JPH06117845A - Ｓｐｍ用探針評価用標準試料及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｐｍ用探針評価用標準試料及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06117845A JPH06117845A JP26595192A JP26595192A JPH06117845A JP H06117845 A JPH06117845 A JP H06117845A JP 26595192 A JP26595192 A JP 26595192A JP 26595192 A JP26595192 A JP 26595192A JP H06117845 A JPH06117845 A JP H06117845A
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- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＰＭ用探針を評価する為の標準試料を容易
に、かつ正確に作る。 【構成】 ４Ｎ以上の単結晶アルミニュウム基板１１を
鏡面研磨し（Ａ）、研磨した面を２０℃の３％蓚酸浴、
化成電圧５０Ｖで陽極酸化して厚さ４μｍのポーラス皮
膜１２を形成する（Ｂ）。これを３０℃の１％燐酸浴に
１０分間浸けて入れ、ポーラス皮膜１２の各穴１３を拡
大し（Ｃ）、更に１％燐酸浴に入れて１０ｍＡ／ｄｍ2
で一定電圧になるまで保持して陽極酸化をして穴１３の
底部を均一な薄い酸化膜とし（Ｄ）、これに対して２０
℃の1mol/l硫酸ニッケルと30g/l 硼酸浴に入れて交流で
ニッケルを電解析出して穴１３内にニッケルを埋め込む
（Ｅ）、その埋め込んだ穴の面をコロイダルシリカで削
り込んで約２μｍの厚さとして表面仕上げをし（Ｆ）、
これを６５℃、30ml/l燐酸と35g/l 酸化クロムの浴に３
０秒入れて、酸化膜１４を選択的にエッチングしてニッ
ケル１５を１０ｎｍ突出させて標準試料を得る。
に、かつ正確に作る。 【構成】 ４Ｎ以上の単結晶アルミニュウム基板１１を
鏡面研磨し（Ａ）、研磨した面を２０℃の３％蓚酸浴、
化成電圧５０Ｖで陽極酸化して厚さ４μｍのポーラス皮
膜１２を形成する（Ｂ）。これを３０℃の１％燐酸浴に
１０分間浸けて入れ、ポーラス皮膜１２の各穴１３を拡
大し（Ｃ）、更に１％燐酸浴に入れて１０ｍＡ／ｄｍ2
で一定電圧になるまで保持して陽極酸化をして穴１３の
底部を均一な薄い酸化膜とし（Ｄ）、これに対して２０
℃の1mol/l硫酸ニッケルと30g/l 硼酸浴に入れて交流で
ニッケルを電解析出して穴１３内にニッケルを埋め込む
（Ｅ）、その埋め込んだ穴の面をコロイダルシリカで削
り込んで約２μｍの厚さとして表面仕上げをし（Ｆ）、
これを６５℃、30ml/l燐酸と35g/l 酸化クロムの浴に３
０秒入れて、酸化膜１４を選択的にエッチングしてニッ
ケル１５を１０ｎｍ突出させて標準試料を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等のＳＰＭ（走
査型探針顕微鏡）において試料を走査するための探針の
先端の先鋭度を評価するための標準試料及びその製造方
法に関する。
（ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等のＳＰＭ（走
査型探針顕微鏡）において試料を走査するための探針の
先端の先鋭度を評価するための標準試料及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＰＭにおいては比較的平面度の高い試
料の凹凸の像を得ることが出来るが、その試料の凹凸の
深さが大きくなると試料の表面を綺麗にトレースする事
が出来なくなる。つまり探針の先端部の曲率半径が大き
いとそれだけ試料の凹凸を綺麗にトレースすることが出
来ず、探針の曲率半径が小さいほど試料の表面の凹凸形
状を良くトレースする事が出来る。しかしその探針の端
