JPH0595208A - フイルムキヤリア - Google Patents

フイルムキヤリア

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JPH0595208A
JPH0595208A JP3039807A JP3980791A JPH0595208A JP H0595208 A JPH0595208 A JP H0595208A JP 3039807 A JP3039807 A JP 3039807A JP 3980791 A JP3980791 A JP 3980791A JP H0595208 A JPH0595208 A JP H0595208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
insulating film
support ring
film carrier
thickness
Prior art date
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Pending
Application number
JP3039807A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Yamazaki
英男 山崎
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3M Co
Original Assignee
Minnesota Mining and Manufacturing Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Minnesota Mining and Manufacturing Co filed Critical Minnesota Mining and Manufacturing Co
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Publication of JPH0595208A publication Critical patent/JPH0595208A/ja
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 半導体デバイス用のフィルムキャリアであっ
て、マイクロストリップライン設計上の制約が大きくな
く、広い範囲の特性インピーダンスの制御ができる。 【構成】 フィルムキャリアは絶縁フィルム1からな
り、フィルム1には少なくとも1つの穴9が形成されて
おり、穴9の内側には絶縁フィルム1と同じ材質のフィ
ルムからなるサポートリング2が配置され、サポートリ
ング2の厚さが他の部分の厚さよりも薄くされている。 【効果】 フィルムキャリアの全体的な機械的強度を損
なうことなく、サポートリングにおける電気的特性をフ
ィルムキャリアの他の部分における電気的特性とは異な
るものとすることが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばICカード等を
製作するために使用されるキャリアテープに用いられる
フィルムキャリアに関し、特に半導体デバイス用に好適
なフィルムキャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】ICカード等の非常に厚みの薄い製品を
製作するためには、その内部に用いられる各種の半導体
デバイスまたは基板の厚さは可能な限り薄くすることが
望ましく、既にTSOP(Thin small ou
tline package)などが実用化されてい
る。また、絶縁フィルムから成るキャリアテープもこの
ような薄型化の観点から注目を集めている。
【0003】従来の半導体デバイス用キャリアテープに
は、主に0.025〜0.125mm厚程度の絶縁フィル
ムが用いられており、この絶縁フィルムの厚さはテープ
の全面積にわたって一様であった。通常、キャリアテー
プは半導体デバイスの実装時にボンディングマシンに装
着され、キャリアテープのスプロケットホールを利用し
て「テープ送り」や「実装位置合わせ」が行われるた
め、キャリアテープの側縁部におけるスプロケットホー
ルにはある程度の強度が必要である。それ故に、キャリ
アテープを構成する絶縁フィルムの厚さは0.025mm
以上とするのが通常であった。
【0004】また、従来のフィルムキャリアには図6に
示した断面を有するマイクロストリップ構造のものがあ
る。すなわち、絶縁フィルム15の一方の表面にはマイ
クロストリップライン14が装着され、絶縁フィルム1
5の他方の表面には金属製のグランド層16が装着され
ている。グランド層16を装着するのは、マイクロスト
リップライン14の特性インピーダンスを所望の値に制
御するためである。
【0005】図6に示したマイクロストリップ構造にお
いてマイクロストリップラインの特性インピーダンスは
マイクロストリップライン14の幅(W)、高さ
(T)、配列、絶縁フィルム15の厚さ(H)及び誘電
率などで決定される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】フィルムキャリアに使
用する絶縁フィルムの厚さを上述のように0.025mm
以下に薄くしてしまうと、機械的強度が損なわれ、フィ
ルムキャリアのボンディングマシンでのハンドリングに
支障をきたす。
【0007】また、従来のフィルムキャリアではその厚
さが一様であるので、第6図に示したような従来のマイ
クロストリップ構造においては絶縁フィルム15の厚さ
(H)及び誘電率を変更できないため、マイクロストリ
ップライン14の形状及び配列を変更して特性インピー
ダンスを所望の値に制御するということが行われていた
