JPH0579187B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0579187B2 JPH0579187B2 JP18059186A JP18059186A JPH0579187B2 JP H0579187 B2 JPH0579187 B2 JP H0579187B2 JP 18059186 A JP18059186 A JP 18059186A JP 18059186 A JP18059186 A JP 18059186A JP H0579187 B2 JPH0579187 B2 JP H0579187B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- electrode
- substrate
- semiconductor substrate
- trapezoidal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、１個の半導体基板に設けたガードリ
ングにより互いに隔離されたチツプを複数個形成
し、不良部のチツプに相当する部分の電極を除去
し、残るチツプを並列接続したシヨツトキーバリ
アダイオードに関する。
ングにより互いに隔離されたチツプを複数個形成
し、不良部のチツプに相当する部分の電極を除去
し、残るチツプを並列接続したシヨツトキーバリ
アダイオードに関する。
この種のシヨツトキーバリアダイオードは、第
３ａ図、第３ｂ図に示すように、円形の半導体基
板１（図はその四半部を示す）の平面上にガード
リング２によつて互いに隔離された方形のチツプ
が縦横に列をなして配列され、それぞれに酸化膜
３により互いに絶縁された電極４が設けられたも
のが知られている。このようなシヨツトキーバリ
アダイオードででは半導体基板１の周辺部にでき
る台形状あるいは三角形状の空間５はダイオード
素子として機能せず、基板面積に対する素子とし
ての有効面積が小さい。そのため除去できる不良
部分数が少なく、結果として、シヨツトキーバリ
アダイオードとしての不良率が高いという欠点が
あつた。
３ａ図、第３ｂ図に示すように、円形の半導体基
板１（図はその四半部を示す）の平面上にガード
リング２によつて互いに隔離された方形のチツプ
が縦横に列をなして配列され、それぞれに酸化膜
３により互いに絶縁された電極４が設けられたも
のが知られている。このようなシヨツトキーバリ
アダイオードででは半導体基板１の周辺部にでき
る台形状あるいは三角形状の空間５はダイオード
素子として機能せず、基板面積に対する素子とし
ての有効面積が小さい。そのため除去できる不良
部分数が少なく、結果として、シヨツトキーバリ
アダイオードとしての不良率が高いという欠点が
あつた。
本発明の目的は、不良率が小さく大電流を流し
得るシヨツトキーバリアダイオードを提供するこ
とにある。
得るシヨツトキーバリアダイオードを提供するこ
とにある。
本発明はこの目的を達成するため、円形の半導
体基板にガードリングを設け、このガードリング
により互いに隔離された方形のチツプを縦横に配
列するとともに、半導体基板の周辺部に残る空間
に同様にガードリングにより互いに隔離されたほ
ぼ台形状または三角形状のチツプを設けるもので
あり、方形のチツプを形成できない基板部分にも
方形とは異なる形状チツプを形成することにより
素子としての有効面積を広げるものである。
体基板にガードリングを設け、このガードリング
により互いに隔離された方形のチツプを縦横に配
列するとともに、半導体基板の周辺部に残る空間
に同様にガードリングにより互いに隔離されたほ
ぼ台形状または三角形状のチツプを設けるもので
あり、方形のチツプを形成できない基板部分にも
方形とは異なる形状チツプを形成することにより
素子としての有効面積を広げるものである。
次に本発明の実施例を図面について説明する。
第１ａ図、第１ｂ図は本発明の実施例の四半部
のそれぞれ平面図、側面図で、円形の半導体基板
１の平面上に、ガードリング２によつて互いに隔
離された方形のチツプが縦横に列をなして配列さ
れ、それぞれに酸化膜３により互いに絶縁された
方形状の電極４が設けられている。方形のチツプ
を形成した結果基板１の周辺部に残る空間には、
方形状のチツプに隣接するように、同じくガード
リングによつて方形チツプとの間および相互間が
隔離された三角形状または台形状のチツプが設け
られ、それぞれに酸化膜３により互いに絶縁され
た三角形状の電極６および台形状の電極７が設け
られ、これらの電極６，７の最外周辺は基板１と
同心円を形成する。
のそれぞれ平面図、側面図で、円形の半導体基板
１の平面上に、ガードリング２によつて互いに隔
離された方形のチツプが縦横に列をなして配列さ
れ、それぞれに酸化膜３により互いに絶縁された
方形状の電極４が設けられている。方形のチツプ
を形成した結果基板１の周辺部に残る空間には、
方形状のチツプに隣接するように、同じくガード
リングによつて方形チツプとの間および相互間が
隔離された三角形状または台形状のチツプが設け
られ、それぞれに酸化膜３により互いに絶縁され
た三角形状の電極６および台形状の電極７が設け
られ、これらの電極６，７の最外周辺は基板１と
同心円を形成する。
次に本発明のシヨツトキーバリアダイオードの
製造方法を第２図について説明する。
製造方法を第２図について説明する。
ｎ形シリコン半導体基板１にイオンインプラン
テーシヨンにより方形リング状にP+ドープ材を
打ち込み、基板１の周辺部には三角形リング状ま
たは台形リング状にP+ドープ材を打ち込み、方
形、三角形および台形状のガードリング２を設け
る。この場合基板１の周辺部に設けた三角形ある
いは台形のガードリングの最外周辺は基板１と同
心円となるようにする（第２ａ図）。
テーシヨンにより方形リング状にP+ドープ材を
打ち込み、基板１の周辺部には三角形リング状ま
たは台形リング状にP+ドープ材を打ち込み、方
形、三角形および台形状のガードリング２を設け
る。この場合基板１の周辺部に設けた三角形ある
いは台形のガードリングの最外周辺は基板１と同
心円となるようにする（第２ａ図）。
次に基板１の全面に酸化膜３を設け、ガードリ
ング２に囲まれた部分のみ方形状、三角形状、ま
たは台形状にフオトエツチングにより酸化膜を除
去する（第２ｂ図）。
ング２に囲まれた部分のみ方形状、三角形状、ま
たは台形状にフオトエツチングにより酸化膜を除
去する（第２ｂ図）。
