JPH0586479A - Ｅｃｒプラズマｃｖｄによる成膜方法 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマｃｖｄによる成膜方法Info
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- JPH0586479A JPH0586479A JP25084891A JP25084891A JPH0586479A JP H0586479 A JPH0586479 A JP H0586479A JP 25084891 A JP25084891 A JP 25084891A JP 25084891 A JP25084891 A JP 25084891A JP H0586479 A JPH0586479 A JP H0586479A
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- film
- film forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＥＣＲプラズマＰＥＣＶＤによる
成膜方法、特に、半導体装置、集積回路装置、配線装置
等を製造する際のＥＣＲプラズマＰＥＣＶＤによる成膜
方法に関し、成膜を行う下地の配線層あるいは絶縁層の
信頼性を高め、半導体装置等の信頼性や特性を向上する
ことを目的とする。 【構成】 ＥＣＲプラズマＰＥＣＶＤによって成膜を行
う前に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置内で、成膜を行う下
地が形成されている基板の温度が成膜温度、あるいは、
それより高い温度になるまで充分な時間をかけてマイク
ロ波プラズマ放電による前処理を加えるように構成し
た。この場合、下地がＡｌ配線であり、その上にＳｉＯ
2 膜を成膜する場合に適用でき、あるいは、下地がＰＳ
Ｇ膜であり、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜する場合に適
用することができる。
成膜方法、特に、半導体装置、集積回路装置、配線装置
等を製造する際のＥＣＲプラズマＰＥＣＶＤによる成膜
方法に関し、成膜を行う下地の配線層あるいは絶縁層の
信頼性を高め、半導体装置等の信頼性や特性を向上する
ことを目的とする。 【構成】 ＥＣＲプラズマＰＥＣＶＤによって成膜を行
う前に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置内で、成膜を行う下
地が形成されている基板の温度が成膜温度、あるいは、
それより高い温度になるまで充分な時間をかけてマイク
ロ波プラズマ放電による前処理を加えるように構成し
た。この場合、下地がＡｌ配線であり、その上にＳｉＯ
2 膜を成膜する場合に適用でき、あるいは、下地がＰＳ
Ｇ膜であり、その上にＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜する場合に適
用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ
による成膜方法、特に半導体装置、集積回路装置、配線
装置等を製造する際に用いるＥＣＲプラズマＣＶＤによ
る成膜方法に関する。
による成膜方法、特に半導体装置、集積回路装置、配線
装置等を製造する際に用いるＥＣＲプラズマＣＶＤによ
る成膜方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置、、集積回路装置、配線
装置等において、高信頼性を保ちながら、より高集積化
することが要求されている。その要求に応える手段の一
つとして、配線層あるいは層間絶縁膜の信頼性を高める
ことが必要になっている。
装置等において、高信頼性を保ちながら、より高集積化
することが要求されている。その要求に応える手段の一
つとして、配線層あるいは層間絶縁膜の信頼性を高める
ことが必要になっている。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体装置等の製造方法において
は、例えば、Ａｌ配線の上にプラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓ
ｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 以下ＰＥＣＶＤと略称す
る。）によってＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＰＳＧ等の絶縁
膜を形成していた。
は、例えば、Ａｌ配線の上にプラズマＣＶＤ（Ｐｌａｓ
ｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ 以下ＰＥＣＶＤと略称す
る。）によってＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＰＳＧ等の絶縁
膜を形成していた。
【０００４】図２は、従来のＰＥＣＶＤ装置の構成説明
図である。この図において、１１は反応容器、１２は原
料ガス供給管、１３は排気管、１４は絶縁物、１５は電
極兼ガス吹き出し口、１６はウェハ、１７はヒータ、１
８はＲＦ発電機である。
図である。この図において、１１は反応容器、１２は原
料ガス供給管、１３は排気管、１４は絶縁物、１５は電
極兼ガス吹き出し口、１６はウェハ、１７はヒータ、１
８はＲＦ発電機である。
【０００５】この従来のＰＥＣＶＤ装置においては、反
応容器１１の中のウェハ１６をヒータ１７によって加熱
し、ＲＦ発電機１８によって発生される高周波電力を反
応容器１１と、反応容器と絶縁物１４によって絶縁され
る電極兼ガス吹き出し口１５の間に印加される電界によ
って、原料ガス供給管１２を通して供給される原料ガス
