JPH0576681B2 - - Google Patents
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- JPH0576681B2 JPH0576681B2 JP16854285A JP16854285A JPH0576681B2 JP H0576681 B2 JPH0576681 B2 JP H0576681B2 JP 16854285 A JP16854285 A JP 16854285A JP 16854285 A JP16854285 A JP 16854285A JP H0576681 B2 JPH0576681 B2 JP H0576681B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
- G11B5/531—Disposition of more than one recording or reproducing head on support rotating cyclically around an axis
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気ヘツドおよびその製法に関し、特
にデイジタルVTRなど高密度記録用狭トラツク
多チヤネルヘツドの、トラツクピツチを縮小可能
な磁気ヘツドの構造および磁気ヘツドの製造方法
に関する。
にデイジタルVTRなど高密度記録用狭トラツク
多チヤネルヘツドの、トラツクピツチを縮小可能
な磁気ヘツドの構造および磁気ヘツドの製造方法
に関する。
［従来の技術］
従来、多チヤネル磁気ヘツドは１）コアを磁性
合金、フエライトのブロツクから切断、研摩、接
着などの加工により形成し別途巻線を施す型、
２）薄膜製作法を応用しマスキングあるいはエツ
チング処理により形成する型の二種に分類できる
が、各々巻線のためのスペースが必要でトラツク
ピツチを密にすることが困難であつた。
合金、フエライトのブロツクから切断、研摩、接
着などの加工により形成し別途巻線を施す型、
２）薄膜製作法を応用しマスキングあるいはエツ
チング処理により形成する型の二種に分類できる
が、各々巻線のためのスペースが必要でトラツク
ピツチを密にすることが困難であつた。
第１の種類では必然的に寸法が大きくなる。第
２図は第２の種類、薄膜作製法による従来の磁気
ヘツドの例を示したものである。同図ａは下部コ
アであるフエライトブロツク１と上部コアをなす
軟磁性膜２の間に層間絶縁膜をもつ導体層による
巻線３を多層（同図では２層）施したもので、多
層スパイラル形と言われる。４は磁気ギヤツプで
ある。同図ｂはジグザグ形で巻線３は上部コア２
に交さしている。同図ｃはスパイラル形で渦形の
巻線３がフエライトブロツク１と上部コア２の間
に挾まれている構造となつている。これら従来の
ヘツドではトラツク幅ｗに比し巻線部の占める幅
ｐが大きく、多チヤネルにするため図のヘツド素
子を横に並べるとコア間隔が大きくなりトラツク
ピツチが粗になる。また、複数素子を並べる際、
磁気ヘツドギヤツプの方向の調整および長期間の
安定保持が難しかつた。
２図は第２の種類、薄膜作製法による従来の磁気
ヘツドの例を示したものである。同図ａは下部コ
アであるフエライトブロツク１と上部コアをなす
軟磁性膜２の間に層間絶縁膜をもつ導体層による
巻線３を多層（同図では２層）施したもので、多
層スパイラル形と言われる。４は磁気ギヤツプで
ある。同図ｂはジグザグ形で巻線３は上部コア２
に交さしている。同図ｃはスパイラル形で渦形の
巻線３がフエライトブロツク１と上部コア２の間
に挾まれている構造となつている。これら従来の
ヘツドではトラツク幅ｗに比し巻線部の占める幅
ｐが大きく、多チヤネルにするため図のヘツド素
子を横に並べるとコア間隔が大きくなりトラツク
ピツチが粗になる。また、複数素子を並べる際、
磁気ヘツドギヤツプの方向の調整および長期間の
安定保持が難しかつた。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明は上に述べた従来の欠点を解決しトラツ
クピツチを小さくし、かつ複数の磁気ヘツドの磁
気ギヤツプの方向を精密に制御でき、かつアジマ
ス記録が可能な多チヤネル磁気ヘツドを提供する
ことを目的とする。
クピツチを小さくし、かつ複数の磁気ヘツドの磁
気ギヤツプの方向を精密に制御でき、かつアジマ
ス記録が可能な多チヤネル磁気ヘツドを提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明においては、複数段を有する階段状磁性
体を形成し、その階段状磁性体の任意の段階面の
それぞれに、階段端面に磁気ギヤツプを有する磁
気ヘツドを薄膜作製技術を用いて作製する。
体を形成し、その階段状磁性体の任意の段階面の
それぞれに、階段端面に磁気ギヤツプを有する磁
気ヘツドを薄膜作製技術を用いて作製する。
［作 用］
