JPH0589516A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0589516A JPH0589516A JP3245771A JP24577191A JPH0589516A JP H0589516 A JPH0589516 A JP H0589516A JP 3245771 A JP3245771 A JP 3245771A JP 24577191 A JP24577191 A JP 24577191A JP H0589516 A JPH0589516 A JP H0589516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- optical recording
- recording medium
- recording layer
- substrate
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライブ内の昇温時にも、読み出し光による
デ−タの消去が防止または抑制される光記録媒体を提供
する。 【構成】 基板上に記録層及び、この記録層の基板側お
よび／または基板と反対側に保護膜を有する光記録媒体
において、少なくとも一方の保護膜の複素屈折率の虚数
部ｋが０．００５≦ｋ＜０．５の範囲にある保護膜を用
いる。
デ−タの消去が防止または抑制される光記録媒体を提供
する。 【構成】 基板上に記録層及び、この記録層の基板側お
よび／または基板と反対側に保護膜を有する光記録媒体
において、少なくとも一方の保護膜の複素屈折率の虚数
部ｋが０．００５≦ｋ＜０．５の範囲にある保護膜を用
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体に関し、さ
らに詳しくは、ドライブ内の昇温時にも、読みだし光に
よるデータの消去が防止または抑制される光記録媒体に
関する。
らに詳しくは、ドライブ内の昇温時にも、読みだし光に
よるデータの消去が防止または抑制される光記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光等のエネルギービームを記録層
に照射することにより、記録層に情報を記録したり、記
録された情報を再生することができる光記録媒体として
は、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ−ＲＯＭなどの
ような再生専用型の光記録媒体と、情報の記録は可能で
あるが消去不可能な追記型（ＷｒｉｔｅーＯｎｃｅ）の
光記録媒体が開発され、さらに書換え型の光記録媒体と
して、非晶ー結晶間の相変化型光記録媒体と光磁気記録
媒体が開発されている。
に照射することにより、記録層に情報を記録したり、記
録された情報を再生することができる光記録媒体として
は、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ−ＲＯＭなどの
ような再生専用型の光記録媒体と、情報の記録は可能で
あるが消去不可能な追記型（ＷｒｉｔｅーＯｎｃｅ）の
光記録媒体が開発され、さらに書換え型の光記録媒体と
して、非晶ー結晶間の相変化型光記録媒体と光磁気記録
媒体が開発されている。
【０００３】この光磁気記録媒体および相変化記録媒体
は、データの書換えが可能だけでなく大容量記録も可能
でかつ可搬性である上、非接触読みだしが可能であるの
で傷やほこりに強いという長所を有している。このた
め、用途も計算機用外部メモリから通信用機器のメモ
リ、オーディオ用媒体へと広がりつつある。
は、データの書換えが可能だけでなく大容量記録も可能
でかつ可搬性である上、非接触読みだしが可能であるの
で傷やほこりに強いという長所を有している。このた
め、用途も計算機用外部メモリから通信用機器のメモ
リ、オーディオ用媒体へと広がりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の機器が小型化されていくのに伴い、光記録媒体記録再
生用のドライブは機器中に内蔵されるようになるため、
外付けのドライブ使用時に比べ、媒体の昇温が起こり易
くなる。この様な状況下では、繰り返し読みだしを行う
ことにより、記録ピットの変形や消去が起こってデータ
を正しく読み出せなくなる問題が起こることが予想され
る。たとえば光磁気記録媒体では、読みだし光によるデ
ータの消去は、主として読みだし光の照射部の昇温に伴
う磁壁の移動によりがおこると考えられている。（SPI
E,1316巻，OPTICAL DATA STRAGE(1990),106〜116頁;APL
IED OPTICS,27巻,(4),710〜712頁,(1988)）このため、
ドライブ内の昇温に耐え得る光記録媒体の開発が望まれ
ていた。
の機器が小型化されていくのに伴い、光記録媒体記録再
生用のドライブは機器中に内蔵されるようになるため、
外付けのドライブ使用時に比べ、媒体の昇温が起こり易
くなる。この様な状況下では、繰り返し読みだしを行う
ことにより、記録ピットの変形や消去が起こってデータ
を正しく読み出せなくなる問題が起こることが予想され
る。たとえば光磁気記録媒体では、読みだし光によるデ
