JPH06101050A - Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置Info
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- JPH06101050A JPH06101050A JP29854891A JP29854891A JPH06101050A JP H06101050 A JPH06101050 A JP H06101050A JP 29854891 A JP29854891 A JP 29854891A JP 29854891 A JP29854891 A JP 29854891A JP H06101050 A JPH06101050 A JP H06101050A
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- glass substrate
- nozzle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型のガラス基板にＣＶＤによって絶縁膜を
的確に形成可能にする。 【構成】 ガラス基板１００をサセプタ２８に載置し、
サセプタ２８を予熱ステーションＳ１のヒータ３１で加
熱しつつ処理ステーションＳ２へ送り、処理ステーショ
ンＳ２でヒータ３２によりサセプタ２８及びガラス基板
１００を所定温度に加熱し、ＣＶＤ処理ノズル４３から
噴出する反応ガスでガラス基板１００の表面に絶縁膜を
形成する。処理ステーションＳ２を出たサセプタ２８及
びガラス基板１００はヒータ３３によって急激な温度低
下を防止されつつ、ノズル４２から噴出される不活性ガ
ス若しくはクリーンエアによって冷却される。
的確に形成可能にする。 【構成】 ガラス基板１００をサセプタ２８に載置し、
サセプタ２８を予熱ステーションＳ１のヒータ３１で加
熱しつつ処理ステーションＳ２へ送り、処理ステーショ
ンＳ２でヒータ３２によりサセプタ２８及びガラス基板
１００を所定温度に加熱し、ＣＶＤ処理ノズル４３から
噴出する反応ガスでガラス基板１００の表面に絶縁膜を
形成する。処理ステーションＳ２を出たサセプタ２８及
びガラス基板１００はヒータ３３によって急激な温度低
下を防止されつつ、ノズル４２から噴出される不活性ガ
ス若しくはクリーンエアによって冷却される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、常圧ＣＶＤ装置に係
り、特にＬＣＤガラス基板にＳｉＯ2 膜等の絶縁膜を形
成するための装置に関する。
り、特にＬＣＤガラス基板にＳｉＯ2 膜等の絶縁膜を形
成するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤ業界では大型ガラス基板にＴＦＴ
を安価に作成する技術の確立が望まれている。この１つ
の方法としてゲート絶縁膜の作成に常圧ＣＶＤ装置を用
いることが検討されている。
を安価に作成する技術の確立が望まれている。この１つ
の方法としてゲート絶縁膜の作成に常圧ＣＶＤ装置を用
いることが検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】常圧ＣＶＤ装置により
ＬＣＤガラス基板に絶縁膜を形成するためには、大型の
ガラス基板を、そり，損傷並びに残留応力等が生じない
ように、的確に加熱かつ冷却して良好なＣＶＤ膜の形成
を行ない得るようにする必要がある。
ＬＣＤガラス基板に絶縁膜を形成するためには、大型の
ガラス基板を、そり，損傷並びに残留応力等が生じない
ように、的確に加熱かつ冷却して良好なＣＶＤ膜の形成
を行ない得るようにする必要がある。
【０００４】本発明は、大型のガラス基板を的確に加熱
かつ冷却して該ガラス基板にＣＶＤによって絶縁膜を的
確に形成することのできるＬＣＤガラス基板用常圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
かつ冷却して該ガラス基板にＣＶＤによって絶縁膜を的
確に形成することのできるＬＣＤガラス基板用常圧ＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、ガラス基板を載置するサセプタと、同サセ
プタをガラス基板の載置面に沿う方向へ往復移動させる
駆動装置と、前記サセプタの往工程に沿って順次設けら
れた予熱ステーション，処理ステーション及び冷却ステ
ーションとからなり、前記予熱ステーションは、サセプ
タに対向して該サセプタを予熱するヒータと、該サセプ
タ上に載置されているガラス基板の表面に対向して不活
性ガスを噴出するノズルとを有し、前記処理ステーショ
