JPH06101040A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH06101040A JPH06101040A JP4251390A JP25139092A JPH06101040A JP H06101040 A JPH06101040 A JP H06101040A JP 4251390 A JP4251390 A JP 4251390A JP 25139092 A JP25139092 A JP 25139092A JP H06101040 A JPH06101040 A JP H06101040A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 17
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 イオンビーム１０のビームスポットを複数の
区域に分割して各区域のビーム電流をビーム電流測定子
２によって検出し、最大のビーム電流が所定値以下とな
るように、イオン源のプラズマチャンバと引出電極との
ギャップ長を調整するビーム電流計測部１やＣＰＵ４、
メモリ５等を有している構成である。 【効果】 最大のビーム電流となるピーク電流密度が直
接検出されながらギャップ長の調整が行われるため、パ
ービアンス制御のための煩雑なデータ取りが不要なイオ
ン注入装置を得ることができる。
区域に分割して各区域のビーム電流をビーム電流測定子
２によって検出し、最大のビーム電流が所定値以下とな
るように、イオン源のプラズマチャンバと引出電極との
ギャップ長を調整するビーム電流計測部１やＣＰＵ４、
メモリ５等を有している構成である。 【効果】 最大のビーム電流となるピーク電流密度が直
接検出されながらギャップ長の調整が行われるため、パ
ービアンス制御のための煩雑なデータ取りが不要なイオ
ン注入装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームのピーク
電流密度を所定値以下に低減させるように、イオン源の
プラズマチャンバと引出電極とのギャップ長を調整する
ギャップ長調整手段を有したイオン注入装置に関するも
のである。
電流密度を所定値以下に低減させるように、イオン源の
プラズマチャンバと引出電極とのギャップ長を調整する
ギャップ長調整手段を有したイオン注入装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置のイオンビームに使用さ
れる不純物イオンには、例えば正イオンとなるホウ素イ
オンや砒素イオン等があり、これらの不純物イオンが例
えば酸化シリコン膜を有したシリコン基板からなるイオ
ン照射対象物に照射された場合には、不純物のイオン照
射対象物への注入に伴って、イオン照射対象物の酸化シ
リコン膜表面を正極性に帯電させることになる。そし
て、正極性に帯電した酸化シリコン膜表面とシリコン基
板との電位差が過大になると、放電の発生により酸化シ
リコン膜を絶縁破壊させるチャージアップが発生するこ
とになる。
れる不純物イオンには、例えば正イオンとなるホウ素イ
オンや砒素イオン等があり、これらの不純物イオンが例
えば酸化シリコン膜を有したシリコン基板からなるイオ
ン照射対象物に照射された場合には、不純物のイオン照
射対象物への注入に伴って、イオン照射対象物の酸化シ
リコン膜表面を正極性に帯電させることになる。そし
て、正極性に帯電した酸化シリコン膜表面とシリコン基
板との電位差が過大になると、放電の発生により酸化シ
リコン膜を絶縁破壊させるチャージアップが発生するこ
とになる。
【０００３】そこで、イオン注入装置は、帯電速度を低
下させてチャージアップの発生を防止するため、ピーク
電流密度の低いイオンビームを用いてイオン注入するこ
とが望まれており、従来は、引出電極系の引出電流と、
イオン源のプラズマチャンバと引出電極間のギャップ長
との関係により一義的に決定される規格化パービアンス
（Ｐ／Ｐｃ）を基にして制御するＰ／Ｐｃ制御を行うギ
ャップ長調整手段によって、イオンビームのピーク電流
密度を所定値以下に低減させるようになっている。
下させてチャージアップの発生を防止するため、ピーク
電流密度の低いイオンビームを用いてイオン注入するこ
とが望まれており、従来は、引出電極系の引出電流と、
イオン源のプラズマチャンバと引出電極間のギャップ長
との関係により一義的に決定される規格化パービアンス
（Ｐ／Ｐｃ）を基にして制御するＰ／Ｐｃ制御を行うギ