ータの消去は、主として読みだし光の照射部の昇温に伴
う磁壁の移動によりがおこると考えられている。（SPI
E,1316巻，OPTICAL DATA STRAGE(1990),106〜116頁;APL
IED OPTICS,27巻,(4),710〜712頁,(1988)）このため、
ドライブ内の昇温に耐え得る光記録媒体の開発が望まれ
ていた。
【０００５】本発明は、このような現状に鑑みてなされ
たものであり、本発明の目的は、ドライブ内の昇温時に
も読みだし光によるデータの消去が起こりにくい光記録
媒体を提供することにある。
たものであり、本発明の目的は、ドライブ内の昇温時に
も読みだし光によるデータの消去が起こりにくい光記録
媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる光記録媒
体は、基板上に記録層及び、この記録膜の基板側および
／または基板と反対側に保護膜を有する光記録媒体にお
いて、少なくとも一方の保護膜の複素屈折率の虚数部ｋ
が０．００５≦ｋ＜０．５の範囲にあることを特徴とし
ている。本発明では保護膜として、この特定のｋ値を持
つ保護膜を用いているため、読みだし時の記録層の到達
昇温を低くでき、ドライブ内の昇温時にも読みだし光に
よるデータの消去を防止または抑制することができる。
体は、基板上に記録層及び、この記録膜の基板側および
／または基板と反対側に保護膜を有する光記録媒体にお
いて、少なくとも一方の保護膜の複素屈折率の虚数部ｋ
が０．００５≦ｋ＜０．５の範囲にあることを特徴とし
ている。本発明では保護膜として、この特定のｋ値を持
つ保護膜を用いているため、読みだし時の記録層の到達
昇温を低くでき、ドライブ内の昇温時にも読みだし光に
よるデータの消去を防止または抑制することができる。
【０００７】また、このような保護膜を基板もしくは記
録層上に成膜するに際しては、反応性スパッタリング法
を採用することが可能になり、成膜の作業性が大幅に向
上する。以下、本発明を図面に示す実施例を参照しつ
つ、具体的に説明する。図１は光記録媒体の断面図、図
２は本発明の実施例に係わる光記録媒体の断面図であ
る。
録層上に成膜するに際しては、反応性スパッタリング法
を採用することが可能になり、成膜の作業性が大幅に向
上する。以下、本発明を図面に示す実施例を参照しつ
つ、具体的に説明する。図１は光記録媒体の断面図、図
２は本発明の実施例に係わる光記録媒体の断面図であ
る。
【０００８】本発明に係わる光記録媒体１は、たとえば
図１に示すように、基板２／保護膜３／記録層４／保護
膜５の順序で積層された構造を有している。また、本発
明では保護膜は、基板２と記録層４との間には設けない
で、記録層４の表面（記録層の基板と反対側）にのみ積
層させるようにして、光記録媒体を構成しても良く、あ
るいは保護膜３は、記録層４の表面には設けないで、基
板２と記録層４との間（記録層の基板側）にのみ積層し
て、光記録媒体を構成してもよい。また、記録層４また
は記録層４上の保護膜５の表面には図２に示すように、
金属膜６を積層させるようにしても良い。
図１に示すように、基板２／保護膜３／記録層４／保護
膜５の順序で積層された構造を有している。また、本発
明では保護膜は、基板２と記録層４との間には設けない
で、記録層４の表面（記録層の基板と反対側）にのみ積
層させるようにして、光記録媒体を構成しても良く、あ
るいは保護膜３は、記録層４の表面には設けないで、基
板２と記録層４との間（記録層の基板側）にのみ積層し
て、光記録媒体を構成してもよい。また、記録層４また
は記録層４上の保護膜５の表面には図２に示すように、
金属膜６を積層させるようにしても良い。
【０００９】本発明では、上記のような基板２の材質と
しては、ガラスやアルミニウム等の無機材料、ポリメチ
ルメタアクリレート、ポリメタアクリレートのようなア
クリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、米国特
許第４６１４７７８号明細書に示されるようなエチレン
・環状オレフィン共重合体例えばエチレンと１，４，
５，８ージメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８
ａーオクタヒドロナフタレン（テトラシクロドデセン）
との共重合体、エチレンと２ーメチルー１，４，５，８
ージメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａーオ
クタヒドロナフタレン（メチルテトラシクロドデセン）
との共重合体、エチレンと２ーエチル−１，４，５，８
−ジメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレンとの共重合体など、ポリ４ーメチ
ルー１ーペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミドあるいは特
開昭６０ー２６０２４号広報に示されるようなテトラシ
クロドデセン類の単独開環重合体やノルボルネン類との
開環共重合体を水添したもの、あるいはこれら各ポリマ
ー同士もしくは他のポリマーとを混合して得られるポリ
マーアロイ、例えばポリカーボネートとポリスチレンの
