JPH06102658A - フォトレジストパターンの形成方法及び露光マスク - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法及び露光マスクInfo
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- JPH06102658A JPH06102658A JP27672492A JP27672492A JPH06102658A JP H06102658 A JPH06102658 A JP H06102658A JP 27672492 A JP27672492 A JP 27672492A JP 27672492 A JP27672492 A JP 27672492A JP H06102658 A JPH06102658 A JP H06102658A
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- photoresist pattern
- pattern
- edge
- photoresist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストパターンの縁端部分にダレの
生じないポジ型のフォトレジストパターンの形成方法及
びその露光マスクを提供する。 【構成】 ポジ型のフォトレジスト膜１１を形成し、こ
の形成したフォトレジスト膜１１を所定のパターンに露
光して現像した後に熱処理を行ってフォトレジストパタ
ーン１３を形成する新規な方法である。この方法によれ
ば、上述の熱処理前のフォトレジストパターン１３の縁
端１３ａ近傍に、この縁端１３ａに沿って伸長する溝１
４が形成される。
生じないポジ型のフォトレジストパターンの形成方法及
びその露光マスクを提供する。 【構成】 ポジ型のフォトレジスト膜１１を形成し、こ
の形成したフォトレジスト膜１１を所定のパターンに露
光して現像した後に熱処理を行ってフォトレジストパタ
ーン１３を形成する新規な方法である。この方法によれ
ば、上述の熱処理前のフォトレジストパターン１３の縁
端１３ａ近傍に、この縁端１３ａに沿って伸長する溝１
４が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型のフォトレジス
トパターンの形成方法及びその露光マスクに関する。
トパターンの形成方法及びその露光マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば薄膜磁気ヘッド等の薄膜電子部品
や半導体集積回路を製造する場合、フォトレジストパタ
ーンを形成する工程が頻繁に実行される。
や半導体集積回路を製造する場合、フォトレジストパタ
ーンを形成する工程が頻繁に実行される。
【０００３】図４は従来のこの種のフォトレジストパタ
ーン形成工程を表している。
ーン形成工程を表している。
【０００４】例えばマスク法によって薄膜パターンを形
成する場合、まず基板全面に薄膜層４０を形成した後、
その全面にフォトレジストを塗布してプリベークするこ
とによってフォトレジスト層４１を形成する。次いで、
図４（Ａ）に示すように、露光マスク４２を重ね合わせ
て露光を行う。その後、図４（Ｂ）に示すように、現像
等を行ってフォトレジストパターン４３を形成する。
成する場合、まず基板全面に薄膜層４０を形成した後、
その全面にフォトレジストを塗布してプリベークするこ
とによってフォトレジスト層４１を形成する。次いで、
図４（Ａ）に示すように、露光マスク４２を重ね合わせ
て露光を行う。その後、図４（Ｂ）に示すように、現像
等を行ってフォトレジストパターン４３を形成する。
【０００５】このようにして得られたフォトレジストパ
ターン４３は、その接着性を増強するため及び耐熱性を
向上するために熱処理される。この熱処理工程は、一般
に、ポストベークと称される。ポストベークの後は、エ
ッチング工程及びフォトレジストはく離工程が行われて
最終的に薄膜パターンが形成される。
ターン４３は、その接着性を増強するため及び耐熱性を
向上するために熱処理される。この熱処理工程は、一般
に、ポストベークと称される。ポストベークの後は、エ
ッチング工程及びフォトレジストはく離工程が行われて
最終的に薄膜パターンが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポジ型
のフォトレジストパターン４３は、熱軟化性を有してい
るためにポストベーク時の熱によって変形し易く、図４
（Ｃ）に示すようにその縁端（エッジ）４３ａ部分に傾
斜（ダレ）４４の発生することが多い。フォトレジスト
パターン４３の縁端部分にこのようなダレ４４が生じる
と、その後のドライエッチング等の微細加工において加
工誤差が発生したり、めっき等の成膜工程において保護
膜にクラックが発生する等して問題となる。
のフォトレジストパターン４３は、熱軟化性を有してい
るためにポストベーク時の熱によって変形し易く、図４
（Ｃ）に示すようにその縁端（エッジ）４３ａ部分に傾
斜（ダレ）４４の発生することが多い。フォトレジスト
パターン４３の縁端部分にこのようなダレ４４が生じる
と、その後のドライエッチング等の微細加工において加
工誤差が発生したり、めっき等の成膜工程において保護
膜にクラックが発生する等して問題となる。
【０００７】従って本発明は、フォトレジストパターン
の縁端部分にこのようなダレの生じないポジ型フォトレ
ジストパターンの形成方法及びその露光マスクを提供す
るものである。
の縁端部分にこのようなダレの生じないポジ型フォトレ
ジストパターンの形成方法及びその露光マスクを提供す
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポジ型のフォ
