KR102663828B1 - 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판변형을 방지할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 가열하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)의 상부면에 안착시키는 리프트핀부(400)와; 상기 히터부(200)에 안착된 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1)의 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함하는 기판변형방지부(300)를 포함하며, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 상기 히터부(200)에 안착되어 가열되는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치되는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법{substrate processing apparatus and substrate processing method}
본 발명은 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판변형을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
기판처리장치는 대기압 또는 진공압상태에서의 예열(preheating), 어닐링, 증착, 식각 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 기판처리장치를 말하며, 대표적인 예로서, 로드락챔버(loadlock chamber), 진공처리장치 등이 있다.
이때, 처리 대상인 기판은, 반도체, LCD(Liquid crystal display), OLED(Organic light emitting diode), 태양전지, 글래스 기판 등으로서, 특히, 디스플레이용 기판에 다양한 재료를 증착하기 위한 기판처리가 수행될 수 있다.
예를 들면, OLED 기판 상에 재료가 증착될 수 있으며, 후속적으로 건조, 경화 또는 이들의 조합과 같은 열처리를 포함하는 처리가 수행될 수 있고, 이러한 열처리를 위해서 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법이 개시될 수 있다.
특히, OLED를 인쇄 후 각 픽셀 및 전체 패널에서 균일한 막을 형성하기 위해서 건조 및 경화 공정의 중요성이 강조되고 있으며, 더 나아가 각 픽셀에서 균일한 두께의 막을 형성하기 위한 건조 및 경화 공정이 수행되는 기판처리장치의 개발이 필수적이다.
한편 종래에는 기판에 대한 기판처리를 수행하기 위하여, 상온의 기판이 챔버 내의 공정온도를 유지하는 히터 위에 배치하고, 그 상태에서 기판의 온도가 공정온도에 도달했을 때 기판처리를 위한 공정을 수행하였다.
이 과정에서 공정 시간을 단축하고 기판으로의 효율적인 열 전달을 위하여 히터와 기판 사이의 간격을 좁힐수록 기판의 상부와 하부의 열분포에 차이가 발생하는 문제점이 있다.
특히, 히터의 급속 온도 상승 및 하강 처리 시, 히터로부터 직접적인 열을 공급받는 기판의 하부와 상대적으로 저온상태를 유지하는 기판의 상부 사이의 열분포 차이로 인해, 기판의 가장자리가 말아올라가는 형태가 발생하여 기판이 변형되는 문제점이 있다.
또한, 기판을 히터와 밀착시켜 가열하는 경우, 기판의 하부에 히터에 의해서 가열된 공기가 빠져나가지 못해 기판의 하부를 급속도로 가열하므로, 기판의 상부와 하부 사이의 온도편차가 심화되어 기판이 크게 변형되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해서 기판과 히터 사이의 간격을 일정수준으로 이격시킨 상태를 유지하면서 히터의 전력을 증가시키는 방법을 적용하였으나, 종래와 같이 열전달의 효율이 낮고 기판의 공정온도 도달 시간이 오래걸려 공정시간이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대한 급격한 온도 상승 및 하강에 따른 기판의 상하부에 대한 열분포 차이에도 기판의 변형을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 가열하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)의 상부면에 안착시키는 리프트핀부(400)와; 상기 히터부(200)에 안착된 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1)의 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함하는 기판변형방지부(300)를 포함하며, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 상기 히터부(200)에 안착되어 가열되는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치되는 기판처리장치를 개시한다.
상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 접촉되는 하부면이 수평면을 형성하는 블럭형상일 수 있다.
상기 기판간섭부(310)는, 복수개이며, 상기 기판(1)의 가장자리를 따라서 서로 일정간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)의 가장자리에 대응되도록 중심이 개방되어 형성될 수 있다.
상기 지지부(320)는, 상기 기판간섭부(310)가 하측으로 지지되도록 상기 기판간섭부(310)의 상부면 또는 측면에 연결되는 연결지지부(321)와, 상기 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 상기 연결지지부(321)를 지지하는 지지로드(322)를 포함할 수 있다.
상기 기판변형방지부(300)는, 상기 기판간섭부(310) 또는 상기 지지부(320)에 결합하여, 상기 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 리프트핀부(400)는, 상기 상하구동부(330)와 연결되어, 상기 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동할 수 있다.
상기 히터부(200)는, 상부면으로부터 돌출되어 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(211)들을 포함할 수 있다.
상기 돌기부(211)는, 가열로 인한 상기 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 상기 기판(1)의 가장자리가 상기 기판간섭부(310)에 접촉하여 가압함으로써, 상기 기판(1)의 중심측에 대한 반작용으로 상기 기판(1)의 수평을 복원하도록 상기 히터부(200)의 상부면 중 가장자리에 구비될 수 있다.
