JPH06112164A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH06112164A JPH06112164A JP4283734A JP28373492A JPH06112164A JP H06112164 A JPH06112164 A JP H06112164A JP 4283734 A JP4283734 A JP 4283734A JP 28373492 A JP28373492 A JP 28373492A JP H06112164 A JPH06112164 A JP H06112164A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置のウェハ載置テーブルに冷
媒を温度低下することなく供給する。 【構成】 冷媒の導入管４０は内側管４５と外側管４６
から構成され、内側管内を冷媒が流通し、内側管４５と
外側管４６の間の空間４７は真空状態とされている。ま
た冷媒導入管４０の中間部は前記内側管４５の一部をな
す内側金属ベローズ４８と外側管４６の一部をなす外側
金属ベローズ４９から構成されている。
媒を温度低下することなく供給する。 【構成】 冷媒の導入管４０は内側管４５と外側管４６
から構成され、内側管内を冷媒が流通し、内側管４５と
外側管４６の間の空間４７は真空状態とされている。ま
た冷媒導入管４０の中間部は前記内側管４５の一部をな
す内側金属ベローズ４８と外側管４６の一部をなす外側
金属ベローズ４９から構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハやガラス基
板等の被処理物表面に形成した被膜のエッチング等に用
いるプラズマ処理装置に関する。
板等の被処理物表面に形成した被膜のエッチング等に用
いるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハやガラス基板等の被処理物
（以下単にウェハという）にエッチング処理やＣＶＤ処
理を行なうプラズマ処理装置の一般的な構造は特開平３
−１７０６８４号公報に示されるように、基台に形成し
た開口に下方からウェハ載置テーブルを臨ませるととも
に、開口の周囲にチャンバーを被せるようにし、ウェハ
載置テーブルが上昇して開口内に挿入された状態でウェ
ハ載置テーブルと基台との間を気密にシールし、チャン
バー内を真空にするとともにチャンバー内にプラズマを
発生させ、このプラズマにてチャンバー内に導入した反
応ガスを活性化してウェハ表面の被膜にエッチング処理
等を施すようにしている。
（以下単にウェハという）にエッチング処理やＣＶＤ処
理を行なうプラズマ処理装置の一般的な構造は特開平３
−１７０６８４号公報に示されるように、基台に形成し
た開口に下方からウェハ載置テーブルを臨ませるととも
に、開口の周囲にチャンバーを被せるようにし、ウェハ
載置テーブルが上昇して開口内に挿入された状態でウェ
ハ載置テーブルと基台との間を気密にシールし、チャン
バー内を真空にするとともにチャンバー内にプラズマを
発生させ、このプラズマにてチャンバー内に導入した反
応ガスを活性化してウェハ表面の被膜にエッチング処理
等を施すようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
処理等には従来からフロン系ガスが反応ガスとして用い
られているが、フロン系ガスは環境問題からその使用が
制限される傾向にある。このフロン系ガスに代わるガス
として塩素系ガスが注目されている。しかしながら、塩
素系ガスは−６０℃程度の低温で最適なエッチング特性
を発揮することができ、従来のプラズマ処理装置ではウ
ェハを塩素系ガスの使用に適する温度まで安定して冷却
することができない。
処理等には従来からフロン系ガスが反応ガスとして用い
られているが、フロン系ガスは環境問題からその使用が
制限される傾向にある。このフロン系ガスに代わるガス
として塩素系ガスが注目されている。しかしながら、塩
素系ガスは−６０℃程度の低温で最適なエッチング特性
を発揮することができ、従来のプラズマ処理装置ではウ
ェハを塩素系ガスの使用に適する温度まで安定して冷却
することができない。
【０００４】即ち、ウェハ載置テーブルに冷媒を供給し
てウェハを冷却するようにしても、ウェハ載置テーブル
内に供給されるまでに冷媒温度が上昇したり、冷媒の導
入管とウェハ載置テーブルの継ぎ目等から冷媒が漏れや
すいという問題がある。
てウェハを冷却するようにしても、ウェハ載置テーブル
内に供給されるまでに冷媒温度が上昇したり、冷媒の導
入管とウェハ載置テーブルの継ぎ目等から冷媒が漏れや
