JPH0611723A - 液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法 - Google Patents
液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法Info
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- JPH0611723A JPH0611723A JP19009292A JP19009292A JPH0611723A JP H0611723 A JPH0611723 A JP H0611723A JP 19009292 A JP19009292 A JP 19009292A JP 19009292 A JP19009292 A JP 19009292A JP H0611723 A JPH0611723 A JP H0611723A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】安定な外部回路との接続が可能な液晶表示素子
を得る。 【構成】ガラス基板１上のＩＴＯ膜２上に無電解めっき
でＮｉ−Ｐのめっき層３及びＮｉ−Ｂのめっき層４を形
成する。液晶表示素子を組み立てた後、２０〜１００ｎ
ｍ厚の置換Ａｕめっき層７、１００〜３００ｎｍ厚のＮ
ｉ−Ｐのめっき層１１、１０〜５０ｎｍ厚の置換Ａｕめ
っき層１２を形成する。
を得る。 【構成】ガラス基板１上のＩＴＯ膜２上に無電解めっき
でＮｉ−Ｐのめっき層３及びＮｉ−Ｂのめっき層４を形
成する。液晶表示素子を組み立てた後、２０〜１００ｎ
ｍ厚の置換Ａｕめっき層７、１００〜３００ｎｍ厚のＮ
ｉ−Ｐのめっき層１１、１０〜５０ｎｍ厚の置換Ａｕめ
っき層１２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子の端子部に
導体を形成する方法に関する。
導体を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子と外部駆動回路を接続する
部分には半田付け等の信頼性を高める目的で導体形成が
行われる。液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法
として、従来、電極としてＩＴＯ（酸化インジウムス
ズ）等がパターニングされた基板上の端子部に無電解め
っき法によりＮｉめっき層を形成し、さらにその上に２
００ｎｍ以上の厚みのＡｕのめっき層を形成する方法が
行われていた。このように、導体を形成した後、液晶表
示素子を組立て、液晶を注入した後、端子部を取り出
し、ＩＣチップ等の外部駆動回路をフラックスを用い半
田付けする。
部分には半田付け等の信頼性を高める目的で導体形成が
行われる。液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法
として、従来、電極としてＩＴＯ（酸化インジウムス
ズ）等がパターニングされた基板上の端子部に無電解め
っき法によりＮｉめっき層を形成し、さらにその上に２
００ｎｍ以上の厚みのＡｕのめっき層を形成する方法が
行われていた。このように、導体を形成した後、液晶表
示素子を組立て、液晶を注入した後、端子部を取り出
し、ＩＣチップ等の外部駆動回路をフラックスを用い半
田付けする。
【０００３】従来の導体処理方法を基板に直接ＩＣチッ
プを搭載する場合を例に取り、図２を参照しながら説明
する。 １）ガラス基板１上のＩＴＯ膜２をパターニングする。 ２）無電解めっき法にてＮｉ系めっき層８を形成する。 ３）置換型のＡｕめっきにより置換Ａｕめっき層９を形
成する。 ４）還元型のＡｕめっきにより還元Ａｕめっき層１０を
形成する。 ５）液晶表示素子を組立てる。ここで、５はシール材、
６は液晶である。
プを搭載する場合を例に取り、図２を参照しながら説明
する。 １）ガラス基板１上のＩＴＯ膜２をパターニングする。 ２）無電解めっき法にてＮｉ系めっき層８を形成する。 ３）置換型のＡｕめっきにより置換Ａｕめっき層９を形
成する。 ４）還元型のＡｕめっきにより還元Ａｕめっき層１０を
形成する。 ５）液晶表示素子を組立てる。ここで、５はシール材、
６は液晶である。
【０００４】Ａｕめっきは、主に半田とのぬれ性を向上
するためのものであり、Ａｕめっき層とＩＴＯ間にＮｉ
めっき層を介するのは、ＩＴＯ膜と半田の密着性を向上
させるためである。
するためのものであり、Ａｕめっき層とＩＴＯ間にＮｉ
めっき層を介するのは、ＩＴＯ膜と半田の密着性を向上
させるためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法によると、
液晶表示パネルの組立時に、配向膜形成時の３００℃焼