상기 히터부(200)는, 상부면 중 상기 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 블럭 형태로 돌출 구비되어, 상기 기판(1)의 안착을 가이드하는 가이드부(230)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(230)는, 상기 기판(1)이 정위치에 안착하도록, 상기 기판(1)을 향하는 면 중 적어도 일부에 하측으로 갈수록 상기 기판(1) 측으로 돌출되도록 형성되는 경사부(231)를 포함할 수 있다.
상기 리프트핀부(400)는, 상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동하며, 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 리프트핀(410)과, 상기 리프트핀(410)을 상하로 구동하는 리프트핀구동부를 포함할 수 있다.
상기 처리공간(S) 또는 상기 공정챔버(100)의 내벽면에 설치되는 가열부재를 추가로 포함할 수 있다.
상기 처리공간(S)에 외부의 냉매공급장치와 연결되어 설치되는 냉매공급배관(610)과, 상기 냉매공급배관(610)으로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 복수의 냉매분사노즐(620)을 포함하는 냉각부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은, 외부로부터 기판(1)이 도입되어 리프트핀부(400)에 지지되는 기판도입단계(S100)와; 상기 리프트핀부(400)를 하강하여 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착하여 상기 기판(1)을 가열하는 기판처리준비단계(S200)와; 상기 히터부(200)의 온도를 유지하며, 상기 기판(1)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리단계(S300)와; 기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 외부로 반출하는 기판반출단계(S500)를 포함하며, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 상기 기판변형방지부(300)를 상기 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격 위치에 배치하는 기판변형방지부 배치단계(S230)를 포함하는 기판처리방법을 개시한다.
상기 기판처리준비단계(S200)는, 상기 히터부(200)의 온도를 상승시키는 온도상승단계(S210)와; 상기 온도상승단계(S210) 이후에 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착함으로써 상기 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함할 수 있다.
상기 히터부(200)는, 상기 기판도입단계(S100) 전부터 기판처리를 위한 온도로 일정하게 유지되며, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착하여 상기 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함할 수 있다.
상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 상기 기판안착단계(S220) 이후 또는 동시에 수행될 수 있다.
상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 상기 기판변형방지부(300)와 상기 리프트핀부(400)가 일체로 구동되어 상기 기판안착단계(S220)와 동시에 수행될 수 있다.
상기 기판처리단계(S300) 이후에 상기 히터부(200)의 상측에 설치되어 상기 기판(1)을 향해 냉매를 분사하는 냉각부(600)를 통해 상기 기판(1)을 냉각하는 온도하강단계(S400)를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 히터와 기판을 밀착하여 히터로부터 기판으로의 열전달 효율을 증대하여, 기판의 공정온도 도달시간을 단축하고 전체적인 공정속도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 히터와 기판이 밀착된 상태에서 기판의 급격한 온도 상승 및 하강에도 기판의 상하부 온도편차에 따른 기판변형을 방지할 수 있어, 고 전력의 가열 및 냉각에 따른 기판 온도의 급속상승 및 급속하강이 가능한 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 히터와 기판의 밀착에 따른 열공급으로 기판의 상하부 온도편차에 따른 기판변형을 방지할 수 있는 이점이 있다.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 기판의 상하부 온도편차에도 가장자리가 말아올라 휘어지는 것을 방지하고 평평한 상태를 유지하면서 기판처리가 가능한 이점이 있다.
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 기판변형방지부의 설치모습을 보여주는 확대단면도이다.
도 3a 및 도3b는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 기판변형방지부를 통한 기판변형방지 과정을 보여주는 확대단면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 1에 따른 기판처리장치를 이용하여 기판을 급속 승온하는 경우 기판 평면의 복수의 지점에서의 온도편차를 보여주는 그래프로서, 도 4a는, 종래의 기판변형이 허용되는 경우의 기판 평면의 복수의 지점에서의 온도편차를 보여주는 그래프이고, 도 4b는, 기판변형이 방지되는 경우의 기판 평면의 복수의 지점에서의 온도편차를 보여주는 그래프이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치를 이용하여 기판처리를 수행하는 기판처리방법을 보여주는 순서도이다.
도 6은, 도 5에 따른 기판처리방법 중 기판처리준비단계를 보여주는 순서도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 가열하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)의 상부면에 안착시키는 리프트핀부(400)와; 상기 히터부(200)에 안착된 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1)의 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함하는 기판변형방지부(300)를 포함한다.
이때, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 상기 히터부(200)에 안착되어 가열되는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치된다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 상기 처리공간(S) 또는 상기 공정챔버(100)의 내벽면에 설치되어 상기 공정챔버(100)의 내벽면을 가열하는 가열부재를 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 처리공간(S)에 외부의 냉매공급장치와 연결되어 설치되는 냉매공급배관(610)과, 상기 냉매공급배관(610)으로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 복수의 냉매분사노즐(620)을 포함하는 냉각부(600)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서 처리대상인 기판(1)은, 반도체 기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 글래스 기판 등 히팅을 통해 처리되는 기판이면 어떠한 기판도 적용 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 후술하는 히터부(200)를 통한 히팅을 이용하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 어떠한 공정도 적용 가능하다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(120)와, 챔버본체(120)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(120)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(110)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공정챔버(100)는, 측면에 형성된 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(121)가 형성될 수 있다.