すいという問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、ウェハ載置テーブルに形成した冷媒通路に冷媒
導入管を介して外部から冷媒を供給するようにし、この
冷媒導入管を内側管と外側管から構成し、内側管内に冷
媒を流し、内側管と外側管の間の空間を真空状態とし
た。また、冷媒導入管の一部を内側管に連続する内側金
属ベローズと外側管に連続する外側金属ベローズから構
成することもできる。
発明は、ウェハ載置テーブルに形成した冷媒通路に冷媒
導入管を介して外部から冷媒を供給するようにし、この
冷媒導入管を内側管と外側管から構成し、内側管内に冷
媒を流し、内側管と外側管の間の空間を真空状態とし
た。また、冷媒導入管の一部を内側管に連続する内側金
属ベローズと外側管に連続する外側金属ベローズから構
成することもできる。
【０００６】
【作用】冷媒導入管を構成する内側管と外側管の間の空
間が真空状態となっているので、断熱効果が高く、冷媒
温度を低く保つことができる。
間が真空状態となっているので、断熱効果が高く、冷媒
温度を低く保つことができる。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置を組み込んだ処理システムの全体平面図、図２は同プ
ラズマ処理装置の縦断面図、図３は同プラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図、図４は図３とは異なる位置から見
たプラズマ処理装置の要部拡大縦断面図、図５はチャン
バー載置台を外した状態での図３のＡーＡ線断面図、図
６はチャンバー載置台を外した状態での図３のＢーＢ線
断面図である。
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置を組み込んだ処理システムの全体平面図、図２は同プ
ラズマ処理装置の縦断面図、図３は同プラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図、図４は図３とは異なる位置から見
たプラズマ処理装置の要部拡大縦断面図、図５はチャン
バー載置台を外した状態での図３のＡーＡ線断面図、図
６はチャンバー載置台を外した状態での図３のＢーＢ線
断面図である。
【０００８】プラズマ処理システムは中央にウェハの搬
入及び搬出を行なうハンドリングステーション１を設置
している。このハンドリングステーション１は平面視で
五角形をなし、このハンドリングステーション１の２つ
の側面にはロードロック機構２を介してウェハカセット
収納部３を付設し、別の２つの側面には同じくロードロ
ック機構４を介して本発明に係るプラズマ処理装置１０
を付設している。
入及び搬出を行なうハンドリングステーション１を設置
している。このハンドリングステーション１は平面視で
五角形をなし、このハンドリングステーション１の２つ
の側面にはロードロック機構２を介してウェハカセット
収納部３を付設し、別の２つの側面には同じくロードロ
ック機構４を介して本発明に係るプラズマ処理装置１０
を付設している。
【０００９】また、ハンドリングステーション１内部に
は回動及び伸縮動可能なウェハ移載アーム５を設け、ウ
ェハカセット収納部３内のウェハＷを１枚づつ位置決め
してプラズマ処理装置１０内に搬入するとともに、処理
が済んだウェハＷを自動的にウェハカセット収納部３内
に戻すようにしている。
は回動及び伸縮動可能なウェハ移載アーム５を設け、ウ
ェハカセット収納部３内のウェハＷを１枚づつ位置決め
してプラズマ処理装置１０内に搬入するとともに、処理
が済んだウェハＷを自動的にウェハカセット収納部３内
に戻すようにしている。
【００１０】プラズマ処理装置１０は基台１１を基台内
側部１２と基台外側部１３に分け、これら基台内側部１
２と基台外側部１３とを４カ所の柱部１４で連結し、基
台内側部１２上にはウェハ載置テーブル１５を取り付
け、基台外側部１３上にはチャンバー載置台１６を取り
付け、このチャンバー載置台１６上に合成石英からなる
チャンバー１７を固着している。尚、チャンバー載置台
１６を設けず直接チャンバー１７を基台外側部１３上に
取り付けてもよい。
側部１２と基台外側部１３に分け、これら基台内側部１
２と基台外側部１３とを４カ所の柱部１４で連結し、基
台内側部１２上にはウェハ載置テーブル１５を取り付
け、基台外側部１３上にはチャンバー載置台１６を取り
付け、このチャンバー載置台１６上に合成石英からなる
チャンバー１７を固着している。尚、チャンバー載置台
１６を設けず直接チャンバー１７を基台外側部１３上に
取り付けてもよい。