を高密度プラズマ化し、プラズマ中の活性な原子や分子
のラジカルを反応させてウェハ１６の上に所望の組成の
膜を堆積するようになっている。
応容器１１の中のウェハ１６をヒータ１７によって加熱
し、ＲＦ発電機１８によって発生される高周波電力を反
応容器１１と、反応容器と絶縁物１４によって絶縁され
る電極兼ガス吹き出し口１５の間に印加される電界によ
って、原料ガス供給管１２を通して供給される原料ガス
を高密度プラズマ化し、プラズマ中の活性な原子や分子
のラジカルを反応させてウェハ１６の上に所望の組成の
膜を堆積するようになっている。
【０００６】このＰＥＣＶＤによると、大面積で均一な
厚さの膜を容易に形成することができるため、半導体装
置の製造に多用されている。しかし、半導体装置の高集
積化や多層配線化が進み、Ａｌ配線層が細くなり超多層
構造が採用されるに伴って、Ａｌ配線や層間絶縁膜の信
頼性を向上することがクローズアップされ、つぎのよう
な問題が生じてきた。
厚さの膜を容易に形成することができるため、半導体装
置の製造に多用されている。しかし、半導体装置の高集
積化や多層配線化が進み、Ａｌ配線層が細くなり超多層
構造が採用されるに伴って、Ａｌ配線や層間絶縁膜の信
頼性を向上することがクローズアップされ、つぎのよう
な問題が生じてきた。
【０００７】すなわち、上記のＰＥＣＶＤにおいては、
成長温度が３５０〜４００℃と高く、その温度サイクル
によってＡｌ配線に高さ０．５μ程度の小丘であるヒロ
ック（ｈｉｌｌｏｃｋ）や被膜の一部が欠けるボイド
（ｖｏｉｄ）等が生じるため、Ａｌ配線や絶縁膜の信頼
性が損なわれ、あるいはヒロックによって多層配線層の
層間短絡を生じるおそれが生じている。
成長温度が３５０〜４００℃と高く、その温度サイクル
によってＡｌ配線に高さ０．５μ程度の小丘であるヒロ
ック（ｈｉｌｌｏｃｋ）や被膜の一部が欠けるボイド
（ｖｏｉｄ）等が生じるため、Ａｌ配線や絶縁膜の信頼
性が損なわれ、あるいはヒロックによって多層配線層の
層間短絡を生じるおそれが生じている。
【０００８】そこで、高温における成膜を避けて上記の
障害を除くため、電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅＰＥＣＶＤ 以下ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤと略称する。）
が提案され半導体装置の製造に多用され始めている。
障害を除くため、電子サイクロトロン共鳴ＣＶＤ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅＰＥＣＶＤ 以下ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤと略称する。）
が提案され半導体装置の製造に多用され始めている。
【０００９】図３は、従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置の
構成説明図である。この図において、２１はイオン発生
室、２２は導波管、２３、２８は原料ガス供給管、２４
はマイクロ波、２５は電磁石、２６はイオン、２７は反
応室、２９は排気管、３０はサセプタ、３１は基板であ
る。
構成説明図である。この図において、２１はイオン発生
室、２２は導波管、２３、２８は原料ガス供給管、２４
はマイクロ波、２５は電磁石、２６はイオン、２７は反
応室、２９は排気管、３０はサセプタ、３１は基板であ
る。
【００１０】この従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置を用い
てＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する過程を説明する。まず、イオ
ン発生室２１で、原料ガス供給管２３から供給されたＮ
2 を、電磁石２５が形成する磁界と導波管２２から入射
されるマイクロ波２４の相互作用による電子サイクロト
ロン共鳴によってイオン化する。
てＳｉ3 Ｎ4 膜を形成する過程を説明する。まず、イオ
ン発生室２１で、原料ガス供給管２３から供給されたＮ
2 を、電磁石２５が形成する磁界と導波管２２から入射
されるマイクロ波２４の相互作用による電子サイクロト
ロン共鳴によってイオン化する。
【００１１】つぎに、このイオン２６を、排気管２９に
よって排気された反応室２７に導き、原料ガス供給管２
８から供給されるＳｉＨ4 と反応させ、サセプタ３０の
上の基板３１の上にＳｉ3 Ｎ4 膜として堆積する。
よって排気された反応室２７に導き、原料ガス供給管２
８から供給されるＳｉＨ4 と反応させ、サセプタ３０の
上の基板３１の上にＳｉ3 Ｎ4 膜として堆積する。
【００１２】この従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤによると、
プラズマ密度が高いため、基板３１を加熱することな
く、高品質の膜を堆積することができる。
プラズマ密度が高いため、基板３１を加熱することな
く、高品質の膜を堆積することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＣＲ
−ＰＥＣＶＤを用いれば問題が全て解決されるというこ
とではなく、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤによって成膜する条件
も重要である。
−ＰＥＣＶＤを用いれば問題が全て解決されるというこ
とではなく、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤによって成膜する条件
も重要である。
【００１４】例えば、前記のＰＥＣＶＤにより成膜する
場合は、成膜が開始するまでの間に基板の温度が上昇
し、それが自然に基板を熱処理する役割を果たしていた