또한, 상기 공정챔버(100)는, 수행되는 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판처리의 수행을 위한 처리가스의 공급을 위한 가스공급부(미도시)가 내부에 설치될 수 있으며, 경우에 따라 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등 종래 개시된 기판처리를 위한 구성이 추가로 설치될 수 있다.
상기 가열부재는, 처리공간(S) 또는 공정챔버(100)의 내벽면에 설치되어 공정챔버(100)의 내벽면을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 가열부재는, 히터부(200)의 상부 또는 측면에 배치되어 공정챔버(100)의 내벽면을 가열하여 내벽에 이물질이 응축되어 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이 경우, 상기 가열부재는, 종래 개시된 어떠한 형태의 히터도 적용 가능하며, 특히 특정 파장대의 복사 광선을 통해 기판(1)을 가열하는 히터도 적용 가능하다.
또한, 상기 가열부재는, 공정챔버(100)의 내벽면에 설치되는 열선형태로 구비되어 전원 인가에 따라 발열하여 공정챔버(100)의 내벽면을 가열할 수도 있다.
상기 냉각부(600)는, 가열부재와 히터부(200) 사이에 구비되어 기판(1)을 향해 냉매를 분사하여 기판(1)을 냉각하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 냉각부(600)는, 히터부(200)에 안착된 기판(1)의 상측에 설치되어 저온의 질소(N2)와 같은 불활성 냉매를 기판(1)에 분사함으로써, 기판(1)을 냉각할 수 있다.
예를 들면, 상기 냉각부(600)는, 외부의 냉매 공급장치로부터 연결되는 냉매공급배관(610)과, 냉매공급배관(610)으로부터 냉매를 공급받아 기판(1)을 향해 분사하는 복수의 냉매분사노즐(620)과, 복수의 냉매분사노즐(620)을 상기 냉매공급배관(610)과 연결하는 복수의 냉매연결배관을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간(S)을 배기하기 위한 구성으로서, 배기부(미도시)를 포함할 수 있다.
이때, 배기부는, 외부에 구비되는 배기펌프와, 배기펌프와 공정챔버(100)의 처리공간(S)을 연결하는 복수의 배기배관을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 배기부는, 공정챔버(100)를 기준으로 양측에 각각 구비되며, 양측에 구비되는 배기배관이 공정챔버(100)와 서로 대칭이 되도록 연결됨으로써 처리공간(S) 내부에서의 균일한 가스흐름을 유도할 수 있다.
상기 히터부(200)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)을 지지하며, 기판(1)을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 히터부(200)는, 공정챔버(100)의 하측에 설치되어 상부면에 기판(1)을 지지하며, 기판(1)을 공정온도로 가열함으로써, 기판처리가 수행되도록 할 수 있다.
예를 들면, 상기 히터부(200)는, 기판(1)을 지지하고 공정온도로 가열하기 위한 히터(210)와, 히터(210)의 하측에서 히터(210)를 지지하는 히터지지부(220)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 히터부(200)는, 상부면 중 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에서 돌출되어 기판(1)의 안착을 가이드하는 가이드부(230)를 포함할 수 있다.
상기 히터(210)는, 기판(1)을 지지하고 공정온도로 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 히터(210)는, 내부에 전원인가 시 발열되는 발열부재를 포함하여 발열부재의 열을 상부면에 위치하는 기판(1)에 전달할 수 있다.
이때, 상기 히터(210)는, 상부면으로부터 돌출되어 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(211)가 형성될 수 있다.
상기 돌기부(211)는, 히터(210)의 상부면으로부터 상측으로 돌출되어 기판(1)을 지지할 수 있으며, 지지되는 기판(1)이 히터(210)의 상부면을 기준으로 일정간격 이격되도록 기판(1)을 지지할 수 있다.
이로써, 상기 돌기부(211)는, 히터(210)와 기판(1)이 서로 접촉한 상태를 유지하여 히터(210)로부터 기판(1)으로의 열 전달 효율을 증대하면서도, 히터(210)와 기판(1) 사이에 가열된 공기가 머물러 기판(1)의 하부 온도를 상부에 비해 과도하게 상승시키는 것을 방지하여, 기판(1)의 상하부 온도편차가 커지는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 돌기부(211)는, 히터(210)의 표면에 복수개로 구비될 수 있으며, 안정적인 기판(1)의 지지를 위하여 히터(210)의 표면에서 서로 일정간격을 가지고 고르게 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 돌기부(211)는, 히터(210)의 상부면에 착탈가능하도록 구비되어, 사용자에 의해 특정 위치에 배치될 수 있으며, 이로써 기판(1)을 안정적으로 지지할 뿐만 아니라, 후술하는 기판변형방지부(300)와의 관계에서 힘의 중심점 역할을 수행할 수 있다.
