JPH0580390A - カメラのシヤツタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光洩れがなく、シャッタ羽根の加工が容易で
安価に製作でき、しかもシャッタトリガ部分の構成が簡
略で応答性の高いシャッタ装置を提供する。 【構成】 一方のシャッタ羽根３の先端部には、ライン
状の着磁部１を設けてある。この着磁部１が移動する経
路域には、磁界の強さに応じて抵抗値が変化する磁性薄
膜抵抗素子２を設けてある。一対のシャッタ羽根３，５
は、シャッタ駆動用モータ６の駆動力を、ピニオンギヤ
７、減速ギヤ８、この減速ギヤ８上のボス７を介して受
けて回動するセクタレバー１０によって開閉駆動され
る。例えば、セクタレバー１０が反時計方向に回動する
と、セクタレバー１０上のセクタピン１３が、シャッタ
羽根３，５のそれぞの長孔１４，１２に係合した状態で
下方に移動して、シャッタ羽根３，５を孔１５，１１を
中心として開き方向に駆動する。この開き始めの時点
で、着磁部１が磁性薄膜抵抗素子２の位置を通過する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラのシャッタ装置
に関し、より詳細には、シャッタ羽根をシャッタ駆動手
段により開閉駆動するようにしたカメラのシャッタ装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来からカメラのシャッタ装置に使用さ
れるシャッタ羽根については、種々開発され、且つ実用
に供されているが、その一例として、実開昭５８−８８
２２２号公報に開示された光学機器用羽根がある。

【０００３】この公報に記載されたシャッタ羽根の場合
は、プラスチックを素材とし、この素材の少なくとも片
面に黒色系顔料を適度な比率で配合した樹脂をコーティ
ングした材料を羽根形状に加工したものとして構成され
ている。

【０００４】ところで、シャッタのトリガ信号を発生さ
せる手段として、フォトインタラプタあるいはフォトリ
フレクタをシャッタ羽根の一部（回動端部）に近付けて
おき、シャッタ羽根の動き（進入、退避）によりオン、
オフ信号を取出すようにしている場合が多い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成でトリガ信号を発生させようとすると、フォ
トインタラプタの投光側と受光側の間にシャッタ羽根を
通過させるように構成しなければならず、そのためにシ
ャッタ羽根の一部に孔を穿設するような構造になってし
まうので、光洩れの可能性が高くなってしまうという欠
点がある。

【０００６】また、シャッタ羽根自体に凸形状を追加し
たり、穴をあける必要があるので、シャッタ羽根の形状
が複雑になったり、加工が難しくなってしまう。

【０００７】一方、上述のフォトインタラプタ、あるい
はフォトリフレクタなどのフォトセンサは、安価なもの
では、応答性が遅いので、シャッタのように高速で作動
させるような使用方法に対応できるものは、かなり高価
になってしまう。

【０００８】また、位置制御を実現するためには、複数
の孔をあけねばならないし、孔ピッチも加工上の制約か
ら荒くなってしまう。

【０００９】本発明は、上述の事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、光洩れの虞れがなく、
シャッタ羽根の加工が容易で、安価に製作でき、しかも
シャッタトリガ部分の構成の簡略化と応答性の向上を期
することができるカメラのシャッタ装置を提供すること
にある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、シャッタ羽根をシャッタ
駆動手段により開閉駆動するカメラのシャッタ装置にお
いて、カメラの固定部に設けられ、検知する磁界強度の
変化により抵抗値が変化する磁性薄膜抵抗素子と、前記
シャッタ羽根の一部に設けられ、磁界を発生する磁界発
生手段と、を具備し、前記シャッタ駆動発生手段により
前記シャッタ羽根上の前記磁界発生手段が前記磁性薄膜
抵抗素子に対し相対的に移動するとき、前記磁性薄膜抵
抗素子の検知する磁界強度が変化するように構成したこ
とを特徴としたものである。

【００１１】また、請求項２に記載の発明は、前記磁界
の変化に伴う上記磁性薄膜抵抗素子の抵抗値の変化を検
知する検出手段を具備し、前記検出手段からの出力信号
をシャッタのトリガ信号として用いる構成としたことを
特徴としたものである。

【００１２】さらに請求項３に記載の発明は、検出手段
の出力信号によりシャッタを制御するように構成したこ
とを特徴としたものである。

【００１３】

【作用】上記のように構成されたカメラのシャッタ装置
は、シャッタ羽根をシャッタ駆動手段により駆動するに
つれて、シャッタ羽根の一部に設けた磁界発生手段が磁
性薄膜抵抗素子に対して相対移動し、その移動に伴って
磁性薄膜抵抗素子に及ぼす磁界の強度が変わる。その磁
界強度の変化を磁性薄膜抵抗素子が検知し、磁性薄膜抵
抗素子は、その抵抗値を変化する。