部の曲率半径がどの程度のものかを従来においては適切
に評価する事が出来なかった。つまり従来においても、
探針の先端形状を例えば透過型電子顕微鏡によって二次
元投影像として見ることが出来るが、その探針が非常に
小さいため透過型電子顕微鏡に対し探針を見る状態に取
り付ける操作が非常に大変であり且つ探針がカンチレバ
ーに付いている物においては取り外して、つまり壊して
透過型電子顕微鏡に取り付けることになり破壊検査とな
ってしまう。カンチレバーに取り付けない物において
も、その透過型電子顕微鏡で見ることは、先端にカーボ
ンのコンタミネーションが付着して使用不能の物とな
り、いずれにしても破壊検査となってしまう。
料の凹凸の像を得ることが出来るが、その試料の凹凸の
深さが大きくなると試料の表面を綺麗にトレースする事
が出来なくなる。つまり探針の先端部の曲率半径が大き
いとそれだけ試料の凹凸を綺麗にトレースすることが出
来ず、探針の曲率半径が小さいほど試料の表面の凹凸形
状を良くトレースする事が出来る。しかしその探針の端
部の曲率半径がどの程度のものかを従来においては適切
に評価する事が出来なかった。つまり従来においても、
探針の先端形状を例えば透過型電子顕微鏡によって二次
元投影像として見ることが出来るが、その探針が非常に
小さいため透過型電子顕微鏡に対し探針を見る状態に取
り付ける操作が非常に大変であり且つ探針がカンチレバ
ーに付いている物においては取り外して、つまり壊して
透過型電子顕微鏡に取り付けることになり破壊検査とな
ってしまう。カンチレバーに取り付けない物において
も、その透過型電子顕微鏡で見ることは、先端にカーボ
ンのコンタミネーションが付着して使用不能の物とな
り、いずれにしても破壊検査となってしまう。
【０００３】所で微細な同一大きさの円柱状突起が一様
な密度で分布した試料があれば、つまり同一の直径で、
同一突出長で、しかも分布が均一の試料があってその突
起の大きさ、分布状態が既知のものがあれば、これを標
準試料としてこれを被検査探針を用いて走査してＳＰＭ
によって凹凸像を求め、その求めた像がその既知の標準
試料とどの程度対応するかを知ることによって、その被
検査探針の端部の形状や先鋭度を推定する事が可能とな
る。しかし従来においてはその様な標準試料が知られて
いなかった。この為先に述べたように透過電子顕微鏡で
見るより他はなかった。このため探針の評価をする事が
困難であった。
な密度で分布した試料があれば、つまり同一の直径で、
同一突出長で、しかも分布が均一の試料があってその突
起の大きさ、分布状態が既知のものがあれば、これを標
準試料としてこれを被検査探針を用いて走査してＳＰＭ
によって凹凸像を求め、その求めた像がその既知の標準
試料とどの程度対応するかを知ることによって、その被
検査探針の端部の形状や先鋭度を推定する事が可能とな
る。しかし従来においてはその様な標準試料が知られて
いなかった。この為先に述べたように透過電子顕微鏡で
見るより他はなかった。このため探針の評価をする事が
困難であった。
【０００４】この発明の目的は、ＳＰＭ用の探針の評価
に用いる標準試料と、その製造方法を提供することにあ
る。
に用いる標準試料と、その製造方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明の標準試
料はアルミニュウム基板の一面がほぼ鏡面とされてお
り、その鏡面には陽極酸化によるポーラスが形成されて
いる。請求項２の発明は、請求項１の発明において更に
そのポーラスの各穴に充填された突起が鏡面より突出し
て設けられており、その各突起の突出面はほぼ同一鏡面
上に位置している。
料はアルミニュウム基板の一面がほぼ鏡面とされてお
り、その鏡面には陽極酸化によるポーラスが形成されて
いる。請求項２の発明は、請求項１の発明において更に
そのポーラスの各穴に充填された突起が鏡面より突出し
て設けられており、その各突起の突出面はほぼ同一鏡面
上に位置している。
【０００６】請求項３の発明の標準試料製造方法はアル
ミニュウム基板の一面に対し陽極酸化を行って、ポーラ