보다 구체적으로, 기판(1)이 돌기부(211)에 지지된 상태에서 기판(1)의 가장자리가 말아올라가는 등의 변형이 발생하여 기판(1)의 가장자리가 기판변형방지부(300)에 접촉된 상태에서 가압하는 경우, 돌기부(211)를 기준으로 기판(1)의 반대측이 반작용에 의해 상승할 수 있다.
이때, 상하방향으로 작용하는 힘의 경우 돌기부(211)를 중심점으로 돌기부(211)로부터 변형되는 기판(1)의 가장자리까지의 거리와 관계되므로, 돌기부(211)의 위치를 사용자가 적절히 배치할 필요가 있으며, 이를 위하여 돌기부(211)는, 히터부(200)의 상부면에 착탈가능하도록 구성될 수 있다.
상기 히터지지부(220)는, 히터(210)의 하측에서 히터(210)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 히터지지부(220)는, 기판(1)을 지지하는 히터(210)가 처리공간(S) 내에서 상하로 이동할 수 있도록 승강구동할 수 있으며, 필요에 따라 회전구동할 수 있다.
상기 가이드부(230)는, 히터부(200)의 상부면 중 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에서 돌출되어 기판(1)의 안착을 가이드하는 구성으로서, 기판(1)의 모서리에 대응되어 8개의 지점에서 형성될 수 있다.
상기 가이드부(230)는, 기판(1)의 정렬이 다소 어긋나는 경우에도 기판(1)의 자중을 통해 정위치에 안착될 수 있도록, 기판(1)을 향하는 면에 경사부(231)가 형성될 수 있다.
이로써, 상기 가이드부(230)는, 이송로봇(미도시)으로부터 후술하는 히프트핀(410)에 지지된 기판(1)이 안착과정에서 정렬이 어긋나거나 흐트러지는 상황에서도 기판(1)이 자중에 의해 정위치에 안착되도록 할 수 있다.
또한, 상기 가이드부(230)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 후술하는 기판변형방지부(300)와의 간섭을 방지하기 위하여, 기판변형방지부(300)와 평면상 일부 이격되는 위치에 배치될 수 있다.
한편, 상기 가이드부(230)는, 히터(210)의 상부면 중 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 돌출되어 구비되는 블럭형상일 수 있다.
이때, 상기 가이드부(230)는, 다양한 방식으로 배치될 수 있으며, 일예로 복수개가 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 배치되어 기판(1)의 안착을 가이드할 수 있다.
예를 들면, 직사각형 형상의 기판(1)에 대하여 4개의 꼭짓점에 대응되어 각 꼭짓점을 기준으로 동일한 이격거리를 가지고 한 쌍의 가이드부(230)가 배치될 수 있으며, 이로써 총 8개의 가이드부(230)가 배치될 수 있다.
상기 기판변형방지부(300)는, 히터부(200)를 통한 기판(1)의 가열 시, 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격 위치에 배치되며, 가열로 인한 기판(1)의 일부 변형에 따라 기판(1)이 접촉함으로써, 기판(1)의 변형을 제한할 수 있다.
즉, 상기 기판변형방지부(300)는, 히터부(200)에 의해 기판(1)을 공정온도까지 가열하는 과정에서 미리설정된 위치에 배치될 수 있으며, 가열에 따른 상하부의 온도편차로 기판(1)이 변형됨에 따라 기판(1)과 간섭하여 추가적인 기판(1)의 변형을 제한하는 구성일 수 있다.
이를 통해 상기 기판변형방지부(300)는, 허용가능한 범위 내로 기판(1)의 변형을 제한함으로써, 기판(1)의 변형을 방지할 수 있다.
더 나아가, 상기 기판변형방지부(300)는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 그 구성에 따라 기판(1)의 변형 정도뿐만 아니라, 허용 가능한 기판(1)의 변형 형태 및 방향을 유도함으로써, 최종적인 기판(1)의 형태를 도출할 수 있다.
또한, 상기 기판변형방지부(300)는, 단순히 기판(1)의 일부 변형에 따른 물리적 접촉으로 기판(1)의 추가적인 변형을 제한하는 것 뿐만 아니라, 가열로 인한 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 기판(1)의 가장자리가 접촉하여 가압함으로써, 기판(1)의 중심측에 대한 반작용으로 기판(1)의 수평을 복원하도록 할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판변형방지부(300)는, 가열에 따라 기판(1)의 가장자리가 말아올라가는 변형이 일어날 때, 기판(1)이 접촉함으로써, 기판(1)의 추가적인 변형을 방지하고, 더 나아가, 접촉된 상태에서 기판(1)이 상측으로 가압할 수 있다.
기판(1) 가장자리의 상측으로의 지속적인 가압에도 기판변형방지부(300)의 설치로 기판(1) 가장자리의 추가적인 변형은 제한될 수 있으며, 이에 대한 반작용으로 기판(1) 중심측이 상측으로 일부 변형되면서 전체적으로 기판(1)이 수평상태로 복원될 수 있다.