【００１４】また、検出手段は、磁性薄膜抵抗素子の抵
抗値の変化を検出するようになっており、その検出出力
はシャッタのトリガ信号に用いられる。

【００１５】さらに、検出手段の出力は、シャッタ制御
開始指令として作用する。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき具体的
に説明する。図１は、本発明に係るカメラのシャッタ装
置の全体の構成を示す平面図である。

【００１７】この図１において、１はシャッタ羽根着磁
部であり、磁界発生手段となるものである。このシャッ
タ羽根着磁部１は、シャッタ羽根３（右）の左端部を着
磁して形成されている。

【００１８】このシャッタ羽根着磁部１は、一対のシャ
ッタ羽根３およびシャッタ羽根５の開閉に伴って、シャ
ッタ羽根３とともに、磁性薄膜抵抗素子２に対して相対
移動するようになっており、磁性薄膜抵抗素子２に対し
て最も接近したときには、磁性薄膜抵抗素子２に対して
最大の磁界を与える。

【００１９】また、いうまでもなく、磁性薄膜抵抗素子
２から最も離れた位置にあるときには、シャッタ羽根着
磁部１は、磁性薄膜抵抗素子２に対して最小の磁界を与
えるものである。

【００２０】この磁性薄膜抵抗素子２は、磁界の強さを
検出するものであり、シャッタ羽根３が閉成された状態
にあるとき、その先端部分近傍の、カメラの本体側に配
設されており、磁界の強さに応じて、抵抗値が変化す
る。

【００２１】このシャッタ装置は、上記１対のシャッタ
羽根３，５の開閉に伴って、開口部（アパーチュア）４
を開閉するようになっており、この開口部４は、図示し
ない撮影レンズとフィルムとの間に位置し、撮影レンズ
を透過した光線を所定画面領域に限定してフィルムに露
光させるための開口部である。

【００２２】一方のシャッタ羽根３は、回転中心孔１５
を中心に左右に回動するようになっており、他方のシャ
ッタ羽根５は、回転中心孔１１を中心に左右に回動する
ようになっている。これらの回転中心孔１１，１５の近
傍においては、２枚のシャッタ羽根３，５の基部が重ね
られており、その重なった部分にセクタピン１３が嵌入
する連動用長孔１２，１４が形成されている。

【００２３】これらのセクタピン連動用長孔１２，１４
は、互いに交差するように形成されている。セクタピン
連動用長孔１２は、シャッタ羽根５側に形成されてお
り、セクタピン連動用長孔１４は、シャッタ羽根３側に
形成されている。

【００２４】直交するセクタピン連動用長孔１２と１４
が重なり合う部分には、セクタピン１３が嵌入されてい
る。このセクタピン１３は、セクタレバー１０の左端の
下面から突出されており、セクタレバー１０の回動に伴
って、２枚のシャッタ羽根３，５を開閉させるようにな
っている。

【００２５】このセクタレバー１０は、ほぼ「く」字形
に形成され、中央部近傍が、ピン１０ａにより、カメラ
本体側に枢支されている。このピン１０ａを支点にして
セクタレバー１０が上述のように、左右方向（時計方向
および反時計方向）に回動するようになっている。

【００２６】セクタレバー１０の右端近傍は、減速ギヤ
ボス部９の回動域まで延設され、ボス部９に係合可能に
なっている。減速ギヤボス部９は、減速ギヤ８の上面に
突出し、減速ギヤ８と一体的に矢印Ｙ１方向に回転する
ようになっている。この減速ギヤボス部９が、所定角度
減速ギヤ８とともに回転したとき、セクタレバー１０の
右端近傍と係合するようになっている。

【００２７】セクタレバー１０の右端に減速ギヤボス部
９が係合したとき、セクタレバー１０は、ピン１０ａを
支点として反時計方向に回動し、セクタピン１３によ
り、２枚のシャッタ羽根３，５を開閉させるようになっ
ている。

【００２８】減速ギヤ８は、ピニオンギヤ７と噛合して
いる。このピニオンギヤ７は、シャッタ駆動用モータ６
の回転軸に一体的に取り付けられている。これにより、
モータ６の回転力は、ピニオンギヤ７を介して径大の減
速ギヤ８に伝達され、モータ６の回転速度を減速させる
ように構成されている。