ンは、サセプタに対向して該サセプタを所定の処理温度
に加熱するヒータと、該サセプタ上に載置されているガ
ラス基板の表面に対向して反応ガスを噴出するＣＶＤ処
理ノズルとを有し、前記冷却ステーションは、前記処理
ステーションに近い側に配置されてサセプタに対向し該
サセプタを徐冷するヒータと、該サセプタ上に載置され
ているガラス基板の表面に対向して冷却用の不活性ガス
若しくはクリーンエアを噴出するノズルとを有するもの
である。
の本発明は、ガラス基板を載置するサセプタと、同サセ
プタをガラス基板の載置面に沿う方向へ往復移動させる
駆動装置と、前記サセプタの往工程に沿って順次設けら
れた予熱ステーション，処理ステーション及び冷却ステ
ーションとからなり、前記予熱ステーションは、サセプ
タに対向して該サセプタを予熱するヒータと、該サセプ
タ上に載置されているガラス基板の表面に対向して不活
性ガスを噴出するノズルとを有し、前記処理ステーショ
ンは、サセプタに対向して該サセプタを所定の処理温度
に加熱するヒータと、該サセプタ上に載置されているガ
ラス基板の表面に対向して反応ガスを噴出するＣＶＤ処
理ノズルとを有し、前記冷却ステーションは、前記処理
ステーションに近い側に配置されてサセプタに対向し該
サセプタを徐冷するヒータと、該サセプタ上に載置され
ているガラス基板の表面に対向して冷却用の不活性ガス
若しくはクリーンエアを噴出するノズルとを有するもの
である。
【０００６】
【作用】サセプタにガラス基板を載置し、まず予熱ステ
ーションにおいて、ガラス基板に不活性ガスを吹き付け
つつサセプタ及びガラス基板を予熱する。予熱されたガ
ラス基板は、サセプタの移動によって前端側から処理ス
テーションに送り込まれ、ここで所定の処理温度に加熱
される。これによりガラス基板はより少ない熱衝撃で円
滑に加熱され、ＣＶＤ処理ノズルから噴出される反応ガ
スによってガラス基板の表面に絶縁膜が形成される。処
理ステーションを出たガラス基板は、冷却ステーション
の入口側に設けた徐冷用のヒータによって残留応力を小
さく押えられつつ徐冷されて冷却ステーションへ送ら
れ、不活性ガス若しくはクリーンエアによって冷却され
る。
ーションにおいて、ガラス基板に不活性ガスを吹き付け
つつサセプタ及びガラス基板を予熱する。予熱されたガ
ラス基板は、サセプタの移動によって前端側から処理ス
テーションに送り込まれ、ここで所定の処理温度に加熱
される。これによりガラス基板はより少ない熱衝撃で円
滑に加熱され、ＣＶＤ処理ノズルから噴出される反応ガ
スによってガラス基板の表面に絶縁膜が形成される。処
理ステーションを出たガラス基板は、冷却ステーション
の入口側に設けた徐冷用のヒータによって残留応力を小
さく押えられつつ徐冷されて冷却ステーションへ送ら
れ、不活性ガス若しくはクリーンエアによって冷却され
る。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例について図１ないし図５
を参照して説明する。図１及び図２において、１０はカ
バーで、気密な処理室１１を形成している。カバー１０
の図１，図２において右端と左端には、シリンダ１２，
１３によって上下動されるフタ１４，１５により気密に
閉じられる入口１６と出口１７が設けられている。
を参照して説明する。図１及び図２において、１０はカ
バーで、気密な処理室１１を形成している。カバー１０
の図１，図２において右端と左端には、シリンダ１２，
１３によって上下動されるフタ１４，１５により気密に
閉じられる入口１６と出口１７が設けられている。
【０００８】処理室１１内には、入口１６から出口１７
に向って伸びる２本のリニアレール２０（図４，図５参
照）が設けられている。リニアレール２０には、リニア
ガイド２１を介して移動自在にキャリア２２が搭載され
ている。キャリア２２には送りナット２３が取付けら
れ、送りナット２３はリニアレール２０と平行に設けら
れた送りネジ２４に係合し、送りネジ２４をモータ２５
によりプーリ及びベルト等からなる回転伝達機構２６を
介して正逆回転させることにより、キャリア２２を所望
の速度で連続移動させると共に、入口１６に近い右行限
位置と出口１７に近い左行限位置にそれぞれ停止させる
ようになっている。
に向って伸びる２本のリニアレール２０（図４，図５参
照）が設けられている。リニアレール２０には、リニア
ガイド２１を介して移動自在にキャリア２２が搭載され
ている。キャリア２２には送りナット２３が取付けら
れ、送りナット２３はリニアレール２０と平行に設けら
れた送りネジ２４に係合し、送りネジ２４をモータ２５
によりプーリ及びベルト等からなる回転伝達機構２６を
介して正逆回転させることにより、キャリア２２を所望