한편, 이 과정에서 전술한 돌기부(211)를 통해 힘의 반작용이 원활하게 일어나도록 적용할 수 있으며, 사용자의 적절한 돌기부(211) 위치 배치를 통해 최적의 기판(1) 수평 복원이 가능할 수 있다.
예를 들면, 상기 기판변형방지부(300)는, 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되도록 배치되어 기판(1)의 변형에 따른 간섭을 통해 기판(1)의 변형을 제한하는 기판간섭부(310)와, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판변형방지부(300)는, 기판간섭부(310) 또는 지지부(320)에 결합하여, 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되도록 배치되어 기판(1)의 변형에 따른 간섭을 통해 기판(1)의 변형을 제한하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
특히, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 상기 히터부(200)에 안착되어 가열되는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)이 히터부(200)에 안착됨과 동시에 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정되어 배치될 수 있으며, 다른 예로서, 기판(1)이 히터부(200)에 안착된 이후에 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정되어 배치될 수 있다.
이를 통해, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)이 히터부(200)에 의해 가열될 때 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치됨으로써, 기판(1)의 변형에 따라 기판(1)과 간섭하여 기판(1)의 변형을 제한할 수 있다.
이때, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 접촉되는 하부면이 수평면을 형성하는 블럭형상일 수 있으며, 다른 예로서 기판(1)의 가장자리가 말아 올라가는 방식의 변형이 빈번한 점에 비추어, 기판(1)이 접촉되는 하부면이 기판(1)의 가장자리에 대응되는 면으로 갈수록 하측으로 내려오는 경사가 형성될 수도 있다.
예를 들면, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 히터부(200)의 상부면으로부터 제1이격간격(d1)으로 이격되어 가열에 따른 기판(1)의 변형으로 기판(1)과 물리적으로 접촉하도록 배치될 수 있다.
즉, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 히터부(200)의 상부면으로부터 제1이격간격(d1)으로 이격되며, 이때 제1이격간격(d1)은, 전술한 돌기부(211)의 높이와 기판(1)의 두께의 합에 대응되는 히터부(200)의 상부면으로부터 기판(1)까지의 제2이격간격(d2)보다 크다.
한편, 사용자에 따라 기판(1)의 허용가능한 변형정도를 고려하여 제1이격간격(d1)을 후술하는 상하구동부(330)를 통해 조절함으로써, 기판(1)이 제1이격간격(d1)에서 제2이격간격(d2)을 뺀 범위 내에서 변형되도록 할 수 있다.
즉, 히터부(200)에 안착된 기판(1)의 상부면과 기판간섭부(310)의 하부면 사이의 간격을 허용가능한 기판(1)의 변형정도로 설정하고 기판(1)의 변형에 따라 기판간섭부(310)와 기판(1)이 접촉하는 경우, 물리적인 간섭으로 기판(1)의 추가적인 변형을 방지하고 이를 제한할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판간섭부(310)의 하부면과 기판(1) 사이의 간격은 0.5mm 이하일 수 있으며, 이로써 기판(1)의 허용가능한 변형을 0.5mm 이하로 제한하고 전체적인 기판(1)의 변형을 방지할 수 있다.
이때, 제1이격간격(d1)은 2mm일 수 있으며, 제2이격간격(d1)은, 돌기부(211)의 높이인 1mm와 기판(1)의 두께인 0.5mm를 합한 1.5mm일 수 있다.
한편, 상기 기판간섭부(310)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 중심이 개방되며 기판(1)의 가장자리에 대응되도록 형성될 수 있다.
즉, 상기 기판간섭부(310)는, 상하부의 온도편차에 따른 기판(1)의 변형이 가장자리에서 일어남을 고려하여, 기판(1)의 가장자리에 대응되고 중심이 개방되는 형태로 형성될 수 있다.
또한, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 전체면적보다 큰 플레이트 구조로서, 기판(1)의 상측에 배치될 수 있음은 또한 물론이다.
또한, 상기 기판간섭부(310)는, 복수개이며, 상기 기판(1)의 가장자리를 따라서 서로 일정간격으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되어 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하고, 기판간섭부(310)와 다양한 위치에서의 결합을 통해 기판간섭부(310)를 지지할 수 있다.
특히, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지할 수 있으며, 다른 예로서, 기판간섭부(310)의 측면이나 하부에서 결합하여 지지할 수 있다.
일예로, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)의 상부면 또는 측면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지하는 연결지지부(321)와, 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 연결지지부(321)를 지지하는 지지로드(322)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 지지부(320)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 복수의 지점에서 연결하는 연결부(323)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 연결지지부(321)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 연결지지부(321)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 배치되어 기판간섭부(310)와 결합함으로써 기판간섭부(310)를 지지할 수 있으며, 이 경우 전술한 기판간섭부(310)에 대응되는 형상일 수 있다.
예를 들면, 기판간섭부(310)의 상측에서 위치하는 플레이트 형태로서, 기판간섭부(310)와 전체로서 면접촉하거나, 다수의 지점에서 연결될 수 있다.