が、この方法では以下の問題があった。 (a)マイクロストリップライン設計上の制約が大き
い。 (b)マイクロストリップライン設計上の制約から広い
範囲の特性インピーダンスの制御ができない。 (c)また、マイクロストリップラインの形状や配列が
同じであれば特性インピーダンスは一義的に決まってし
まい、部分的に特性インピーダンスを制御することがで
きない。 従って、本発明は上述の問題を解消するのに有効なフィ
ルムキャリアを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アは、絶縁フィルムからなり、該フィルムには少なくと
も1つの穴が形成されており、該穴の内側には前記絶縁
フィルムと同じ材質のフィルムからなるポサートリング
が該穴の内周縁から隔たって配置され、該サポートリン
グの厚さが他の部分の厚さと異っている。
【0009】
【作用】本発明のフィルムキャリアは絶縁フィルムの一
部分のみの厚さが他の部分の厚さと異っているので、フ
ィルムキャリアの全体的な機械的強度を損なうことがな
い。また、絶縁フィルムの一部分を所望の厚さとするこ
とによって、フィルムキャリアの電気的特性をその部分
で他とは異なるものとすることができる。
【0010】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1は本発明の第1の実施例の平面図、図
2は図1のII−II線に沿う断面図である。図1に示した
フィルムキャリアから成るキャリアテープ6は、細長い
絶縁フィルム1と、フィルム1の両側縁部において絶縁
フィルム1の上面に装着された補強層7と、補強層7及
び絶縁フィルム1を貫通してキャリアテープ6の両側縁
に沿って形成された複数個のスプロケットホール3の列
とを含んでいる。絶縁フィルム1にはその幅方向の中央
にほぼ正方形の穴9が設けられ、この穴9の中に、中央
に半導体デバイス用の正方形の開口8を画定する四角形
のサポートリング2が配置されている。このサポートリ
ング2は絶縁フィルム1と同じ材料で成る絶縁フィルム
で形成されている。図2に示すごとく、サポートリング
2の厚さは絶縁フィルム1の厚さに比して薄くされてい
る。サポートリング2の上表面と、絶縁フィルム1の上
表面との間には複数の金属リード4が装着されている。
これらの金属リード4の内端は開口8内へ突出して、開
口8内に配置される半導体デバイス(図示せず)に接続
されるようになっている。
【0011】第1の実施例においては、上述したよう
に、キャリアテープのサポートリング2の絶縁フィルム
の厚さを他の絶縁フィルム1の厚さより薄くしている。
スプロケットホール3の周囲の絶縁フィルム1には銅の
箔から成る補強層7が装着されて、ボンディング時のハ
ンドリングに対して十分な機械的強度を提供するように
なっている。
【0012】図3は本発明の第2の実施例の平面図、図
4は図3のIV−IV線に沿う断面図である。図3及び図4
において図1及び図2のものと同じ符号は、図1及び図
2における部材と同じ又は同等のものを示している。第
2の実施例のキャリアテープ6aにおいては、サポート
リング2をなす絶縁フィルムの厚さを、絶縁フィルム1
の厚さよりも薄くしており、且つサポートリング2の、
図3で見て右側の部分2bの厚さを左側の部分2aの厚
さよりも更に薄くしている。更に、サポートリング2の
金属リード4が装着された側と反対側の表面(下面)
に、グランド層12が装着されている。図3における点
線10はサポートリング2の、厚さの大きい左側の部分
2aと、厚さの小さい右側の部分2bとの境界を示す。
第2の実施例においては、上述したように、サポートリ
ング2の厚さが絶縁フィルム1の厚さより薄くされてい
るとともに、サポートリング2の下面には金属のグラン
ド層12が装着され、また、サポートリング2の図3で
見て右側の部分2bの厚さを左側の部分2aの厚さより
も薄くして、両者の電気的特性を相違させている。
【0013】なお、図示していないが、絶縁フィルムの
両面に金属パターンを有するフィルムキャリアであって
その絶縁フィルムの一部分の厚さが他の部分の厚さより
も薄くなっているフィルムキャリアも本発明に含まれ
る。絶縁フィルムの材質としては、化学的に又はレーザ
ー加工などでエッチング可能なものであればよく、その
一例はポリイミドである。
【0014】次下に、本発明のフィルムキャリアの製法
について説明する。図5の(a)から(d)までは、本
発明のフィルムキャリアの製法の1例を説明する断面図
である。まず、図5の(a)を参照すると、金属リード
4が装着された絶縁フィルム1で成るフィルムキャリア
の両面に、絶縁フィルム1を溶かすための化学薬品に対
して安定な感光性フィルム17a、17bを張り合わせ
る。次に、フォトリソグラフィー法によって感光性フィ
ルム17bの一部分を除去して窓17b−1を形成す
る。図5の(a)はこの状態を示したものである。
【0015】次に、窓17b−1に露出する絶縁フィル
ム1の部分1−aを化学的なエッチングにより溶解し
て、その部分の厚みを薄くする。そして、張り合わされ
ていた感光性フィルム17aと17bとを除去する。そ
して、再び感光性フィルム17c、17dを絶縁フィル
ム1の両面に張り合わせた後、フォトリソグラフィー法
により感光性フィルム17dの一部分を除去して窓17
d−1を形成する(図5の(b)参照)。
【0016】窓17d−1に露出する絶縁フィルム1の
部分1−aの1部をエッチングにより溶解、除去した後
に、感光性フィルム17c、17dの全てを除去する
(図5の(c))。このエッチングにより、絶縁フィル
ム1の部分1−aの1部1−a´のみが残る。この部分
1−a´が図1に示すサポートリング2に相当する。
【0017】なお、図3を参照して前述したグランド層
12を装着する必要がある場合には、図5の(d)に示