の速度で連続移動させると共に、入口１６に近い右行限
位置と出口１７に近い左行限位置にそれぞれ停止させる
ようになっている。
【０００９】キャリア２２は、図４，図５に示すよう
に、上方へ伸びる支持板２７を有し、その上端にサセプ
タ２８が取付けられている。
に、上方へ伸びる支持板２７を有し、その上端にサセプ
タ２８が取付けられている。
【００１０】また、処理室１１内には、リニアレール２
０の上方でサセプタ２８の下方に位置してリニアレール
２０と平行に伸びる２本のヒータ支持バー３０（図４，
図５参照）が設けられている。ヒータ支持バー３０上に
は、サセプタ２８の下面に対向する赤外線ランプ等のヒ
ータ（以下赤外線ランプとして説明する）３１，３２，
３３がそれぞれ取付けられている。
０の上方でサセプタ２８の下方に位置してリニアレール
２０と平行に伸びる２本のヒータ支持バー３０（図４，
図５参照）が設けられている。ヒータ支持バー３０上に
は、サセプタ２８の下面に対向する赤外線ランプ等のヒ
ータ（以下赤外線ランプとして説明する）３１，３２，
３３がそれぞれ取付けられている。
【００１１】赤外線ランプ３１は予熱用であり、図２に
示すように、リニアレール２０と直交する方向に複数本
配置されている。これらの赤外線ランプ３１は、入口１
６から出口１７に向かう方向へ配置間隔が次第に狭くな
るように配置されている。
示すように、リニアレール２０と直交する方向に複数本
配置されている。これらの赤外線ランプ３１は、入口１
６から出口１７に向かう方向へ配置間隔が次第に狭くな
るように配置されている。
【００１２】赤外線ランプ３２はＣＶＤ処理用であり、
リニアレール２０と平行に複数本配置されている。これ
らの赤外線ランプ３２は、図２において上下（図５にお
いて左右）の両サイドの配列間隔は狭く、中央は広く設
定され、サセプタ２８の巾方向（図５において左右方
向）の温度分布を均一に保つように構成されている。
リニアレール２０と平行に複数本配置されている。これ
らの赤外線ランプ３２は、図２において上下（図５にお
いて左右）の両サイドの配列間隔は狭く、中央は広く設
定され、サセプタ２８の巾方向（図５において左右方
向）の温度分布を均一に保つように構成されている。
【００１３】赤外線ランプ３３は徐冷用で、ＣＶＤ処理
用の赤外線ランプ３２の後端（図１，図２において左
端）から若干離れてリニアレール２０と直交する方向に
１ないし２本配置されている。
用の赤外線ランプ３２の後端（図１，図２において左
端）から若干離れてリニアレール２０と直交する方向に
１ないし２本配置されている。
【００１４】なお、予熱用の赤外線ランプ３１が設けら
れている部分を予熱ステーションＳ１と呼び、ＣＶＤ処
理用の赤外線ランプ３２が設けられている部分を処理ス
テーションＳ２と呼び、徐冷用の赤外線ランプ３３が設
けられている箇所から出口１７側の部分を冷却ステーシ
ョンＳ３と呼ぶ。
れている部分を予熱ステーションＳ１と呼び、ＣＶＤ処
理用の赤外線ランプ３２が設けられている部分を処理ス
テーションＳ２と呼び、徐冷用の赤外線ランプ３３が設
けられている箇所から出口１７側の部分を冷却ステーシ
ョンＳ３と呼ぶ。
【００１５】予熱ステーションＳ１の上方には、右行限
位置に置かれたサセプタ２８の上面全域に対向してＮ2
ガス等の不活性ガスを噴出するノズル４１が上下に移動
可能に取付けられている。
位置に置かれたサセプタ２８の上面全域に対向してＮ2
ガス等の不活性ガスを噴出するノズル４１が上下に移動
可能に取付けられている。
【００１６】冷却ステーションＳ３の上方には、左行限
位置に置かれたサセプタ２８の上面全域に対向してＮ2
ガス等の不活性ガスとクリーンエアを選択的に噴出する
ノズル４２が上下に移動可能に取付けられている。
位置に置かれたサセプタ２８の上面全域に対向してＮ2
ガス等の不活性ガスとクリーンエアを選択的に噴出する
ノズル４２が上下に移動可能に取付けられている。
【００１７】処理ステーションＳ２のリニアレール２０
に沿う方向のほぼ中央には、反応ガスを噴出するＣＶＤ
処理ノズル４３が取付けられている。このＣＶＤ処理ノ
ズル４３は、サセプタ２８の全巾に対向する巾を有する
と共に、リニアレール２０に沿う方向に所定の長さｌを
有するように形成されている。なお、このＣＶＤ処理ノ
ズル４３の構造は、半導体装置の製造用に用いられてい
る常圧ＣＶＤ装置のノズルと同様のものを用い得るた
め、詳述は避ける。
に沿う方向のほぼ中央には、反応ガスを噴出するＣＶＤ
処理ノズル４３が取付けられている。このＣＶＤ処理ノ
ズル４３は、サセプタ２８の全巾に対向する巾を有する
と共に、リニアレール２０に沿う方向に所定の長さｌを
有するように形成されている。なお、このＣＶＤ処理ノ
