JPH06110024A - 光反射器 - Google Patents
光反射器Info
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- JPH06110024A JPH06110024A JP26137892A JP26137892A JPH06110024A JP H06110024 A JPH06110024 A JP H06110024A JP 26137892 A JP26137892 A JP 26137892A JP 26137892 A JP26137892 A JP 26137892A JP H06110024 A JPH06110024 A JP H06110024A
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- light reflector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、光通信や光情報処理などの分野
において狭帯域ミラーとして利用可能な光反射器に関す
るもので、グレーテング領域におけるブラッグ反射をオ
ン（ＯＮ）−オフ（ＯＦＦ）制御することが可能な光反
射器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明にもとづく光反射器は、強誘電体導波
路上に形成されかつ光伝搬方向に沿って一定の周期Λで
もって交互に配列したドメイン反転層と非ドメイン反転
層とからなるグレーテング領域と、このグレーテング領
域に絶縁層を介して接し、電圧を印加して前記ドメイン
反転層の屈折率と前記非ドメイン反転層の屈折率とを変
化させるための電極とを具備し、周期Λと被反射光の伝
搬定数βとの間に、２β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）
の関係が成立することを特徴とする光反射器である。
において狭帯域ミラーとして利用可能な光反射器に関す
るもので、グレーテング領域におけるブラッグ反射をオ
ン（ＯＮ）−オフ（ＯＦＦ）制御することが可能な光反
射器を提供することを目的とする。 【構成】 本発明にもとづく光反射器は、強誘電体導波
路上に形成されかつ光伝搬方向に沿って一定の周期Λで
もって交互に配列したドメイン反転層と非ドメイン反転
層とからなるグレーテング領域と、このグレーテング領
域に絶縁層を介して接し、電圧を印加して前記ドメイン
反転層の屈折率と前記非ドメイン反転層の屈折率とを変
化させるための電極とを具備し、周期Λと被反射光の伝
搬定数βとの間に、２β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）
の関係が成立することを特徴とする光反射器である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光通信や光情報処理
などの分野において狭帯域ミラーとして利用可能な光反
射器に関する。
などの分野において狭帯域ミラーとして利用可能な光反
射器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の強誘電帯導波路を用いた光反射器
の一例を図４に示す。この図に示すように、光反射路３
００は、矩形状のＬｉＮｂＯ3 結晶基板３０１と、この
基板３０１の上面に基板３０１の長手方向軸線と平行と
なるようにしてチタン（Ｔｉ）を一直線状にドープする
ことにより形成された高屈折率コア領域３０２と、基板
３０１上面の特定領域にＴｉおよびＬｉＮｂＯ3 を化学
的にエッチングすることによって形成された幅方向へ延
びる複数の凹凸部からなるレリーフ形グレーテング領域
３０３とからなる。
の一例を図４に示す。この図に示すように、光反射路３
００は、矩形状のＬｉＮｂＯ3 結晶基板３０１と、この
基板３０１の上面に基板３０１の長手方向軸線と平行と
なるようにしてチタン（Ｔｉ）を一直線状にドープする
ことにより形成された高屈折率コア領域３０２と、基板
３０１上面の特定領域にＴｉおよびＬｉＮｂＯ3 を化学
的にエッチングすることによって形成された幅方向へ延
びる複数の凹凸部からなるレリーフ形グレーテング領域
３０３とからなる。
【０００３】この光反射器３００は、長手方向一端部か
ら光を入射し、レリーフ形グレーテング領域３０３でブ
ラッグ反射された光を反射光として同一端部から出力す
る。また、この光反射器３００の他端部からレリーフ形
グレーテング領域３０３を透過した光を透過光として放
出する。この図では、入射光、反射光および透過光はそ
れぞれ矢印３０４，３０５および３０６によって示され
ている。また、図の説明を容易とするために、光の伝搬
方向をＸ軸方向とし、このＸ軸と直交する軸をＹ軸、そ
してＸ軸およびＹ軸と直交する軸をＺ軸とする。
ら光を入射し、レリーフ形グレーテング領域３０３でブ