ス皮膜を形成し、そのポーラス皮膜の穴にその酸化膜と
化学的エッチング速度が違う充填剤を充填し、その充填
された面を研磨し、その研磨された面に対しその充填剤
と酸化膜との一方を選択的にエッチングする。
ミニュウム基板の一面に対し陽極酸化を行って、ポーラ
ス皮膜を形成し、そのポーラス皮膜の穴にその酸化膜と
化学的エッチング速度が違う充填剤を充填し、その充填
された面を研磨し、その研磨された面に対しその充填剤
と酸化膜との一方を選択的にエッチングする。
【０００７】
【実施例】次に図面を参照してこの発明の実施例を説明
するが、この発明による標準試料の説明を、この発明に
よる製造方法を説明する事によって説明する。先ず図１
Ａに示すように高純度のアルミニュウム基板１１を用意
する。このアルミニュウム基板１１としては、純度が９
９．９９パーセント以上、所謂４Ｎ以上のアルミニュウ
ムで単結晶のものが望ましい。このアルミニュウム基板
１１の一面１１ａをダイヤモンドターン或いはラッピン
グにより鏡面仕上げを行う。ピークツバレー値で２００
０Å以下の平滑度とする。この鏡面とされた面１１ａを
洗浄した後に、陽極酸化を行なって、図１Ｂに示すよう
にポーラス皮膜１２を形成する。つまり電解浴中に白金
やカーボン電極とこのアルミニュウム基板１１とを対極
として入れ、アルミニュウム基板１１を陽極とし、これ
ら間に例えば化成電圧５０Ｖを印加して面１１ａに酸化
によるポーラス皮膜１２を形成する。電解浴としては、
例えば２０℃の３％の蓚酸浴が用いられ、化成電圧５０
Ｖで、厚さ４μｍのポーラス１２が形成される。このポ
ーラス皮膜１２はその円形穴１３が酸化皮膜１４を介し
て隣接配列したもの、つまり微細な空孔を持つハニカム
構造の、所謂アルマイト皮膜（ポーラス皮膜）１２であ
る。
するが、この発明による標準試料の説明を、この発明に
よる製造方法を説明する事によって説明する。先ず図１
Ａに示すように高純度のアルミニュウム基板１１を用意
する。このアルミニュウム基板１１としては、純度が９
９．９９パーセント以上、所謂４Ｎ以上のアルミニュウ
ムで単結晶のものが望ましい。このアルミニュウム基板
１１の一面１１ａをダイヤモンドターン或いはラッピン
グにより鏡面仕上げを行う。ピークツバレー値で２００
０Å以下の平滑度とする。この鏡面とされた面１１ａを
洗浄した後に、陽極酸化を行なって、図１Ｂに示すよう
にポーラス皮膜１２を形成する。つまり電解浴中に白金
やカーボン電極とこのアルミニュウム基板１１とを対極
として入れ、アルミニュウム基板１１を陽極とし、これ
ら間に例えば化成電圧５０Ｖを印加して面１１ａに酸化
によるポーラス皮膜１２を形成する。電解浴としては、
例えば２０℃の３％の蓚酸浴が用いられ、化成電圧５０
Ｖで、厚さ４μｍのポーラス１２が形成される。このポ
ーラス皮膜１２はその円形穴１３が酸化皮膜１４を介し
て隣接配列したもの、つまり微細な空孔を持つハニカム
構造の、所謂アルマイト皮膜（ポーラス皮膜）１２であ
る。
【０００８】更に必要に応じてこのポーラス皮膜を持つ
アルミニュウム基板１１をエッチング浴に入れてポーラ
スの穴１３を図１Ｃに示すように拡大する。そのエッチ
ング浴としては、例えば３０℃、１％の燐酸浴で２０分
間のエッチングを施す。この様にすると穴１３の断面が
真円に近くなり、又その穴１３の大きさをこのエッチン
グによって制御することが出来る。
アルミニュウム基板１１をエッチング浴に入れてポーラ
スの穴１３を図１Ｃに示すように拡大する。そのエッチ
ング浴としては、例えば３０℃、１％の燐酸浴で２０分
間のエッチングを施す。この様にすると穴１３の断面が
真円に近くなり、又その穴１３の大きさをこのエッチン
グによって制御することが出来る。
【０００９】更に必要に応じて後の電解析出工程がし易
いように酸化膜１４の厚さ調整を行う。このため例え
ば、化成電圧を５０Ｖよりも低い、例えば５Ｖ乃至２５
Ｖ程度の耐圧の酸化皮膜が穴１３の底部に形成されるよ
うに電圧、電流を制御して陽極酸化を行う。その電解浴