【００２９】次に、動作について説明する。モータ６を
反時計方向、すなわち、矢印Ｙ２方向に回転させると、
ピニオンギヤ７もモータ６の回転軸と一体となって矢印
Ｙ２方向に回転する。このピニオンギヤ７と噛合する減
速ギヤ８が、ピニオンギヤ７とは反対方向、すなわち、
矢印Ｙ１方向に減速されて回転する。

【００３０】減速ギヤ８が矢印Ｙ１方向に回転するに伴
い、減速ギヤボス部９も一体的に回転し、所定角度減速
ギヤ８が回転すると、減速ギヤボス部９がセクタレバー
１０の右端近傍と係合する。

【００３１】これにより、減速ギヤ８の回転力が減速ギ
ヤボス部９を介してセクタレバー１０に伝達される。す
ると、セクタレバー１０は、ピン１０ａを枢支点として
反時計方向に回動し、セクタピン１３が図１の下方向に
移動する。このセクタピン１３の下方向への移動によ
り、シャッタ羽根３および５のセクタピン連動用長孔１
４および１２が反時計方向および時計方向に回転し、シ
ャッタ羽根３のシャッタ羽根着磁部１が磁性薄膜抵抗素
子２の部分を通過する。

【００３２】この磁性薄膜抵抗素子２をシャッタ羽根着
磁部１が通過するとき、磁性薄膜抵抗素子２に及ぼすシ
ャッタ羽根着磁部１の磁界が最大となる。このシャッタ
羽根着磁部１の磁界の強さに応じて、磁性薄膜抵抗素子
２の抵抗値が変化する。

【００３３】磁性薄膜抵抗素子２の位置は、回転中心孔
部１５を中心として半径ｒ１の位置に存在するシャッタ
羽根着磁部１の中央部の円弧に沿う位置に配置すると、
磁性薄膜抵抗素子２を通過するシャッタ羽根着磁部１の
磁界強度の検出を最良に検出することができる。

【００３４】このように、図１の実施例によれば、モー
タ６、減速ギヤ８、セクタレバー１０、セクタピン１３
を主体とするシャッタ駆動手段により、２枚のシャッタ
羽根３，５の開閉駆動を行い、磁界発生手段としてのシ
ャッタ羽根着磁部１をシャッタ羽根３，５の開閉に伴っ
て磁性薄膜抵抗素子２の部分を通過させて磁界強度の変
化を検出するように構成したので、シャッタをトリガす
るための部分の構成を簡略にできるという効果を有す
る。

【００３５】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
形実施ができるものである。

【００３６】たとえば、図２〜図４に示すように構成す
ることにより応答性の速いシャッタ制御を実現すること
ができる。この図２〜図４に示す本発明の第２の実施例
は、請求項２の発明に対応するものである。

【００３７】図２は、この第２の実施例のシャッタ装置
の平面図であり、この図２の構成ならびに動作は、図１
と全く同じであり、図１と同一部分には同一符号を付す
のみにとどめる。

【００３８】この図２におけるシャッタ羽根着磁部１
が、磁性薄膜抵抗素子２の部分を通過するときに、この
磁性薄膜抵抗素子２の抵抗値が磁界強度に応じて変化す
る。この変化を検出する検出手段の回路図が図３に示さ
れている。この検出手段の出力をシャッタのトリガ信号
として使用するものである。

【００３９】この図３において、Ｒａ〜Ｒｄは、磁性薄
膜抵抗素子であり、図３のようにブリッジ接続されてお
り、磁性薄膜抵抗素子ＲａとＲｃとの接続点を電源Ｖｃ
ｃに接続し、磁性薄膜抵抗素子ＲｂとＲｄとの接続点は
アースされている。

【００４０】磁性薄膜抵抗素子ＲａとＲｂ，ＲｃとＲｄ
との接続点よりそれぞれ電圧Ｖ１，Ｖ２を取り出すよう
になっており、これらの電圧Ｖ１，Ｖ２は、ブリッジ回
路がバランスしているとき、すなわち、シャッタ羽根着
磁部１の磁界強度が変化のないときには、零であるが、
シャッタ羽根着磁部１の移動に伴い、これらの磁性薄膜
抵抗素子Ｒａ〜Ｒｄの受ける磁界が変わりその抵抗値が
変化すると、ブリッジ回路のバランスがくずれ、それに
応じて出力電圧Ｖ１，Ｖ２が変化するようになってい
る。

【００４１】磁性薄膜抵抗素子Ｒａ〜Ｒｄにより、磁性
薄膜抵抗部１０１を構成している。この磁性薄膜抵抗素
子部（ＭＲ素子部）１０１の出力電圧Ｖ１およびＶ２
は、それぞれ抵抗Ｒ１ａおよびＲ１ｂを介してクワッド
オペレーショナルアンプＡ１（以下「単にオペアンプ」
という）の反転入力端および非反転入力端にそれぞれ印
加されるようになっている。