또한, 다른 예로서, 중심이 개방되고, 기판간섭부(310)의 가장자리에 대응되는 형상으로서 기판간섭부(310)의 가장자리에서 결합할 수 있다.
상기 지지로드(322)는, 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 연결지지부(321)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 지지로드(322)는, 일단이 연결지지부(321)의 가장자리 하측에서 결합하고 타단이 후술하는 상하구동부(330)에 연결되어 연결지지부(321)를 지지할 수 있다.
더 나아가, 상기 지지로드(322)는, 상하구동부(330)를 통해 전달되는 구동력을 기판간섭부(310)에 전달할 수 있다.
상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 복수의 지점에서 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
즉, 상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 연결할 수 있는 구성이면 종래 개시된 어떠한 형태도 적용 가능하며, 다양한 배치로 적용될 수 있다.
예를 들면, 상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 관통하여 설치되는 볼트 및 너트로서, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이에서 복수개 구비되어 이들을 연결할 수 있다.
상기 상하구동부(330)는, 기판간섭부(310) 또는 지지부(320)에 결합하여, 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면, 상기 상하구동부(330)는, 히터부(200)의 하측 또는 측면에 구비되어 지지로드(322)의 하측 끝단에 연결됨으로써, 지지로드(322)를 상하로 구동할 수 있다.
이를 통해 상기 상하구동부(330)는, 지지로드(322)를 통해 연결지지부(321) 및 기판간섭부(310)를 상하로 이동시킬 수 있으며, 기판간섭부(310)의 높낮이 조절을 통해 사용자가 허용가능한 기판(1)의 변형범위를 조절할 수 있다.
즉, 상기 상하구동부(330)는, 기판간섭부(310)의 높낮이를 조절함으로써, 기판간섭부(310)를 특정위치에 배치할 수 있고, 전술한 기판(1)와 기판간섭부(310) 사이의 간격이 조절되어 기판(1)이 변형되는 정도를 유도할 수 있다.
상기 리프트핀부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 기판(1)을 히터부(200)의 상부면으로부터 이격하여 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.
특히, 상기 리프트핀부(400)는, 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동함으로써, 외부의 이송로봇(미도시)으로부터 기판(1)을 전달받아 지지할 수 있으며, 하강하여 기판(1)을 히터부(200)의 상부면에 안착시킬 수 있다.
예를 들면, 상기 리프트핀부(400)는, 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동하며, 기판(1)을 지지하는 복수의 리프트핀(410)과, 리프트핀(410)을 상하로 구동하는 리프트핀구동부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 리프트핀부(400)는, 외부의 이송로봇으로부터 기판(1)을 전달받아 지지한 상태에서 하강하여 기판(1)을 히터부(200)의 상부면에 안착시키고, 이후에 상하구동부(330)를 통해 기판간섭부(310)를 하강하여, 기판변형방지부(300)와의 간섭없이 기판(1)을 도입 또는 반출할 수 있다.
또한, 상기 리프트핀(410)은, 하강 이후에 기판변형방지부(300)가 하강하여 배치될 수 있으나 다른 예로서, 상하구동부(330)와 연결되어, 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동할 수 있다.
이로써, 상기 리프트핀(410)은, 상하구동부(330)를 통해 하강하여 기판(1)을 히터부(200)의 상부면에 안착시키면서 기판변형방지부(300)가 동시에 하강하여 배치됨으로써, 가열된 히터부(200)에 의해 기판(1)의 변형이 일어나는 것을 제한할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치를 이용한 기판처리방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 기판처리방법은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 외부로부터 기판(1)이 도입되어 리프트핀부(400)에 지지되는 기판도입단계(S100)와; 상기 리프트핀부(400)를 하강하여 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착하여 상기 기판(1)을 가열하는 기판처리준비단계(S200)와; 상기 히터부(200)의 온도를 유지하며, 상기 기판(1)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리단계(S300)와; 기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 외부로 반출하는 기판반출단계(S500)를 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 상기 공정단계(S300) 이후에 상기 히터부(200)의 상측에 설치되어 상기 기판(1)을 향해 냉매를 분사하는 냉각부(600)를 통해 상기 기판(1)을 냉각하는 온도하강단계(S400)를 포함할 수 있다.
상기 기판도입단계(S100)는, 히터부(200)가 일정온도를 유지한 상태에서 외부로부터 기판(1)이 도입되어 리프트핀부(400)에 지지되는 단계로서, 외부의 기판 이송로봇(미도시)을 통해 공정챔버(100)의 처리공간(S)으로 진입한 기판(1)을 히터부(200)를 관통하여 상승한 복수의 리프트핀(410)에 전달할 수 있다.
상기 기판처리준비단계(S200)는, 리프트핀부(400)를 하강하여 기판(1)을 히터부(200)에 안착하는 단계로서, 기판처리를 위한 온도가 형성된 상태에서 복수의 리프트핀(410)을 하강하여 기판(1)을 히터부(200)에 안착할 수 있다.