本発明によれば、巻線の接続部や引出し端子を
磁気ギヤツプを設ける面と垂直の面に設けること
ができるので、巻線部のトツクと直角方向に占め
る寸法を極めて小さくでき、また、下部コアを一
括して階段状に形成するので、磁気ギヤツプの方
向を精密に制御できる。
磁気ギヤツプを設ける面と垂直の面に設けること
ができるので、巻線部のトツクと直角方向に占め
る寸法を極めて小さくでき、また、下部コアを一
括して階段状に形成するので、磁気ギヤツプの方
向を精密に制御できる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図に本発明の新しい構造による多チヤネル
ヘツドの実施例の外観を示す。第１図は８チヤネ
ルの例であり、図において５は階段状の磁性体で
ヘツドの下部コアとなる。６は磁気ヘツド部、２
は上部コア、３は巻線、４は磁気ギヤツプであ
り、矢印ｄは磁気ヘツドの走行方向である。すな
わち、本発明のヘツドは巻線部を従来のようにコ
ア部と同一平面のみに形成せずコア部を隣接した
直角に近い面を設け、その面に巻線部を形成して
巻線部が占める幅ｐを短縮したものである。
ヘツドの実施例の外観を示す。第１図は８チヤネ
ルの例であり、図において５は階段状の磁性体で
ヘツドの下部コアとなる。６は磁気ヘツド部、２
は上部コア、３は巻線、４は磁気ギヤツプであ
り、矢印ｄは磁気ヘツドの走行方向である。すな
わち、本発明のヘツドは巻線部を従来のようにコ
ア部と同一平面のみに形成せずコア部を隣接した
直角に近い面を設け、その面に巻線部を形成して
巻線部が占める幅ｐを短縮したものである。
以下にフエライトブロツクを用いた本発明の製
造方法の実施例について、第３図のフローチヤー
トおよび第４図の各工程の説明図によつて説明す
る。チヤネル数は８の例であり、８個の磁気ヘツ
ドを同時に作製できるが、第４図については１段
のみを図示する。
造方法の実施例について、第３図のフローチヤー
トおよび第４図の各工程の説明図によつて説明す
る。チヤネル数は８の例であり、８個の磁気ヘツ
ドを同時に作製できるが、第４図については１段
のみを図示する。
１ フエライトブロツク切り出し
Ni−Znフエライト等電気抵抗の高い軟磁性
フエライトから第４図ａに示すように高さ
100μm、奥行き50μmの階段を９段もつたひな
段状のブロツク５を切り出す。切り出しは研
削、ビーム加工その他任意の方法で行うことが
できる。
フエライトから第４図ａに示すように高さ
100μm、奥行き50μmの階段を９段もつたひな
段状のブロツク５を切り出す。切り出しは研
削、ビーム加工その他任意の方法で行うことが
できる。
２ 巻線下パターン用フエライト面エツチングフ
エライトブロツク５のひな段状面にポジ型電子
ビーム感応レジスト材料、例えばポリメタクリ
ル酸メチル（PMMA）を塗布し、電子ビーム
露光、レジスト溶媒による現像、希塩酸などに
よるエツチングを行い、第４図ｂに示すような
幅20μm、深さ20μmの巻線下パターン用溝７を
形成する。
ビーム感応レジスト材料、例えばポリメタクリ
ル酸メチル（PMMA）を塗布し、電子ビーム
露光、レジスト溶媒による現像、希塩酸などに
よるエツチングを行い、第４図ｂに示すような
幅20μm、深さ20μmの巻線下パターン用溝７を
形成する。
３ 配線パターン用Cu厚膜被着
第４図ｃに示すように、巻線下パターン用溝
が形成されたフエライトブロツク５の階段状全
面にメツキあるいはスパツタリング等の膜製作
法により20μm以上の厚さのCuの膜８を被着さ
せる。
が形成されたフエライトブロツク５の階段状全
面にメツキあるいはスパツタリング等の膜製作
法により20μm以上の厚さのCuの膜８を被着さ
せる。
４ 階段面研摩
第４図ｄに示すように、階段面を研摩し巻線
下パターン用溝にのみCuの膜９が残るよう他
の部分のCu膜を除去する。研摩は機械的な方
法でも化学的あるいは電気化学的方法でもさし
つかえない。
下パターン用溝にのみCuの膜９が残るよう他
の部分のCu膜を除去する。研摩は機械的な方
法でも化学的あるいは電気化学的方法でもさし
つかえない。
５ 巻線絶縁層形成
第４図ｅに示すように研摩により平面になつ
た面に、SiO2膜１０を例えばRFスパツタリン
グにより0.2μmの厚さ被着させる。SiO2膜１０
は一点鎖線の端面側ｅではギヤツプ材、Cu厚
膜側ｉでは巻線絶縁層の役割りを果す。
た面に、SiO2膜１０を例えばRFスパツタリン
グにより0.2μmの厚さ被着させる。SiO2膜１０
は一点鎖線の端面側ｅではギヤツプ材、Cu厚
膜側ｉでは巻線絶縁層の役割りを果す。
６ 上部コアの形成
第４図ｆの垂直面Ｖ部、水平面Ｈ部にネガ型
フオトレジスト、例えばポリビニール桂皮酸エ
ステル（KPR）などを塗布しＶ部にのみ露光
し、Ｈ部のレジストをはく離液を使つて除去
し、その面に上部コア２としてFe−Si−Al（セ
ンダスト）膜、Co−Zr非晶質膜などの軟磁性
体膜２をスパツタ、メツキなどにより５〜