【００４２】このオペアンプＡ１の非反転入力端には、
抵抗Ｒ２Ａを通して、基準電圧Ｖｒｅｆが印加されてい
る。この基準電圧Ｖｒｅｆは、分圧抵抗Ｒ６とＲ７との
接続点より得るようになっている。この分圧抵抗Ｒ６と
Ｒ７は、電源Ｖｃｃとアース間に直列に接続されてい
る。オペアンプＡ１の反転入力端と出力端間には、抵抗
Ｒ２ｂが接続されている。

【００４３】かくして、オペアンプＡ１を主体にして、
抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ａ，Ｒ２ｂ，Ｒ６，Ｒ７によ
り差動増幅部１０２を構成しており、この差動増幅部１
０２の出力端から出力電圧Ｖ３を出力するようになって
いる。

【００４４】この出力電圧Ｖ３は、コンパレータ部１０
３を構成するクワッドコンパレータＡ２（以下、単に
「コンパレータ」という）の反転入力端に抵抗Ｒ３ａを
通して印加されるようになっている。このコンパレータ
Ａ２の非反転入力端には、上記基準電圧Ｖｒｅｆが抵抗
Ｒ３ｂを通して印加されている。コンパレータＡ２の非
反転入力端と出力端間には、抵抗Ｒ４が接続されてい
る。

【００４５】かくして、コンパレータＡ２、抵抗Ｒ３
ａ，Ｒ３ｂ、抵抗Ｒ４とによりコンパレータ部１０３が
構成されており、このコンパレータＡ２の出力端から、
出力電圧Ｖ４（オープンコレクタ出力）が出力端子Ｔ１
より取り出されるようになっている。この出力端子Ｔ１
は、プルアップ抵抗として、抵抗Ｒ５を介して電源Ｖｃ
ｃに接続されている。

【００４６】このように構成することにより、シャッタ
羽根着磁部１が磁性薄膜抵抗素子Ｒａ〜Ｒｄの部分を通
過するとき、シャッタ羽根着磁部１の磁界に応じて磁性
薄膜抵抗素子Ｒａ〜Ｒｄの抵抗値が変化し、その変化に
応じて、磁性薄膜抵抗素子部１０１の出力電圧Ｖ１，Ｖ
２が変化する。

【００４７】この出力電圧Ｖ１，Ｖ２は、差動増幅部１
０２のオペアンプＡ１の反転入力端と非反転入力端にそ
れぞれ加えられる。非反転入力端には、抵抗Ｒ２ａを通
して、基準電圧Ｖｒｅｆも印加されており、この基準電
圧Ｖｒｅｆと出力電圧Ｖ２との差分と出力電圧Ｖ１との
偏差をとって増幅し、オペアンプＡ１の出力端から反転
した出力電圧Ｖ３が出力される。

【００４８】この出力電圧Ｖ３は、抵抗Ｒ３ａを通し
て、コンパレータＡ２の反転入力端に印加される。コン
パレータＡ２の非反転入力端には、抵抗Ｒ３ｂを通して
基準電圧Ｖｒｅｆが印加されており、この基準電圧Ｖｒ
ｅｆとオペアンプＡ１の出力電圧Ｖ３とがコンパレータ
Ａ２で比較される。

【００４９】この比較の結果、出力電圧Ｖ３が、基準電
圧Ｖｒｅｆより大きいと、コンパレータＡ２の出力端か
ら出力電圧Ｖ４が反転して出力され、出力端子Ｔ１より
図示しないカメラのＣＰＵに送出される。この出力電圧
Ｖ４の波形は、図４に示すように一気に出力電圧Ｖ４が
低下する。この出力電圧Ｖ４が低下した時点、すなわ
ち、出力電圧Ｖ４の発生時点でシャッタ制御用のタイマ
ーがトリガされる。従って、応答性の速いシャッタ制御
が可能となる。

【００５０】次に、請求項３の発明に対応する実施例に
ついて説明する。図５は、この請求項３の発明に対応す
る実施例のシャッタ装置の構成を示す平面図である。こ
の図５において、符号１〜１５で示す部分は、図１およ
び図２と同じであり、また動作も同じであるが、磁界発
生手段としてのシャッタ羽根着磁部１が異なるものであ
る。

【００５１】図６は、図５の円１０４内に示すシャッタ
羽根着磁部１の拡大図である。この図６からも明らかな
ように、シャッタ羽根着磁部１は、複数個ストライプ状
に形成されている。

