JPH06118440A

JPH06118440A - 液晶表示素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06118440A
Application number: JP29389592A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Tomoike; 和浩友池; Koyo Yuasa; 公洋湯浅
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1992-10-07
Filing date: 1992-10-07
Publication date: 1994-04-28

Abstract

(57)【要約】【目的】応答速度が速く、機械的強度に優れた液晶表
示素子を提供するとともに、生産性の向上を図れるよう
にする。【構成】一方の基板１上に形成されたスイッチング素
子を用いて、対向電極付きの他方の基板１２との間に挟
持される液晶を駆動するアクティブマトリクス型の液晶
表示素子において、両基板間に挟持される液晶層１４
を、強誘電性高分子液晶またはその組成物で構成し、基
板の少なくとも一方をプラスチック基板とし、かつ、こ
のプラスチック基板１上にスイッチング素子の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ素子２）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレ装置や各種
エレクトロニクス用デバイスとして用いられるアクティ
ブマトリクス型の液晶表示素子およびその製造方法に関
し、特に、液晶材料として強誘電性高分子液晶またはそ
の組成物を用いた液晶表示素子およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に液晶表示素子では、走査電極群
（コモン電極群）と信号電極群（セグメント電極群）を
マトリクス状に配し、これら両電極郡によって電極間の
液晶を駆動することで、画面上に文字や画像を表示させ
ることができる。このような単純ドットマトリクス構成
の液晶表示素子では、電極を細くし、電極ピッチを狭め
ることで、より密度の高い表示を行なえる。しかし、ド
ット（画素）の高密度化や、画面の大型化が進むにつれ
て、走査電極群や信号電極群を構成する電極数が膨大な
ものとなり、駆動対象画素に隣接した画素にも電圧が分
配されるクロストークによって表示が乱れたり、液晶の
応答性が損なわれたりする。そこで、このような問題を
改善するために、各画素ごとに薄膜ダイオードや薄膜ト
ランジスタからなるスイッチング素子をマトリクス状に
配して、液晶を直接駆動するアクティブマトリクス型の
液晶表示素子の開発が進められている。このアクティブ
マトリクス型の表示素子には、ネマチック液晶が用いら
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ネマチック液
晶を用いたものでは応答速度が数十ｍ秒と遅く、表示の
高速化に限界があるとともに、繰返し周波数の制約から
大画面表示ができないという問題がある。さらに、メモ
リ性がないため、液晶に常に電界を印加しておく必要が
ある。そこで、液晶材料に低分子強誘電性液晶を用い、
スイッチング素子に薄膜トランジスタを用いたアクティ
ブマトリクス型表示素子が、特開昭６１−５２６８１
号、特開昭６２−１７２３２６号などの公報で提案され
ている。しかし、これらの公報に述べられている液晶表
示素子では、均一な配向処理が難しいとともに、薄膜ト
ランジスタによって配向の乱れが生じたり、衝撃によっ
て配向が壊れやすいなどの問題を有していた。

【０００４】強誘電性液晶は、双安定状態を有し、印加
電圧を切っても表示が消えないメモリ性を有するととも
に、高速応答性を備えている。また、強誘電性液晶はネ
マチック液晶と異なり高粘性であり、流動した方向に沿
って配向しやすいという性質を有している。したがっ
て、空のセルを形成したあとに強誘電性液晶を注入して
液晶表示素子を得るという従来の製造方法では、セル内
への液晶の注入が容易でなかったり、注入された液晶に
配向欠陥が生じやすいという問題点があった。

【０００５】本発明は、このような従来の技術が有する
課題を解決するために提案されたものであり、応答速度
が速く、機械的強度に優れているとともに、生産性を向
上できる液晶表示素子およびその製造方法の提供を目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、一方の基板上に形成されたスイッチング素
子を用いて、対向電極付きの他方の基板との間に挟持さ
れる液晶を駆動するアクティブマトリクス型の液晶表示
素子において、両基板間に挟持される液晶を、強誘電性
高分子液晶または強誘電性高分子液晶組成物としてあ
る。

【０００７】また、本発明の液晶表示素子は、スイッチ
ング素子として薄膜トランジスタ又は薄膜ダイオードを
用い、さらにまた上記基板の少なくとも一方をプラスチ
ック基板で形成してある。