ラッグ反射された光を反射光として同一端部から出力す
る。また、この光反射器３００の他端部からレリーフ形
グレーテング領域３０３を透過した光を透過光として放
出する。この図では、入射光、反射光および透過光はそ
れぞれ矢印３０４，３０５および３０６によって示され
ている。また、図の説明を容易とするために、光の伝搬
方向をＸ軸方向とし、このＸ軸と直交する軸をＹ軸、そ
してＸ軸およびＹ軸と直交する軸をＺ軸とする。
【０００４】光反射器によって導波されてＸ軸方向へ伝
搬する入射光３０４の伝搬定数βと、光伝搬方向（Ｘ軸
方向）に沿って形成されたレリーフ形グレーテング領域
３０３の複数の凹凸部がなす格子間隔の周期Λとの間
に、２β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立す
ると、入射光３０４は光反射器３００内のレリーフ形グ
レーテング領域３０３においてブラッグ反射される。そ
してブラッグ反射された光は、反射光３０５として光反
射器３００の光入射側端部から出力される。ここで、伝
搬定数βは光の波長によって異なる値を取るものなの
で、ブラッグ反射はある狭帯域の波長の光（Ｘ線、電子
線など）に対して選択的に生じる。その結果、光反射器
３００は狭帯域のフイルタ特性を有する。
搬する入射光３０４の伝搬定数βと、光伝搬方向（Ｘ軸
方向）に沿って形成されたレリーフ形グレーテング領域
３０３の複数の凹凸部がなす格子間隔の周期Λとの間
に、２β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立す
ると、入射光３０４は光反射器３００内のレリーフ形グ
レーテング領域３０３においてブラッグ反射される。そ
してブラッグ反射された光は、反射光３０５として光反
射器３００の光入射側端部から出力される。ここで、伝
搬定数βは光の波長によって異なる値を取るものなの
で、ブラッグ反射はある狭帯域の波長の光（Ｘ線、電子
線など）に対して選択的に生じる。その結果、光反射器
３００は狭帯域のフイルタ特性を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光反射
器はレリーフ形グレーテング領域におけるブラッグ反射
を制御する手段を有していないため、必要に応じてブラ
ッグ反射を制御したり、その反射率を変化させたりする
ことが不可能であるという問題点を有する。
器はレリーフ形グレーテング領域におけるブラッグ反射
を制御する手段を有していないため、必要に応じてブラ
ッグ反射を制御したり、その反射率を変化させたりする
ことが不可能であるという問題点を有する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は前記問
題点を解決するために、ブラッグ反射を利用した光反射
器を、強誘電体導波路上に形成されかつ光伝搬方向に沿
って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイン反転
層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領域と、
このグレーテング領域上に絶縁層を介して設けられ、電
圧を印加してドメイン反転層の屈折率と非ドメイン反転
層の屈折率とを変化させるための電極とを具備するもの
とし、また周期Λと被反射光の伝搬定数βとの間に、２
β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立するよう
にした。
題点を解決するために、ブラッグ反射を利用した光反射
器を、強誘電体導波路上に形成されかつ光伝搬方向に沿
って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイン反転
層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領域と、
このグレーテング領域上に絶縁層を介して設けられ、電
圧を印加してドメイン反転層の屈折率と非ドメイン反転
層の屈折率とを変化させるための電極とを具備するもの
とし、また周期Λと被反射光の伝搬定数βとの間に、２
β＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立するよう
にした。
【０００７】
【作用】強誘電体導波路上に形成されかつ光伝搬方向に
沿って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイン反
転層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領域
に、このグレーテング領域上に絶縁層を介して設けられ
た電極から電界印加がなされると、ドメイン反転層と非
ドメイン反転層とからなる繰り返し配列の周期Λと同一
の周期を持つ屈折率変調形グレーテング領域が形成され
る。これは強誘電体のドメインが反転した場合、電界の