【００５２】このように形成することにより、シャッタ
羽根着磁部１が、磁性薄膜抵抗素子２の部分を通過する
ときに、複数個並列に配置されたストライプ状のそれぞ
れのシャッタ羽根着磁部１が、磁性薄膜抵抗素子２を通
過するごとに、その抵抗値が変化することになる。

【００５３】この抵抗値の変化を検出する検出手段の出
力をトリガ信号に変換するための回路は、図３に示した
回路を利用すれば、この回路により得られるトリガ信
号、すなわちコンパレータＡ２の出力電圧Ｖ４は、図７
に示すように、櫛歯状の信号が得られることになる。こ
のような複数の波形により、シャッタ羽根の開きを検出
することができ、それによって、開口部４の開口時期を
調整・管理することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、シャッタ羽根に磁界発生手段を設け、シャッタ
駆動手段によりシャッタ羽根を駆動すると、磁界発生手
段が磁性薄膜抵抗素子に対して相対移動し、その移動に
伴って磁性薄膜抵抗素子の検知する磁界強度が変化する
ように構成したので、光洩れの虞れがなく、シャッタ羽
根の加工が容易で、安価に製作でき、しかもシャッタト
リガのための構成を簡略にすることができると共に応答
性を向上し得るカメラのシャッタ装置を提供することが
できる。

【００５５】また、請求項２の発明によれば、磁界の変
化で磁性薄膜抵抗素子の抵抗値の変化を検出手段で検出
して、その検出出力をシャッタのトリガ信号として使用
するように構成したので、シャッタ開口を正確に検知し
得るカメラのシャッタ装置を提供することができる。

【００５６】さらに、請求項３の発明によれば、上記検
出手段の出力によりシャッタ制御を行うように構成した
ので、応答性の速く高い精度でシャッタを制御し得るカ
メラのシャッタ装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るカメラのシャッタ装置の第１の実
施例の構成を示す平面図である。

【図２】本発明に係るカメラのシャッタ装置の第２の実
施例の構成を示す平面図である。

【図３】同上第２の実施例に適用される磁性薄膜抵抗素
子の磁界による抵抗値の変化を検出する検出手段の構成
を示す回路図である。

【図４】図３の検出手段の出力電圧の波形図である。

【図５】本発明に係るカメラのシャッタ装置の第３の実
施例の構成を示す平面図である。

【図６】図５の磁界発生手段の構成を示す拡大平面図で
ある。

【図７】同上第３の実施例に適用される磁性薄膜抵抗素
子の磁界による抵抗値の変化を検出する検出手段の出力
電圧の波形図である。

【符号の説明】

１，Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ シャッタ羽根着磁部 ２ 磁性薄膜抵抗素子 ３ シャッタ羽根 ４ 開口部 ５ シャッタ羽根 ６ シャッタ駆動用モータ ７ ピニオンギヤ ８ 減速ギヤ ９ 減速ギヤボス部 １０ セクタレバー １１ 回転中心孔部 １２ セクタピン連動用長孔 １３ セクタピン １４ セクタピン連動用長孔 １５ 回転中心穴孔 １０１ 磁性薄膜抵抗部 １０２ 差動増幅部 １０３ コンパレータ部 Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ａ，Ｒ２ｂ，Ｒ３ａ，Ｒ３ｂ，Ｒ
４，Ｒ５〜Ｒ７ 抵抗 Ａ１，Ａ２ クワッドオペレーショナルアンプ Ｖｃｃ 電源 Ｖｒｅｆ 基準電圧

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 シャッタ羽根をシャッタ駆動手段により
   開閉駆動するカメラのシャッタ装置において、カメラの
   固定部に設けられ、検知する磁界強度の変化により抵抗
   値が変化する磁性薄膜抵抗素子と、前記シャッタ羽根の
   一部に設けられ、磁界を発生する磁界発生手段と、を具
   備し、前記シャッタ駆動発生手段により前記シャッタ羽
   根上の前記磁界発生手段が前記磁性薄膜抵抗素子に対し
   相対的に移動するとき、前記磁性薄膜抵抗素子の検知す
   る磁界強度が変化するように構成したことを特徴とする
   カメラのシャッタ装置。
2. 【請求項２】 前記磁界の変化に伴う上記磁性薄膜抵抗
   素子の抵抗値の変化を検知する検出手段を具備し、前記
   検出手段からの出力信号をシャッタのトリガ信号として
   用いる構成としたことを特徴とする請求項１記載のカメ
   ラのシャッタ装置。
3. 【請求項３】 上記検出手段の出力信号によりシャッタ
   を制御するように構成したことを特徴とする請求項２記
   載のカメラのシャッタ装置。