JPH0582896A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0582896A JPH0582896A JP27007191A JP27007191A JPH0582896A JP H0582896 A JPH0582896 A JP H0582896A JP 27007191 A JP27007191 A JP 27007191A JP 27007191 A JP27007191 A JP 27007191A JP H0582896 A JPH0582896 A JP H0582896A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- package
- control
- high frequency
- laser device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体レーザチップと、高周波重畳ＩＣと、
制御ＩＣとを同一パッケージ内に収め、駆動信号を光フ
ァイバより入力することにより、コンパクトな高周波重
畳機能付半導体レーザ装置を得る。 【構成】 上記高周波重畳用ＩＣ４と、半導体レーザ素
子１と、制御ＩＣ５とを窓付きパッケージ６中に封止す
るとともに、上記パッケージ内に設けたフォトダイオー
ド７に対して信号を送信する光ファイバ１０を上記パッ
ケージを貫通して露出させ、上記パッケージ内に設けた
フォトダイオードは、光ファイバを通じて外部より受信
した光信号から得た信号電流を上記制御ＩＣに供給して
上記半導体レーザ素子１を制御する。
制御ＩＣとを同一パッケージ内に収め、駆動信号を光フ
ァイバより入力することにより、コンパクトな高周波重
畳機能付半導体レーザ装置を得る。 【構成】 上記高周波重畳用ＩＣ４と、半導体レーザ素
子１と、制御ＩＣ５とを窓付きパッケージ６中に封止す
るとともに、上記パッケージ内に設けたフォトダイオー
ド７に対して信号を送信する光ファイバ１０を上記パッ
ケージを貫通して露出させ、上記パッケージ内に設けた
フォトダイオードは、光ファイバを通じて外部より受信
した光信号から得た信号電流を上記制御ＩＣに供給して
上記半導体レーザ素子１を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光ディスクドライブ装
置等に応用される半導体レーザ装置に関するものであ
る。
置等に応用される半導体レーザ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は、例えば現在、光ディスクドライ
ブ装置用等に使用されている高周波重畳モジュールと半
導体レーザとをアセンブリしたものを示す。図におい
て、１５は半導体レーザ素子１６に高周波電流を重畳す
る回路を内蔵したシールドケースであり、１７は電源供
給用等のリード端子を示す。
ブ装置用等に使用されている高周波重畳モジュールと半
導体レーザとをアセンブリしたものを示す。図におい
て、１５は半導体レーザ素子１６に高周波電流を重畳す
る回路を内蔵したシールドケースであり、１７は電源供
給用等のリード端子を示す。
【０００３】次に動作について説明する。一般に光ディ
スクドライブ用に用いられる半導体レーザ素子は、ディ
スク情報を読み取る際、ディスク盤面上から、半導体素
子に該半導体レーザ素子から出射された光の一部が戻る
ことに起因する戻り光ノイズ（半導体レーザの光出力の
ゆらぎ）を抑圧するため、レーザ駆動電流に約３００Ｍ
Ｈｚ〜８００ＭＨｚの高周波電流を重畳する手法が用い
られる。また、前記高周波を重畳させる回路は、電磁波
の不要輻射を防ぐため、通常、図２に示す金属製のシー
ルドケース１６に収め、さらに電源用リード１７に貫通
コンデンサ付リードを使用している。
スクドライブ用に用いられる半導体レーザ素子は、ディ
スク情報を読み取る際、ディスク盤面上から、半導体素
子に該半導体レーザ素子から出射された光の一部が戻る
ことに起因する戻り光ノイズ（半導体レーザの光出力の
ゆらぎ）を抑圧するため、レーザ駆動電流に約３００Ｍ
Ｈｚ〜８００ＭＨｚの高周波電流を重畳する手法が用い
られる。また、前記高周波を重畳させる回路は、電磁波
の不要輻射を防ぐため、通常、図２に示す金属製のシー
ルドケース１６に収め、さらに電源用リード１７に貫通
コンデンサ付リードを使用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されているので、不要輻射を防ぐ
シールドケースを用いなければならず、応用製品設計時
の機械的寸法の制約が生じ、該応用製品を小型化するた
めの障害となる等の問題点があった。
置は以上のように構成されているので、不要輻射を防ぐ
シールドケースを用いなければならず、応用製品設計時
の機械的寸法の制約が生じ、該応用製品を小型化するた
めの障害となる等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、高周波重畳ＩＣや制御ＩＣ，半
導体レーザチップ等を同一パッケージ内に収め、高周波
重畳ＩＣ及び半導体レーザの駆動信号を光ファイバを用
い、光信号として不要輻射を抑圧することのできる半導
体レーザ装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、高周波重畳ＩＣや制御ＩＣ，半
導体レーザチップ等を同一パッケージ内に収め、高周波
重畳ＩＣ及び半導体レーザの駆動信号を光ファイバを用