일예로, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 히터부(200)의 온도를 상승시키는 온도상승단계(S210)와; 온도상승단계(S210) 이후에 기판(1)을 히터부(200)에 안착함으로써 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 상기 기판변형방지부(300)를 상기 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격 위치에 배치하는 기판변형방지부 배치단계(S230)를 추가로 포함할 수 있다.
이때, 상기 온도상승단계(S210)는, 히터부(200)의 온도를 상승시키는 단계로서, 상기 히터부(200)의 온도를 상승시킴으로써, 후에 안착되는 상기 기판(1)을 가열할 수 있으며, 이 경우, 상기 히터부(200)의 온도를 급격히 상승시킴으로써 단시간 내에 기판(1)을 처리온도까지 가열할 수 있다.
한편, 다른 예로서, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 기판(1)을 히터부(200)에 안착하여 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함하며, 이때의 히터부(200)는, 기판도입단계(S100) 이전부터 기판처리를 위한 온도로 일정하게 유지될 수 있다.
즉, 상기 히터부(200)는, 기판도입단계(S100) 이전부터 기판처리를 위한 온도로서, 상기 기판도입단계(S100) 및 상기 기판처리준비단계(S200) 동안 온도가 기판처리를 위한 온도로 일정하게 유지될 수 있다.
한편, 상기 기판처리준비단계(S200)는, 기판(1)의 온도를 상승시키는 단계로서, 분당 섭씨 100도 수준으로 급격히 상승시켜 단시간에 기판(1)의 온도를 급상승할 수 있다.
상기 기판안착단계(S220)는, 기판(1)을 지지하는 복수의 리프트핀(410)을 하강하여 기판(1)을 가열된 히터부(200)에 안착하는 단계로서, 상온의 기판(1)을 기판처리온도로 상승한 히터부(200)에 안착할 수 있다.
상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 기판변형방지부(300)를 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격 위치에 배치하는 단계로서, 상온의 기판(1)이 기판안착단계(S220)에 의해 가열된 히터부(200)에 안착되는 경우, 기판(1)의 변형이 진행되는 바 기판변형방지부(300)를 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격위치에 배치할 수 있다.
한편, 이 경우, 상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 상온의 기판(1)이 기판안착단계(S220)에 의해 가열된 히터부(200)에 안착되는 경우, 기판(1)의 변형이 급격히 진행되므로, 기판안착단계(S220) 직후 또는 기판안착단계(S220)와 동시에 수행될 수 있다.
이 과정에서, 상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 기판간섭부(310)를 하강하는 별도의 상하구동부(330)를 통해 기판(1)이 히터부(200)에 안착된 직후에 기판간섭부(310)를 하강하여 배치할 수 있다.
또 다른 예로서, 상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는, 기판간섭부(310)를 하강하는 상하구동부(330)가 복수의 리프트핀(410)들에 연결되어 기판간섭부(310)와 리프트핀(410)들이 일체로 상하이동 함으로써, 기판안착단계(S220)와 동시에 수행될 수 있다.
상기 기판처리단계(S300)는, 히터부(200)가 상승된 기판처리온도를 유지하면서 기판(1)에 대한 기판처리를 수행할 수 있다.
상기 온도하강단계(S400)는, 기판처리단계(S300) 이후에 기판처리가 완료된 기판(1)에 대한 냉각을 수행하는 단계로서, 히터부(200)의 상측에 설치되어 기판(1)을 향해 냉매를 분사하는 냉각부(600)를 통해 기판(1)을 냉각할 수 있다.
상기 기판반출단계(S500)는, 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하는 단계로서, 복수의 리프트핀(410)들을 상승시켜 기판(1)을 히터부(200)로부터 상측으로 이격하여 지지하고, 외부의 이송로봇을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 반출할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치의 효과에 대하여 첨부된 도면 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명한다.
이때, T1, T2, T3, T4는, 기판(1)의 평면 상 온도 분포를 측정하는 복수의 온도센서를 통해 기판(1)의 평면 상 복수의 지점에 대한 온도를 의미한다.
종래 기판처리장치를 이용한 기판처리 시, 히터부(200)의 온도를 급격히 상승시킨 상태에서 기판(1)을 히터부(200)에 안착시키는 경우, 그래프와 같이 기판(1)의 각 지점 사이의 온도편차가 발생하여, 균일한 기판처리가 수행되지 못하고 기판(1)의 변형이 발생하는 문제점이 있다.
특히, 기판(1)의 상하 온도차이로 인한 가장자리의 변형으로 각 지점 사이의 온도편차가 심화되어 균일한 기판처리가 수행되지 못하는 문제점이 있다.