ャップ長調整手段によって、イオンビームのピーク電流
密度を所定値以下に低減させるようになっている。
【０００４】即ち、従来のイオン注入装置は、図４に示
すように、イオン種、エネルギー、ビーム電流等からな
る注入条件毎に所定の規格化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）
となる引出電流と、イオン源のプラズマチャンバと引出
電極間のギャップ長とを求め、これらのデータをメモリ
５１に登録しておき、イオン注入する場合には、所望す
る注入条件に対応するギャップ長を設定してイオンビー
ムを生成させ、このギャップ長における引出電流を引出
電源系５２により検出し、テレメータ５３およびＩ／Ｏ
５４を介してＣＰＵ５５に伝送してメモリ５１に格納す
る。この後、ギャップ長および引出電流を基にして規格
化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）を算出し、この算出された
規格化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）と予め登録された規格
化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）とが一致するか否かを判定
し、両者が一致するまでギャップ長を調整することによ
って、イオンビームのピーク電流密度を所定値以下に低
減させるようになっている。
すように、イオン種、エネルギー、ビーム電流等からな
る注入条件毎に所定の規格化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）
となる引出電流と、イオン源のプラズマチャンバと引出
電極間のギャップ長とを求め、これらのデータをメモリ
５１に登録しておき、イオン注入する場合には、所望す
る注入条件に対応するギャップ長を設定してイオンビー
ムを生成させ、このギャップ長における引出電流を引出
電源系５２により検出し、テレメータ５３およびＩ／Ｏ
５４を介してＣＰＵ５５に伝送してメモリ５１に格納す
る。この後、ギャップ長および引出電流を基にして規格
化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）を算出し、この算出された
規格化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）と予め登録された規格
化パービアンス（Ｐ／Ｐｃ）とが一致するか否かを判定
し、両者が一致するまでギャップ長を調整することによ
って、イオンビームのピーク電流密度を所定値以下に低
減させるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入装置では、パービアンス制御をするた
め、エネルギー、イオン種、ビーム電流について、それ
ぞれデータを取る必要があり、このデータ取りに膨大な
時間がかかると共に計算が必要で、この種作業が極めて
煩雑である他、使用できるビーム電流の幅が限られると
いう不都合があった。
来のイオン注入装置では、パービアンス制御をするた
め、エネルギー、イオン種、ビーム電流について、それ
ぞれデータを取る必要があり、このデータ取りに膨大な
時間がかかると共に計算が必要で、この種作業が極めて
煩雑である他、使用できるビーム電流の幅が限られると
いう不都合があった。
【０００６】従って、本発明においては、パービアンス
制御のための各種データ取り、および計算作業が不要な
イオン注入装置を提供することを目的としている。
制御のための各種データ取り、および計算作業が不要な
イオン注入装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、イオン源のプラズマチ
ャンバと引出電極とのギャップ長を調整することによっ
て、イオンビームのピーク電流密度を所定値以下に低減
させるギャップ長調整手段を有したものであり、下記の
特徴を有している。
は、上記課題を解決するために、イオン源のプラズマチ
ャンバと引出電極とのギャップ長を調整することによっ
て、イオンビームのピーク電流密度を所定値以下に低減
させるギャップ長調整手段を有したものであり、下記の
特徴を有している。
【０００８】即ち、ギャップ長調整手段は、イオンビー
ムのビームスポットを複数の区域に分割して各区域のビ
ーム電流を検出し、最大のビーム電流が所定値以下とな
るようにギャップ長を調整することを特徴としている。