【００１１】ウェハ載置テーブル１５外側とチャンバー
載置台１６の内側間には隙間が全周に亘って形成され、
この隙間を下方への排気通路１８とし、また、前記基台
内側部１２と基台外側部１３との間の柱部１４以外の隙
間も下方への排気通路１９とし、この排気通路１９を基
台１１の下面に取り付けたロアブロック２０に形成した
ロート状排気通路２１に連続している。
載置台１６の内側間には隙間が全周に亘って形成され、
この隙間を下方への排気通路１８とし、また、前記基台
内側部１２と基台外側部１３との間の柱部１４以外の隙
間も下方への排気通路１９とし、この排気通路１９を基
台１１の下面に取り付けたロアブロック２０に形成した
ロート状排気通路２１に連続している。
【００１２】また、排気通路２１内にはロータリアクチ
ュエータ２２にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設
け、更に、ロアブロック２０の下面には真空引き用のタ
ーボ分子ポンプ２４を取り付け、チャンバー１７内のガ
スを垂直に吸引するようにしている。
ュエータ２２にて開閉操作されるバタフライ弁２３を設
け、更に、ロアブロック２０の下面には真空引き用のタ
ーボ分子ポンプ２４を取り付け、チャンバー１７内のガ
スを垂直に吸引するようにしている。
【００１３】また、基台１１内にはシリンダユニット３
０を設け、このシリンダユニット３０のロッド３１上端
に四方に放射状に伸びるアーム３２を固着し、このアー
ム３２にウェハＷのクランパ３３を取り付けている。ク
ランパ３３は円筒部３４をウェハ載置テーブル１５の外
周面に摺接するように配設し、この円筒部３４の上端部
に内方に突出する環状部３５を一体的に設け、この環状
部３５の内端下面にウェハ押え部３６を形成し、更に環
状部３５の下面から内方に向かってウェハＷの下面周縁
を支持するフック状の支持部３７を複数個設けている。
尚、ウェハ載置テーブル１５の上面にはクランパ３３が
下降した際に前記支持部３７が入り込む凹部３８を形成
している。
０を設け、このシリンダユニット３０のロッド３１上端
に四方に放射状に伸びるアーム３２を固着し、このアー
ム３２にウェハＷのクランパ３３を取り付けている。ク
ランパ３３は円筒部３４をウェハ載置テーブル１５の外
周面に摺接するように配設し、この円筒部３４の上端部
に内方に突出する環状部３５を一体的に設け、この環状
部３５の内端下面にウェハ押え部３６を形成し、更に環
状部３５の下面から内方に向かってウェハＷの下面周縁
を支持するフック状の支持部３７を複数個設けている。
尚、ウェハ載置テーブル１５の上面にはクランパ３３が
下降した際に前記支持部３７が入り込む凹部３８を形成
している。
【００１４】一方、前記柱部１４には液体窒素等の冷媒
の導入管４０及び冷媒の排出管４１が挿入され、ウェハ
載置テーブル１５には冷媒の導入ポート４２、平面視で
渦巻き状をなす冷却通路４３及び冷媒の排出ポート４４
が形成されている。而して、導入管４０から導入された
冷媒は導入ポート４２を通ってウェハ載置テーブル１５
内の冷却通路４３内を通過する間に、ウェハ載置テーブ
ル１５上のウェハＷを冷却し、排出ポート４４及び排出
管４１を介して外部に排出される。
の導入管４０及び冷媒の排出管４１が挿入され、ウェハ
載置テーブル１５には冷媒の導入ポート４２、平面視で
渦巻き状をなす冷却通路４３及び冷媒の排出ポート４４
が形成されている。而して、導入管４０から導入された
冷媒は導入ポート４２を通ってウェハ載置テーブル１５
内の冷却通路４３内を通過する間に、ウェハ載置テーブ
ル１５上のウェハＷを冷却し、排出ポート４４及び排出
管４１を介して外部に排出される。
【００１５】ここで、冷媒の導入管４０は内側管４５と
外側管４６から構成され、内側管内を冷媒が流通し、内
側管４５と外側管４６の間の空間４７は真空状態とされ
ている。また冷媒導入管４０の中間部は前記内側管４５
の一部をなす内側金属ベローズ４８と外側管４６の一部
をなす外側金属ベローズ４９から構成されている。
外側管４６から構成され、内側管内を冷媒が流通し、内
側管４５と外側管４６の間の空間４７は真空状態とされ
ている。また冷媒導入管４０の中間部は前記内側管４５
の一部をなす内側金属ベローズ４８と外側管４６の一部
をなす外側金属ベローズ４９から構成されている。
【００１６】以上においてウェハＷ表面にエッチング処
理を施すには、冷媒の導入管４０から冷媒を冷却通路４
３内に供給してウェハ載置テーブル１５を冷却し、この
状態でシリンダユニット３０のロッド３１を突出せしめ
てクランパ３３を上昇させ、クランパ３３の環状部３５
と支持部３７との間にウェハＷを側方から挿入し、支持