全面にバリアメタルと電極金属を蒸着し、ガー
ドリング２により囲まれた部分以外の部分をフオ
トエツチングにより除去し、方形状の電極４、三
角形状の電極６、および台形状の電極７を形成す
る（第２ｃ図、第１ａ図）。
ドリング２により囲まれた部分以外の部分をフオ
トエツチングにより除去し、方形状の電極４、三
角形状の電極６、および台形状の電極７を形成す
る（第２ｃ図、第１ａ図）。
試験の結果不良と判定された部分８の電極およ
びバリアメタルをエツチングにより除去する（第
２ｄ図）。
びバリアメタルをエツチングにより除去する（第
２ｄ図）。
モリブデン接触板９，１０で上下より挟み、加
圧板１１，１２、絶縁リング１３より形成される
パツケージ内に組み込むことにより加圧接触構造
のシヨツトキーバリアダイオードが完成する（第
２ｅ図）。
圧板１１，１２、絶縁リング１３より形成される
パツケージ内に組み込むことにより加圧接触構造
のシヨツトキーバリアダイオードが完成する（第
２ｅ図）。
基板に形成したチツプの最外周部の辺が基板と
同心円状になつているから、バリアメタルと電極
金属を蒸着する際簡単に治具を用いて選択蒸着を
行い、基板の最外周部に残る未使用部分１４（第
１ａ図）にバリアメタルと電極金属をつけないよ
うにするこができる。その結果バリアメタルと電
極の不必要部分をエツチングする際のエツチング
量が均一となり、オーバーエツチングされること
なく良質のダイオードエレメントが得られるとい
う利点がある。
同心円状になつているから、バリアメタルと電極
金属を蒸着する際簡単に治具を用いて選択蒸着を
行い、基板の最外周部に残る未使用部分１４（第
１ａ図）にバリアメタルと電極金属をつけないよ
うにするこができる。その結果バリアメタルと電
極の不必要部分をエツチングする際のエツチング
量が均一となり、オーバーエツチングされること
なく良質のダイオードエレメントが得られるとい
う利点がある。
本発明によれば、円形の半導体基板の従来はチ
ツプを形成しない周辺部にも三角形状または台形
状のチツプを設けることにより、素子としての有
効面積が広がり、許容し得る除去可能な部分が増
加し、エレメントとしの良品率が向上し、また電
流を流した際の損失による熱分布がほぼエレメン
ト全体で均一となる効果が得られるものである。
ツプを形成しない周辺部にも三角形状または台形
状のチツプを設けることにより、素子としての有
効面積が広がり、許容し得る除去可能な部分が増
加し、エレメントとしの良品率が向上し、また電
流を流した際の損失による熱分布がほぼエレメン
ト全体で均一となる効果が得られるものである。
第１ａ図、第１ｂ図は本発明の一実施例のそれ
ぞれ平面図、側面図、第２ａ図〜第２ｅ図は本発
明のシヨツトキーバリアダイオードの製造工程の
説明図、第３ａ図、第３ｂ図は従来のもののそれ
ぞれ平面図、側面図である。 １……半導体基板、２……ガードリング、３…
…酸化膜、４……方形状の電極、６……三角形状
の電極、７……台形状の電極。
ぞれ平面図、側面図、第２ａ図〜第２ｅ図は本発
明のシヨツトキーバリアダイオードの製造工程の
説明図、第３ａ図、第３ｂ図は従来のもののそれ
ぞれ平面図、側面図である。 １……半導体基板、２……ガードリング、３…
…酸化膜、４……方形状の電極、６……三角形状
の電極、７……台形状の電極。
Claims (1)
- １ 円形の半導体基板にガードリングを設け、こ
のガードリングにより互いに隔離された方形のチ
ツプを縦横に配列するとともに、半導体基板の周
辺部に残る空間に同様にガードリングにより互い
に隔離されたほぼ台形状または三角形状のチツプ
を設けたことを特徴とするシヨツトキーバリアダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059186A JPS6337656A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059186A JPS6337656A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337656A JPS6337656A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0579187B2 true JPH0579187B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=16085939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18059186A Granted JPS6337656A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | シヨツトキ−バリアダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337656A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3348528B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2002-11-20 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置 |
| JP4512121B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2010-07-28 | 旭化成東光パワーデバイス株式会社 | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
| CN102569387B (zh) * | 2010-12-22 | 2014-08-27 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 双扩散金属氧化物半导体器件 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18059186A patent/JPS6337656A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337656A (ja) | 1988-02-18 |
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