KR0179778B1 - 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크에 관한 곳으로, 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크는 일반적인 공정의 디바이스에서는 별다른 문제가 없으나, WSix를 사용하는 디바이스의 경우에는 패턴형성부위와 에지노광부위 사이에서 필링(PEELING)현상이 발생되는 문제가 있는 바, 주 패턴형성부위에만 크롬(11)이 형성되어 있고, 나머지는 투명유리판(12)으로 형성된 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크를 제공하여 노광시 웨이퍼의 에지 부위의 포토 레지스트를 완전히 제거하도록 하여 에치 공정의 진행시에는 패턴의형성 부위를 제외하고는 모든 패턴이 제거(에치)되며, 이에 따라 바이-메탈 현상에 의해 필링 현상의 발생을 방지하도록 한 것이다.
Description
제1도는 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크.
제2도는 종래 기술에 의한 주변 노광용 마스크에서의 WSix 필링발생 부위 및 원인 설명도.
제3도는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 크롬 12 : 투명유리판
13 : 얼라인 키 14 : 버니어
W : 웨이퍼
본 발명은 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크에 관한 것으로, 특히 WSix를 사용하는 디바이스의 경우에 패턴 형성 부위와, 에지 노광 부위 사이에서 발생하는 필링(peeling)현상을 방지하도록 한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크에 관한 것이다.
종래 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크는 제1도에 도시한 바와 같이, 클램프가 포토 레지스트와 겹쳐지는 것을 방지하기 위하여 빛이 투과되지 못하도록 하는 광차단부로서 크롬(1)이 형성되어 있고, 나머지 부위는 빛을 투과하는 광통과부로서 투명유리판(2)으로 형성되어 있다.
또한, 상기 크롬(1)의 중앙부에는 웨이퍼에 형성되어 있는 오토정렬용 패턴과 대응되는 정렬용 패턴(3)이 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 종래 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크는 주변노광폭을 웨이퍼의 직경(W)을 기준으로 하여 마스크의 직경(M)을 산출하여 제작되는 것이며, 이때 웨이퍼와의 자동정렬을 위한 마스크의 자동정렬용 패턴(3)은 스크라이브 레인 내에서 산정하여 크롬을 오픈시켜 패턴을 만들고, 이외의 모든 영역은 크롬(1)으로 닫아주게 되어 노광시 빛이 통과하지 않도록 제작되는 것이다.
상기한 바와 같이 제작된 종래 주변노광용마스크가 설치된 얼라이너 장치에서의 반도체 웨이퍼의 주변노광공정은 웨이퍼(W)가 로딩되면, 웨이퍼에 형성되어 있는 자동정렬용 패턴(3)을 이용하여 자동으로 정렬이 이루어져 웨이퍼의 중심과 마스크의 중심이 정확하게 일치하게 되고, 노광시 마스크의 크롬(1)이 형성되어있는 부분은 빛이 투과되지 못하고, 그 이외의 부분으로만 빛이 투과되어 웨이퍼의 주변노광폭을 안정적으로 관리할 수 있게 된다.
그러나 이와 같은 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크는 일반적인 공정의 디바이스에서는 별다른 문제가 없으나, WSix를 사용하는 디바이스의 경우에는 제2도에 도시한 바에서 보는 것처럼, 패턴형성부위와 에지노광부위 사이에서 필링(peeling)현상이 발생되는 문제가 있다.
이러한 문제점에 착안하여 안출한 본 발명의 목적은 WSix를 사용하는 디바이스의 경우에 패턴형성부위를 제외한 나머지 부분을 정확이 노광하여 패턴 형성부위와, 에지 노광 부위 사이에서 발생하는 필링(peeling)현상을 방지하려는 것이다.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일정두께와 면적을 갖는 투명유리판에 웨이퍼의 소자형성영역에 해당하는 면적만큼 크롬을 도포하여 광차단부를 형성하고, 그 광차단부를 제외한 나머지부분이 광통과부가 되도록 하며, 상기 웨이퍼의 에지부분에 1:1노광용 버니어를 형성하고, 상기 소자형성영역의 스크라이브 레인 상에 얼라인 키를 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크가 제공된다.
이하, 상기한 바와 같은 본 발명을 첨부도면에 도시한 일실시례에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
첨부도면 제3도는 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 발명 주변 노광용 마스크는 주 패턴형성부위에만 크롬(11)이 형성되어 있고, 나머지는 투명유리판(12)으로 형성되어 있다.
이때, WSix 패턴의 형성과는 별도로 1:1 노광용 버어니어(VERNIER)(14)를 웨이퍼(W) 내의 에지부위에 설치하여 패턴의 이동된 정도를 확인할 수 있도록 하며, 메인 패턴 부분의 얼라인 키(align key)(13)를 오픈시켜 웨이퍼의 오토정렬용 패턴과 정렬시키도록 한다.
상기 본 발명의 작용을 설명하면 패턴을 형성할 레이어(layer)가 도포된 상태에서 포토 레지스트를 도포하여 5:1의 노광에서 포토 레지스트 패턴을 형성한 후, 이처럼 포토 레지스트 패턴이 형성된 상태에서 에지 부위의 포토 레지스트를 제거하기 위하여 본 발명의 마스크를 사용하여 1:1로 노광한다.이때 마스크는 자동정렬패턴에 의해 정렬된다. 노광 후에는 현상되는 에지쪽 포토 레지스트 및 5:1 노광패턴을 형성한다.
이와 같이 본 발명에 의한 버니어와 얼라인 키가 구비된 반도체 웨이퍼의 주변 노광용 마스크를 이용하여 웨이퍼를 노광시키게 되면 웨이퍼의 에지 부위의 포토 레지스트를 정확하게 완전히 제거하게 되므로 에치 공정의 진행시 패턴의 형성 부위를 제외하고는 모든 WSix 패턴이 제거(에치)되며, 이에 따라 바이-메탈 현상에 의해 필링 현상의 발생을 방지하게 되는 것이다.
Claims (1)
- 일정두께와 면적을 갖는 투명유리판에 웨이퍼의 소자형성영역에 해당하는 면적만큼 크롬을 도포하여 광차단부를 형성하고, 그 광차단부를 제외한 나머지부분이 광통과부가 되도록 하며, 상기 웨이퍼의 에지부분에 1:1노광용 버니어를 형성하고, 상기 소자형성영역의 스크라이브 레인 상에 얼라인 키를 형성하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050638A KR0179778B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050638A KR0179778B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049050A KR970049050A (ko) | 1997-07-29 |
| KR0179778B1 true KR0179778B1 (ko) | 1999-04-01 |
Family
ID=19440559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050638A KR0179778B1 (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체 웨이퍼의 주변노광용 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0179778B1 (ko) |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR1019950050638A patent/KR0179778B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970049050A (ko) | 1997-07-29 |
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