が、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにより成膜する場合は、基本的
には基板を加熱する機構がなく、成膜が開始されるまで
のプラズマ放電によって僅かに基板の温度が上昇するだ
けであるため、成膜開始まで基板はほぼ室温のままであ
り、ＰＥＣＶＤによる場合のような熱処理の役割を果た
すものはない。
場合は、成膜が開始するまでの間に基板の温度が上昇
し、それが自然に基板を熱処理する役割を果たしていた
が、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにより成膜する場合は、基本的
には基板を加熱する機構がなく、成膜が開始されるまで
のプラズマ放電によって僅かに基板の温度が上昇するだ
けであるため、成膜開始まで基板はほぼ室温のままであ
り、ＰＥＣＶＤによる場合のような熱処理の役割を果た
すものはない。
【００１５】そのため、基板の上に形成されたＡｌ配線
やＰＳＧ膜等の上に成膜する場合は、このＡｌ配線やＰ
ＳＧ膜等に吸着されている水分が取り除かれないまま、
その上に成膜してしまうことになる。
やＰＳＧ膜等の上に成膜する場合は、このＡｌ配線やＰ
ＳＧ膜等に吸着されている水分が取り除かれないまま、
その上に成膜してしまうことになる。
【００１６】その場合、そのあとで行われるシンター等
の高温プロセスにおいて、Ａｌ配線等の下地に吸着され
ている水分が蒸発するため、Ａｌ等の下地にボイドが生
じたり、下地と成膜した膜との間に剥離が生じることが
あり、これが原因となって半導体装置等の初期歩留り、
あるいは、高温雰囲気での保管や使用によって寿命が低
下するといった問題を生じていた。
の高温プロセスにおいて、Ａｌ配線等の下地に吸着され
ている水分が蒸発するため、Ａｌ等の下地にボイドが生
じたり、下地と成膜した膜との間に剥離が生じることが
あり、これが原因となって半導体装置等の初期歩留り、
あるいは、高温雰囲気での保管や使用によって寿命が低
下するといった問題を生じていた。
【００１７】本発明は、以上の点に鑑み、ＥＣＲ−ＰＥ
ＣＶＤに前処理として加熱工程を加えることによって下
地のＡｌ配線あるいは絶縁膜の信頼性を高め、ひいて
は、半導体装置等の信頼性や特性を向上することを目的
とする。
ＣＶＤに前処理として加熱工程を加えることによって下
地のＡｌ配線あるいは絶縁膜の信頼性を高め、ひいて
は、半導体装置等の信頼性や特性を向上することを目的
とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるＥＣＲ
プラズマＣＶＤによる成膜方法においては、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤによって成膜を行う前に、ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置内で、成膜を行う下地が形成されている基板の
温度が成膜温度、あるいは、それより高い温度になるま
で充分な時間をかけてマイクロ波プラズマ放電による前
処理を加える工程を採用した。
プラズマＣＶＤによる成膜方法においては、ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤによって成膜を行う前に、ＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置内で、成膜を行う下地が形成されている基板の
温度が成膜温度、あるいは、それより高い温度になるま
で充分な時間をかけてマイクロ波プラズマ放電による前
処理を加える工程を採用した。
【００１９】この場合、Ａｌ配線下地上にＳｉＯ2 膜を
成膜することができ、また、ＰＳＧ膜下地上にＳｉ3 Ｎ
4 膜を成膜することができる。
成膜することができ、また、ＰＳＧ膜下地上にＳｉ3 Ｎ
4 膜を成膜することができる。
【００２０】
【作用】前記従来技術がもっていた、下地にボイドが生
じ、あるいは、下地と成膜する膜との間に剥離が生じる
という問題点は、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法によって成膜す
る前に、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置内で基板の温度を成膜
温度、あるいは、それ以上の温度になるまで充分な時間
をかけてマイクロ波プラズマ放電による前処理を加えて
下地に吸着されている水分を取り除き、良好な界面状態
で成膜することによって解決することができる。
じ、あるいは、下地と成膜する膜との間に剥離が生じる
という問題点は、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ法によって成膜す
る前に、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置内で基板の温度を成膜
温度、あるいは、それ以上の温度になるまで充分な時間
をかけてマイクロ波プラズマ放電による前処理を加えて
下地に吸着されている水分を取り除き、良好な界面状態
で成膜することによって解決することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、本発明の実施例と従来技術にお
ける温度変化説明図である。図中、１は従来のＰＥＣＶ
Ｄの温度変化曲線、２は従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤの温
度変化曲線、３は本発明のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤの温度変
化曲線である。
ける温度変化説明図である。図中、１は従来のＰＥＣＶ
Ｄの温度変化曲線、２は従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤの温