すように、絶縁フィルム1の下面にグランド層12を装
着する。かようなグランド層の装着は、無電解メッキ法
や真空蒸着法などを用いて容易に実施できる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フィルムキャリアの機械的強度を損なうこと無く、フィ
ルムキャリアの所望の部分の厚さを異らせることができ
る。更に、グランド層を有するフィルムキャリアにおい
ては、マイクロストリップラインの設計によるインピー
ダンス特性の制御が困難な場合でも、絶縁フィルムの厚
さを変化させることにより、特性インピーダンスの制御
が可能であり、これにより、マイクロストリップライン
の設計上の自由度を向上させ得る。また、絶縁フィルム
の厚さはかなり広い範囲で制御できるため、マイクロス
トリップラインの設計と組み合わせることで、より広い
範囲で特性インピーダンスの制御が可能となる。更に、
マイクロストリップラインの設計が同一の部分であって
もそこの絶縁フィルムの厚さを変えることにより、異な
った値の特性インピーダンスをもたせることが可能とな
る。
【0019】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるフィルムキャリアの第1の実施例
の平面図。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図。
【図3】本発明のフィルムキャリアの第2の実施例の平
面図。
【図4】図3のIV−IV線に沿う断面図。
【図5】本発明のフィルムキャリアの製法の1例を説明
する断面図。
【図6】マイクロストリップ構造を説明する断面図。
【符号の説明】
1 絶縁フィルム 2 サポートリング 3 スプロケットホール 4 金属リード 6,6a フィルムキャリア 7 補強層 8 開口 9 穴

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フィルムキャリアであって、絶縁フィル
    ムからなり、該フィルムには少なくとも1つの穴が形成
    されており、該穴の内側には絶縁フィルムからなるサポ
    ートリングが該穴の内周縁から隔たって配置され、該サ
    ポートリングの厚さが他の部分の厚さと異っていること
    を特徴とするフィルムキャリア。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のフィルムキャリアにお
    いて、前記サポートリングの厚さが他の部分の厚さより
    も薄くされていることを特徴とするフィルムキャリア。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のフィルムキャ
    リアにおいて、前記サポートリングの、半導体デバイス
    の金属リードが設けられる面とは反対側の面に金属のグ
    ランド層が装着されているフィルムキャリア。
  4. 【請求項4】 請求項1から3までのいづれか1つに記
    載のフィルムキャリアにおいて、前記サポートリングが
    少なくとも2つの部分を含み、これらの部分におけるフ
    ィルムの厚さが互いに異なっているフィルムキャリア。
  5. 【請求項5】 請求項1から4までのいづれか1つに記
    載のフィルムキャリアにおいて、前記絶縁フィルムは細
    長い形状であり、該細長いフィルムにはその両側縁に沿
    ってスプロケットホールが列をなして形成されているフ
    ィルムキャリア。
  6. 【請求項6】 請求項1から5までのいづれか1つに記
    載のフィルムキャリアにおいて、前記細長いフィルムに
    はその両側縁にそって補強層が設けられているフィルム
    キャリア。
JP3039807A 1991-03-06 1991-03-06 フイルムキヤリア Pending JPH0595208A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7425766B2 (en) 2004-02-02 2008-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film substrate, fabrication method thereof, and image display substrate
US7733613B2 (en) 2002-12-05 2010-06-08 Panasonic Corporation Method for manufacturing a magnetoresistive-effect device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7733613B2 (en) 2002-12-05 2010-06-08 Panasonic Corporation Method for manufacturing a magnetoresistive-effect device
US7425766B2 (en) 2004-02-02 2008-09-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film substrate, fabrication method thereof, and image display substrate
US7833910B2 (en) 2004-02-02 2010-11-16 Panasonic Corporation Film substrate, fabrication method thereof, and image display substrate

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