ムのビームスポットを複数の区域に分割して各区域のビ
ーム電流を検出し、最大のビーム電流が所定値以下とな
るようにギャップ長を調整することを特徴としている。
【０００９】
【作用】上記の構成によれば、複数に分割されたビーム
スポットの各区域のビーム電流が検出されることにより
イオンビームの電流密度が検出されることになる。従っ
て、最大のビーム電流となるピーク電流密度が直接検出
されながらギャップ長の調整が行われるため、ピーク電
流密度が常に所定値以下に低減されたイオンビームを得
ることができることになる。
スポットの各区域のビーム電流が検出されることにより
イオンビームの電流密度が検出されることになる。従っ
て、最大のビーム電流となるピーク電流密度が直接検出
されながらギャップ長の調整が行われるため、ピーク電
流密度が常に所定値以下に低減されたイオンビームを得
ることができることになる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図３に基づい
て説明すれば、以下の通りである。
て説明すれば、以下の通りである。
【００１１】本実施例に係るイオン注入装置は、図２に
示すように、例えばＥＣＲ（Electron Cyclotron Reson
ance) 型のイオン源９と引出電極１１と質量分析器１２
とを有しており、イオン源９のプラズマ中の正イオンを
引出電極１１によって引き出し、質量分析器１２によっ
て特定の不純物イオンからなるイオンビーム１０を生成
するようになっている。イオンビーム１０の進行方向に
は、回転と共に往復並進移動するディスク１３が設けら
れており、このディスク１３は、複数のイオン照射対象
物１４を保持するようになっている。
示すように、例えばＥＣＲ（Electron Cyclotron Reson
ance) 型のイオン源９と引出電極１１と質量分析器１２
とを有しており、イオン源９のプラズマ中の正イオンを
引出電極１１によって引き出し、質量分析器１２によっ
て特定の不純物イオンからなるイオンビーム１０を生成
するようになっている。イオンビーム１０の進行方向に
は、回転と共に往復並進移動するディスク１３が設けら
れており、このディスク１３は、複数のイオン照射対象
物１４を保持するようになっている。
【００１２】上記のディスク１３の背面側には、キャッ
チプレート１５が設けられており、このキャッチプレー
ト１５には、イオンビーム１０のビーム電流を検出する
複数のビーム電流測定子２…（ギャップ長調整手段）が
設けられている。これらのビーム電流測定子２…は、検
出面の直径が例えば２ｍｍに設定されており、Ｘ方向に
７ｍｍピッチおよびＹ方向に１４ｍｍピッチの間隔で１
７行１７列にイオンビーム１０の進行方向に対して垂直
方向に配設されている。これにより、ビーム電流測定子
２…は、イオンビーム１０のビームスポットを複数の区
域に分割して各区域のビーム電流を検出することによっ
て、イオンビーム１０の電流密度を検出できるようにな
っている。
チプレート１５が設けられており、このキャッチプレー
ト１５には、イオンビーム１０のビーム電流を検出する
複数のビーム電流測定子２…（ギャップ長調整手段）が
設けられている。これらのビーム電流測定子２…は、検
出面の直径が例えば２ｍｍに設定されており、Ｘ方向に
７ｍｍピッチおよびＹ方向に１４ｍｍピッチの間隔で１
７行１７列にイオンビーム１０の進行方向に対して垂直
方向に配設されている。これにより、ビーム電流測定子
２…は、イオンビーム１０のビームスポットを複数の区
域に分割して各区域のビーム電流を検出することによっ
て、イオンビーム１０の電流密度を検出できるようにな
っている。
【００１３】上記の各ビーム電流測定子２…は、図１に
示すように、ビーム電流計測部１（ギャップ長調整手
段）に接続されている。このビーム電流計測部１は、ビ
ーム電流測定子２…を順次切り替えるスイッチング部
と、スイッチング部によって選択されたアドレスＮｏ．
のビーム電流測定子２から得られたビーム電流の検出出
力を所定の増幅率で増幅する増幅部と、検出出力のアナ
ログ値をデジタル値に変換して検出データ信号を出力す
るＡＤ変換部とを有しており、各ビーム電流測定子２…
によって検出されたビーム電流の検出値を検出データ信
号として出力するようになっている。
示すように、ビーム電流計測部１（ギャップ長調整手
段）に接続されている。このビーム電流計測部１は、ビ
ーム電流測定子２…を順次切り替えるスイッチング部