度変化曲線、３は本発明のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤの温度変
化曲線である。
【００２２】図１の温度変化曲線１に示されるように、
従来のＰＥＣＶＤにおいては、基板温度が４００℃と高
くＡｌ配線にヒロックが発生する領域に入っている。た
だし、成膜が始まる前に基板が２００℃程度に昇温する
プレヒート期間があるため、基板の下地に吸着されてい
た水分が完全に除去された後に成膜が開始することにな
り、後の熱履歴において水分が蒸発して下地にボイドを
生じる等の支障を生じることが防がれる。
従来のＰＥＣＶＤにおいては、基板温度が４００℃と高
くＡｌ配線にヒロックが発生する領域に入っている。た
だし、成膜が始まる前に基板が２００℃程度に昇温する
プレヒート期間があるため、基板の下地に吸着されてい
た水分が完全に除去された後に成膜が開始することにな
り、後の熱履歴において水分が蒸発して下地にボイドを
生じる等の支障を生じることが防がれる。
【００２３】そして、図１の温度変化曲線２に示される
ように、従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにおいては、基板温
度が１８０℃で定常状態の成膜が行われるため、下地の
Ａｌ配線にヒロックは生じない。しかし、１８０℃より
も低い室温から成膜が開始しているため、下地に吸着さ
れている水分を取り除かないまま、その上に成膜するこ
とになり、後の熱履歴においてこの水分が蒸発し、Ａｌ
配線や絶縁膜にボイド等の障害を生じる可能性がでてく
る。
ように、従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにおいては、基板温
度が１８０℃で定常状態の成膜が行われるため、下地の
Ａｌ配線にヒロックは生じない。しかし、１８０℃より
も低い室温から成膜が開始しているため、下地に吸着さ
れている水分を取り除かないまま、その上に成膜するこ
とになり、後の熱履歴においてこの水分が蒸発し、Ａｌ
配線や絶縁膜にボイド等の障害を生じる可能性がでてく
る。
【００２４】そしてまた、図１の温度変化曲線３に示さ
れるように、本発明のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにおいては、
プラズマ放電を維持する前処理によって下地の表面に吸
着していた水分を取り除き、その後に成膜を行うため、
後の熱履歴において水分が蒸発してＡｌ配線等にボイド
が生じることがなく、しかも、成膜中の基板温度が１８
０℃と低く、熱ストレスが小さいためＡｌ配線にヒロッ
ク等の障害を生じることがなく、Ａｌ配線の信頼性を向
上することができる。
れるように、本発明のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤにおいては、
プラズマ放電を維持する前処理によって下地の表面に吸
着していた水分を取り除き、その後に成膜を行うため、
後の熱履歴において水分が蒸発してＡｌ配線等にボイド
が生じることがなく、しかも、成膜中の基板温度が１８
０℃と低く、熱ストレスが小さいためＡｌ配線にヒロッ
ク等の障害を生じることがなく、Ａｌ配線の信頼性を向
上することができる。
【００２５】なお、図１において、Ａｌ配線にヒロック
が生じる温度が２００℃以上であるとして図示されてい
るが、この数字はＡｌ配線の成長条件等で多少変動す
る。
が生じる温度が２００℃以上であるとして図示されてい
るが、この数字はＡｌ配線の成長条件等で多少変動す
る。
【００２６】（第２実施例）前記本発明のＥＣＲ−ＰＥ
ＣＶＤは、下地がＡｌ配線であり、成膜を行う膜が多層
配線のＳｉＯ2 層間絶縁膜である場合に適用すると、後
に加えられる半導体装置の製造工程における熱履歴によ
ってＡｌ配線にボイドを生じるのを防止することがで
き、集積回路装置の信頼性を向上することができる。
ＣＶＤは、下地がＡｌ配線であり、成膜を行う膜が多層
配線のＳｉＯ2 層間絶縁膜である場合に適用すると、後
に加えられる半導体装置の製造工程における熱履歴によ
ってＡｌ配線にボイドを生じるのを防止することがで
き、集積回路装置の信頼性を向上することができる。
【００２７】（第３実施例）半導体集積回路装置の多層
配線層を形成する工程等において、ＰＳＧ膜の上にＳｉ
3 Ｎ4 膜を成膜する場合が多いが、ＰＳＧ膜は水分を吸
着し易いため、その上に形成されたＳｉ3 Ｎ4 膜が後の
熱履歴によって部分的に剥離する現象が見られる。この
多層配線層の形成に本発明のＥＣＲプラズマＣＶＤによ
る成膜方法を適用すると、絶縁膜間の剥離現象を防止す
ることができる。
配線層を形成する工程等において、ＰＳＧ膜の上にＳｉ
3 Ｎ4 膜を成膜する場合が多いが、ＰＳＧ膜は水分を吸
着し易いため、その上に形成されたＳｉ3 Ｎ4 膜が後の
熱履歴によって部分的に剥離する現象が見られる。この
多層配線層の形成に本発明のＥＣＲプラズマＣＶＤによ
る成膜方法を適用すると、絶縁膜間の剥離現象を防止す
ることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
半導体装置、集積回路装置、配線装置等の配線層あるい
は層間絶縁膜の信頼性を高めることができ、これらの装
置の高信頼性を保ちながらより高集積化することができ
る。
半導体装置、集積回路装置、配線装置等の配線層あるい
は層間絶縁膜の信頼性を高めることができ、これらの装
置の高信頼性を保ちながらより高集積化することができ
る。
【図１】本発明の実施例と従来技術における温度変化説
明図である。
明図である。
【図２】従来のＰＥＣＶＤ装置の構成説明図である。
【図３】従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ装置の構成説明図で
ある。
ある。