ポリマーアロイ等の有機材料を使用できる。
しては、ガラスやアルミニウム等の無機材料、ポリメチ
ルメタアクリレート、ポリメタアクリレートのようなア
クリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、米国特
許第４６１４７７８号明細書に示されるようなエチレン
・環状オレフィン共重合体例えばエチレンと１，４，
５，８ージメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８
ａーオクタヒドロナフタレン（テトラシクロドデセン）
との共重合体、エチレンと２ーメチルー１，４，５，８
ージメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａーオ
クタヒドロナフタレン（メチルテトラシクロドデセン）
との共重合体、エチレンと２ーエチル−１，４，５，８
−ジメタノー１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレンとの共重合体など、ポリ４ーメチ
ルー１ーペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフ
ォン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミドあるいは特
開昭６０ー２６０２４号広報に示されるようなテトラシ
クロドデセン類の単独開環重合体やノルボルネン類との
開環共重合体を水添したもの、あるいはこれら各ポリマ
ー同士もしくは他のポリマーとを混合して得られるポリ
マーアロイ、例えばポリカーボネートとポリスチレンの
ポリマーアロイ等の有機材料を使用できる。
【００１０】また本発明では、記録層４の材質も特に限
定されないが、記録層４が光磁気記録層である場合に
は、記録層４は、（i）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素からなっているか、または（i）３ｄ遷移金
属から選ばれる少なくとも１種と、（ii）耐腐食性金属
と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
からなっていることが好ましい。 （i）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が用いられるが、この
うちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好ま
しい。 （ii）耐腐食性金属は、記録層４に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができ
る。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｒｕなどが用いら
れるが、このうちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｒｕが好ましく、
特にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることが好ま
しい。 （iii）希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕなどが挙げられるが、このうち、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが好ましく
用いられる。
定されないが、記録層４が光磁気記録層である場合に
は、記録層４は、（i）３ｄ遷移金属から選ばれる少な
くとも１種と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも
１種の元素からなっているか、または（i）３ｄ遷移金
属から選ばれる少なくとも１種と、（ii）耐腐食性金属
と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素
からなっていることが好ましい。 （i）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ等が用いられるが、この
うちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者であることが好ま
しい。 （ii）耐腐食性金属は、記録層４に含ませることによっ
て、この光磁気記録層の耐酸化性を高めることができ
る。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｒｕなどが用いら
れるが、このうちＰｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｒｕが好ましく、
特にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることが好ま
しい。 （iii）希土類元素としては、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈ
ｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕなどが挙げられるが、このうち、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが好ましく
用いられる。
【００１１】記録層４中の（i）、（ii）、（iii）の組
成比は、好ましくは（i）が４０〜８０原子％、（ii）
が０〜３０原子％、（iii）が１０〜４０原子％であ
り、特に好ましくは（i）が５５〜７５原子％、（ii）
が２〜１０原子％、（iii）が１５〜３５原子％であ
る。記録層４の膜厚は、１００〜６００オングストロ−
ム、好ましくは１００〜４００オングストローム、特に
好ましくは２００〜３５０オングストロームである。
成比は、好ましくは（i）が４０〜８０原子％、（ii）
が０〜３０原子％、（iii）が１０〜４０原子％であ
り、特に好ましくは（i）が５５〜７５原子％、（ii）
が２〜１０原子％、（iii）が１５〜３５原子％であ
る。記録層４の膜厚は、１００〜６００オングストロ−
ム、好ましくは１００〜４００オングストローム、特に
好ましくは２００〜３５０オングストロームである。
【００１２】記録層４が光磁気記録媒体以外の、例えば
相変化型記録層である場合には、記録層４は、例えば、
Ｔｅを主成分とした合金薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄
膜，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｃｒ合金薄膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金
薄膜、Ｓｅを主成分とした合金薄膜等で構成される。
相変化型記録層である場合には、記録層４は、例えば、
Ｔｅを主成分とした合金薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂ合金薄
膜，Ｔｅ−Ｇｅ−Ｃｒ合金薄膜、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金
薄膜、Ｓｅを主成分とした合金薄膜等で構成される。
【００１３】本発明では、保護膜３および／または５の
材質として、保護膜の複素屈折率の虚数部ｋが０．００
５≦ｋ＜０．５、さらに好ましくは０．００５≦ｋ＜
０．１である保護膜を用いることを特徴としている。具
体的には、金属元素を他の元素と化合してなりかつ未反
応の金属元素が共存する誘電体、例えばＳｉＮx（０＜
ｘ＜４／３）、ＳｉＯx（０＜ｘ＜２）でかつｋが前記
範囲にあるものが用いられ、このうちＳｉＮx（０＜ｘ
＜４／３）でかつｋが前記範囲にあるものが好ましく用
いられる。本発明で用いられる保護膜３、５は記録、読
みだし光の波長においてほぼ透明（ｋ＜０．００１；ｋ
は複素屈折率の虚数部）である金属元素を他の元素と化
合して成る誘電体であり、これら誘電体中の金属元素の
一部が未反応のまま残った状態となっており、このた
め、保護膜の熱伝導性が向上し、これによって読みだし
時の記録層の到達温度を低くできる。本発明では、前記
の特定の保護膜は、保護膜３（すなわち記録層の基板
側）または保護膜５（すなわち記録層の基板と反対側）
のいづれか、あるいは両方に用いるが、特に記録層の基
板と反対側の保護膜として用いるのが好ましい。保護膜
３、あるいは保護膜５のいづれかに本発明の前記特定の
保護膜を用いた場合、他方の保護膜としては、例えばＳ
ｉ3Ｎ4、ＳｉＮx（０＜ｘ＜４／３）、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳ、Ｓｉ、ＡｌＮ等の組成の膜を用いることが
できる。本発明の保護膜は、エンハンス膜としての機
能、記録層の温度分布を調整する機能、記録層を保
護し、その耐食性を向上させる機能、の一つまたは二つ
以上の機能を有するが、中でも前記特定の保護膜では
の機能、特に読み出し時の記録層の到達温度を低くする
という機能にすぐれている。保護膜３または５の膜厚は
好ましくは５０〜２０００オングストローム、特に好ま
しくは１５０〜１５００オングストロームである。
材質として、保護膜の複素屈折率の虚数部ｋが０．００
５≦ｋ＜０．５、さらに好ましくは０．００５≦ｋ＜
０．１である保護膜を用いることを特徴としている。具
体的には、金属元素を他の元素と化合してなりかつ未反
応の金属元素が共存する誘電体、例えばＳｉＮx（０＜
ｘ＜４／３）、ＳｉＯx（０＜ｘ＜２）でかつｋが前記
範囲にあるものが用いられ、このうちＳｉＮx（０＜ｘ
＜４／３）でかつｋが前記範囲にあるものが好ましく用
いられる。本発明で用いられる保護膜３、５は記録、読
みだし光の波長においてほぼ透明（ｋ＜０．００１；ｋ
は複素屈折率の虚数部）である金属元素を他の元素と化
合して成る誘電体であり、これら誘電体中の金属元素の
一部が未反応のまま残った状態となっており、このた
め、保護膜の熱伝導性が向上し、これによって読みだし
時の記録層の到達温度を低くできる。本発明では、前記
の特定の保護膜は、保護膜３（すなわち記録層の基板
側）または保護膜５（すなわち記録層の基板と反対側）
のいづれか、あるいは両方に用いるが、特に記録層の基
板と反対側の保護膜として用いるのが好ましい。保護膜