ズル４３の構造は、半導体装置の製造用に用いられてい
る常圧ＣＶＤ装置のノズルと同様のものを用い得るた
め、詳述は避ける。
【００１８】ＣＶＤ処理ノズル４３とその前後のノズル
４１，４２との間には、Ｎ2 ガス等の不活性ガスを噴出
するノズル４４，４５がそれぞれ取付けられ、右行限位
置から左行限位置へ至るサセプタ２８の上面をノズル４
１ないし４５のいずれかから噴出されるガスで覆うよう
に構成されている。
４１，４２との間には、Ｎ2 ガス等の不活性ガスを噴出
するノズル４４，４５がそれぞれ取付けられ、右行限位
置から左行限位置へ至るサセプタ２８の上面をノズル４
１ないし４５のいずれかから噴出されるガスで覆うよう
に構成されている。
【００１９】図４及び図５に示すように、キャリア２２
にはシリンダ等の駆動装置５０によって上下動される昇
降体５１がサセプタ２８の両サイドに沿って取付けられ
ている。
にはシリンダ等の駆動装置５０によって上下動される昇
降体５１がサセプタ２８の両サイドに沿って取付けられ
ている。
【００２０】昇降体５１のサセプタ２８に対向する側に
は、図３に示すように、複数の支持片５２が突設されて
いる。支持片５２は、サセプタ２８の端部に設けられた
切欠き部５３へ上方から進入可能に形成され、図４に示
すように、上昇位置にあるとき、先端の段部５２ａでガ
ラス基板１００を支持するように形成されている。
は、図３に示すように、複数の支持片５２が突設されて
いる。支持片５２は、サセプタ２８の端部に設けられた
切欠き部５３へ上方から進入可能に形成され、図４に示
すように、上昇位置にあるとき、先端の段部５２ａでガ
ラス基板１００を支持するように形成されている。
【００２１】昇降体５１には、複数のアーム５５が軸５
４を中心に上下方向へ旋回可能に取付けられている。ア
ーム５５の反サセプタ側である元端には、ピン５６を介
してレバー５７の上端が揺動可能に連結されている。レ
バー５７の下端は、ピン５８を介してキャリア２２に揺
動可能に連結され、アーム５５の元端の上下動を規制す
るようになっている。
４を中心に上下方向へ旋回可能に取付けられている。ア
ーム５５の反サセプタ側である元端には、ピン５６を介
してレバー５７の上端が揺動可能に連結されている。レ
バー５７の下端は、ピン５８を介してキャリア２２に揺
動可能に連結され、アーム５５の元端の上下動を規制す
るようになっている。
【００２２】アーム５５の先端には、押え板５９が取付
けられている。押え板５９は、ガラス基板１００の図３
において上下（図４，図５において左右）の各辺に沿っ
てそれぞれ伸びており、これらの辺の端部を図５に示す
ように押圧するようになっている。なお、昇降体５１に
は、サセプタ２８による加熱を押えるための冷却流体の
流路５１ａが設けられている。
けられている。押え板５９は、ガラス基板１００の図３
において上下（図４，図５において左右）の各辺に沿っ
てそれぞれ伸びており、これらの辺の端部を図５に示す
ように押圧するようになっている。なお、昇降体５１に
は、サセプタ２８による加熱を押えるための冷却流体の
流路５１ａが設けられている。
【００２３】図１，図２に示すように、入口１６と出口
１７の外側には、それぞれロボット６１，６２が設けら
れている。ロボット６１，６２のハンド６３，６４は、
旋回中心０１，０２を中心に旋回すると共に半径方向へ
移動し、かつ所定量上下動可能になっており、ガラス基
板１００の下面を支持して搬送するようになっている。
１７の外側には、それぞれロボット６１，６２が設けら
れている。ロボット６１，６２のハンド６３，６４は、
旋回中心０１，０２を中心に旋回すると共に半径方向へ
移動し、かつ所定量上下動可能になっており、ガラス基
板１００の下面を支持して搬送するようになっている。
【００２４】ロボット６１は、処理前のガラス基板１０
０を収納して図示しないエレベータにより上下動される
供給側のカセット６５から、右行限位置にあるキャリア
２２の支持片５２上へ、ガラス基板１００を搬入し、ロ
ボット６２は、左行限位置にあるキャリア２２の支持片
５２上から受取側のカセット６６へ処理後のガラス基板
１００を搬出するようになっている。
０を収納して図示しないエレベータにより上下動される
供給側のカセット６５から、右行限位置にあるキャリア
２２の支持片５２上へ、ガラス基板１００を搬入し、ロ
ボット６２は、左行限位置にあるキャリア２２の支持片
５２上から受取側のカセット６６へ処理後のガラス基板
１００を搬出するようになっている。
【００２５】次いで本装置の作用について説明する。モ
ータ２５により送りネジ２４を逆転させて、キャリア２
２を右行限位置へ移動させる。このとき、ノズル４１
は、図１及び図４に示すように、上昇位置へ移動させ
る。