이에 반해, 본 발명에 따른 기판처리장치를 이용하는 경우, 도 4b에 도시된 바와 같이, 초기 기판(1)이 안착된 상태에서 기판(1)의 상하 온도차이로 인한 일부 변형으로 평면 상 기판(1)의 각 지점 사이의 온도 편차가 일부 발생하나, 기판변형방지부(300)를 통해 기판(1)의 변형이 제한됨에 따라 기판(1)의 평면 상 복수의 지점에서의 온도편차가 현저히 줄거나, 없어지는 것으로 확인하였다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
1: 기판 100: 공정챔버
200: 히터부 300: 기판변형방지부
400: 리프트핀부 600: 냉각부

Claims (20)

  1. 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 가열하는 히터부(200)와;
    상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)의 상부면에 안착시키는 리프트핀부(400)와;
    상기 히터부(200)에 안착된 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1)의 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함하는 기판변형방지부(300)를 포함하며,
    상기 기판간섭부(310)는,
    상기 기판(1)이 상기 히터부(200)로의 안착으로 가열되어 공정온도로 상승하는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판간섭부(310)는,
    상기 기판(1)이 접촉되는 하부면이 수평면을 형성하는 블럭형상인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판간섭부(310)는, 복수개이며,
    상기 기판(1)의 가장자리를 따라서 서로 일정간격으로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판간섭부(310)는,
    상기 기판(1)의 가장자리에 대응되도록 중심이 개방되어 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부(320)는,
    상기 기판간섭부(310)가 하측으로 지지되도록 상기 기판간섭부(310)의 상부면 또는 측면에 연결되는 연결지지부(321)와, 상기 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 상기 연결지지부(321)를 지지하는 지지로드(322)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판변형방지부(300)는,
    상기 기판간섭부(310) 또는 상기 지지부(320)에 결합하여, 상기 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 리프트핀부(400)는,
    상기 상하구동부(330)와 연결되어, 상기 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 히터부(200)는,
    상부면으로부터 돌출되어 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(211)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 돌기부(211)는,
    가열로 인한 상기 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 상기 기판(1)의 가장자리가 상기 기판간섭부(310)에 접촉하여 가압함으로써, 상기 기판(1)의 중심측에 대한 반작용으로 상기 기판(1)의 수평을 복원하도록 상기 히터부(200)의 상부면 중 가장자리에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 히터부(200)는,
    상부면 중 상기 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 블럭 형태로 돌출 구비되어, 상기 기판(1)의 안착을 가이드하는 가이드부(230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 가이드부(230)는,
    상기 기판(1)이 정위치에 안착하도록, 상기 기판(1)을 향하는 면 중 적어도 일부에 하측으로 갈수록 상기 기판(1) 측으로 돌출되도록 형성되는 경사부(231)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 리프트핀부(400)는,
    상기 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동하며, 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 리프트핀(410)과, 상기 리프트핀(410)을 상하로 구동하는 리프트핀구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리공간(S) 또는 상기 공정챔버(100)의 내벽면에 설치되는 가열부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리공간(S)에 외부의 냉매공급장치와 연결되어 설치되는 냉매공급배관(610)과, 상기 냉매공급배관(610)으로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 복수의 냉매분사노즐(620)을 포함하는 냉각부(600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 청구항 제1항에 따른 기판처리장치를 이용한 기판처리방법으로서,
    외부로부터 기판(1)이 도입되어 리프트핀부(400)에 지지되는 기판도입단계(S100)와;
    상기 리프트핀부(400)를 하강하여 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착하여 상기 기판(1)을 가열하는 기판처리준비단계(S200)와;
    상기 히터부(200)의 온도를 유지하며, 상기 기판(1)에 대한 기판처리를 수행하는 기판처리단계(S300)와;
    기판처리가 완료된 상기 기판(1)을 외부로 반출하는 기판반출단계(S500)를 포함하며,
    상기 기판처리준비단계(S200)는,
    상기 기판변형방지부(300)를 상기 기판(1)으로부터 미리 설정된 이격 위치에 배치하는 기판변형방지부 배치단계(S230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 기판처리준비단계(S200)는,
    상기 히터부(200)의 온도를 상승시키는 온도상승단계(S210)와; 상기 온도상승단계(S210) 이후에 상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착함으로써 상기 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 히터부(200)는,
    상기 기판도입단계(S100) 전부터 기판처리를 위한 온도로 일정하게 유지되며,
    상기 기판처리준비단계(S200)는,
    상기 기판(1)을 상기 히터부(200)에 안착하여 상기 기판(1)의 온도를 상승시키는 기판안착단계(S220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  18. 청구항 16 또는 청구항 17에 있어서,
    상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는,
    상기 기판안착단계(S220) 이후 또는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  19. 청구항 16 또는 청구항 17에 있어서,
    상기 기판변형방지부 배치단계(S230)는,
    상기 기판변형방지부(300)와 상기 리프트핀부(400)가 일체로 구동되어 상기 기판안착단계(S220)와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  20. 청구항 15에 있어서,
    상기 기판처리단계(S300) 이후에 상기 히터부(200)의 상측에 설치되어 상기 기판(1)을 향해 냉매를 분사하는 냉각부(600)를 통해 상기 기판(1)을 냉각하는 온도하강단계(S400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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