10μmの厚さ被着する。階段の端面部に磁気ギ
ヤツプ４が形成される。
フオトレジスト、例えばポリビニール桂皮酸エ
ステル（KPR）などを塗布しＶ部にのみ露光
し、Ｈ部のレジストをはく離液を使つて除去
し、その面に上部コア２としてFe−Si−Al（セ
ンダスト）膜、Co−Zr非晶質膜などの軟磁性
体膜２をスパツタ、メツキなどにより５〜
10μmの厚さ被着する。階段の端面部に磁気ギ
ヤツプ４が形成される。
ただし露光時にキセノンランプまたは高圧水
銀灯など光源２１の位置、角度を調節しフエラ
イトブロツク５のＨ部は露光されないようにす
る。
銀灯など光源２１の位置、角度を調節しフエラ
イトブロツク５のＨ部は露光されないようにす
る。
７ ネガ型フオトレジストの除去
はく離液を使つて残つたレジストを除去する。
８ 巻線上パターン用絶縁膜形成
工程５と同様にSiO2膜を例えばRFスパツタ
リングして第４図ｇに示す1μm程度の厚さの絶
縁膜１２を形成する。
リングして第４図ｇに示す1μm程度の厚さの絶
縁膜１２を形成する。
９ 巻線上パターン用Cu厚膜被着
工程２，３に述べた手法により巻線上パター
ン１３を被着する。ただし１４，１５で示した
部分のSiO2膜はあらかじめHF（弗酸）10％液
エツチングまたはイオンエツチングにより除去
して下部のCu厚膜を露出させておき、巻線下
パターンと、上パターンでコイルを形成する
（第４図ｇ）。
ン１３を被着する。ただし１４，１５で示した
部分のSiO2膜はあらかじめHF（弗酸）10％液
エツチングまたはイオンエツチングにより除去
して下部のCu厚膜を露出させておき、巻線下
パターンと、上パターンでコイルを形成する
（第４図ｇ）。
10 磁気ヘツド保護層形成
工程５，８と同様に巻線上パターン１３を保
護するSiO2膜を、第４図ｇの１５で示した部
分を除き、２〜3μmの厚さに形成し、ヘツド全
体を保護する。
護するSiO2膜を、第４図ｇの１５で示した部
分を除き、２〜3μmの厚さに形成し、ヘツド全
体を保護する。
このようにして必要なチヤネル数の多チヤネル
磁気ヘツドが形成される。形成された多チヤネル
磁気ヘツドは第１図または第４図に示すように、
磁気ギヤツプ４が水平面（Ｈ部）に、巻線３，
７，１３が上部コアの上下以外は垂直面（Ｖ部）
に形成されるのでトラツクピツチ（巻線幅）ｐと
トラツク幅（ギヤツプ長）ｗの比は１に極めて近
いので、高密度記録用の狭トラツク多チヤネルヘ
ツドが実現できる。
磁気ヘツドが形成される。形成された多チヤネル
磁気ヘツドは第１図または第４図に示すように、
磁気ギヤツプ４が水平面（Ｈ部）に、巻線３，
７，１３が上部コアの上下以外は垂直面（Ｖ部）
に形成されるのでトラツクピツチ（巻線幅）ｐと
トラツク幅（ギヤツプ長）ｗの比は１に極めて近
いので、高密度記録用の狭トラツク多チヤネルヘ
ツドが実現できる。
磁気ギヤツプの設けられている水平面（Ｈ部）
をヘツド走行方向ｄと直角にして通常の記録を行
うだけでなく、Ｈ部のの走行方向となす角度を１
ピツチ毎に変化させ、いわゆるアジマス記録をさ
せることもできる。この場合、フエライトブロツ
クの加工で角度が厳密に規定されるので、多数の
個別素子を集合して配列させる従来例とくらべ磁
気ヘツドの角度の精密は非常にすぐれている。
をヘツド走行方向ｄと直角にして通常の記録を行
うだけでなく、Ｈ部のの走行方向となす角度を１
ピツチ毎に変化させ、いわゆるアジマス記録をさ
せることもできる。この場合、フエライトブロツ
クの加工で角度が厳密に規定されるので、多数の
個別素子を集合して配列させる従来例とくらべ磁
気ヘツドの角度の精密は非常にすぐれている。
上の例では階段状磁性体としてフエライトブロ
ツクを用いた例を示したが、ガラス、磁器など非
磁性体を階段状に形成して、その階段面上に軟磁
性合金膜を形成して用いることができる。
ツクを用いた例を示したが、ガラス、磁器など非
磁性体を階段状に形成して、その階段面上に軟磁
性合金膜を形成して用いることができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、トラツ
クピツチが巻線のために必要なスペースに左右さ
れず、トラツクピツチをコア幅（トラツク幅）に
近づけることが出来るので記録媒体上の記録トラ
ツクの占有率が大きくなり記録密度を高くするこ
とができる。
クピツチが巻線のために必要なスペースに左右さ
れず、トラツクピツチをコア幅（トラツク幅）に
近づけることが出来るので記録媒体上の記録トラ
ツクの占有率が大きくなり記録密度を高くするこ
とができる。
また隣接コアが同一平面上に並ばないので、信
号の記録再生時に、コア間のクロストークを低減
でき、この点からもトラツクピツチを小さくでき
る。
号の記録再生時に、コア間のクロストークを低減
でき、この点からもトラツクピツチを小さくでき
る。
第４図のＨ部をヘツド走行方向ｄと直角にして
上述の効果を上げることができるだけでなく、Ｈ
部の角度を１ピツチ毎に変化させ、いわゆるアジ