印加により引き起こされる一次の電気光学的効果による
屈折率変化の符号が反転するためである。その場合、ド
メイン反転層と非ドメイン反転層との繰り返し配列の周
期Λと光波の伝搬定数βとの関係を２β＝ｍ・２π／Λ
（ｍは自然数）に設定することによりブラッグ反射が生
じ、光反射器動作が可能となる。
沿って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイン反
転層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領域
に、このグレーテング領域上に絶縁層を介して設けられ
た電極から電界印加がなされると、ドメイン反転層と非
ドメイン反転層とからなる繰り返し配列の周期Λと同一
の周期を持つ屈折率変調形グレーテング領域が形成され
る。これは強誘電体のドメインが反転した場合、電界の
印加により引き起こされる一次の電気光学的効果による
屈折率変化の符号が反転するためである。その場合、ド
メイン反転層と非ドメイン反転層との繰り返し配列の周
期Λと光波の伝搬定数βとの関係を２β＝ｍ・２π／Λ
（ｍは自然数）に設定することによりブラッグ反射が生
じ、光反射器動作が可能となる。
【０００８】
【実施例】実施例を図面に基づいて説明する。
【０００９】図１は、本発明にもとづく光反射器の一実
施例を示すもので、図中符号１００が光反射器である。
また、この図では実施例をわかりやすく説明するために
いくつかの矢印が示されている。
施例を示すもので、図中符号１００が光反射器である。
また、この図では実施例をわかりやすく説明するために
いくつかの矢印が示されている。
【００１０】まず、これらの矢印について簡単に説明す
る。
る。
【００１１】太線矢印１０６，１０７および１０８は、
それぞれ光反射器１００に対する入射光、反射光および
透過光を示すものである。さらに、細線矢印Ｘ，Ｙおよ
びＺは、それぞれ座標軸を表すもので、光の伝搬方向を
Ｘ軸方向とし、このＸ軸と直交する軸をＹ軸、そしてＸ
軸およびＹ軸と直交する軸をＺ軸とする。
それぞれ光反射器１００に対する入射光、反射光および
透過光を示すものである。さらに、細線矢印Ｘ，Ｙおよ
びＺは、それぞれ座標軸を表すもので、光の伝搬方向を
Ｘ軸方向とし、このＸ軸と直交する軸をＹ軸、そしてＸ
軸およびＹ軸と直交する軸をＺ軸とする。
【００１２】つぎに本発明にもとづく光反射器１００に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１３】光反射器１００は、約１μｍ厚のＳｉＯ2
絶縁層が上面に被覆された矩形状のＬｉＮｂＯ3 結晶基
板１０１と、この基板１０１の長手方向軸線（Ｘ軸方
向）に沿って等間隔となるようにしてかつこの基板１０
１の幅方向（Ｙ軸方向）端面に平行となるようにして既
知の電子ビーム照射法（参考文献：Ｈ．Ｉｔｏ，ｅｔａ
ｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．２７，
Ｎｏ１４，ｐｐ１２２１−１２２２，１９９１）により
形成された複数のドメイン反転層１０２ａを含むグレー
テング領域１０２と、基板１０１の上面に基板１０１の
長手方向軸線と平行となるようにしてチタン（Ｔｉ）を
一直線状にドープすることにより形成されかつ屈折率が
高められた光導波路コア領域１０３と、そして電極１０
４とからなる。
絶縁層が上面に被覆された矩形状のＬｉＮｂＯ3 結晶基
板１０１と、この基板１０１の長手方向軸線（Ｘ軸方
向）に沿って等間隔となるようにしてかつこの基板１０
１の幅方向（Ｙ軸方向）端面に平行となるようにして既
知の電子ビーム照射法（参考文献：Ｈ．Ｉｔｏ，ｅｔａ
ｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．２７，
Ｎｏ１４，ｐｐ１２２１−１２２２，１９９１）により
形成された複数のドメイン反転層１０２ａを含むグレー
テング領域１０２と、基板１０１の上面に基板１０１の
長手方向軸線と平行となるようにしてチタン（Ｔｉ）を
一直線状にドープすることにより形成されかつ屈折率が
高められた光導波路コア領域１０３と、そして電極１０
４とからなる。
【００１４】この実施例では、電極１０４は第一電極１
０４ａと第二電極１０４ｂとからなる。第一電極１０４
ａはこのコア領域１０３の上面と複数のドメイン反転層
１０２の上面とに前記ＳｉＯ2 絶縁層１０９を介して接
しかつ一端が電圧電源１０５に接続可能となるようにし
て形成されたもので、電圧電源１０５から電圧が印加さ
れると電界を生ずる。一方、第二電極１０４ｂは第一電
極１０４ａと平行となるようにして基板１０１の上面に
設けられたアース電極である。もちろん、この第二電極
１０４ｂが配設される位置は、前記上面に限定されるこ
となく、例えば光反射器１００の底面でもよい。
０４ａと第二電極１０４ｂとからなる。第一電極１０４