と、スイッチング部によって選択されたアドレスＮｏ．
のビーム電流測定子２から得られたビーム電流の検出出
力を所定の増幅率で増幅する増幅部と、検出出力のアナ
ログ値をデジタル値に変換して検出データ信号を出力す
るＡＤ変換部とを有しており、各ビーム電流測定子２…
によって検出されたビーム電流の検出値を検出データ信
号として出力するようになっている。
【００１４】上記のビーム電流計測部１は、Ｉ／Ｏ部３
を介してＣＰＵ４に接続されており、ＣＰＵ４は、シー
ケンサ８を介して本体側ＣＰＵ７に接続されている。ま
た、本体側ＣＰＵ７は、メモリ５にも接続されており、
ＣＰＵ４には、ビームの電流密度を表示する表示部６が
接続されている。ビーム電流計測部１は、Ｉ／Ｏ部３を
介してＣＰＵ４（ギャップ長調整手段）およびメモリ５
（ギャップ長調整手段）にも接続されており、メモリ５
は、密度分布制御ルーチンを有したＲＯＭ部と、検出値
格納領域およびパラメータ格納領域が形成されたＲＡＭ
部とからなっている。そして、検出値格納領域には、Ｉ
／Ｏ部３を介して入力された検出データ信号の検出値が
ビーム電流測定子２…の配置位置を示すアドレスと共に
格納されるようになっている。
を介してＣＰＵ４に接続されており、ＣＰＵ４は、シー
ケンサ８を介して本体側ＣＰＵ７に接続されている。ま
た、本体側ＣＰＵ７は、メモリ５にも接続されており、
ＣＰＵ４には、ビームの電流密度を表示する表示部６が
接続されている。ビーム電流計測部１は、Ｉ／Ｏ部３を
介してＣＰＵ４（ギャップ長調整手段）およびメモリ５
（ギャップ長調整手段）にも接続されており、メモリ５
は、密度分布制御ルーチンを有したＲＯＭ部と、検出値
格納領域およびパラメータ格納領域が形成されたＲＡＭ
部とからなっている。そして、検出値格納領域には、Ｉ
／Ｏ部３を介して入力された検出データ信号の検出値が
ビーム電流測定子２…の配置位置を示すアドレスと共に
格納されるようになっている。
【００１５】また、パラメータ格納領域には、例えばＥ
ＣＲ（Electron Cyclotron Resonance) 型イオン源を用
いている場合、マイクロウエーブ電力、ソースマグネッ
ト、引出電極（ギャップ長、水平値、角度）、ガス流
量、エネルギー、イオン種等からなる立ち上げパラメー
タがビーム電流毎に格納されるようになっており、この
立ち上げパラメータは、図３に示すように、ビーム電流
測定子２…により検出されるビーム電流の最大値である
ピーク電流が基準値Ａを示すときの値に設定されてい
る。
ＣＲ（Electron Cyclotron Resonance) 型イオン源を用
いている場合、マイクロウエーブ電力、ソースマグネッ
ト、引出電極（ギャップ長、水平値、角度）、ガス流
量、エネルギー、イオン種等からなる立ち上げパラメー
タがビーム電流毎に格納されるようになっており、この
立ち上げパラメータは、図３に示すように、ビーム電流
測定子２…により検出されるビーム電流の最大値である
ピーク電流が基準値Ａを示すときの値に設定されてい
る。
【００１６】ＣＰＵ４は、ビーム電流計測部１からの信
号をリアルタイム処理し、表示部６に表示させる。ま
た、ＣＰＵ４は、ビーム波形の重心位置認識、形状のイ
ンターロック等を実行する。本体側ＣＰＵ７は、ＣＰＵ
４から得られた密度分布制御ルーチンを実行することに
よって、検出値の最大値（ピーク電流密度）が基準値Ａ
の所定範囲内に入るように、図２のイオン源９のプラズ
マチャンバと引出電極１１との間隙であるギャップ長Ｄ
を調整するようになっている。
号をリアルタイム処理し、表示部６に表示させる。ま
た、ＣＰＵ４は、ビーム波形の重心位置認識、形状のイ
ンターロック等を実行する。本体側ＣＰＵ７は、ＣＰＵ
４から得られた密度分布制御ルーチンを実行することに
よって、検出値の最大値（ピーク電流密度）が基準値Ａ
の所定範囲内に入るように、図２のイオン源９のプラズ
マチャンバと引出電極１１との間隙であるギャップ長Ｄ
を調整するようになっている。
【００１７】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。
作について説明する。
【００１８】先ず、イオン注入を行う前の準備段階とし
て立ち上げパラメータ登録作業が行われることになる。
即ち、図２に示すように、例えば５ｍＡのビーム電流の
イオンビーム１０が生成されてビーム電流測定子２…に
照射されることになる。各ビーム電流測定子２…は、イ
オンビーム１０の各部の密度に応じたビーム電流を出力