【０００８】また、本発明による液晶表示素子の製造方
法は、対向電極が形成されている基板がプラスチック基
板によって構成され、この対向電極付きプラスチック基
板上に液晶層を形成したあとに、スイッチング素子が設
けられた上記基板を積層するようにしている。

【０００９】以下、本発明を具体的に説明する。まず、
基板としては、例えば、一軸または二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートなどの結晶性ポリマー、ポリスルホ
ン，ポリエーテルスルホンなどの非結晶性ポリマー、ポ
リエチレン，ポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポ
リカーボネート，ナイロンなどのポリアミドを挙げるこ
とができる。このような可撓性基板を用いることで、曲
面表示が可能な大面積の液晶表示素子を構成できる。な
お、スイッチング素子が設けられる側の基板にはガラス
基板も使用できる。

【００１０】対向電極が設けられた基板に形成されてい
る電極としては、液晶表示素子に通常用いられている透
明または半透明な電極材料、例えばＮＥＳＡ膜やＩＴＯ
膜を使用することができる。ＴＦＴパネルの場合には、
特にパターンを形成する必要はない。ＭＩＭパネルの場
合には、ドットマトリックス表示用のストライプ状に電
極パターンが形成される。

【００１１】もう一方の基板には、アクティブマトリク
ス素子としてのＴＦＴ素子またはＭＩＭ素子などが形成
される。

【００１２】液晶としては、強誘電性高分子液晶を含ん
でいると、衝撃や曲げなどの外力に対する強度および耐
久性を向上できる。また、強誘電性液晶のメモリ性を利
用でき、消費電力の低減が図れる。また、強誘電性高分
子液晶材料としては、例えば、一種または二種以上の強
誘電性高分子液晶、一種または二種以上の強誘電性低分
子液晶と一種または二種以上の強誘電性高分子液晶から
なる強誘電性高分子液晶組成物、一種または二種以上の
強誘電性低分子液晶と一種または二種以上の他の高分子
液晶などからなる強誘電性高分子液晶組成物などを挙げ
ることができる。すなわち、強誘電性高分子液晶または
強誘電性高分子液晶組成物としては、ポリマー分子自体
が強誘電性の液晶特性を示す強誘電性高分子液晶（ホモ
ポリマーまたはコポリマーまたはそれらの混合物）、強
誘電性高分子液晶と他の高分子液晶および／または通常
のポリマーとの混合物、強誘電性高分子液晶と強誘電性
低分子液晶との混合物、強誘電性高分子液晶と強誘電性
低分子液晶と高分子液晶および／または通常のポリマー
との混合物、あるいはこれらと通常の低分子液晶との混
合物などの全ての強誘電性を示す高分子液晶を使用する
ことができる。

【００１３】前記強誘電性高分子液晶の中でも、例え
ば、カイラルスメクチックＣ相をとる側鎖型強誘電性高
分子液晶を好適に使用できる。また、強誘電性液晶組成
物には必要に応じて接着剤，減粘剤，非液晶カイラル化
合物，色素などが含まれる。液晶層の厚さは、特に制限
されないが塗布乾燥後に１〜１０μｍの膜厚になるのが
好ましく、特に１．５〜３μｍとするのがよい。強誘電
性液晶ポリマーには、例えばアクリレイト主鎖系液晶ポ
リマー、メタクリレイト主鎖系液晶ポリマー、クロロア
クリレイト主鎖系液晶ポリマー、オキシラン主鎖系液晶
ポリマー、シロキサン主鎖系液晶ポリマー、シロキサン
−オレフィン主鎖系液晶ポリマー、エステル主鎖系液晶
ポリマーなどが含まれる。