３、あるいは保護膜５のいづれかに本発明の前記特定の
保護膜を用いた場合、他方の保護膜としては、例えばＳ
ｉ3Ｎ4、ＳｉＮx（０＜ｘ＜４／３）、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳ、Ｓｉ、ＡｌＮ等の組成の膜を用いることが
できる。本発明の保護膜は、エンハンス膜としての機
能、記録層の温度分布を調整する機能、記録層を保
護し、その耐食性を向上させる機能、の一つまたは二つ
以上の機能を有するが、中でも前記特定の保護膜では
の機能、特に読み出し時の記録層の到達温度を低くする
という機能にすぐれている。保護膜３または５の膜厚は
好ましくは５０〜２０００オングストローム、特に好ま
しくは１５０〜１５００オングストロームである。
【００１４】このような保護膜３、５を基板２上にまた
は記録層４上に成膜するには、例えばｋ値が前記範囲に
あるＳｉＮxの場合では、ターゲットとしてＳｉもしく
はＳｉに他の元素をドープした合金ターゲットを用い、
スパッタガスとして希ガスと通常より少ない量のＮ2と
の混合ガス、例えばＡｒ／Ｎ2が６〜１２の混合ガスを
用いて反応性スパッタリングを行う。
は記録層４上に成膜するには、例えばｋ値が前記範囲に
あるＳｉＮxの場合では、ターゲットとしてＳｉもしく
はＳｉに他の元素をドープした合金ターゲットを用い、
スパッタガスとして希ガスと通常より少ない量のＮ2と
の混合ガス、例えばＡｒ／Ｎ2が６〜１２の混合ガスを
用いて反応性スパッタリングを行う。
【００１５】また本発明では、図２に示すような金属層
６の材質としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属
あるいはこれらの合金が用いられるが、このうち、Ａｌ
を主成分とする合金、例えばＡｌ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｈ
ｆ０．５〜９．５原子％、Ｔｉ０．５〜９．５原子
％）、Ａｌ−Ｈｆ（Ｈｆ０．１〜１０原子％）、Ａｌ−
Ｃｒ−Ｈｆ（Ｃｒ１〜５原子％、Ｈｆ０．１〜９．５原
子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ（Ｍｇ０．１〜１０原子％、
Ｈｆ０．１〜１０原子％）またはニクロムが好ましく用
いられるが、Ａｌ合金は主として熱良伝導体としての役
割を果たし、ニクロムは反射膜としての役割を果たす。
金属層６の膜厚は１００〜５０００オングストロ−ム、
好ましくは５００〜２０００オングストローム、特に好
ましくは６００〜２０００オングストロームである。
６の材質としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉなどの金属
あるいはこれらの合金が用いられるが、このうち、Ａｌ
を主成分とする合金、例えばＡｌ−Ｈｆ−Ｔｉ合金（Ｈ
ｆ０．５〜９．５原子％、Ｔｉ０．５〜９．５原子
％）、Ａｌ−Ｈｆ（Ｈｆ０．１〜１０原子％）、Ａｌ−
Ｃｒ−Ｈｆ（Ｃｒ１〜５原子％、Ｈｆ０．１〜９．５原
子％）、Ａｌ−Ｍｇ−Ｈｆ（Ｍｇ０．１〜１０原子％、
Ｈｆ０．１〜１０原子％）またはニクロムが好ましく用
いられるが、Ａｌ合金は主として熱良伝導体としての役
割を果たし、ニクロムは反射膜としての役割を果たす。
金属層６の膜厚は１００〜５０００オングストロ−ム、
好ましくは５００〜２０００オングストローム、特に好
ましくは６００〜２０００オングストロームである。
【００１６】
【発明の効果】このような本発明に係わる光記録媒体に
よれば、読みだし時の記録層の到達昇温を低くでき、読
みだし光によるデータの消去が防止または抑制されると
いう効果を有するものである。
よれば、読みだし時の記録層の到達昇温を低くでき、読
みだし光によるデータの消去が防止または抑制されると
いう効果を有するものである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明をさらに具体的な実施例により
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。 〔実施例〕Ｓｉをターゲットとして用い、Ａｒ１００SC
CM、Ｎ2１４SCCMの混合ガス雰囲気中（約２mmTorr）で
反応性スパッタリングを行い、エチレン−テトラシクロ
ドデセン共重合体からなる基板上に、ｎ＝２．０００、
ｋ＝０．００のＳｉ3Ｎ4膜（エンハンス膜）を約１１０
０オングストロ−ムの膜厚で得た。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。 〔実施例〕Ｓｉをターゲットとして用い、Ａｒ１００SC
CM、Ｎ2１４SCCMの混合ガス雰囲気中（約２mmTorr）で
反応性スパッタリングを行い、エチレン−テトラシクロ
ドデセン共重合体からなる基板上に、ｎ＝２．０００、
ｋ＝０．００のＳｉ3Ｎ4膜（エンハンス膜）を約１１０
０オングストロ−ムの膜厚で得た。
【００１８】次にＴｂ27Ｆｅ61Ｃｏ3Ｐｔ9（原子％）か
らなる記録層を約２７０オングストロームの膜厚で前記
保護膜上に成膜し、さらにＮ2導入量（流量）を前記エ
ンハンス膜成膜時の７割にして、ｎ＝２．６、ｋ＝０．