トレジスト膜を形成し、この形成したフォトレジスト膜
を所定のパターンに露光して現像した後に熱処理を行っ
てフォトレジストパターンを形成する新規な方法を提供
する。この方法によれば、上述の熱処理前のフォトレジ
ストパターンの縁端近傍に、この縁端に沿って伸長する
溝又は凹部が形成される。
トレジスト膜を形成し、この形成したフォトレジスト膜
を所定のパターンに露光して現像した後に熱処理を行っ
てフォトレジストパターンを形成する新規な方法を提供
する。この方法によれば、上述の熱処理前のフォトレジ
ストパターンの縁端近傍に、この縁端に沿って伸長する
溝又は凹部が形成される。
【０００９】上述の溝又は凹部は、形成すべきフォトレ
ジストパターンに対応するマスクパターンと、このマス
クパターンの縁端近傍でこの縁端に沿って伸長するスリ
ットとを有する露光マスクを用いて露光して形成するこ
とが好ましい。
ジストパターンに対応するマスクパターンと、このマス
クパターンの縁端近傍でこの縁端に沿って伸長するスリ
ットとを有する露光マスクを用いて露光して形成するこ
とが好ましい。
【００１０】上述の溝又は凹部がフォトレジストパター
ンの縁端から２μｍ以下の所定距離だけ離れた位置に形
成されることも好ましい。
ンの縁端から２μｍ以下の所定距離だけ離れた位置に形
成されることも好ましい。
【００１１】本発明は、さらに、形成すべきフォトレジ
ストパターンに対応するマスクパターンとこのマスクパ
ターンの縁端近傍にこの縁端に沿って伸長するスリット
とを有する露光マスクを提供する。
ストパターンに対応するマスクパターンとこのマスクパ
ターンの縁端近傍にこの縁端に沿って伸長するスリット
とを有する露光マスクを提供する。
【００１２】
【作用】熱処理前のフォトレジストパターンの縁端近傍
に、この縁端に沿って伸長する溝又は凹部が形成されて
いると、熱処理、即ちポストベークが行われても縁端部
分にダレが生じない。
に、この縁端に沿って伸長する溝又は凹部が形成されて
いると、熱処理、即ちポストベークが行われても縁端部
分にダレが生じない。
【００１３】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【００１４】図１は本発明の一実施例におけるフォトレ
ジストパターン形成工程を表しており、図２はこのフォ
トレジストパターン形成時に用いられる露光マスクの一
部を表す平面図である。本実施例では、一例として、マ
スク法によって薄膜パターンを形成する場合を説明す
る。
ジストパターン形成工程を表しており、図２はこのフォ
トレジストパターン形成時に用いられる露光マスクの一
部を表す平面図である。本実施例では、一例として、マ
スク法によって薄膜パターンを形成する場合を説明す
る。
【００１５】まず、基板全面に形成された薄膜層１０上
にポジ型のフォトレジストを塗布しプリベーク（前乾
燥）することによってフォトレジスト層１１を形成す
る。
にポジ型のフォトレジストを塗布しプリベーク（前乾
燥）することによってフォトレジスト層１１を形成す
る。
【００１６】次いで、図１（Ａ）に示すように、露光マ
スク１２を重ね合わせて露光を行う。この露光マスク１
２は、図２にその一部を示すように、形成すべきフォト
レジストパターンに対応するマスクパターン１２０の縁
端１２０ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃの近傍にこれら縁
端１２０ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃに沿って走るスリ
ット（ダレ防止パターン用スリット）１２１、１２２、
及び１２３がそれぞれ設けられている。各縁端１２０
ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃと各スリット１２１、１２
２、及び１２３の縁端との間隔は、２μｍ以下に保たれ
ている。
スク１２を重ね合わせて露光を行う。この露光マスク１
２は、図２にその一部を示すように、形成すべきフォト
レジストパターンに対応するマスクパターン１２０の縁
端１２０ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃの近傍にこれら縁
端１２０ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃに沿って走るスリ
ット（ダレ防止パターン用スリット）１２１、１２２、
及び１２３がそれぞれ設けられている。各縁端１２０
ａ、１２０ｂ、及び１２０ｃと各スリット１２１、１２
２、及び１２３の縁端との間隔は、２μｍ以下に保たれ
ている。
【００１７】このような露光マスク１２を用いて通常の
露光を行った後、現像等を行うと、図１（Ｂ）に示すよ
うなフォトレジストパターン１３が形成される。即ち、
上述のスリット１２１、１２２、及び１２３を通過した
光によって、このフォトレジストパターン１３にはその
縁端１３ａから２μｍ以下の所定距離だけ離れた位置に
この縁端１３ａに沿って走る溝又は凹部（ダレ防止パタ
ーン）１４が形成される。しかも、不要なパターン不良
が生じないように、この溝１４の部分でフォトレジスト
層が決して貫通されないようになされている。
露光を行った後、現像等を行うと、図１（Ｂ）に示すよ
うなフォトレジストパターン１３が形成される。即ち、
上述のスリット１２１、１２２、及び１２３を通過した
光によって、このフォトレジストパターン１３にはその
縁端１３ａから２μｍ以下の所定距離だけ離れた位置に
この縁端１３ａに沿って走る溝又は凹部（ダレ防止パタ
ーン）１４が形成される。しかも、不要なパターン不良
が生じないように、この溝１４の部分でフォトレジスト