としては、例えば１％燐酸浴が用いられ、印加電流は１
０ｍＡ／ｄｍ2 で電圧一定になるまで保持する。この様
にすると図１Ｄに示すように、穴１３の底面に電流が集
中して流れるため、その底面が主として陽極酸化されて
底面の陽極酸化膜１４ａがほぼ均一の厚さとなり、電解
析出時の電流が均一に流れやすいようにする。
いように酸化膜１４の厚さ調整を行う。このため例え
ば、化成電圧を５０Ｖよりも低い、例えば５Ｖ乃至２５
Ｖ程度の耐圧の酸化皮膜が穴１３の底部に形成されるよ
うに電圧、電流を制御して陽極酸化を行う。その電解浴
としては、例えば１％燐酸浴が用いられ、印加電流は１
０ｍＡ／ｄｍ2 で電圧一定になるまで保持する。この様
にすると図１Ｄに示すように、穴１３の底面に電流が集
中して流れるため、その底面が主として陽極酸化されて
底面の陽極酸化膜１４ａがほぼ均一の厚さとなり、電解
析出時の電流が均一に流れやすいようにする。
【００１０】次にこのポーラス皮膜１２の各穴１３内に
電析（電解析出）によって金属を充填する。例えば1mol
/lの硫酸ニッケルと30g/l の硼酸からなる２０℃のメッ
キ浴に入れて交流電析法によってニッケルを穴１３内に
電析し、このニッケルが図１Ｅに示すように穴１３から
出る程度、つまりアルミニュウム基板１１の表面１１ａ
から出る程度に電析して穴１３にニッケルを充填する。
電析（電解析出）によって金属を充填する。例えば1mol
/lの硫酸ニッケルと30g/l の硼酸からなる２０℃のメッ
キ浴に入れて交流電析法によってニッケルを穴１３内に
電析し、このニッケルが図１Ｅに示すように穴１３から
出る程度、つまりアルミニュウム基板１１の表面１１ａ
から出る程度に電析して穴１３にニッケルを充填する。
【００１１】このニッケル１５が突出した面を、アルミ
ナ或いはコロイダルシリカ等の研磨剤を用いて研磨装置
により研磨し、例えば４μｍの厚さのポーラス皮膜１２
を２μｍの厚さまでに削り込む（図１Ｆ）。この様にし
てその表面１６はピークツバリー値が１ｎｍ程度の鏡面
或いは鏡面に近い状態にする。その後洗浄して、アルミ
ナ部分つまり酸化皮膜１４部分を選択的にエッチングし
て充填したニッケル１５を突出させて、突起１７とす
る。例えば６０℃乃至９０℃程度に温度調節した30g/l
酸化クロムと35ml/l燐酸のエッチング浴に、約４０秒程
度浸漬し酸化膜１４のみを溶解し、ニッケル１５をアル
ミニュウム表面１８から１０オングストローム程度突出
させて、突起１７を得る。８０℃の浴温で９０秒程度浸
漬すると、約２０ｎｍ程度の深さに酸化膜１４がエッチ
ング除去される。この様にしてアルミニュウム基板１１
のほぼ鏡面に近い面１８上より同一の大きさの円柱状突
起１７が一様の高さで分布し、且つその突起１７の突出
面はほぼ同一の鏡面１６上に位置した標準試料が得られ
る。
ナ或いはコロイダルシリカ等の研磨剤を用いて研磨装置
により研磨し、例えば４μｍの厚さのポーラス皮膜１２
を２μｍの厚さまでに削り込む（図１Ｆ）。この様にし
てその表面１６はピークツバリー値が１ｎｍ程度の鏡面
或いは鏡面に近い状態にする。その後洗浄して、アルミ
ナ部分つまり酸化皮膜１４部分を選択的にエッチングし
て充填したニッケル１５を突出させて、突起１７とす
る。例えば６０℃乃至９０℃程度に温度調節した30g/l
酸化クロムと35ml/l燐酸のエッチング浴に、約４０秒程
度浸漬し酸化膜１４のみを溶解し、ニッケル１５をアル
ミニュウム表面１８から１０オングストローム程度突出
させて、突起１７を得る。８０℃の浴温で９０秒程度浸
漬すると、約２０ｎｍ程度の深さに酸化膜１４がエッチ
ング除去される。この様にしてアルミニュウム基板１１
のほぼ鏡面に近い面１８上より同一の大きさの円柱状突
起１７が一様の高さで分布し、且つその突起１７の突出
面はほぼ同一の鏡面１６上に位置した標準試料が得られ
る。
【００１２】図１Ｂに於ける陽極酸化においてその陽極
酸化電圧、即ち化成電圧を変えると得られるポーラス皮
膜１２の穴の径Ｒと、そのピッチＰとが図２Ａに示すよ
うに変化し、つまり化成電圧を高くするほど穴径Ｒ及び
