系の回路構成
の変形例を示す回路図である。

【図８】本発明の磁気記録情報検出装置の第１の実施の
形態である磁気ディスク装置の構成の一例を示す概念図
である。

【図９】考えられる従来のサスペンションの構成の一例
を示す斜視図である。

【図１０】考えられる従来のサスペンションの構成の一
例を示す平面図である。

【図１１】考えられる従来のサスペンションの構成の一
例を示す側面図である。

【図１２】考えられる従来のＭＲヘッドの再生系の一例
を示す回路図である。

【図１３】考えられる従来のＭＲヘッドの再生系の等価
回路の一例を示す回路図である。

【符号の説明】

１…ディスク（磁気記録媒体）、２，２−１〜２−１０
…磁気ヘッド、３…サスペンション、４…アクチュエー
タ、５…配線、６…Ｒ／ＷＩＣ、７…フレキシブルケー
ブル、８…プリンテッドサーキットボード、９…ヘッド
／ディスクアセンブリ、１０…磁気ディスク装置、１１
…スピンドル、２１，２１−１〜２１−１０，２１ｄ…
ＭＲヘッド、５１，５１−１〜５１−１０…フレキシブ
ルケーブル（配線手段）、６１…抵抗変化検出手段、１
００，１００−１〜１００−１０…インピーダンス変換
手段、１０１…制御電圧入力端子、１０２…信号入力端
子、１０３…信号出力端子、１０４…接地端子、５１
１，５１１−１，５１１−２…信号線、５１２，５１２
−１〜５１２−１０…接地線、５１３，５１３−１〜５
１３−１０…制御線、Ａｄ…差動アンプ、Ａｏｐ…オペ
アンプ、Ｃｆ…コンデンサ、Ｈｓ…ヘッド選択回路、Ｉ
ｓｄ，Ｉｓｇ，Ｉｓｇ２…電流源、Ｒｃ，Ｒｃ１，Ｒｃ
２，Ｒｃｒ，Ｒｆ，Ｒｆ１，Ｒｆ２…抵抗素子、Ｓ０〜
Ｓ３…ヘッド選択信号、Ｓｍｒ…センス電流制御入力端
子、Ｔｒ１，Ｔｒ１−１，Ｔｒ１−２…トランジスタ、
Ｔｒｉ，Ｔｒｉ１，Ｔｒｉ２…トランジスタ、Ｔｓ１…
信号入力端子（第１の端子）、Ｖｃ…電源端子、Ｖｉ
ｓ，Ｖｉｓ１〜Ｖｉｓ１０…センス電流制御電圧出力端
子（第２の端子）、Ｖｎ，Ｖｐ…差動出力端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑中 紀明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式 会社日立製作所 ストレージシステム事 業部内 (56)参考文献 特開 平２−214008（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−290408（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−84148（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−169004（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 5/09 321 G11B 5/39

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気に感応して抵抗値が変化するＭＲ素
   子を備えたヘッドと、このヘッドの信号を高インピーダ
   ンスの電流信号に変換して出力するインピーダンス変換
   手段と、このインピーダンス変換手段からの前記電流信
   号を受ける電流検出型の抵抗検出手段とを備え、 前記インピーダンス変換手段は、エミッタ端子が前記ヘ
   ッドからの信号の入力端子であり、コレクタ端子が前記
   高インピーダンスに変換された電流信号の出力端子であ
   るトランジスタと、このトランジスタのベース端子と接
   地線との間に接続され、前記ヘッドで検出する再生信号
   の周波数成分が帰還しないようにするコンデンサとで構
   成する 磁気記録情報検出装置。
2. 【請求項２】 磁気に感応して抵抗値が変化するＭＲ素
   子を備えたヘッドと、このヘッドの信号を高インピーダ
   ンスの電流信号に変換して出力するインピーダンス変換
   手段と、このインピーダンス変換手段からの前記電流信
   号を電圧信号に変換する抵抗検出手段とを備え、 前記インピーダンス変換手段は、エミッタ端子が前記ヘ
   ッドからの信号の入力端子であり、コレクタ端子が前記
   高インピーダンスに変換された電流信号の出力端子であ
   るトランジスタと、このトランジスタのベース端子と接
   地線との間に接続され、前記ヘッドで検出する再生信号
   の周波数成分が帰還しないようにするコンデンサとで構
   成する 磁気記録情報検出装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の磁気記録情報検
   出装置において、前記抵抗検出手段は、前記インピーダ
   ンス変換手段からの前記電流信号を受ける接続端子と、
   この接続端子に接続されたエミッタ端子と固定電位に接
   続されたベース端子とコレクタ端子とからなるトランジ
   スタと、前記コレクタ端子に接続され前記電流信号を電
   圧信号に変換する抵抗とからなる磁気記録情報検出装
   置。
4. 【請求項４】 情報が記録されるディスクと、このディ
   スクに対する前記情報の記録／再生動作を行う磁気ヘッ
   ドと、この磁気ヘッドを搭載するサスペンションと、こ
   のサスペンションを駆動するアクチュエータと、前記サ
   スペンション上に設けられ前記磁気ヘッドの信号を出力
   するインピーダンス変換手段と、このインピーダンス変
   換手段の出力を受け前記磁気ヘッドの抵抗値の変化を検
   出する抵抗検出手段と、この抵抗検出手段と前記インピ
   ーダンス変換手段とを接続するケーブルとを備え、 前記インピーダンス変換手段は、エミッタ端子が前記磁
   気ヘッドからの信号の入力端子であり、コレクタ端子が
   高インピーダンスに変換された電流信号の出力端子であ
   るトランジスタと、このトランジスタのベース端子と接
   地線との間に接続され、前記磁気ヘッドで検出する再生
   信号の周波数成分が帰還しないようにするコンデンサを
   備えて前記抵抗検出手段に前記磁気ヘッドが出力した信
   号よりも高インピーダンスの電流信号を出力し、前記抵
   抗検出手段はこの電流信号を電圧信号に変換して出力す
   る磁気ディスク装置。