層が決して貫通されないようになされている。
【００１８】溝１４部分でフォトレジスト層を非貫通と
するため、露光マスク１２のスリット１２１、１２２、
及び１２３のスリット幅は各工程の条件（レジスト厚、
露光量、その他）に応じて決定されている。即ち、スリ
ット幅を広くすればこのスリットを通過する光エネルギ
が大きくなり、逆に狭くすれば通過する光エネルギが小
さくなる。従って、溝は形成されるが貫通まではしない
ような光エネルギが通過するごとくスリット幅を適切に
選択すれば、通常の露光及び現像工程を行っても、溝部
分での貫通は起こらない。
するため、露光マスク１２のスリット１２１、１２２、
及び１２３のスリット幅は各工程の条件（レジスト厚、
露光量、その他）に応じて決定されている。即ち、スリ
ット幅を広くすればこのスリットを通過する光エネルギ
が大きくなり、逆に狭くすれば通過する光エネルギが小
さくなる。従って、溝は形成されるが貫通まではしない
ような光エネルギが通過するごとくスリット幅を適切に
選択すれば、通常の露光及び現像工程を行っても、溝部
分での貫通は起こらない。
【００１９】このようにして得られたフォトレジストパ
ターン１３は、ポストベークされてその接着性の増強及
び耐熱性の向上が図られる。図１（Ｃ）はポストベーク
後のフォトレジストパターン１３を表している。同図か
らも明らかのように、ポストベークされたにもかかわら
ず、フォトレジストパターン１３の縁端（エッジ）１３
ａの部分は立ったままの状態に保たれており、傾斜（ダ
レ）がほとんど生じていない。これは、溝１４を縁端１
３ａ近傍に設けたためである。
ターン１３は、ポストベークされてその接着性の増強及
び耐熱性の向上が図られる。図１（Ｃ）はポストベーク
後のフォトレジストパターン１３を表している。同図か
らも明らかのように、ポストベークされたにもかかわら
ず、フォトレジストパターン１３の縁端（エッジ）１３
ａの部分は立ったままの状態に保たれており、傾斜（ダ
レ）がほとんど生じていない。これは、溝１４を縁端１
３ａ近傍に設けたためである。
【００２０】図３はこの理由を説明するための図であ
り、（Ａ）は現像工程後のフォトレジストパターン、
（Ｂ）はこれをポストベークした後のフォトレジストパ
ターンをそれぞれ示している。同じフォトレジストを用
いて同じ条件でポストベークした場合にも、フォトレジ
ストパターンの幅によってダレの生じ方が異なってく
る。ダレの程度は、表面張力の関係から幅の狭いフォト
レジストパターン３０の方が幅の広いフォトレジストパ
ターン３１よりはるかに小さく、パターン幅が狭くなれ
ばなるほどダレがより小さくなる。一般に、パターン幅
Ｗが１０μｍ以上となると、無視できないダレ３２が発
生する。
り、（Ａ）は現像工程後のフォトレジストパターン、
（Ｂ）はこれをポストベークした後のフォトレジストパ
ターンをそれぞれ示している。同じフォトレジストを用
いて同じ条件でポストベークした場合にも、フォトレジ
ストパターンの幅によってダレの生じ方が異なってく
る。ダレの程度は、表面張力の関係から幅の狭いフォト
レジストパターン３０の方が幅の広いフォトレジストパ
ターン３１よりはるかに小さく、パターン幅が狭くなれ
ばなるほどダレがより小さくなる。一般に、パターン幅
Ｗが１０μｍ以上となると、無視できないダレ３２が発
生する。
【００２１】ポストベークの後工程として、ドライエッ
チング工程及びフォトレジストはく離工程が行われて薄
膜パターンが形成されるが、本実施例ではフォトレジス
トパターン１３にダレがほとんど生じないので、精度の
高い微細加工が可能となる。
チング工程及びフォトレジストはく離工程が行われて薄
膜パターンが形成されるが、本実施例ではフォトレジス
トパターン１３にダレがほとんど生じないので、精度の
高い微細加工が可能となる。
【００２２】以上説明した実施例では、溝１４を形成す
るのにマスク法を用いているが、本発明においては、他
のいかなる方法、例えばイオンビーム法等によって同様
の溝を形成してもよいことは明らかである。
るのにマスク法を用いているが、本発明においては、他
のいかなる方法、例えばイオンビーム法等によって同様
の溝を形成してもよいことは明らかである。
【００２３】また、上述の実施例ではマスク法によって
薄膜パターンを形成する場合について述べたが、本発明
は、ポジ型のフォトレジストパターンを形成する工程で
あれば、その後工程が例えばめっき工程等の成膜工程又
は他のいかなるものであっても適用可能であり、フォト
レジストパターンのダレ発生を防止して高精度の微細加
工、保護膜のクラック発生抑止（後工程がめっきの場
合）を可能とするものである。特に、例えば薄膜磁気ヘ
ッドのパターン形成時のように、幅の広いフォトレジス
トパターンを形成する場合のダレ発生防止に本発明は非
常に有効なものである。
薄膜パターンを形成する場合について述べたが、本発明
は、ポジ型のフォトレジストパターンを形成する工程で
あれば、その後工程が例えばめっき工程等の成膜工程又
は他のいかなるものであっても適用可能であり、フォト
レジストパターンのダレ発生を防止して高精度の微細加
工、保護膜のクラック発生抑止（後工程がめっきの場
合）を可能とするものである。特に、例えば薄膜磁気ヘ
ッドのパターン形成時のように、幅の広いフォトレジス
トパターンを形成する場合のダレ発生防止に本発明は非
常に有効なものである。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、ポジ型のフォトレジスト膜を形成し、この形成した
フォトレジスト膜を所定のパターンに露光して現像した
後に熱処理を行ってフォトレジストパターンを形成する
場合に、その熱処理前のフォトレジストパターンの縁端
近傍に、この縁端に沿って伸長する溝が形成されるた