ータ２５により送りネジ２４を逆転させて、キャリア２
２を右行限位置へ移動させる。このとき、ノズル４１
は、図１及び図４に示すように、上昇位置へ移動させ
る。
【００２６】次いで、図４に示すように、駆動装置５０
によって昇降体５１を上昇させる。この昇降体５１の上
昇により、支持片５２はサセプタ２８より所定量上方に
移動すると共に、アーム５５が軸５４の上昇によってピ
ン５６を中心に上方へ旋回し、押え板５９を上方へ開
く。
によって昇降体５１を上昇させる。この昇降体５１の上
昇により、支持片５２はサセプタ２８より所定量上方に
移動すると共に、アーム５５が軸５４の上昇によってピ
ン５６を中心に上方へ旋回し、押え板５９を上方へ開
く。
【００２７】また、図１に示すように、入口１６のフタ
１４を開き、ロボット６１によりカセット６５内の処理
前のガラス基板１００を上記のように上昇位置にある支
持片５２の段部５２ａに載置した後、フタ１４を閉じ
る。
１４を開き、ロボット６１によりカセット６５内の処理
前のガラス基板１００を上記のように上昇位置にある支
持片５２の段部５２ａに載置した後、フタ１４を閉じ
る。
【００２８】このとき、予熱用の赤外線ランプ３１は点
灯され、サセプタ２８を加熱する。支持片５２上に置か
れたガラス基板１００は、サセプタ２８により非接触で
比較的緩やかに輻射加熱される。好ましくは、この状態
若しくはガラス基板１００をサセプタ２８に接触させな
い程度に若干下降させて、ガラス基板１００をある程度
昇温させる。このとき、ガラス基板１００の表面にはノ
ズル４１からＮ2 ガス等の不活性ガスが噴出され、ガラ
ス基板１００の表面に形成されているゲートの酸化を防
止する。
灯され、サセプタ２８を加熱する。支持片５２上に置か
れたガラス基板１００は、サセプタ２８により非接触で
比較的緩やかに輻射加熱される。好ましくは、この状態
若しくはガラス基板１００をサセプタ２８に接触させな
い程度に若干下降させて、ガラス基板１００をある程度
昇温させる。このとき、ガラス基板１００の表面にはノ
ズル４１からＮ2 ガス等の不活性ガスが噴出され、ガラ
ス基板１００の表面に形成されているゲートの酸化を防
止する。
【００２９】次いで昇降体５１を下降させる。この昇降
体５１の下降により、支持片５２がサセプタ２８の切欠
き部５３内に入り、ガラス基板１００をサセプタ２８上
に載置する。このとき、上記のようにガラス基板１００
をサセプタ２８により輻射加熱することにより、サセプ
タ２８上に載置されたガラス基板１００のそりの発生量
が小さく押えられる。
体５１の下降により、支持片５２がサセプタ２８の切欠
き部５３内に入り、ガラス基板１００をサセプタ２８上
に載置する。このとき、上記のようにガラス基板１００
をサセプタ２８により輻射加熱することにより、サセプ
タ２８上に載置されたガラス基板１００のそりの発生量
が小さく押えられる。
【００３０】上記昇降体５１の下降により軸５４が下降
し、ピン５６を中心にしてアーム５５の先端を下方へ旋
回させ、押え板５９をサセプタ２８上に置かれたガラス
基板１００の図５において左右の端部上面に押付け、ガ
ラス基板１００をサセプタ２８の表面に押圧する。この
押圧により、ガラス基板１００はサセプタ１０の表面に
密着され、そりの発生を押えられる。
し、ピン５６を中心にしてアーム５５の先端を下方へ旋
回させ、押え板５９をサセプタ２８上に置かれたガラス
基板１００の図５において左右の端部上面に押付け、ガ
ラス基板１００をサセプタ２８の表面に押圧する。この
押圧により、ガラス基板１００はサセプタ１０の表面に
密着され、そりの発生を押えられる。
【００３１】次いで、図１に示すノズル４１を、隣接す
るノズル４４と同様の高さ位置に下降させ、ガラス基板
１００の表面を不活性ガスで覆い続ける。
るノズル４４と同様の高さ位置に下降させ、ガラス基板
１００の表面を不活性ガスで覆い続ける。
【００３２】次に、モータ２５により送りネジ２４を正
回転させてキャリア２２を、予熱ステーションＳ１から
処理ステーションＳ２側へ所定速度で連続的に移動させ
る。予熱用の赤外線ランプ３１は、入口１６側より処理
ステーションＳ２側の方が配置間隔が狭いため、サセプ
タ２８は入口１６側より処理ステーションＳ２側（前端
側）の方が高温，すなわちＣＶＤ処理を行うための処理
温度により近い温度に加熱される。
回転させてキャリア２２を、予熱ステーションＳ１から
処理ステーションＳ２側へ所定速度で連続的に移動させ
る。予熱用の赤外線ランプ３１は、入口１６側より処理
ステーションＳ２側の方が配置間隔が狭いため、サセプ
タ２８は入口１６側より処理ステーションＳ２側（前端
側）の方が高温，すなわちＣＶＤ処理を行うための処理
温度により近い温度に加熱される。