ピッチＰが大きくなる。従って化成電圧を選択すること
によって色々な穴径のものを作ることが出来、つまり突
起１７の直径の大きさを選ぶことが出来る。尚、陽極酸
化はそのアルミニュウム基板１１の表面１１ａの各部が
完全に陽極酸化される必要があり、このためにはそのポ
ーラス皮膜１２の厚さＤは少なくとも０．４μｍ以上と
する事が望ましい。前記例の陽極酸化条件では皮膜１２
の厚さは４μｍとされている。
酸化電圧、即ち化成電圧を変えると得られるポーラス皮
膜１２の穴の径Ｒと、そのピッチＰとが図２Ａに示すよ
うに変化し、つまり化成電圧を高くするほど穴径Ｒ及び
ピッチＰが大きくなる。従って化成電圧を選択すること
によって色々な穴径のものを作ることが出来、つまり突
起１７の直径の大きさを選ぶことが出来る。尚、陽極酸
化はそのアルミニュウム基板１１の表面１１ａの各部が
完全に陽極酸化される必要があり、このためにはそのポ
ーラス皮膜１２の厚さＤは少なくとも０．４μｍ以上と
する事が望ましい。前記例の陽極酸化条件では皮膜１２
の厚さは４μｍとされている。
【００１３】図１Ｃに於ける穴１３の径の拡大におい
て、そのエッチング浴に浸けている時間と穴径Ｒとの関
係は、例えば図２Ｂに示すようになる。従ってこの浸漬
時間によって穴径Ｒの大きさを制御する事が出来、つま
り突起１７の直径を制御する事が出来る。図１Ｂに於け
る陽極酸化の化成電圧を低く、例えば２５Ｖ程度にすれ
ば酸化膜１４の厚さが比較的薄く、よって図１Ｄに示す
酸化膜を薄くする工程は省略する事が出来る。つまり化
成電圧を高くした場合は図１Ｄの工程により酸化膜１４
を薄くして、図１Ｅにおける電解析出工程において電流
が比較的容易に流れ、しかも各部がなるべく均一に流れ
て良好な電析が行われるようにする必要がある。尚、図
１Ｂにおける陽極酸化の電圧をあまり低くすると良好な
ポーラス皮膜１２が出来ない。図１Ｅにおける電解析出
工程で析出する金属としては、ニッケルに限らず錫、
鉄、銀、銅、コバルトやそれらの合金でも良い。又この
図１Ｅにおいては金属を穴１３内に充填したが、金属以
外、例えばポリエステル、フッ素樹脂等の樹脂材を圧入
して充填しても良い。
て、そのエッチング浴に浸けている時間と穴径Ｒとの関
係は、例えば図２Ｂに示すようになる。従ってこの浸漬
時間によって穴径Ｒの大きさを制御する事が出来、つま
り突起１７の直径を制御する事が出来る。図１Ｂに於け
る陽極酸化の化成電圧を低く、例えば２５Ｖ程度にすれ
ば酸化膜１４の厚さが比較的薄く、よって図１Ｄに示す
酸化膜を薄くする工程は省略する事が出来る。つまり化
成電圧を高くした場合は図１Ｄの工程により酸化膜１４
を薄くして、図１Ｅにおける電解析出工程において電流
が比較的容易に流れ、しかも各部がなるべく均一に流れ
て良好な電析が行われるようにする必要がある。尚、図
１Ｂにおける陽極酸化の電圧をあまり低くすると良好な
ポーラス皮膜１２が出来ない。図１Ｅにおける電解析出
工程で析出する金属としては、ニッケルに限らず錫、
鉄、銀、銅、コバルトやそれらの合金でも良い。又この
図１Ｅにおいては金属を穴１３内に充填したが、金属以
外、例えばポリエステル、フッ素樹脂等の樹脂材を圧入
して充填しても良い。
【００１４】上述に於いて充填したものを突出させて標
準試料としたが、例えば図１Ｆの状態からその充填金属
などの充填物１５を選択的にエッチング除去して、図１
Ｈに示すように同一の大きさの穴１３が均一に形成され
たものを標準試料としてもよい。この様な穴１３を持つ
標準試料を得る場合においても、図１Ｃに示した状態或
いは図１Ｂに示した状態のままでは、表面１１ａが荒れ
た状態となっており、そのためこの表面を鏡面に近い状
態にする必要があり、その表面をそのまま研磨するとゴ
ミなどが穴１３内に入るため、これを図１Ｅに示すよう
に充填物で充填した後その表面を図１Ｆに示すように研
磨して鏡面１６とし、その後その充填物をエッチング除
去する事になる。
準試料としたが、例えば図１Ｆの状態からその充填金属
などの充填物１５を選択的にエッチング除去して、図１