成等の工程があることから、熱が加わり、めっきの表面
酸化が起こり易い。このため、半田との所望のぬれ性を
維持するためにＡｕめっき層の厚みを厚くする必要があ
り、置換Ａｕめっき液でＮｉ表面をＡｕに置換した後、
還元型のＡｕめっき液を用い、厚付けのＡｕめっきを行
う方法がとられる。この場合、Ａｕを厚付けするために
高価なＡｕを大量に消費する問題があった。
液晶表示パネルの組立時に、配向膜形成時の３００℃焼
成等の工程があることから、熱が加わり、めっきの表面
酸化が起こり易い。このため、半田との所望のぬれ性を
維持するためにＡｕめっき層の厚みを厚くする必要があ
り、置換Ａｕめっき液でＮｉ表面をＡｕに置換した後、
還元型のＡｕめっき液を用い、厚付けのＡｕめっきを行
う方法がとられる。この場合、Ａｕを厚付けするために
高価なＡｕを大量に消費する問題があった。
【０００６】また端子部にＩＣチップを搭載する際に
は、塩素系のフラックスを使用し、２５０℃前後の温度
で半田付けを行わなければいけない。この塩素系フラッ
クスの使用には、ＩＴＯ配線部の腐蝕のおそれがあり、
２５０℃の温度をかけることには、液晶、偏光板の劣化
のおそれがあるので好ましくない。
は、塩素系のフラックスを使用し、２５０℃前後の温度
で半田付けを行わなければいけない。この塩素系フラッ
クスの使用には、ＩＴＯ配線部の腐蝕のおそれがあり、
２５０℃の温度をかけることには、液晶、偏光板の劣化
のおそれがあるので好ましくない。
【０００７】本発明の目的は従来技術が有していた前述
の欠点を解消しようとするものである。
の欠点を解消しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、電極付基板の電極部を
パターニングして形成した電極付基板の端子部に無電解
めっき法でＮｉ系のめっき層を形成し、この電極付基板
を少なくとも一方の基板とした一対の電極付基板間に液
晶層を挟持するようにしてセルを形成し、その後、Ｎｉ
系のめっき層上に、Ａｕのめっき層を形成することを特
徴とする液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法を
提供するものである。
解決すべくなされたものであり、電極付基板の電極部を
パターニングして形成した電極付基板の端子部に無電解
めっき法でＮｉ系のめっき層を形成し、この電極付基板
を少なくとも一方の基板とした一対の電極付基板間に液
晶層を挟持するようにしてセルを形成し、その後、Ｎｉ
系のめっき層上に、Ａｕのめっき層を形成することを特
徴とする液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法を
提供するものである。
【０００９】本発明に係る液晶表示素子の端子部に導体
を形成する方法の一例を図１を参照しながら説明する。 １）ガラス基板１上のＩＴＯ膜２をパターニングする。 ２）無電解めっき法にてＮｉ−Ｐのめっき層３を形成す
る。厚みは３５０〜７００ｎｍが好ましい。さらにその
上に無電解めっきでＮｉ−Ｂのめっき層４を形成する。
厚みは１５０〜３５０ｎｍが好ましい。
を形成する方法の一例を図１を参照しながら説明する。 １）ガラス基板１上のＩＴＯ膜２をパターニングする。 ２）無電解めっき法にてＮｉ−Ｐのめっき層３を形成す
る。厚みは３５０〜７００ｎｍが好ましい。さらにその
上に無電解めっきでＮｉ−Ｂのめっき層４を形成する。
厚みは１５０〜３５０ｎｍが好ましい。
【００１０】３）液晶表示素子を組立てる。 ４）すでに形成されたＮｉ−Ｐ及び、Ｎｉ−Ｂ導体上に
置換ＡｕめっきによりＡｕめっき層７を形成する。厚み
は１０〜５０ｎｍが好ましい。次いで、その上に無電解
めっきでＮｉ−Ｐのめっき層１１を形成する。厚みは１
００〜３００ｎｍが好ましい。さらに、その上に置換Ａ
ｕめっきにより１０〜５０ｎｍのＡｕのめっき層１２を
形成する。
置換ＡｕめっきによりＡｕめっき層７を形成する。厚み
は１０〜５０ｎｍが好ましい。次いで、その上に無電解
めっきでＮｉ−Ｐのめっき層１１を形成する。厚みは１
００〜３００ｎｍが好ましい。さらに、その上に置換Ａ
ｕめっきにより１０〜５０ｎｍのＡｕのめっき層１２を
形成する。
【００１１】本発明によって液晶表示素子の端子部を導
体処理すれば、導体と、ＩＴＯとの密着力に優れ、か
つ、導体表面の活性度が高いため、ＩＣチップ等を半田
で実装する際にも、フラックスを用いず、２００℃以下
の比較的低温で接続することが可能となる。特に、本発
明の方法によれば、半田による接続時に半田の拡散が最
上層のＡｕめっき層のみならず、その下のＮｉ系の層に
及ぶため、信頼性の高い接続が可能となる。
体処理すれば、導体と、ＩＴＯとの密着力に優れ、か