０２のＳｉＮx（０＜ｘ＜４／３）膜を２５０オングス
トロ−ムの膜厚で成膜し、その上に約１５オングストロ
ームのＡｌ96Ｔｉ2Ｈｆ2（原子％）の組成のＡｌ−Ｔｉ
−Ｈｆ合金膜６を成膜して光記録媒体を得た。
らなる記録層を約２７０オングストロームの膜厚で前記
保護膜上に成膜し、さらにＮ2導入量（流量）を前記エ
ンハンス膜成膜時の７割にして、ｎ＝２．６、ｋ＝０．
０２のＳｉＮx（０＜ｘ＜４／３）膜を２５０オングス
トロ−ムの膜厚で成膜し、その上に約１５オングストロ
ームのＡｌ96Ｔｉ2Ｈｆ2（原子％）の組成のＡｌ−Ｔｉ
−Ｈｆ合金膜６を成膜して光記録媒体を得た。
【００１９】この光記録媒体を用いて、以下の評価試験
を行った。 評価条件：媒体の周囲温度 ５５℃ 回転数 ２４００rpm 記録周波数 ４．９３MHz（DUTY＝２５．１％） 記録磁界 ３００ (Ｏｅ) 消去磁界 ４００ (Ｏｅ) 記録光パワー ６．８mW 読みだし光パワー２．０mW（消去方向に４００(Ｏｅ)の
磁界を印加しながら読みだしを行った） 評価した結果、１００万回読みだし後のＣ／Ｎ低下は１
ｄＢ以下であった。
を行った。 評価条件：媒体の周囲温度 ５５℃ 回転数 ２４００rpm 記録周波数 ４．９３MHz（DUTY＝２５．１％） 記録磁界 ３００ (Ｏｅ) 消去磁界 ４００ (Ｏｅ) 記録光パワー ６．８mW 読みだし光パワー２．０mW（消去方向に４００(Ｏｅ)の
磁界を印加しながら読みだしを行った） 評価した結果、１００万回読みだし後のＣ／Ｎ低下は１
ｄＢ以下であった。
【図１】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の光記録媒体の層構成を示す断面図
である。
である。
１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 保護膜 ４ 記録層 ５ 保護膜 ６ 金属膜
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に記録層及び、この記録層の基板
側および／または基板と反対側に保護膜を有する光記録
媒体において、少なくとも一方の保護膜の複素屈折率の
虚数部ｋが０．００５≦ｋ＜０．５の範囲にあることを
特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録層が光磁気記録層であることを
特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記保護膜が、ＳｉＮx（０＜ｘ＜４／
３）からなることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 前記保護膜が、反応性スパッタリング法
によって形成されたものであることを特徴とする請求項
１ないし請求項３のいづれかに記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記保護膜が、ターゲットとしてＳｉも
しくはＳｉに他の元素をドープした合金ターゲットを用
い、スパッタガスとして不活性ガスと窒素の混合ガスを
用いたスパッタリング法によって形成されたものである
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいづれかに
記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245771A JPH0589516A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245771A JPH0589516A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589516A true JPH0589516A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17138572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245771A Pending JPH0589516A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0589516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111035A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Nec Corp | 光ディスク媒体及びその再生方法 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP3245771A patent/JPH0589516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111035A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Nec Corp | 光ディスク媒体及びその再生方法 |
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