することになり、これらのビーム電流は、図１に示すよ
うに、ビーム電流計測部１に入力されることになる。ビ
ーム電流計測部１は、スイッチング部によって選択され
たアドレスＮｏ．のビーム電流測定子２から得られたビ
ーム電流の検出出力を所定の増幅率で増幅し、デジタル
値に変換して検出データ信号として出力することにな
る。
て立ち上げパラメータ登録作業が行われることになる。
即ち、図２に示すように、例えば５ｍＡのビーム電流の
イオンビーム１０が生成されてビーム電流測定子２…に
照射されることになる。各ビーム電流測定子２…は、イ
オンビーム１０の各部の密度に応じたビーム電流を出力
することになり、これらのビーム電流は、図１に示すよ
うに、ビーム電流計測部１に入力されることになる。ビ
ーム電流計測部１は、スイッチング部によって選択され
たアドレスＮｏ．のビーム電流測定子２から得られたビ
ーム電流の検出出力を所定の増幅率で増幅し、デジタル
値に変換して検出データ信号として出力することにな
る。
【００１９】上記の検出データ信号は、シーケンサ８を
介して本体側ＣＰＵ７およびメモリ５に入力されること
になり、本体側ＣＰＵ７は、検出データ信号が示す検出
値をメモリ５の検出値格納領域にアドレスと共に記憶さ
せることになる。この後、全ビーム電流測定子２…の検
出値がアドレスと共に記憶される。また、ＣＰＵ４は、
ビーム電流測定子２…の配置と同一の配置でもって検出
値を表示部６に画面表示させることになる。そして、イ
オンビーム１０のビームスポットの形状およびビームス
ポットの各部の電流密度が操作者によって確認されなが
ら、ギャップ長Ｄがマニュアル操作によって調整され、
図３に示すように、画面表示中の検出値の最大値が基準
値Ａを示したときのマイクロウエーブ電力、ソースマグ
ネット、引出電極（ギャップ長、水平値、角度）、ガス
流量、エネルギー、イオン種等が５ｍＡのビーム電流の
立ち上げパラメータとしてメモリ５のパラメータ格納領
域に登録されることになる。
介して本体側ＣＰＵ７およびメモリ５に入力されること
になり、本体側ＣＰＵ７は、検出データ信号が示す検出
値をメモリ５の検出値格納領域にアドレスと共に記憶さ
せることになる。この後、全ビーム電流測定子２…の検
出値がアドレスと共に記憶される。また、ＣＰＵ４は、
ビーム電流測定子２…の配置と同一の配置でもって検出
値を表示部６に画面表示させることになる。そして、イ
オンビーム１０のビームスポットの形状およびビームス
ポットの各部の電流密度が操作者によって確認されなが
ら、ギャップ長Ｄがマニュアル操作によって調整され、
図３に示すように、画面表示中の検出値の最大値が基準
値Ａを示したときのマイクロウエーブ電力、ソースマグ
ネット、引出電極（ギャップ長、水平値、角度）、ガス
流量、エネルギー、イオン種等が５ｍＡのビーム電流の
立ち上げパラメータとしてメモリ５のパラメータ格納領
域に登録されることになる。
【００２０】上記の立ち上げパラメータ登録作業は、複
数のビーム電流について行われることになる。そして、
この登録作業が完了することによって、イオン注入時の
立ち上げ処理が密度分布制御ルーチンによる自動制御に
よって行われることになる。
数のビーム電流について行われることになる。そして、
この登録作業が完了することによって、イオン注入時の
立ち上げ処理が密度分布制御ルーチンによる自動制御に
よって行われることになる。
【００２１】即ち、イオン種、エネルギー、ビーム電流
等の注入条件が設定されると、密度分布制御ルーチンの
実行によって、注入条件に対応する立ち上げパラメータ
がメモリ５から選択されることになる。そして、立ち上
げパラメータに従って図２のギャップ長Ｄ等が設定され
ると、イオンビーム１０が生成されてビーム電流測定子
２…に照射されることになる。
等の注入条件が設定されると、密度分布制御ルーチンの
実行によって、注入条件に対応する立ち上げパラメータ
がメモリ５から選択されることになる。そして、立ち上
げパラメータに従って図２のギャップ長Ｄ等が設定され
ると、イオンビーム１０が生成されてビーム電流測定子
２…に照射されることになる。
【００２２】ビーム電流測定子２…によって検出された
各ビーム電流は、ビーム電流計測部１によって検出デー
タ信号に変換された後、シーケンサ８を介して本体側Ｃ
ＰＵ７およびメモリ５に入力されることになり、本体側
ＣＰＵ７は、検出データ信号が示す検出値をメモリ５の
検出値格納領域にアドレスと共に記憶させることにな
る。この後、全ビーム電流測定子２…の検出値がアドレ