い、光信号として不要輻射を抑圧することのできる半導
体レーザ装置を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、高周波重畳ＩＣや制御ＩＣ，半導体レーザチ
ップ等を同一パッケージ内に収め、高周波重畳ＩＣ及び
半導体レーザの駆動信号を光ファイバを用い、光信号と
して伝送するようにしたものである。
ザ装置は、高周波重畳ＩＣや制御ＩＣ，半導体レーザチ
ップ等を同一パッケージ内に収め、高周波重畳ＩＣ及び
半導体レーザの駆動信号を光ファイバを用い、光信号と
して伝送するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体レーザ装置は、レーザ
駆動信号の伝送を光伝送にて行い、シールドケース内よ
りの電磁波の不要輻射を抑圧する。
駆動信号の伝送を光伝送にて行い、シールドケース内よ
りの電磁波の不要輻射を抑圧する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例による半導体レーザ
装置を図について説明する。図１において、２はサブマ
ウント材で、この面上に半導体レーザチップ１，高周波
重畳ＩＣチップ４，制御ＩＣ５が接着されている。３は
前記サブマウント材２を載せたヒートシンク材であり、
ステム材８に接着されている。
装置を図について説明する。図１において、２はサブマ
ウント材で、この面上に半導体レーザチップ１，高周波
重畳ＩＣチップ４，制御ＩＣ５が接着されている。３は
前記サブマウント材２を載せたヒートシンク材であり、
ステム材８に接着されている。
【０００９】１０は光ファイバで、この信号をフォトダ
イオード１２に受ける。前記フォトダイオード１２は、
フォトダイオード用ブロック材１１に接着され、ステム
材８に接着されている。９は電源供給用リード材であ
る。６はガラス窓１４付キャップ材であり、ステム材８
に溶接されている。７は内蔵されたモニタフォトダイオ
ードチップである。１３は各ＩＣチップ４，５，半導体
レーザチップ１，リード９，モニタ用フォトダイオード
７，１２間を接続する金線である。
イオード１２に受ける。前記フォトダイオード１２は、
フォトダイオード用ブロック材１１に接着され、ステム
材８に接着されている。９は電源供給用リード材であ
る。６はガラス窓１４付キャップ材であり、ステム材８
に溶接されている。７は内蔵されたモニタフォトダイオ
ードチップである。１３は各ＩＣチップ４，５，半導体
レーザチップ１，リード９，モニタ用フォトダイオード
７，１２間を接続する金線である。
【００１０】次に動作について説明する。パッケージを
貫通して設けられたリード端子９から供給された電源
で、制御ＩＣ５を駆動させ、そこから高周波重畳ＩＣ
４，半導体レーザチップ１を駆動させる。半導体レーザ
１及び高周波重畳ＩＣ４のＯＮ，ＯＦＦ信号は上記パッ
ケージを貫通して設けられた光ファイバ１０を介してフ
ォトダイオード１２に受け、これが制御ＩＣ５に伝えら
れて制御ＩＣ５により制御される。また自動電力制御
（ＡＰＣ）駆動を行う場合においても、半導体レーザ１
の後面からの出射光を受けるモニタ用フォトダイオード
７の信号により制御ＩＣ５を介してＡＰＣ動作を行う。
貫通して設けられたリード端子９から供給された電源
で、制御ＩＣ５を駆動させ、そこから高周波重畳ＩＣ
４，半導体レーザチップ１を駆動させる。半導体レーザ
１及び高周波重畳ＩＣ４のＯＮ，ＯＦＦ信号は上記パッ
ケージを貫通して設けられた光ファイバ１０を介してフ
ォトダイオード１２に受け、これが制御ＩＣ５に伝えら
れて制御ＩＣ５により制御される。また自動電力制御
（ＡＰＣ）駆動を行う場合においても、半導体レーザ１
の後面からの出射光を受けるモニタ用フォトダイオード
７の信号により制御ＩＣ５を介してＡＰＣ動作を行う。
【００１１】このような本実施例では、半導体レーザパ
ッケージ内に半導体レーザと高周波重畳ＩＣ，制御ＩＣ
を同一パッケージ内にて収納し、光ファイバを用いて光
伝送を行うことによりリード線を減少させるようにした
ので、装置をコンパクトにすることができる。
ッケージ内に半導体レーザと高周波重畳ＩＣ，制御ＩＣ
を同一パッケージ内にて収納し、光ファイバを用いて光
伝送を行うことによりリード線を減少させるようにした
ので、装置をコンパクトにすることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
レーザ装置によれば、半導体レーザパッケージ内に半導
体レーザと高周波重畳ＩＣ，制御ＩＣを同一パッケージ
内にて収納し、光ファイバを用いて光伝送を行うように
したので、リード線を減少させることができ、装置をコ
ンパクトにできる効果がある。
レーザ装置によれば、半導体レーザパッケージ内に半導
体レーザと高周波重畳ＩＣ，制御ＩＣを同一パッケージ
内にて収納し、光ファイバを用いて光伝送を行うように
したので、リード線を減少させることができ、装置をコ
ンパクトにできる効果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ装置を示
す図である。
す図である。
【図２】従来例による半導体レーザ装置を示す図であ
る。
る。
１ 半導体レーザ素子 ２ 半導体レーザ１とＩＣ４，５をマウントしたサブ
マウント材 ３ ヒートシンク材 ４ 高周波重畳用ＩＣ ５ 制御ＩＣ ６ 窓付パッケージ ７ モニタ用フォトダイオード ８ ステム材 ９ リード端子 １０ 光ファイバ １１ フォトダイオード１２接着用ブロック材 １２ フォトダイオード １３ 金線 １４ ガラス窓 １５ 高周波重畳回路を内蔵したシールドケース １６ 半導体レーザ素子 １７ 貫通コンデンサ付リード端子