【００３３】キャリア２２の移動によりサセプタ２８
は、前端側から処理ステーションＳ２内に進入する。上
記のように、予熱用の赤外線ランプ３１により、特によ
り高温に加熱されたサセプタ２８の前端側は、リニアレ
ール２０と平行に配置されたＣＶＤ処理用の赤外線ラン
プ３２によりＣＶＤを行うための処理温度である４００
℃以上に加熱される。なお、赤外線ランプ３２は前述し
たように巾方向の配置間隔を定められているため、サセ
プタ２８は巾方向の温度分布を均一に加熱される。
は、前端側から処理ステーションＳ２内に進入する。上
記のように、予熱用の赤外線ランプ３１により、特によ
り高温に加熱されたサセプタ２８の前端側は、リニアレ
ール２０と平行に配置されたＣＶＤ処理用の赤外線ラン
プ３２によりＣＶＤを行うための処理温度である４００
℃以上に加熱される。なお、赤外線ランプ３２は前述し
たように巾方向の配置間隔を定められているため、サセ
プタ２８は巾方向の温度分布を均一に加熱される。
【００３４】処理ステーションＳ２に進入したガラス基
板１００の前端部は、ノズル４４からの不活性ガスによ
って酸化を防止されつつ、サセプタ２８によって所定の
処理温度に加熱され、ＣＶＤ処理ノズル４３の下に進入
する。ＣＶＤ処理ノズル４３からは反応ガスが噴出さ
れ、ガラス基板１００の表面にＳｉＯ2 等の絶縁膜を形
成する。
板１００の前端部は、ノズル４４からの不活性ガスによ
って酸化を防止されつつ、サセプタ２８によって所定の
処理温度に加熱され、ＣＶＤ処理ノズル４３の下に進入
する。ＣＶＤ処理ノズル４３からは反応ガスが噴出さ
れ、ガラス基板１００の表面にＳｉＯ2 等の絶縁膜を形
成する。
【００３５】キャリア２２の移動により、サセプタ２８
は前端から中央さらに後端が予熱ステーションＳ１から
処理ステーションＳ２内へ進入するが、予熱ステーショ
ンＳ１の後部へ至るに伴ってより高温に加熱され、処理
ステーションＳ２でそれぞれの部分が所定の処理温度に
達して絶縁膜を形成される。
は前端から中央さらに後端が予熱ステーションＳ１から
処理ステーションＳ２内へ進入するが、予熱ステーショ
ンＳ１の後部へ至るに伴ってより高温に加熱され、処理
ステーションＳ２でそれぞれの部分が所定の処理温度に
達して絶縁膜を形成される。
【００３６】ガラス基板１００の前端から後端までの各
部は、所定の時間を掛けてＣＶＤ処理ノズル４３の下を
通過することにより、所望の厚さの絶縁膜が形成され
る。
部は、所定の時間を掛けてＣＶＤ処理ノズル４３の下を
通過することにより、所望の厚さの絶縁膜が形成され
る。
【００３７】ＣＶＤ処理ノズル４３の下を通過したガラ
ス基板１００の前端部は、ノズル４５の下を通って、処
理ステーションＳ２から冷却ステーションＳ３へ進入す
る。冷却ステーションＳ３に進入したガラス基板１００
及びサセプタ２８は、徐冷用の赤外線ランプ３３により
急激な温度低下を防止されつつ、図１において仮想線で
示す下降位置にあるノズル４２から噴出される冷却用の
不活性ガスによって冷却される。なお、冷却ステーショ
ンＳ３においては、ガラス基板１００の表面は絶縁膜に
よって覆われているため、酸化防止の必要がない。この
ため、ノズル４２からは、不活性ガスではなく、クリー
ンエアを噴出させてもよい。
ス基板１００の前端部は、ノズル４５の下を通って、処
理ステーションＳ２から冷却ステーションＳ３へ進入す
る。冷却ステーションＳ３に進入したガラス基板１００
及びサセプタ２８は、徐冷用の赤外線ランプ３３により
急激な温度低下を防止されつつ、図１において仮想線で
示す下降位置にあるノズル４２から噴出される冷却用の
不活性ガスによって冷却される。なお、冷却ステーショ
ンＳ３においては、ガラス基板１００の表面は絶縁膜に
よって覆われているため、酸化防止の必要がない。この
ため、ノズル４２からは、不活性ガスではなく、クリー
ンエアを噴出させてもよい。
【００３８】こうして、キャリア２２が左行限位置に至
り、サセプタ２８及びガラス基板１００の全体が冷却ス
テーションＳ３に達したならば、ノズル４２を図１に実
線で示すように上昇させてガスの噴出を停止すると共
に、図４に示すように、昇降体５１を上昇させ、押え板
５９を開き、支持片５２によってガラス基板１００をサ
セプタ２８から持ち上げる。なお、各ノズル４１，４
４，４３，４５は、サセプタ２８が完全に通過した時点
で、ガスの噴出を停止されている。
り、サセプタ２８及びガラス基板１００の全体が冷却ス
テーションＳ３に達したならば、ノズル４２を図１に実
線で示すように上昇させてガスの噴出を停止すると共
に、図４に示すように、昇降体５１を上昇させ、押え板
５９を開き、支持片５２によってガラス基板１００をサ