スと共に記憶されると、最大の検出値（ピーク電流密
度）が基準値Ａの所定範囲内（所定値以下）に入ってい
るか否かが判定されることになり、入っていない場合に
は、図２の引出電極１１が前後に移動されることによっ
てギャップ長Ｄが調整され、その都度、レシピに対する
ビーム量調整を実行し、このギャップ長Ｄにおけるイオ
ンビーム１０の各部のビーム電流が検出されることにな
る。そして、上記の判定が再び実行され、最大の検出値
が基準値Ａの所定範囲内に入るまでギャップ長Ｄの調整
が繰り返して行われることになる。
各ビーム電流は、ビーム電流計測部１によって検出デー
タ信号に変換された後、シーケンサ８を介して本体側Ｃ
ＰＵ７およびメモリ５に入力されることになり、本体側
ＣＰＵ７は、検出データ信号が示す検出値をメモリ５の
検出値格納領域にアドレスと共に記憶させることにな
る。この後、全ビーム電流測定子２…の検出値がアドレ
スと共に記憶されると、最大の検出値（ピーク電流密
度）が基準値Ａの所定範囲内（所定値以下）に入ってい
るか否かが判定されることになり、入っていない場合に
は、図２の引出電極１１が前後に移動されることによっ
てギャップ長Ｄが調整され、その都度、レシピに対する
ビーム量調整を実行し、このギャップ長Ｄにおけるイオ
ンビーム１０の各部のビーム電流が検出されることにな
る。そして、上記の判定が再び実行され、最大の検出値
が基準値Ａの所定範囲内に入るまでギャップ長Ｄの調整
が繰り返して行われることになる。
【００２３】次いで、メモリ５に記憶された検出値およ
びアドレスを基にして、イオンビーム１０の重心位置お
よびビームスポットの形状が求められることになる。イ
オンビーム１０の重心位置およびビームスポットの形状
は、メモリ５に予め登録されていた所定領域および所定
形状と比較されることになり、両者が一致していない場
合には、ソースマグネットや引出電極の水平値等の立ち
上げパラメータが一致するまで調整されることになる。
また、立ち上げパラメータの調整によっても一致しない
場合には、警報等により操作者に通知されることにな
る。
びアドレスを基にして、イオンビーム１０の重心位置お
よびビームスポットの形状が求められることになる。イ
オンビーム１０の重心位置およびビームスポットの形状
は、メモリ５に予め登録されていた所定領域および所定
形状と比較されることになり、両者が一致していない場
合には、ソースマグネットや引出電極の水平値等の立ち
上げパラメータが一致するまで調整されることになる。
また、立ち上げパラメータの調整によっても一致しない
場合には、警報等により操作者に通知されることにな
る。
【００２４】このように、本実施例のイオン注入装置
は、複数のビーム電流測定子２…によってイオンビーム
１０のビームスポットを複数の区域に分割して各区域の
ビーム電流を検出し、イオンビーム１０のピーク電流密
度に対応する最大のビーム電流が基準値Ａの所定範囲内
に入るように、イオン源９のプラズマチャンバと引出電
極１１とのギャップ長Ｄを調整するようになっている。
これにより、イオン注入装置は、複数に分割された各区
域のビーム電流を検出することによって、イオンビーム
１０のピーク電流密度を直接検出しながらギャップ長Ｄ
を調整するため、イオン注入装置を構成する各装置の組
み立て状態が経時使用により変化した場合でも、イオン
ビーム１０のピーク電流密度を所定値以下に低減させる
ことができるようになっている。
は、複数のビーム電流測定子２…によってイオンビーム
１０のビームスポットを複数の区域に分割して各区域の
ビーム電流を検出し、イオンビーム１０のピーク電流密
度に対応する最大のビーム電流が基準値Ａの所定範囲内
に入るように、イオン源９のプラズマチャンバと引出電
極１１とのギャップ長Ｄを調整するようになっている。
これにより、イオン注入装置は、複数に分割された各区
域のビーム電流を検出することによって、イオンビーム
１０のピーク電流密度を直接検出しながらギャップ長Ｄ
を調整するため、イオン注入装置を構成する各装置の組
み立て状態が経時使用により変化した場合でも、イオン
ビーム１０のピーク電流密度を所定値以下に低減させる
ことができるようになっている。
【００２５】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、イオンビームのビームスポットを複数の区域に分割
して各区域のビーム電流を検出し、最大のビーム電流が
所定値以下となるようにギャップ長を調整するギャップ
長調整手段を有している構成である。