つ、導体表面の活性度が高いため、ＩＣチップ等を半田
で実装する際にも、フラックスを用いず、２００℃以下
の比較的低温で接続することが可能となる。特に、本発
明の方法によれば、半田による接続時に半田の拡散が最
上層のＡｕめっき層のみならず、その下のＮｉ系の層に
及ぶため、信頼性の高い接続が可能となる。
【００１２】本発明は一対の基板間に液晶層を挟持して
なる液晶表示素子一般に適用可能である。また、本発明
に係る液晶表示素子の組立てについては、通常用いられ
るものが採用し得る。
なる液晶表示素子一般に適用可能である。また、本発明
に係る液晶表示素子の組立てについては、通常用いられ
るものが採用し得る。
【００１３】即ち、電極を設けた一対の基板に、必要に
応じて表示部以外には遮光膜、ついで配向膜を形成、必
要に応じて焼成した後配向処理し、配向膜面を相対向さ
せて周辺をシール材でシールし、内部に液晶を封入して
液晶セルとする。この際、上記一対の基板の少なくとも
一方を上述の方法で端子部にめっき処理した基板とす
る。
応じて表示部以外には遮光膜、ついで配向膜を形成、必
要に応じて焼成した後配向処理し、配向膜面を相対向さ
せて周辺をシール材でシールし、内部に液晶を封入して
液晶セルとする。この際、上記一対の基板の少なくとも
一方を上述の方法で端子部にめっき処理した基板とす
る。
【００１４】本発明に用いる液晶層は、従来のツイステ
ッドネマチック液晶表示素子、スーパーツイステッド液
晶表示素子、その他の液晶表示素子の液晶層と同じ構成
の液晶層であり、例えばスーパーツイステッド液晶表示
素子の場合、具体的には、ほぼ平行に配置された一対の
透明電極基板間に旋光性物質を含有した誘電異方性が正
のネマチック液晶を挟持し、両電極間での液晶分子のね
じれ角を 160〜 300°とすればよい。
ッドネマチック液晶表示素子、スーパーツイステッド液
晶表示素子、その他の液晶表示素子の液晶層と同じ構成
の液晶層であり、例えばスーパーツイステッド液晶表示
素子の場合、具体的には、ほぼ平行に配置された一対の
透明電極基板間に旋光性物質を含有した誘電異方性が正
のネマチック液晶を挟持し、両電極間での液晶分子のね
じれ角を 160〜 300°とすればよい。
【００１５】上記液晶層を挟持した液晶セルの基本構成
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（In2O3-SnO2）、SnO2等の透明電極が設けられて電極付
きの基板とされる。電極層は、表示に対応してパターニ
ングされていてもよいし、共通電極として用いられる場
合などにはベタ電極とされてもよい。電極層の形成方法
としては、特にこれに限るものではないが、層厚を均一
にする見地からは、蒸着法、スパッタ法等が好ましく用
いられる。
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（In2O3-SnO2）、SnO2等の透明電極が設けられて電極付
きの基板とされる。電極層は、表示に対応してパターニ
ングされていてもよいし、共通電極として用いられる場
合などにはベタ電極とされてもよい。電極層の形成方法
としては、特にこれに限るものではないが、層厚を均一
にする見地からは、蒸着法、スパッタ法等が好ましく用
いられる。
【００１６】また本発明においては、必要に応じて電極
の上もしくは下にSiO2、TiO2等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩ
Ｍ、薄膜ダイオード等の能動素子、位相差膜、偏光膜等
が形成されていてもよい。
の上もしくは下にSiO2、TiO2等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩ
Ｍ、薄膜ダイオード等の能動素子、位相差膜、偏光膜等
が形成されていてもよい。
【００１７】この電極付き基板の表面には、配向膜が形
成される。遮光膜が電極上に設けられた場合には、その
上に配向膜が形成される。この配向膜形成方法として
は、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
の有機高分子膜を印刷法やスピナー法で形成し、２５０
〜３００℃で焼成した後これをラビングする方法、斜め
蒸着法等公知の配向制御法が使用できる。２枚の上記基
板が準備されて、前記した液晶層を挟持するようにされ
る。
成される。遮光膜が電極上に設けられた場合には、その
上に配向膜が形成される。この配向膜形成方法として
は、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
の有機高分子膜を印刷法やスピナー法で形成し、２５０
〜３００℃で焼成した後これをラビングする方法、斜め