【００１４】

【化１】

【００１５】

【化２】

【００１６】

【化３】

【００１７】

【化４】

【００１８】なお、上記の強誘電性液晶ポリマーの繰り
返し単位は、側鎖の骨格がビフェニル骨格、フェニルベ
ンゾエイト骨格、ビフェニルベンゾエイト骨格、フェニ
ル４−フェニルベンゾエイト骨格で置き換えられてもよ
く、これらの骨格中のベンゼン環がピリミジン環、ピリ
ジン環、ピリダジン環、ピラジン環、テトラジン環、シ
クロヘキサン環、ジオキサン環、ジオキサボリナン環で
置き換えられてもよく、フッ素、塩素などのハロゲン基
あるいはシアノ基で置換されてもよく、１−メチルアル
キル基、２−フルオロアルキル基、２−クロロアルキル
基、２−クロロ−３−メチルアルキル基、２−トリフル
オロメチルアルキル基、１−アルコキシカルボニルエチ
ル基、２−アルコキシ−１−メチルエチル基、２−アル
コキシプロピル基、２−クロロ−１−メチルアルキル
基、２−アルコキシカルボニル−１−トリフルオロメチ
ルプロピル基などの光学活性基で置き換えられてもよ
い。またスペーサの長さは、メチレン鎖長が２〜３０の
範囲で変化してもよい。また、強誘電性液晶ポリマーの
数平均分子量は１，０００〜２００，０００のものが好
ましい。強誘電性低分子液晶化合物としては、例えば、
シッフ塩基系強誘電性低分子液晶化合物、アゾおよびア
ゾキシ系強誘電性低分子液晶化合物、ビフェニルおよび
アロマティックスエステル系強誘電性低分子液晶化合
物、ハロゲン、シアノ基などの環置換基を導入した強誘
電性低分子液晶化合物、複素環を有する強誘電性低分子
液晶化合物などが挙げられる。

【００１９】

【化５】

【００２０】

【化６】

【００２１】

【化７】

【００２２】

【化８】

【００２３】なお、これらの化合物は強誘電性低分子液
晶化合物の代表的なものであり、本発明の強誘電性低分
子液晶化合物は何らこれらの構造式に限定されるもので
はない。このような強誘電性液晶材料は、キャスト−延
伸法などによって電極付き基板上に延伸製膜されるか、
後述のロールコート法によって塗布製膜され、その後配
向処理がなされる。なお、粘着剤としては、例えば、エ
ポキシ系のものを用いることができる。

【００２４】次に、もう一方の基板１上にアクティブマ
トリクス素子となるＴＦＴ素子２を形成する手順を図１
ないし図３を参照してガラス基板の場合とプラスチック
基板の場合について説明する。まず、図２（ａ），
（ｂ）にもとづいてガラス基板の場合について説明す
る。プラズマＣＶＤ法を用いてガラス基板１上にＣｒ、
Ｔａ、Ａｌ膜等を蒸着することで、ゲート電極３および
走査線１０を形成する。続いて、ゲート電極の陽極酸化
法、プラスマＣＶＤ法によりゲート電極３上にゲート絶
縁膜５を形成する。例えば、ゲート電極３のＴａを室温
で陽極酸化してＴａ₂Ｏ₅膜（陽極酸化膜）５’を形成
し、その上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ₃Ｎ₄のゲー
ト絶縁膜５を形成する。次に、ゲート絶縁膜５の上にア
モルファスＳｉ膜６ａ、ｎ⁺アモルファスＳｉ膜６ｂ又
は多結晶Ｓｉ膜等によってチャネル半導体６をプラズマ
ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法に等により形成す
る。続いて、画素電極４をＩＴＯ膜等で形成する。さら
に、ソース電極７およびドレイン電極８を蒸着し、Ａ
ｌ、Ｍｏ、ＩＴ膜等を形成する。そして、その上にチャ
ネル保護膜９を被着することでＴＦＴ素子２を形成す
る。

【００２５】次に、プラスチック基板の場合について図
３を参照しつつ説明する。ＰＥＳ基板などからなるプラ
スチック基板１上にＩＴＯ膜を用いてゲート電極３をパ
ターン形成する。この際、同時に液晶駆動用の画素電極
４もパターン形成する。続いて、プラズマ重合法、ＬＢ
法、電析法（電界重合法）などにより、ゲート電極３上
に絶縁性を有する有機または無機化合物を用いてゲート
絶縁膜５を形成する。例えば、プラズマ重合法ではｉ−
カーボン膜、ＬＢ法ではアラキン酸膜、電析法ではポリ
パラフェニレン膜などとしてこのゲート絶縁膜５が形成
される。