に、イオンビームのビームスポットを複数の区域に分割
して各区域のビーム電流を検出し、最大のビーム電流が
所定値以下となるようにギャップ長を調整するギャップ
長調整手段を有している構成である。
【００２６】これにより、ギャップ長調整手段によって
最大のビーム電流となるピーク電流密度が直接検出され
ながらギャップ長の調整が行われるため、パービアンス
制御のための各種データ取り、および計算作業が不要な
イオン注入装置を得ることができるという効果を奏す
る。
最大のビーム電流となるピーク電流密度が直接検出され
ながらギャップ長の調整が行われるため、パービアンス
制御のための各種データ取り、および計算作業が不要な
イオン注入装置を得ることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明のイオン注入装置に備えられたギャップ
長調整手段のブロック図である。
長調整手段のブロック図である。
【図２】イオン注入装置の概略構成図である。
【図３】ピーク電流密度とギャップ長との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】従来例を示すものであり、イオン注入装置に備
えられたギャップ長調整手段のブロック図である。
えられたギャップ長調整手段のブロック図である。
１ ビーム電流計測部（ギャップ長調整手段） ２ ビーム電流測定子（ギャップ長調整手段） ３ Ｉ／Ｏ部（ギャップ長調整手段） ４ ＣＰＵ（ギャップ長調整手段） ５ メモリ（ギャップ長調整手段） ６ 表示部 ７ 本体側ＣＰＵ ８ シーケンサ ９ イオン源 １０ イオンビーム １１ 引出電極 １２ 質量分析器 １３ ディスク １４ イオン照射対象物 １５ キャッチプレート
Claims (1)
- 【請求項１】イオン源のプラズマチャンバと引出電極と
のギャップ長を調整することによって、イオンビームの
ピーク電流密度を所定値以下に低減させるギャップ調整
手段を有したイオン注入装置において、 上記ギャップ長調整手段は、イオンビームのビームスポ
ットを複数の区域に分割して各区域のビーム電流を検出
し、最大のビーム電流が所定値以下となるようにギャッ
プ長を調整することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251390A JPH06101040A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251390A JPH06101040A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06101040A true JPH06101040A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17222132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4251390A Pending JPH06101040A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689806B1 (ko) * | 2000-11-08 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 설비의 갭 측정 장치 |
| JP2013206833A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Sen Corp | イオン注入装置及びその制御方法 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4251390A patent/JPH06101040A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100689806B1 (ko) * | 2000-11-08 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 설비의 갭 측정 장치 |
| JP2013206833A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Sen Corp | イオン注入装置及びその制御方法 |
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