JPH06101512B2 - ウエハ垂直搬送装置 - Google Patents

ウエハ垂直搬送装置

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JPH06101512B2
JPH06101512B2 JP61109191A JP10919186A JPH06101512B2 JP H06101512 B2 JPH06101512 B2 JP H06101512B2 JP 61109191 A JP61109191 A JP 61109191A JP 10919186 A JP10919186 A JP 10919186A JP H06101512 B2 JPH06101512 B2 JP H06101512B2
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split groove
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良彦 藤木
将典 浜田
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はウエハ垂直搬送装置に係り、特にウエハ垂直搬
送装置のウエハ支持部に関する。
(従来の技術) 従来、例えばシリアル処理方式を採用しているイオン注
入装置等では、ウエハへのイオン注入時にウエハを収容
したウエハ格納器からイオンビーム照射部までのウエハ
垂直搬送手段として、金属製のウエハ支持部(ピック)
でウエハを垂直に支持し、このピックを上下動させてウ
エハをイオン照射位置まで搬送するウエハ垂直搬送装置
が用いられている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら従来のウエハ垂直搬送装置では、上述した
ようにピックの部材にアルミニウム等の金属製のものを
使用していたため、ウエハ搬送時にピックとウエハとの
接触部においてウエハに塗布されているフォトレジスト
の剥離やウエハ自体の破損(チッピング)が生じ、これ
らが塵埃発生の原因となっていた。この発生した塵埃は
例えばイオン注入装置の真空ロック室内に留まり、真空
引きあるいはベント時に真空ロック室内に収容したウエ
ハに付着してしまいIC製造時の歩留りを悪化させる原因
となっていた。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、ウエハのチッピングとフォトレジストの剥離を防止
可能なウエハ支持部を具備したウエハ垂直搬送装置を提
供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明のウエハ垂直搬送装置は、ウエハ径とほぼ等しい
径を有する凹曲面部と、前記凹曲面部に設けられた割り
溝と、前記割り溝の上端部に設けられた案内用テーパー
部とを有し、前記凹曲面状の割り溝の底面で連続的にウ
エハ下部端縁を垂直に支持する、全体がアセタール樹脂
からなるウエハ支持部と、前記ウエハ支持部を上下動さ
せる駆動機構とを具備することを特徴としている。
(作用) 本発明のウエハ垂直搬送装置においては、ウエハ支持部
全体を高分子重合体部材のうち特にアセタール樹脂で形
成すると共に、実際のウエハ支持面をウエハ径とほぼ等
しい径を有する凹曲面とし、かつこの凹曲面に割り溝を
設け、さらに割り溝の上端部に案内用テーパーを設け
て、凹曲面状の割り溝の底面で連続的にウエハ下部端縁
を垂直に支持しているため、ウエハ搬送時におけるウエ
ハのチッピングやフォトレジストの剥離を防止すること
ができる。
(実施例) 以下、図を参照にしながら本発明の装置をイオン注入装
置に適用した一実施例を説明する。
ウエハ垂直搬送装置1はウエハを垂直支持するピック2
とこのピック2を昇降させる図示を省略した駆動部とか
ら構成されている。
ピック2の構造は第1図(b)に示す如く先端に膨大部
21を有する厚さ例えば、4mmのシャモジ状のウエハ支持
板22で構成され、上記膨大部21の端部はウエハ径にほぼ
等しい径を持つ凹曲面23を持ちこの凹曲面23にはウエハ
を挟持する割り溝24が第1図(c)の如く形成されてい
る。この割り溝24はウエハを抵抗なく受け入れられるよ
うにウエハ挿入側の溝が漸次広幅となるテーパ25が形成
され、深さ4mmの割り溝24を形成している。上記凹曲面
の弧の長さは例えば7cmである。
この実施例ではピック2の部材として高分子重合体の1
つであるデルリン(E.I.duPont de Nemours&Co.Inc.
製,ポリアセタール樹脂,商品名)を用いている。この
ようなウエハ垂直搬送装置ではピック2がウエハ載置位
置2aでウエハカセット3に収容されているウエハ4を載
置した後、ピック2を上昇させてウエハ4をイオンビー
ム5の照射位置2bまで搬送する。ここでイオン注入作業
が完了すると再びピック2が上昇して次のウエハと交換
する。
上述したウエハ垂直搬送装置を使用してデルリン製ピッ
ク2と従来のアルミニウム製ピックとの発塵量比較実験
を行なったので以下にその実験結果を述べる。
なお塵埃の発生原因を考えた場合、ピック2のウエハ3
に対する突き上げ時におけるフォトレストの剥離、ウエ
ハのチッピングが大きな原因となると考えられるので、
実験方法としてはCYCLE HVACにてラフ引きを行いHOLDを
かけて取り出したウエハ3上に付着した塵埃量を計数す
る方法(実ふ(A))と、通常の使用状態による塵埃量
を計数する方法(実験(B))との2つの方法を用いて
それらの発塵量の比較を行なった。
なお実験に際し、プラテン6、クランプリング7、ボリ
ームプレート8等は予めクリーニングを実施して塵埃量
を、100以下におさえた後ピックの交換をして発塵量の
比較を行った。また測定はアルミニウムピック、デルリ
ンピックとも夫々2回ずつ行なった。
この実験結果を第2図に示す。同図に示したようにデル
リンピックとアルミピックでは、実験(A)および実験
(B)ともにウエハ注入枚数が増加するに従い発塵量の
差が大きくなることがわかった。さらにデルリンピック
を使用した場合はウエハ注入枚数が増加しても発塵量は
それほど増えないことも判明した。この結果からデルリ
ンピックがレジストの剥離およびウエハのチッピングを
大幅に軽減する効果があることが結論できる。
なお、上述実施例ではピック2の部材にデルリンを用い
たが、他のアセタール樹脂を適用できることは無論であ
る。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のウエハ垂直搬送装置を用い
れば、ウエハのチッピングやフォトレジストの剥離によ
る発塵を減少させることができ、従ってIC製造時の塵埃
による歩留りの悪化を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のウエハ垂直搬送装置を適用した一実施
例のイオン注入装置を示す斜視図、第2図は本実施例装
置と従来装置との発塵量比較実験の結果を示す図であ
る。 1……ウエハ垂直搬送装置、2……ウエハ支持部(ピッ
ク)、4……ウエハ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウエハ径とほぼ等しい径を有する凹曲面部
    と、前記凹曲面部に設けられた割り溝と、前記割り溝の
    上端部に設けられた案内用テーパー部とを有し、前記凹
    曲面状の割り溝の底面で連続的にウエハ下部端縁を垂直
    に支持する、全体がアセタール樹脂からなるウエハ支持
    部と、 前記ウエハ支持部を上下動させる駆動機構と を具備することを特徴とするウエハ垂直搬送装置。
JP61109191A 1986-05-13 1986-05-13 ウエハ垂直搬送装置 Expired - Fee Related JPH06101512B2 (ja)

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DE2643076C3 (de) * 1975-09-26 1981-11-19 CIBA-GEIGY AG, 4002 Basel Verfahren zur Herstellung und Verwendung leicht dispergierbarer Präparate aus Farbstoffen und Polyvinylacetalen
US4498833A (en) * 1982-05-24 1985-02-12 Varian Associates, Inc. Wafer orientation system
JPS60128623A (ja) * 1983-12-15 1985-07-09 Toshiba Corp 基板処理治具
JPS6135747U (ja) * 1984-08-03 1986-03-05 日本電気株式会社 ウエハ−保持用ピンセツト

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