ａはこのコア領域１０３の上面と複数のドメイン反転層
１０２の上面とに前記ＳｉＯ2 絶縁層１０９を介して接
しかつ一端が電圧電源１０５に接続可能となるようにし
て形成されたもので、電圧電源１０５から電圧が印加さ
れると電界を生ずる。一方、第二電極１０４ｂは第一電
極１０４ａと平行となるようにして基板１０１の上面に
設けられたアース電極である。もちろん、この第二電極
１０４ｂが配設される位置は、前記上面に限定されるこ
となく、例えば光反射器１００の底面でもよい。
【００１５】また、本実施例の光反射器１００は、Ｘ軸
方向に沿って基板１０１内に複数のドメイン反転層１０
２ａとドメイン反転層ではない部分（非ドメイン反転
層）１０２ｂとが一定の周期Λでもって交互に繰返し配
列してなるグレーテング領域１０２を有するが、このよ
うな周期的繰返し配列の構造を図２を用いてより詳細に
説明する。
方向に沿って基板１０１内に複数のドメイン反転層１０
２ａとドメイン反転層ではない部分（非ドメイン反転
層）１０２ｂとが一定の周期Λでもって交互に繰返し配
列してなるグレーテング領域１０２を有するが、このよ
うな周期的繰返し配列の構造を図２を用いてより詳細に
説明する。
【００１６】図２は、図１に示した光反射器１００のＩ
Ｉ−ＩＩ線に沿う断面図で、グレーテング領域１０２の
周期的繰返し配列構造を説明するためのものである。こ
の図では、模式的に示されたグレーテング領域１０２の
一端部をＺ軸線に接するようにしてその底面をＸ軸線上
に置いている。図に示すように、光反射器１００のドメ
イン反転層１０２ａは、非ドメイン反転層１０２ｂの自
発分極方向（矢印Ａ方向）が反転して矢印Ｂ方向に分極
したものである。また、ドメイン反転層１０２ａと非ド
メイン反転層１０２ｂとが等間隔に並列形成されたグレ
ーテング領域１０２の上面に第一電極１０４ａがＳｉＯ
2 絶縁層１０９を介して設けられている。さらに、この
図では電界印加の方向が矢印Ｃによって示されている。
Ｉ−ＩＩ線に沿う断面図で、グレーテング領域１０２の
周期的繰返し配列構造を説明するためのものである。こ
の図では、模式的に示されたグレーテング領域１０２の
一端部をＺ軸線に接するようにしてその底面をＸ軸線上
に置いている。図に示すように、光反射器１００のドメ
イン反転層１０２ａは、非ドメイン反転層１０２ｂの自
発分極方向（矢印Ａ方向）が反転して矢印Ｂ方向に分極
したものである。また、ドメイン反転層１０２ａと非ド
メイン反転層１０２ｂとが等間隔に並列形成されたグレ
ーテング領域１０２の上面に第一電極１０４ａがＳｉＯ
2 絶縁層１０９を介して設けられている。さらに、この
図では電界印加の方向が矢印Ｃによって示されている。
【００１７】このような構成からなる光反射器１００に
対して電圧電源１０５から電界が印加されていない状態
の場合、ドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１
０２ｂとの間の屈折率の差は無視できるほど小さい。し
かし、電圧電源１０５から第一電極１０４ａを介して電
界がグレーテング領域１０２に印加されると、この電界
によってドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１
０２ｂとの間に顕著な屈折率の差が生じる。その結果、
ドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２ｂと
が周期的に繰り返すグレーテング領域１０２に、前記周
期と同一周期からなる屈折率変調をともなった屈折率回
折格子が形成される。このような変化は、ドメイン反転
層１０２ａにおいて、電界により屈折率が変化する効果
（一次の電気光学効果）の符号が反転されているためで
ある。すなわち、図３に示すように、ドメイン反転層１
０２ａおよび非ドメイン反転層１０２ｂの屈折率変化
は、変化量をΔｎとすると、電界無印加状態における屈
折率の値からそれぞれ−Δｎおよび＋Δｎだけ変化す
る。
対して電圧電源１０５から電界が印加されていない状態
の場合、ドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１
０２ｂとの間の屈折率の差は無視できるほど小さい。し
かし、電圧電源１０５から第一電極１０４ａを介して電
界がグレーテング領域１０２に印加されると、この電界
によってドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１
０２ｂとの間に顕著な屈折率の差が生じる。その結果、
ドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２ｂと
が周期的に繰り返すグレーテング領域１０２に、前記周
期と同一周期からなる屈折率変調をともなった屈折率回
折格子が形成される。このような変化は、ドメイン反転
層１０２ａにおいて、電界により屈折率が変化する効果