蒸着法等公知の配向制御法が使用できる。２枚の上記基
板が準備されて、前記した液晶層を挟持するようにされ
る。
【００１８】この際、電極と配向制御膜との間に基板間
短絡防止のためにTiO2、SiO2、Al2O3等の絶縁膜を設けた
り、透明電極にAl、Cr、Ti等の低抵抗のリード電極を併設
したり、カラーフィルターを電極の上もしくは下に積層
してもよい。
短絡防止のためにTiO2、SiO2、Al2O3等の絶縁膜を設けた
り、透明電極にAl、Cr、Ti等の低抵抗のリード電極を併設
したり、カラーフィルターを電極の上もしくは下に積層
してもよい。
【００１９】シール材は、通常のエポキシ樹脂、シリコ
ン樹脂等のシール材でよく、有色、好ましくは黒色の染
料又は顔料を混入して使用してもよい。基板の周囲にこ
のようなシール材を枠状に塗布し、一対の基板を重ね合
わせて、加温、加圧してセル形成する。液晶をシール内
に封入するには、通常はシールの一部に開口部を形成し
ておき、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、
その開口部を封止すればよい。
ン樹脂等のシール材でよく、有色、好ましくは黒色の染
料又は顔料を混入して使用してもよい。基板の周囲にこ
のようなシール材を枠状に塗布し、一対の基板を重ね合
わせて、加温、加圧してセル形成する。液晶をシール内
に封入するには、通常はシールの一部に開口部を形成し
ておき、セル化して後、その開口部から液晶を注入し、
その開口部を封止すればよい。
【００２０】小型の表示セルの場合は、大型ガラス基板
を用いて、１枚のガラス基板に複数の表示セルを形成
し、分離して製造することができる。分離は、液晶注入
の前に行ってもよいし、注入後に行ってもよいが、本発
明の場合は、注入後、最終のＡｕめっきまで終えた後に
分離することができる。こうすると、多数のセルについ
て、めっきを一度に行え、めっき工程を簡略化できるの
で好ましい。
を用いて、１枚のガラス基板に複数の表示セルを形成
し、分離して製造することができる。分離は、液晶注入
の前に行ってもよいし、注入後に行ってもよいが、本発
明の場合は、注入後、最終のＡｕめっきまで終えた後に
分離することができる。こうすると、多数のセルについ
て、めっきを一度に行え、めっき工程を簡略化できるの
で好ましい。
【００２１】本発明の方法によって、液晶表示素子の端
子部に導体を形成することにより、Ａｕめっき表面が液
晶表示素子組立工程中の熱履歴を受けることがなく、酸
化を防ぎ、めっき表面の活性度を向上して、外部回路と
の接続を安定、容易に行うことができる。
子部に導体を形成することにより、Ａｕめっき表面が液
晶表示素子組立工程中の熱履歴を受けることがなく、酸
化を防ぎ、めっき表面の活性度を向上して、外部回路と
の接続を安定、容易に行うことができる。
【００２２】外部回路としては、フレキシブル基板上に
駆動回路を搭載したもの、基板上の直接ＩＣチップを搭
載するものがあるが、いずれの場合にも有用である。
駆動回路を搭載したもの、基板上の直接ＩＣチップを搭
載するものがあるが、いずれの場合にも有用である。
【００２３】本発明による液晶表示素子の端子部の導体
形成方法は様々な応用、利用が可能であり、最上層のＡ
ｕめっき層の厚みは２０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ
程度の厚みでＩＣチップの半田付けが可能である。
形成方法は様々な応用、利用が可能であり、最上層のＡ
ｕめっき層の厚みは２０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ
程度の厚みでＩＣチップの半田付けが可能である。
【００２４】
【実施例】ガラス基板上にＩＴＯを形成し、パターニン
グ後、めっき用前処理を行い、無電解めっき法により、
Ｎｉ−Ｐ（日本カニゼン社製「Ｓ−７９０」）４５０ｎ
ｍの膜を形成し、さらにＮｉ−Ｂ（上村工業社製「ＢＥ
Ｌ８０１」）２５０ｎｍの膜を形成し、端子部分以外の
ＩＴＯ膜上のＮｉ膜をエッチングにより除去する。液晶
表示素子の組立て、液晶注入を行った後、中性洗剤（ラ
イオン社製「ＬＨ−１」）により付着した液晶を除去し
水洗を行うかもしくは、アルミナ粉でＮｉ表面を軽く研
磨し水洗した後、置換Ａｕ（エヌイーケムキャット社製
「アトメックス」）２０ｎｍのＡｕのめっき層を形成
し、さらにＮｉ−Ｐのめっき層（日本シェーリング社製
「ノボテクト」）を形成した後、置換Ａｕめっき層（エ
ヌイーケムキャット社製「アトメックス」）５０ｎｍの
Ａｕのめっき層を形成した。この方法によりできた端子
部を１８０℃に加熱しながら、０．３φの半田バンプ付
チップを３０ｇ／バンプの加重を６０秒かけたところ半