セプタ２８から持ち上げる。なお、各ノズル４１，４
４，４３，４５は、サセプタ２８が完全に通過した時点
で、ガスの噴出を停止されている。
【００３９】次いで、出口１７のフタ１５をシリンダ１
３によって開き、上記処理済みのガラス基板１００をロ
ボット６２によって支持片５２上から処理室１１外へ搬
出し、受取側のカセット６６へ装填して、１枚のガラス
基板１００の処理を終了し、キャリア２２を右行限位置
へ戻し、次の処理を再開する。
３によって開き、上記処理済みのガラス基板１００をロ
ボット６２によって支持片５２上から処理室１１外へ搬
出し、受取側のカセット６６へ装填して、１枚のガラス
基板１００の処理を終了し、キャリア２２を右行限位置
へ戻し、次の処理を再開する。
【００４０】なお、各ノズル４１ないし４５のガスの噴
出を的確に行わせるため、サセプタ２８の前後（図１に
おいて左右）に、サセプタ２８とほぼ等しい巾及び高さ
の伸縮可能なカバー（図示せず）を連結することが好ま
しい。
出を的確に行わせるため、サセプタ２８の前後（図１に
おいて左右）に、サセプタ２８とほぼ等しい巾及び高さ
の伸縮可能なカバー（図示せず）を連結することが好ま
しい。
【００４１】前述した実施例においては、予熱ステーシ
ョンＳ１及び処理ステーションＳ２にそれぞれ複数設け
たヒータ３１，３２の個々のヒータの間隔を変えること
により所望の温度分布を得るようにしたを例を示した
が、個々のヒータを別々に又は適宜な数に分けたグルー
プ毎に出力制御して所望の温度分布を得るようにしても
よい。
ョンＳ１及び処理ステーションＳ２にそれぞれ複数設け
たヒータ３１，３２の個々のヒータの間隔を変えること
により所望の温度分布を得るようにしたを例を示した
が、個々のヒータを別々に又は適宜な数に分けたグルー
プ毎に出力制御して所望の温度分布を得るようにしても
よい。
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、大型
のガラス基板を、そり，破損，大きな熱衝撃及び残留応
力を生じさせることなく、加熱及び冷却することがで
き、大型のガラス基板に対する常圧ＣＶＤ処理を的確に
行うことができる効果が得られる。
のガラス基板を、そり，破損，大きな熱衝撃及び残留応
力を生じさせることなく、加熱及び冷却することがで
き、大型のガラス基板に対する常圧ＣＶＤ処理を的確に
行うことができる効果が得られる。
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】キャリア及びサセプタ部の拡大平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線による断面図で、昇降体が上昇
位置にある状態を示す図である。
位置にある状態を示す図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線による断面図で、昇降体が下降
位置にある状態を示す図である。
位置にある状態を示す図である。
１１ 処理室 １６ 入口 １７ 出口 ２０ リニアレール ２２ キャリア ２４ 送りネジ ２５ モータ ２８ サセプタ ３１ 予熱用ヒータ ３２ ＣＶＤ処理用ヒータ ３３ 徐冷用ヒータ ４１，４２，４４，４５ ノズル ４３ ＣＶＤ処理用ノズル ５１ 昇降体 ５２ 支持片 ５５ アーム ５７ レバー ５９ 押え板 ６１，６２ ロボット ６５，６６ カセット １００ ガラス基板 Ｓ１ 予熱ステーション Ｓ２ 処理ステーション Ｓ３ 冷却ステーション
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、大型
のガラス基板を、そり，破損，大きな熱衝撃及び残留応
力を生じさせることなく、加熱及び冷却することがで
き、大型のガラス基板に対する常圧ＣＶＤ処理を的確に
行うことができる効果が得られる。
のガラス基板を、そり，破損，大きな熱衝撃及び残留応
力を生じさせることなく、加熱及び冷却することがで
き、大型のガラス基板に対する常圧ＣＶＤ処理を的確に
行うことができる効果が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】キャリア及びサセプタ部の拡大平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線による断面図で、昇降体が上昇
位置にある状態を示す図である。
位置にある状態を示す図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線による断面図で、昇降体が下降
位置にある状態を示す図である。
位置にある状態を示す図である。