（一次の電気光学効果）の符号が反転されているためで
ある。すなわち、図３に示すように、ドメイン反転層１
０２ａおよび非ドメイン反転層１０２ｂの屈折率変化
は、変化量をΔｎとすると、電界無印加状態における屈
折率の値からそれぞれ−Δｎおよび＋Δｎだけ変化す
る。
【００１８】前記一次の電気光学効果は、電気光学定数
ｒ33（＝３０．８ｐｍ／Ｖ）およびｒ13（＝８．３ｐｍ
／Ｖ）を介して生じ、Ｚ軸方向屈折率およびＹ軸方向屈
折率の変化として発現する。図３に示すように、形成さ
れる回折格子の周期はドメイン反転層１０２ａと非ドメ
イン反転層１０２ｂとの繰り返し配列周期Λに一致す
る。したがって、入射光１０６の伝搬定数βに対して複
数のドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２
ｂとの繰り返し配列周期ΛをΛ＝ｍ・２π／２βとする
ことにより、ブラッグ反射が複数のドメイン反転層１０
２を含むグレーテング領域中で起こり、反射光１０７が
出力される。この場合、反射光１０７の出力は、入射光
１０６が入射した側からなされる。一方、ブラッグ反射
されなかった光は透過光１０８として入射側とは反対側
の光反射器１００の端部から出力される。
ｒ33（＝３０．８ｐｍ／Ｖ）およびｒ13（＝８．３ｐｍ
／Ｖ）を介して生じ、Ｚ軸方向屈折率およびＹ軸方向屈
折率の変化として発現する。図３に示すように、形成さ
れる回折格子の周期はドメイン反転層１０２ａと非ドメ
イン反転層１０２ｂとの繰り返し配列周期Λに一致す
る。したがって、入射光１０６の伝搬定数βに対して複
数のドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２
ｂとの繰り返し配列周期ΛをΛ＝ｍ・２π／２βとする
ことにより、ブラッグ反射が複数のドメイン反転層１０
２を含むグレーテング領域中で起こり、反射光１０７が
出力される。この場合、反射光１０７の出力は、入射光
１０６が入射した側からなされる。一方、ブラッグ反射
されなかった光は透過光１０８として入射側とは反対側
の光反射器１００の端部から出力される。
【００１９】ここで、本実施例の光反射器を用いた一実
験例を示す。
験例を示す。
【００２０】複数のドメイン反転層１０２ａと非ドメイ
ン反転層１０２ｂとによって形成されるグレーテング領
域１０２の光伝搬方向（Ｘ軸方向）の長さを１ｃｍ、周
期Λを７３０ｎｍ（ｍ＝２に対応）、そして印加電圧を
２０Ｖに設定することにより、波長１．５５μｍのＴＭ
モード（Ｚ軸方向に偏光）に対してほぼ１００％の反射
率を達成した。また、その場合の反射光の波長範囲の半
値幅は約０．３ｎｍであった。さらに、印加電圧の値を
下げることにより、反射率の値を任意に設定することが
できた。例えば、印加電圧を１０Ｖに設定することによ
って前記反射率は５０％となった。もちろん、電圧を印
加しない場合は反射率は０％であった。
ン反転層１０２ｂとによって形成されるグレーテング領
域１０２の光伝搬方向（Ｘ軸方向）の長さを１ｃｍ、周
期Λを７３０ｎｍ（ｍ＝２に対応）、そして印加電圧を
２０Ｖに設定することにより、波長１．５５μｍのＴＭ
モード（Ｚ軸方向に偏光）に対してほぼ１００％の反射
率を達成した。また、その場合の反射光の波長範囲の半
値幅は約０．３ｎｍであった。さらに、印加電圧の値を
下げることにより、反射率の値を任意に設定することが
できた。例えば、印加電圧を１０Ｖに設定することによ
って前記反射率は５０％となった。もちろん、電圧を印
加しない場合は反射率は０％であった。
【００２１】以上のように、本発明にもとづく光反射器
１００は、電圧電源１０５がオフの状態では、ドメイン
反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２ｂとの間の屈
折率の差が無視できる程度にとどまり、光反射器１００
は入射光をブラッグ反射しない状態（オフ状態）とな
る。一方で電圧電源１０５から第一電極１０４ａを介し
て電界がグレーテング領域に印加されると、この電界に
よってドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０
２ｂとの間に顕著な屈折率の差が生じ、光反射器１００
は入射光をブラッグ反射する状態（オン状態）となる。
１００は、電圧電源１０５がオフの状態では、ドメイン
反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０２ｂとの間の屈
折率の差が無視できる程度にとどまり、光反射器１００
は入射光をブラッグ反射しない状態（オフ状態）とな
る。一方で電圧電源１０５から第一電極１０４ａを介し
て電界がグレーテング領域に印加されると、この電界に
よってドメイン反転層１０２ａと非ドメイン反転層１０
２ｂとの間に顕著な屈折率の差が生じ、光反射器１００
は入射光をブラッグ反射する状態（オン状態）となる。