田付けが可能であった。またチップを剥がすとＩＴＯと
Ｎｉ間で剥離した。
グ後、めっき用前処理を行い、無電解めっき法により、
Ｎｉ−Ｐ（日本カニゼン社製「Ｓ−７９０」）４５０ｎ
ｍの膜を形成し、さらにＮｉ−Ｂ（上村工業社製「ＢＥ
Ｌ８０１」）２５０ｎｍの膜を形成し、端子部分以外の
ＩＴＯ膜上のＮｉ膜をエッチングにより除去する。液晶
表示素子の組立て、液晶注入を行った後、中性洗剤（ラ
イオン社製「ＬＨ−１」）により付着した液晶を除去し
水洗を行うかもしくは、アルミナ粉でＮｉ表面を軽く研
磨し水洗した後、置換Ａｕ（エヌイーケムキャット社製
「アトメックス」）２０ｎｍのＡｕのめっき層を形成
し、さらにＮｉ−Ｐのめっき層（日本シェーリング社製
「ノボテクト」）を形成した後、置換Ａｕめっき層（エ
ヌイーケムキャット社製「アトメックス」）５０ｎｍの
Ａｕのめっき層を形成した。この方法によりできた端子
部を１８０℃に加熱しながら、０．３φの半田バンプ付
チップを３０ｇ／バンプの加重を６０秒かけたところ半
田付けが可能であった。またチップを剥がすとＩＴＯと
Ｎｉ間で剥離した。
【００２５】
【発明の効果】本発明の方法によれば、液晶素子の端子
部にＩＣチップを搭載する際、フラックスを用いず、２
００℃以下の低い温度で半田付けができる。
部にＩＣチップを搭載する際、フラックスを用いず、２
００℃以下の低い温度で半田付けができる。
【００２６】特に下地をＮｉ−ＰとＮｉ−Ｂの二層構造
にすることにより、ＩＴＯとの密着力に優れ、また表示
素子を組立てた後にＡｕめっき処理することにより、５
０ｎｍ程度と薄いＡｕめっきの厚さで活性度の良い膜が
形成できる。そのため従来と比べＡｕめっき液の処理コ
ストが１／４となるほか、複数の表示セルが１枚のガラ
ス基板上に連なった多連スティックの状態で処理できる
ことから一度に大量の処理が可能となるという効果も認
められる。
にすることにより、ＩＴＯとの密着力に優れ、また表示
素子を組立てた後にＡｕめっき処理することにより、５
０ｎｍ程度と薄いＡｕめっきの厚さで活性度の良い膜が
形成できる。そのため従来と比べＡｕめっき液の処理コ
ストが１／４となるほか、複数の表示セルが１枚のガラ
ス基板上に連なった多連スティックの状態で処理できる
ことから一度に大量の処理が可能となるという効果も認
められる。
【００２７】さらに、２層のＡｕめっき層の間に、Ｎｉ
系のめっき層を挟んだので、このＮｉ系の層に半田が拡
散され易くなり、半田付の信頼性も上がる。
系のめっき層を挟んだので、このＮｉ系の層に半田が拡
散され易くなり、半田付の信頼性も上がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す断面図
【図２】従来法の例を示す断面図
１：ガラス基板 ２：ＩＴＯ膜 ３：Ｎｉ−Ｐめっき層 ４：Ｎｉ−Ｂめっき層 ５：シール材 ６：液晶 ７：置換Ａｕめっき層 ８：Ｎｉ−Ｐめっき層 ９：置換Ａｕめっき層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】上記液晶層を挟持した液晶セルの基本構成
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（In2O3-SnO2）、SnO2等の透明電極が設けられて電極付
きの基板とされる。電極層は、表示に対応してパターニ
ングされていてもよいし、共通電極として用いられる場
合などにはベタ電極とされてもよい。電極層の形成方法
としては、特にこれに限るものではないが、層厚を均一
にする見地からは、蒸着法、スパッタ法等が好ましく用
いられる。
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたＩＴＯ
（In2O3-SnO2）、SnO2等の透明電極が設けられて電極付
きの基板とされる。電極層は、表示に対応してパターニ
ングされていてもよいし、共通電極として用いられる場
合などにはベタ電極とされてもよい。電極層の形成方法
としては、特にこれに限るものではないが、層厚を均一
にする見地からは、蒸着法、スパッタ法等が好ましく用
いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】また本発明においては、必要に応じて電極
の上もしくは下にSiO2、TiO2等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩ
Ｍ、薄膜ダイオード等の能動素子、位相差膜、偏光膜等
が形成されていてもよい。
の上もしくは下にSiO2、TiO2等の絶縁膜、ＴＦＴ、ＭＩ
Ｍ、薄膜ダイオード等の能動素子、位相差膜、偏光膜等