め、ポストべークを行っても、フォトレジストパターン
の縁端部分にダレが発生しない。その結果、その後工程
において、加工精度の向上及び信頼性の向上を図ること
ができる。
ば、ポジ型のフォトレジスト膜を形成し、この形成した
フォトレジスト膜を所定のパターンに露光して現像した
後に熱処理を行ってフォトレジストパターンを形成する
場合に、その熱処理前のフォトレジストパターンの縁端
近傍に、この縁端に沿って伸長する溝が形成されるた
め、ポストべークを行っても、フォトレジストパターン
の縁端部分にダレが発生しない。その結果、その後工程
において、加工精度の向上及び信頼性の向上を図ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例におけるフォトレジストパタ
ーン形成工程を表す部分断面図である。
ーン形成工程を表す部分断面図である。
【図２】図１の実施例における露光マスクの一部を表す
平面図である。
平面図である。
【図３】図１の実施例においてダレが発生しない理由を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】従来のフォトレジストパターン形成工程を表す
部分断面図である。
部分断面図である。
１０ 薄膜層 １１ フォトレジスト膜 １２ 露光マスク １３、３０、３１ フォトレジストパターン １３ａ、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ 縁端 １４ 溝 ３２ ダレ １２０ マスクパターン １２１、１２２、１２３ スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｖ
Claims (4)
- 【請求項１】 ポジ型のフォトレジスト膜を形成し、該
形成したフォトレジスト膜を所定のパターンに露光して
現像した後に熱処理を行ってフォトレジストパターンを
形成する方法であって、前記熱処理前のフォトレジスト
パターンの縁端近傍に、該縁端に沿って伸長する溝を形
成することを特徴とするフォトレジストパターンの形成
方法。 - 【請求項２】 前記露光時に、形成すべきフォトレジス
トパターンに対応するマスクパターンと該マスクパター
ンの縁端近傍で該縁端に沿って伸長するスリットとを有
する露光マスクを用いて前記溝を形成することを特徴と
する請求項１に記載のフォトレジストパターンの形成方
法。 - 【請求項３】 前記溝がフォトレジストパターンの縁端
から２μｍ以下の所定距離だけ離れた位置に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストパタ
ーンの形成方法。 - 【請求項４】 形成すべきフォトレジストパターンに対
応するマスクパターンと該マスクパターンの縁端近傍に
該縁端に沿って伸長するスリットとを有することを特徴
とする露光マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27672492A JP3120596B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 薄膜磁気ヘッド製造用フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27672492A JP3120596B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 薄膜磁気ヘッド製造用フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102658A true JPH06102658A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3120596B2 JP3120596B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=17573459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27672492A Expired - Lifetime JP3120596B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 薄膜磁気ヘッド製造用フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120596B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7181827B2 (en) | 2003-11-27 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Method of forming magnetic layer pattern |
-
1992
- 1992-09-22 JP JP27672492A patent/JP3120596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7181827B2 (en) | 2003-11-27 | 2007-02-27 | Tdk Corporation | Method of forming magnetic layer pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3120596B2 (ja) | 2000-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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