Ｈに示すように同一の大きさの穴１３が均一に形成され
たものを標準試料としてもよい。この様な穴１３を持つ
標準試料を得る場合においても、図１Ｃに示した状態或
いは図１Ｂに示した状態のままでは、表面１１ａが荒れ
た状態となっており、そのためこの表面を鏡面に近い状
態にする必要があり、その表面をそのまま研磨するとゴ
ミなどが穴１３内に入るため、これを図１Ｅに示すよう
に充填物で充填した後その表面を図１Ｆに示すように研
磨して鏡面１６とし、その後その充填物をエッチング除
去する事になる。
【００１５】尚、アルミニュウム基板１１としては例え
ばガラスの表面にアルミニュウムを蒸着して、その蒸着
膜をアルミニュウム基板１１としてもよい。この場合は
純度の良いアルミニュウム基板が得られる。この場合も
その表面は研磨して鏡面に近い状態にして図１Ｂに示す
工程に移る事になる。
ばガラスの表面にアルミニュウムを蒸着して、その蒸着
膜をアルミニュウム基板１１としてもよい。この場合は
純度の良いアルミニュウム基板が得られる。この場合も
その表面は研磨して鏡面に近い状態にして図１Ｂに示す
工程に移る事になる。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたように請求項１の発明によれ
ば、大きさが等しい穴が均一な分布を持って構成された
標準試料であり、又請求項２の発明によれば大きさが等
しい突起が均一に分布しており、その突出面がほぼ同一
鏡面上に位置しているものであり、このようないずれの
標準試料もこれを試料としてＳＰＭ用の探針を評価する
ことが可能となる。
ば、大きさが等しい穴が均一な分布を持って構成された
標準試料であり、又請求項２の発明によれば大きさが等
しい突起が均一に分布しており、その突出面がほぼ同一
鏡面上に位置しているものであり、このようないずれの
標準試料もこれを試料としてＳＰＭ用の探針を評価する
ことが可能となる。
【００１７】請求項３の発明によれば、アルミニュウム
を用いてその表面を陽極酸化し、陽極酸化した穴を利用
する事によって均一大きさの穴、又は均一大きさの突起
が均一に分布した標準試料を容易に得ることが出来る。
を用いてその表面を陽極酸化し、陽極酸化した穴を利用
する事によって均一大きさの穴、又は均一大きさの突起
が均一に分布した標準試料を容易に得ることが出来る。
【図１】Ａ〜Ｇは請求項３の発明の製造工程を示す各工
程に於ける材料の断面図を示し、又そのＧは請求項２の
発明の実施例を示す断面図、Ｈは請求項１の発明の実施
例を示す断面図である。
程に於ける材料の断面図を示し、又そのＧは請求項２の
発明の実施例を示す断面図、Ｈは請求項１の発明の実施
例を示す断面図である。
【図２】Ａは化成電圧に対する穴の径と位置との関係を
示す図、Ｂはエッチング浴に浸けている時間とその穴径
の関係を示す図である。
示す図、Ｂはエッチング浴に浸けている時間とその穴径
の関係を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニュウム基板の一面がほぼ鏡面と
されており、その鏡面とされている面には陽極酸化によ
るポーラスが形成されていることを特徴とするＳＰＭ用
探針評価用標準試料。 - 【請求項２】 上記ポーラスの各穴に充填された突起
が、上記鏡面より突出され、その各突起の突出面はほぼ
同一鏡面上に位置していることを特徴とする請求項１記
載のＳＰＭ用探針評価用標準試料。 - 【請求項３】 アルミニュウム基板の一面に陽極酸化を
行って、ポーラス皮膜を形成し、 上記ポーラス皮膜の各穴に、その酸化膜と化学的エッチ
ング速度が違う充填剤を充填し、 その充填された面を研磨し、 その研磨した面の充填剤と酸化膜との一方を選択的にエ
ッチングする事を特徴とするＳＰＭ用探針評価用標準試
料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26595192A JPH06117845A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | Ｓｐｍ用探針評価用標準試料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26595192A JPH06117845A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | Ｓｐｍ用探針評価用標準試料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06117845A true JPH06117845A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17424336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26595192A Withdrawn JPH06117845A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | Ｓｐｍ用探針評価用標準試料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06117845A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998039638A1 (de) * | 1997-03-06 | 1998-09-11 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Standard zur kalibrierung und überprüfung eines oberflächeninspektions-gerätes und verfahren zur herstellung des standards |
| JP2007030146A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | ナノ構造体の製造方法 |
| JP2009119641A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Kanagawa Acad Of Sci & Technol | インプリント用モールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いて形成された構造体 |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26595192A patent/JPH06117845A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1998039638A1 (de) * | 1997-03-06 | 1998-09-11 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Standard zur kalibrierung und überprüfung eines oberflächeninspektions-gerätes und verfahren zur herstellung des standards |
| US6333785B1 (en) | 1997-03-06 | 2001-12-25 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Standard for calibrating and checking a surface inspection device and method for the production thereof |
| JP2007030146A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Fujifilm Corp | ナノ構造体の製造方法 |
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