が形成されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】この際、電極と配向制御膜との間に基板間
短絡防止のためにTiO2、SiO2、Al2O3等の絶縁膜を設けた
り、透明電極にAl、Cr、Ti等の低抵抗のリード電極を併設
したり、カラーフィルターを電極の上もしくは下に積層
してもよい。
短絡防止のためにTiO2、SiO2、Al2O3等の絶縁膜を設けた
り、透明電極にAl、Cr、Ti等の低抵抗のリード電極を併設
したり、カラーフィルターを電極の上もしくは下に積層
してもよい。
Claims (2)
- 【請求項１】電極付基板の電極部をパターニングして形
成した電極付基板の端子部に無電解めっき法でＮｉ系の
めっき層を形成し、この電極付基板を少なくとも一方の
基板とした一対の電極付基板間に液晶層を挟持するよう
にしてセルを形成し、その後、Ｎｉ系のめっき層上に置
換Ａｕめっき層を形成し、さらにその上に、Ｎｉ系めっ
き層及びＡｕのめっき層を形成することを特徴とする液
晶表示素子の端子部に導体を形成する方法。 - 【請求項２】電極付基板の電極部を複数の液晶表示セル
に対応するようにパターニングして形成した電極付基板
の端子部に無電解めっき法でＮｉ系のめっき層を形成
し、この電極付基板を少なくとも一方の基板とした一対
の電極付基板間に複数の液晶層を挟持するようにして複
数個のセルを形成し、その後、Ｎｉ系のめっき層上に置
換Ａｕめっき層を形成し、さらに、Ｎｉ系めっき層及び
Ａｕのめっき層を形成し、次いで、該複数個のセルを個
々のセルに分離することを特徴とする液晶表示素子の端
子部に導体を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19009292A JPH0611723A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19009292A JPH0611723A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611723A true JPH0611723A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=16252240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19009292A Withdrawn JPH0611723A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 液晶表示素子の端子部に導体を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611723A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208760A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及びその製造方法 |
| US6464676B2 (en) | 2000-02-18 | 2002-10-15 | Uni-Charm Corporation | Disposable diaper |
| CN100402008C (zh) * | 2000-06-29 | 2008-07-16 | 王子制纸株式会社 | 吸收体制品 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP19009292A patent/JPH0611723A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6464676B2 (en) | 2000-02-18 | 2002-10-15 | Uni-Charm Corporation | Disposable diaper |
| CN100402008C (zh) * | 2000-06-29 | 2008-07-16 | 王子制纸株式会社 | 吸收体制品 |
| US7842019B2 (en) | 2000-06-29 | 2010-11-30 | Oji Paper Co., Ltd. | Absorbent product |
| JP2002208760A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板及びその製造方法 |
| JP4685245B2 (ja) * | 2001-01-09 | 2011-05-18 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
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