マス記録を実施することにより上述の効果をより
一層大きくすることができる。
上述の効果を上げることができるだけでなく、Ｈ
部の角度を１ピツチ毎に変化させ、いわゆるアジ
マス記録を実施することにより上述の効果をより
一層大きくすることができる。
第１図は本発明の多チヤネル磁気ヘツドの実施
例を示す図、第２図は従来の磁気ヘツドを示す
図、第３図は本発明の多チヤネル磁気ヘツドの製
造方法の実施例のフローチヤート、第４図は第３
図のフローチヤートの各工程を説明する図であ
る。 １……下部コア、２……上部コア、３……巻
線、４……磁気ギヤツプ、５……階段状磁性体、
６……磁気ヘツド、９……巻線下パターン、１３
……巻線上パターン。
例を示す図、第２図は従来の磁気ヘツドを示す
図、第３図は本発明の多チヤネル磁気ヘツドの製
造方法の実施例のフローチヤート、第４図は第３
図のフローチヤートの各工程を説明する図であ
る。 １……下部コア、２……上部コア、３……巻
線、４……磁気ギヤツプ、５……階段状磁性体、
６……磁気ヘツド、９……巻線下パターン、１３
……巻線上パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数段を有する階段状磁性体からなる下部コ
アの任意の複数段のそれぞれの一方の面に順次形
成された下部配線パターン、磁気ギヤツプおよび
上部配線パターンと他方の面に形成された巻線接
続部とを有する磁気ヘツドが設けられていること
を特徴とする多チヤネル磁気ヘツド。 ２ 前記磁気ヘツドを設けた複数の面が前記磁気
ヘツドの走行方向と直角であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の多チヤネル磁気ヘツ
ド。 ３ 前記磁気ヘツドを設けた複数の面が前記磁気
ヘツドの走行方向に対して一面毎に異なることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多チヤネ
ル磁気ヘツド。 ４ 前記階段状磁性体が階段状フエライトである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の多チヤネル磁気ヘツド。 ５ 前記階段状磁性体が階段状非磁性体の上に形
成された磁性金属膜であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載
の多チヤネル磁気ヘツド。 ６ 複数段を有する階段状磁性体を形成する工程
と、 前記階段状磁性体の任意の複数段のそれぞれの
二つの表面に巻線下パターンを形成する工程と、 前記複数段の一方の表面に形成された巻線下パ
ターンの上に第１の絶縁層を形成する工程と、 該第１の絶縁層の上に磁性膜を形成して上部コ
アとする工程と、 該上部コアの表面に第２の絶縁膜を形成する工
程と、 該第２の絶縁膜の上に巻線上パターンを形成す
る工程とを有することを特徴とする多チヤネル磁
気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16854285A JPS6231013A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 多チヤネル磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16854285A JPS6231013A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 多チヤネル磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231013A JPS6231013A (ja) | 1987-02-10 |
| JPH0576681B2 true JPH0576681B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=15869944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16854285A Granted JPS6231013A (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | 多チヤネル磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231013A (ja) |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP16854285A patent/JPS6231013A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231013A (ja) | 1987-02-10 |
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