マウント材 ３ ヒートシンク材 ４ 高周波重畳用ＩＣ ５ 制御ＩＣ ６ 窓付パッケージ ７ モニタ用フォトダイオード ８ ステム材 ９ リード端子 １０ 光ファイバ １１ フォトダイオード１２接着用ブロック材 １２ フォトダイオード １３ 金線 １４ ガラス窓 １５ 高周波重畳回路を内蔵したシールドケース １６ 半導体レーザ素子 １７ 貫通コンデンサ付リード端子
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザ駆動電流に高周波を重畳させる回
路を備えた半導体レーザ装置において、 半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子を制御する
制御ＩＣと、上記制御ＩＣからのレーザ駆動電流に高周
波を重畳させる高周波重畳用ＩＣとを窓付きパッケージ
中に封止してなり、 上記パッケージを貫通して設けられ上記制御ＩＣに給電
するリード端子と、 上記パッケージ内に設けられ上記高周波重畳用ＩＣに光
制御信号を送るためのフォトダイオードと、 上記パッケージを貫通して設けられ、上記フォトダイオ
ードに光制御信号を送る光ファイバとを備えたことを特
徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 上記パッケージ内にモニタ用フォトダイ
オードを設けて自動電力制御（ＡＰＣ）駆動を行なうこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27007191A JPH0582896A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27007191A JPH0582896A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582896A true JPH0582896A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17481123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27007191A Pending JPH0582896A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582896A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177331B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-02-13 | Arima Optoelectronics Corp. | Laser diode module with a built-in high-frequency modulation IC |
| JP2007042955A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信サブアセンブリ及びそれを備える光送信モジュール |
| JP2011035315A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Sharp Corp | 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法 |
| KR20150041587A (ko) | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 용기 교환 장치, 용기 재치 모듈, 약액 용기의 교환 방법, 및 기판 처리 장치 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP27007191A patent/JPH0582896A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7177331B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-02-13 | Arima Optoelectronics Corp. | Laser diode module with a built-in high-frequency modulation IC |
| JP2007042955A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信サブアセンブリ及びそれを備える光送信モジュール |
| JP2011035315A (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-17 | Sharp Corp | 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法 |
| KR20150041587A (ko) | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 용기 교환 장치, 용기 재치 모듈, 약액 용기의 교환 방법, 및 기판 처리 장치 |
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