【００２６】続いて、ゲート絶縁膜５上にポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリフタロシア
ニン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレンビニレ
ンなどの導電性高分子を用いてチャネル半導体６を形成
する。この際、前駆体ポリマーを有機溶剤に溶解させて
スピンコーターなどにより塗布したあと乾燥し、ゲート
電極３および画素電極４にマスクをして光照射を行な
い、未照射部を溶媒で洗い流すことでチャネル半導体６
を形成する。

【００２７】続いて、ゲート絶縁膜５およびチャネル半
導体６上にリフトオフ法により金を蒸着することで、ソ
ース電極７およびドレイン電極８を形成する。

【００２８】続いて、チャネル半導体６上のソース電極
７およびドレイン電極８間にチャネル保護膜９を被着す
ることで、ＴＦＴ素子２を形成する。なお、１０はゲー
トバスラインからなる走査線であり、１１はソースバス
ラインからなるデータ線である。基板１上に形成される
アクティブマトリクス素子がＭＩＭ素子である場合、走
査線１０は不要である。

【００２９】次に、一連の液晶表示素子の製造工程を順
に説明する。まず、強誘電性液晶材料は、流動性を高め
るために芳香族系、脂肪族系またはアルコール系などの
一般的な有機溶媒によって溶解され、その後、この液晶
溶液がマイクログラビア法、ダイレクトグラビア法また
は含浸塗布法などにより長尺なプラスチック基板１２の
対向電極１３側の表面に均一な膜厚に塗布される。な
お、含浸塗布法では液晶溶液を含浸させた含浸部材を、
電極付き基板面に押し当てて移動しながら塗布が行なわ
れる。基板面への液晶溶液の塗布範囲は、液晶表示素子
（液晶パネル）の表示部の領域にほぼ合致する範囲とな
るように設定され、ロールから繰り出された長尺な基板
上に液晶が間欠塗布される。このような間欠塗布を行な
うと、引き出し電極部に液晶溶液が塗布されないため、
不要部分の液晶を除去する後工程を省略できる。液晶溶
液を塗布したあとは、溶媒を蒸発させるために乾燥を行
なう。

【００３０】続いて、プラスチック基板１２上に形成さ
れた液晶層１４上に、ＴＦＴ素子２が形成されているも
う一方の基板１を素子形成面が対向するように重ね合わ
せる。この両基板の重合せ工程では、液晶層１４と基板
１間に気泡が入らないようにするとともに、上下の基板
間に液晶層１４が均一な膜厚で挟持されるようにする。
この重合せ工程を良好に行なえるようにするために、素
子形成側の基板を加熱するのが望ましい。液晶組成物は
液晶分子が一軸水平配向されるために、基板間に挟持さ
れる際、またはその後に配向処理がなされる。この配向
処理の方法としては、ラビング法、斜方蒸着法、磁場印
加法、温度勾配法などを用いることができる。さらに、
特開平２−１０３２２号に記載されるように基板にずり
剪断をかけて液晶分子を配向させる方法や、特開平３−
５７２７号に記載されるように電界を印加しながら剪断
をかけて配向される方法などを用いることもできる。配
向処理が施された長尺物を所定の大きさに切断すること
で、プラスチックフィルム基板からなる液晶表示素子を
製作することができる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明による液晶表示素子およびその
製造方法の具体的な実施例を説明するが、本発明はこの
実施例に限定されるものではない。実施例１まず、化学式９に示す強誘電性液晶高分子組成物をトル
エンによって溶解し、３０ｗｔ％の液晶溶液として、Ｉ
ＴＯ膜による対向電極１３が形成されたポリエーテルス
ルホン基板（ＰＥＳ基板）からなるプラスチック基板１
２の電極面にマイクログラビアコータを用いて塗布す
る。このＰＥＳ基板は、厚みが１００μｍ、幅が１５０
ｍｍ、長さが２０ｍである。溶媒が蒸発したあとの液晶
層１４の厚みは約２．５μｍであった。