【符号の説明】 １１ 処理室 １６ 入口 １７ 出口 ２０ リニアレール ２２ キャリア ２４ 送りネジ ２５ モータ ２８ サセプタ ３１ 予熱用ヒータ ３２ ＣＶＤ処理用ヒータ ３３ 徐冷用ヒータ ４１，４２，４４，４５ ノズル ４３ ＣＶＤ処理用ノズル ５１ 昇降体 ５２ 支持片 ５５ アーム ５７ レバー ５９ 押え板 ６１，６２ ロボット ６５，６６ カセット １００ ガラス基板 Ｓ１ 予熱ステーション Ｓ２ 処理ステーション Ｓ３ 冷却ステーション
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板を載置するサセプタと、同サ
セプタをガラス基板の載置面に沿う方向へ往復移動させ
る駆動装置と、前記サセプタの往工程に沿って順次設け
られた予熱ステーション，処理ステーション及び冷却ス
テーションとからなり、 前記予熱ステーションは、サセプタに対向して該サセプ
タを予熱するヒータと、該サセプタ上に載置されている
ガラス基板の表面に対向して不活性ガスを噴出するノズ
ルとを有し、 前記処理ステーションは、サセプタに対向して該サセプ
タを所定の処理温度に加熱するヒータと、該サセプタ上
に載置されているガラス基板の表面に対向して反応ガス
を噴出するＣＶＤ処理ノズルとを有し、 前記冷却ステーションは、前記処理ステーションに近い
側に配置されてサセプタに対向し該サセプタを徐冷する
ヒータと、該サセプタ上に載置されているガラス基板の
表面に対向して冷却用の不活性ガス若しくはクリーンエ
アを噴出するノズルとを有することを特徴とするＬＣＤ
ガラス基板用常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854891A JPH06101050A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29854891A JPH06101050A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06101050A true JPH06101050A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17861161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29854891A Pending JPH06101050A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101050A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1262575A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zur Aufheizung von Substraten |
| JP2006176842A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガラス基板の成膜装置 |
| US10308541B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-06-04 | Gerresheimer Glas Gmbh | Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP29854891A patent/JPH06101050A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1262575A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zur Aufheizung von Substraten |
| JP2006176842A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | ガラス基板の成膜装置 |
| JP4508856B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-07-21 | 三菱重工業株式会社 | ガラス基板の成膜装置 |
| US10308541B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-06-04 | Gerresheimer Glas Gmbh | Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter |
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