【００２２】なお、本実施例では基板の材料をＬｉＮｂ
Ｏ3 としたが、これ以外に既知の方法によって反転構造
を形成しうる材料、例えばＬｉＴａＯ3 ，ＫＴｉＯＰＯ
4 （ＫＴＰ），ＫＮＢＯ3 等を結晶基板として用いるこ
とも可能である。
Ｏ3 としたが、これ以外に既知の方法によって反転構造
を形成しうる材料、例えばＬｉＴａＯ3 ，ＫＴｉＯＰＯ
4 （ＫＴＰ），ＫＮＢＯ3 等を結晶基板として用いるこ
とも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にもとづく
光反射器は、強誘電体導波路上に形成されかつ光伝搬方
向に沿って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイ
ン反転層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領
域と、このグレーテング領域に絶縁層を介して設けら
れ、電圧を印加してドメイン反転層の屈折率と非ドメイ
ン反転層の屈折率とを変化させるための電極とを具備
し、また周期Λと被反射光の伝搬定数βとの間に、２β
＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立するように
したものなので、グレーテング領域に電界が印加されな
い状態では、ドメイン反転層と非ドメイン反転層との間
の屈折率の差が無視できる程度にとどまってグレーテン
グ領域は入射光をブラッグ反射しない状態（オフ状態）
となるが、一方グレーテング領域に電界が印加された状
態では、ドメイン反転層と非ドメイン反転層との間に顕
著な屈折率の差が生じるのでグレーテング領域は入射光
をブラッグ反射する状態（オン状態）となり、光反射器
内におけるブラッグ反射のオン（ＯＮ）−オフ（ＯＦ
Ｆ）制御および反射率制御が可能となる。
光反射器は、強誘電体導波路上に形成されかつ光伝搬方
向に沿って一定の周期Λでもって交互に配列したドメイ
ン反転層と非ドメイン反転層とからなるグレーテング領
域と、このグレーテング領域に絶縁層を介して設けら
れ、電圧を印加してドメイン反転層の屈折率と非ドメイ
ン反転層の屈折率とを変化させるための電極とを具備
し、また周期Λと被反射光の伝搬定数βとの間に、２β
＝ｍ・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立するように
したものなので、グレーテング領域に電界が印加されな
い状態では、ドメイン反転層と非ドメイン反転層との間
の屈折率の差が無視できる程度にとどまってグレーテン
グ領域は入射光をブラッグ反射しない状態（オフ状態）
となるが、一方グレーテング領域に電界が印加された状
態では、ドメイン反転層と非ドメイン反転層との間に顕
著な屈折率の差が生じるのでグレーテング領域は入射光
をブラッグ反射する状態（オン状態）となり、光反射器
内におけるブラッグ反射のオン（ＯＮ）−オフ（ＯＦ
Ｆ）制御および反射率制御が可能となる。
【図１】本発明にもとづく光反射器の一実施例の概略的
構成を説明するための斜視図である。
構成を説明するための斜視図である。
【図２】図１に示した光反射器のグレーテング領域のＩ
Ｉ−ＩＩ線に沿う断面図である。
Ｉ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２に示したグレーテング領域におけるｘ軸方
向の屈折率変化を表す図である。
向の屈折率変化を表す図である。
【図４】従来の光反射器の一例の概略的構成を説明する
ための斜視図である。
ための斜視図である。
１００ 光反射器 １０１ ＬｉＮｂＯ3 基板 １０２ グレーテング領域 １０２ａ ドメイン反転層 １０２ｂ 非ドメイン反転層 １０３ 光導波路コア領域 １０４ 電極 １０４ａ 第一電極 １０４ｂ 第二電極 １０９ 絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 界 義久 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ブラッグ反射を利用した光反射器におい
て、該光反射器は、強誘電体導波路上に形成されかつ光
伝搬方向に沿って一定の周期Λでもって交互に配列した
ドメイン反転層と非ドメイン反転層とからなるグレーテ
ング領域と、 前記グレーテング領域上に絶縁層を介して設けられ、電
圧を印加して前記ドメイン反転層の屈折率と前記非ドメ
ン反転層の屈折率とを変化させるための電極とを有し、 前記周期Λと被反射光の伝搬定数βとの間に、２β＝ｍ
・２π／Λ（ｍは自然数）の関係が成立することを特徴