【００３２】

【化９】

【００３３】ＴＦＴ素子２が配される側の基板１はつぎ
のようにして作製した。まず、厚さが約１００μｍ、幅
が１５０ｍｍのＰＥＳ基板からなるプラスチック基板１
上にＩＴＯ膜を被着形成し、エッチングを行なって画素
電極４およびゲート電極３を形成した。このゲート電極
３上に電界重合法によりポリパラフェニレンを析出し、
完全に中和処理してゲート絶縁膜５を形成した。その
後、ポリ２，５−エトキシフェニレンビニレンのスルホ
ン前駆体をトルエン溶媒に溶解して、スピンコーターに
より塗布し、その後乾燥してチャネル半導体６を形成し
た。この際、画素電極４およびゲート電極３にマスクを
して光照射し、未照射部分を溶剤で洗い流した。続いて
リフトオフ法により金を蒸着することで、ソース電極７
およびドレイン電極８を形成した。

【００３４】続いて、電極付き基板１２の液晶層１４上
に、ＴＦＴ素子２が形成された基板１を、幅が２００ｍ
ｍで直径が８０ｍｍのシリコンゴム製および鉄製の二本
のロールを用いラミネートし、未配向素子１５とした。
このとき、ラミネートが良好に行なえるように二本のロ
ールを６０℃に加熱した。続いて、長尺な未配向素子１
５に対して、図４に示すように三本のロール１６，１
７，１８を用いて連続的に配向処理を行なった。ここ
で、ロール１６，１７，１８はクロムメッキを施した鉄
製であり、直径が１００ｍｍ，長さが５００ｍｍであ
る。これら三本のロール１６，１７，１８を中心間距離
が１２０ｍｍとなるように配置した。各ロール１６，１
７，１８の表面温度は、それぞれ９５℃、８０℃、５０
℃とし、ライン速度ｖは１０ｍ／分とした。この処理に
よって液晶のスメクチック層法線は、基板の長手方向と
直角の方向に配置した。その後、長尺物を所定の形状に
切り出し、１／１００デューティの図５に示す液晶表示
素子１９を製造した。なお、図５において、２０は封止
剤である。

【００３５】この表示素子１９を２枚の直交した偏光板
で挟み、線順次駆動方式で駆動したところ、コントラス
ト比３０の良好な表示が得られた。また、１画面の表示
速度は約１ｍ秒であった。

【００３６】実施例２実施例１において、液晶溶液が塗布されるＰＥＳ基板の
電極上にはポリイミドの配向膜がコーティングしてあ
る。配向膜の厚みは、約１００μｍであった。また、こ
の配向膜はラビング処理が施してある。実施例１と同様
に、マイクログラビアコーターにて液晶溶液を塗布した
ところ、液晶層の膜厚は約２μｍであった。積層する側
の基板１には、ＴＦＴ素子２が形成されている。ここ
で、基板は無アルカリ・ガラスを用いた。このガラス基
板上にプラズマＣＶＤ法でＴａ膜を蒸着することにより
ゲート電極３および走査線１０を形成した。次に、ゲー
ト電極のＴａを室温で陽極酸化してＴａ₂Ｏ₅の陽極酸化
膜５’を形成し、さらに、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ
₃Ｎ₄のゲート絶縁膜５を形成した。次に、アモルファス
Ｓｉ膜、ｎ⁺アモルファスＳｉ膜をプラズマＣＶＤ法で
それぞれ蒸着し、チャネル半導体６を形成した。次に、
Ａｌ膜をスパッタ法で蒸着し、ソース電極７、ドレイン
電極８およびデータ線１１を形成した。次に、ＩＴＯ膜
をスパッタ法で蒸着し、画素電極４を形成した。さら
に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ₃Ｎ_x膜を蒸着し、チャ
ネル保護膜９を形成した。このＴＦＴ素子が形成された
基板上には、対向のＰＥＳ基板と同様に配向膜がコーテ
ィング（膜厚同じ）してあり、ラビング処理も施してあ
る。続いて、上記の液晶膜が形成されたＰＥＳ基板とＴ
ＦＴ素子が形成されたガラス基板とを位置あわせした後
に、幅が２００ｍｍで直径が８０ｍｍのシリコンゴム製
のロールで貼り合わせをおこなった。この後、この未配
向素子を１００℃まで加温し、徐々に冷却することで均
一配向した液晶表示素子を得た。実施例１と同様に駆動
したところ、コントラスト比２０の良好な表示を得た。