部３７上にウェハＷを載置する。
理を施すには、冷媒の導入管４０から冷媒を冷却通路４
３内に供給してウェハ載置テーブル１５を冷却し、この
状態でシリンダユニット３０のロッド３１を突出せしめ
てクランパ３３を上昇させ、クランパ３３の環状部３５
と支持部３７との間にウェハＷを側方から挿入し、支持
部３７上にウェハＷを載置する。
【００１７】次いで、シリンダユニット３０のロッド３
１を引き込み、クランパ３３を下降せしめてウェハＷを
ウェハ載置テーブル１５の上面に載置し、ウェハＷの上
面周縁部を押え部３６にてウェハ載置テーブル１５の上
面に押し付ける。この時支持部３７はウェハＷから離れ
て凹部３８内に入り込む。
１を引き込み、クランパ３３を下降せしめてウェハＷを
ウェハ載置テーブル１５の上面に載置し、ウェハＷの上
面周縁部を押え部３６にてウェハ載置テーブル１５の上
面に押し付ける。この時支持部３７はウェハＷから離れ
て凹部３８内に入り込む。
【００１８】而る後、チャンバー１７内を減圧し、塩素
系の反応ガスをチャンバー１７内に導入し、チャンバー
１７（上部電極）にマイクロ波（高周波）を印加し、チ
ャンバー１７内にプラズマを発生させて反応ガスを活性
化し、マスクのパターンに沿ってウェハＷ表面をエッチ
ングする。
系の反応ガスをチャンバー１７内に導入し、チャンバー
１７（上部電極）にマイクロ波（高周波）を印加し、チ
ャンバー１７内にプラズマを発生させて反応ガスを活性
化し、マスクのパターンに沿ってウェハＷ表面をエッチ
ングする。
【００１９】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
ウェハ載置テーブルに形成した冷媒通路に冷媒を供給す
る冷媒導入管を内側管と外側管から構成し、内側管内に
冷媒を流し、内側管と外側管の間の空間を真空状態とし
たので、断熱効果が高く、冷媒をウェハ載置テーブル内
に導入するまでその温度を低く保つことができる。
ウェハ載置テーブルに形成した冷媒通路に冷媒を供給す
る冷媒導入管を内側管と外側管から構成し、内側管内に
冷媒を流し、内側管と外側管の間の空間を真空状態とし
たので、断熱効果が高く、冷媒をウェハ載置テーブル内
に導入するまでその温度を低く保つことができる。
【００２０】また、冷媒導入管の一部を内側管に連続す
る内側金属ベローズと外側管に連続する外側金属ベロー
ズから構成することで、製作時の寸法誤差を吸収できる
だけでなく、温度変化による冷媒導入管と他の部材との
体積変化も吸収でき、継ぎ目等からの冷媒の漏れを有効
に防止することができる。
る内側金属ベローズと外側管に連続する外側金属ベロー
ズから構成することで、製作時の寸法誤差を吸収できる
だけでなく、温度変化による冷媒導入管と他の部材との
体積変化も吸収でき、継ぎ目等からの冷媒の漏れを有効
に防止することができる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置を組み込んだ処
理システムの全体平面図
理システムの全体平面図
【図２】同プラズマ処理装置の縦断面図
【図３】同プラズマ処理装置の要部拡大縦断面図
【図４】図３とは異なる位置から見たプラズマ処理装置
の要部拡大縦断面図
の要部拡大縦断面図
【図５】チャンバー載置台を外した状態での図３のＡー
Ａ線断面図
Ａ線断面図
【図６】チャンバー載置台を外した状態での図３のＢー
Ｂ線断面図
Ｂ線断面図
１０…プラズマ処理装置、１１…基台、１５…ウェハ載
置テーブル、１６…チャンバー載置台、１７…チャンバ
ー、４０…冷媒の導入管、４１…冷媒の排出管、４２…
冷媒の導入ポート、４３…冷却通路、４４…冷媒の排出
ポート、４５…内側管、４６…外側管、４８…内側金属
ベローズ、４９…外側金属ベローズ、Ｗ…ウェハ。
置テーブル、１６…チャンバー載置台、１７…チャンバ
ー、４０…冷媒の導入管、４１…冷媒の排出管、４２…
冷媒の導入ポート、４３…冷却通路、４４…冷媒の排出
ポート、４５…内側管、４６…外側管、４８…内側金属
ベローズ、４９…外側金属ベローズ、Ｗ…ウェハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 脇 達生 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバー内に下方から被処理物載置テ
ーブルを臨ませ、チャンバー内を減圧し且つプラズマを
発生させた状態で被処理物載置テーブル上の被処理物に
エッチング等の処理を施すようにしたプラズマ処理装置
において、前記被処理物載置テーブルには冷媒通路が形
成され、この冷媒通路には冷媒導入管を介して外部から
冷媒が供給され、更に冷媒導入管は内側管と外側管から
構成され、内側管内を冷媒が流通し、内側管と外側管の
間の空間は真空状態とされていることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記冷媒導入管の一部は内側管に連続す
る内側金属ベローズと外側管に連続する外側金属ベロー
ズから構成されていることを特徴とする請求項１に記載
のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283734A JP2764156B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283734A JP2764156B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112164A true JPH06112164A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2764156B2 JP2764156B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17669415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4283734A Expired - Fee Related JP2764156B2 (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764156B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190009713A (ko) * | 2017-07-19 | 2019-01-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 피처리체의 처리 장치 및 처리 장치의 검사 방법 |
| JP2020072249A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ装置および処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694537B1 (ko) | 2004-08-31 | 2007-03-13 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 기판 합착기 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213030A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空装置 |
| JPH033119A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク装置 |
| JPH05335276A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置の冷却配管構造 |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4283734A patent/JP2764156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6213030A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空装置 |
| JPH033119A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク装置 |
| JPH05335276A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置の冷却配管構造 |
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| JP2019020067A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法 |
| JP2020072249A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | ステージ装置および処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2764156B2 (ja) | 1998-06-11 |
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