１ 従来のＰＥＣＶＤの温度変化曲線 ２ 従来のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤの温度変化曲線 ３ 本発明のＥＣＲ−ＰＥＣＶＤのの温度変化曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 奥田 章二 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴイエルエスアイ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ＥＣＲプラズマＣＶＤによって成膜を行
う前に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置内で、成膜を行う下
地が形成されている基板の温度が成膜温度、あるいは、
それより高い温度になるまで充分な時間をかけてマイク
ロ波プラズマ放電による前処理を加えることを特徴とす
るＥＣＲプラズマＣＶＤによる成膜方法。 - 【請求項２】 成膜を行う下地がＡｌ配線であり、その
上に成膜する膜がＳｉＯ2 からなることを特徴とする請
求項１記載のＥＣＲプラズマＣＶＤによる成膜方法。 - 【請求項３】 成膜する下地がＰＳＧ膜であり、その上
に成膜する膜がＳｉ 3 Ｎ4 からなることを特徴とする請
求項１記載のＥＣＲプラズマＣＶＤによる成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25084891A JPH0586479A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25084891A JPH0586479A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586479A true JPH0586479A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17213910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25084891A Withdrawn JPH0586479A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄによる成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0586479A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044543A1 (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Lam Research Corporation | Method for microwave plasma substrate heating |
| WO2002085090A1 (fr) * | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Sanyo Vacuum Industries Co., Ltd. | Procede et dispositif permettant de deposer une protection electromagnetique |
| JP2013153197A (ja) * | 2013-03-29 | 2013-08-08 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2015065465A (ja) * | 2014-12-04 | 2015-04-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25084891A patent/JPH0586479A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998044543A1 (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Lam Research Corporation | Method for microwave plasma substrate heating |
| US6030666A (en) * | 1997-03-31 | 2000-02-29 | Lam Research Corporation | Method for microwave plasma substrate heating |
| KR100672848B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2007-01-22 | 램 리서치 코포레이션 | 마이크로파 플라즈마 기판 가열방법 |
| WO2002085090A1 (fr) * | 2001-04-09 | 2002-10-24 | Sanyo Vacuum Industries Co., Ltd. | Procede et dispositif permettant de deposer une protection electromagnetique |
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| JP2015065465A (ja) * | 2014-12-04 | 2015-04-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置の製造方法 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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