【００３７】比較例１強誘電性低分子液晶とてＤＯＢＡＭＢＣを用い、また両
基板面上にラビング処理を施したポリイミド膜を形成し
た以外、実施例１と同様な液晶表示素子を作製した。

【００３８】評価実施例１と比較例１の液晶表示素子を平板の上に静置
し、直径が１２．７ｍｍ、重さが８．４ｇの鋼球を５０
ｃｍの高さから落下して、配向の壊れの程度（表示不良
部）を観察したところ、表１に示す結果を得た。なお、
全体サイズは５×５ｃｍである。

【００３９】

【表１】 ────────────────────── 配向変化領域 ────────────────────── 実施例１０％ ────────────────────── 比較例１４０％ ──────────────────────

【００４０】比較例２液晶溶液を塗布する基板２１にストライプ状の走査電極
２２を１００本形成し、積層する側の基板２３にもスト
ライプ状の信号電極２４を形成した以外は実施例１と同
様に製作し、１／１００デューティの単純マトリクス液
晶表示素子２６（図６参照）を得た。なお、図６におい
て、２５は液晶層である。この表示素子２６を２パル
ス、１／３バイアス法の線順次駆動方式により表示を行
なった。駆動条件は印加電圧６Ｖ、パルス幅１．５ｍ秒
とした。その結果、１／１００デューティ表示を１画面
表示するのに、１５０ｍ秒の時間を要した。

【００４１】なお、本発明は上述した実施例に限定され
ず、要旨の範囲内で種々の変更実施が可能である。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
クティブマトリクス表示素子を構成するにあたり、液晶
材料に強誘電性高分子液晶またはその組成物を用いてい
るので、高速応答が可能なメモリ性を有する大画面の液
晶表示素子を構成できる。また、液晶の配向安定性が高
く、機械的強度に優れた液晶表示素子を提供できる。ま
た、基板にプラスチック基板を用いていることで、長尺
基板による連続した液晶表示素子の製造が可能となる。
このような連続工程では、従来のように空のセルに液晶
を注入するような煩雑な工程が不要となり、効率のよい
液晶表示素子の製造を行なえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示素子の構成を模式的に示
す斜視図である。

【図２】（ａ）はガラス基板を用いて液晶表示素子を構
成するアクティブマトリクス素子の１画素を取り出して
示す断面図であり、（ｂ）はこのアクティブマトリクス
素子を模式的に示す斜視図である。

【図３】プラスチック基板を用いて液晶表示素子を構成
するアクティブマトリクス素子の１画素を取り出して示
す断面図である。

【図４】配向処理過程を説明するための図である。

【図５】製造された液晶表示素子の要部断面図である。

【図６】本発明の液晶表示素子と比較される単純マトリ
クス液晶表示素子を模式的に示す斜視図である。

【符号の説明】

１ガラス又はプラスチック基板２ＴＦＴ素子３ゲート電極４画素電極５ゲート絶縁膜５’ 陽極酸化膜６チャネル半導体７ソース電極８ドレイン電極９チャネル保護膜１０走査線１１データ線１２プラスチック基板１３対向電極１４液晶層１５未配向素子１６，１７，１８配向用のロール１９液晶表示素子２０封止剤

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一方の基板上に形成されたスイッチング
素子を用いて、対向電極付きの他方の基板との間に挟持
される液晶を駆動するアクティブマトリクス型の液晶表
示素子において、基板間に挟持される液晶が、強誘電性
高分子液晶または強誘電性高分子液晶組成物を含んだも
のであることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】基板上に形成されるスイッチング素子
が、薄膜トランジスタまたは薄膜ダイオードである請求
項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】上記アクティブマトリックス型液晶表示
素子を構成する基板の少なくとも一方が、プラスチック
基板であることを特徴とする請求項１および２記載の液
晶表示素子。
【請求項４】対向電極の形成された基板がプラスチッ
ク基板からなり、この対向電極付きプラスチック基板上
に液晶層を形成したあとに、スイッチング素子を設けた
基板を積層することを特徴とする請求項１，２または３
記載の液晶表示素子の製造方法。