とする光反射器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26137892A JPH06110024A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光反射器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26137892A JPH06110024A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光反射器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06110024A true JPH06110024A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17361021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26137892A Pending JPH06110024A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 光反射器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06110024A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664474A1 (en) * | 1994-01-21 | 1995-07-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrically controllable grating, and optical elements having an electrically controllable grating |
| EP0783781A1 (en) * | 1994-09-09 | 1997-07-16 | Deacon Research | Laser with electrically-controlled grating reflector |
| EP0783719A1 (en) * | 1994-09-09 | 1997-07-16 | Deacon Research | Method for manipulating optical energy using poled structure |
| EP0784803A1 (en) * | 1994-09-09 | 1997-07-23 | Deacon Research | Controllable beam director using poled structure |
| WO1998018045A1 (de) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bragg-modulator |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26137892A patent/JPH06110024A/ja active Pending
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| EP0784803A4 (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-13 | Deacon Research | LIGHT BEAM CONTROL DEVICE WITH POLE STRUCTURE |
| EP0783719A4 (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-13 | Deacon Research | METHOD FOR MANIPULATING OPTICAL ENERGY USING A POLARIZED STRUCTURE |
| EP0783781A4 (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-13 | Deacon Research | ELECTRICALLY CONTROLLED GRID REFLECTOR LASER |
| USRE37809E1 (en) | 1994-09-09 | 2002-07-30 | Gemfire Corporation | Laser with electrically-controlled grating reflector |
| WO1998018045A1 (de) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bragg-modulator |
| US6204952B1 (en) * | 1996-10-22 | 2001-03-20 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Bragg modulator |
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