JPH0572776A - 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 - Google Patents
電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法Info
- Publication number
- JPH0572776A JPH0572776A JP26267091A JP26267091A JPH0572776A JP H0572776 A JPH0572776 A JP H0572776A JP 26267091 A JP26267091 A JP 26267091A JP 26267091 A JP26267091 A JP 26267091A JP H0572776 A JPH0572776 A JP H0572776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- copper phthalocyanine
- derivative
- compound
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 11
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 21
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 15
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 copper phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1C(O)=O UJMDYLWCYJJYMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N mellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1C(O)=O YDSWCNNOKPMOTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920006391 phthalonitrile polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- AVGQTJUPLKNPQP-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloropropane Chemical compound CCC(Cl)(Cl)Cl AVGQTJUPLKNPQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHXBXWOHQZBGFT-UHFFFAOYSA-M 19631-19-7 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[In](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 AHXBXWOHQZBGFT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000944 Soxhlet extraction Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- LBGCRGLFTKVXDZ-UHFFFAOYSA-M ac1mc2aw Chemical compound [Al+3].[Cl-].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 LBGCRGLFTKVXDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002382 photo conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、優れた電子写真特性を有する銅フタ
ロシアニンを使用した電子写真感光体、およびε型銅フ
タロシアニンの製造方法に関するものである。 【構成】ヘミメリット酸など化合物を合成時に加えて作
成した銅フタロシアニンを電荷発生材料として使用した
電子写真感光体に関するものである。この方法により、
ε型銅フタロシアニンを一段で合成することが出来る。
ロシアニンを使用した電子写真感光体、およびε型銅フ
タロシアニンの製造方法に関するものである。 【構成】ヘミメリット酸など化合物を合成時に加えて作
成した銅フタロシアニンを電荷発生材料として使用した
電子写真感光体に関するものである。この方法により、
ε型銅フタロシアニンを一段で合成することが出来る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電子写真特性を
有する銅フタロシアニンを使用した電子写真感光体、お
よびε型銅フタロシアニンの製造方法に関するものであ
る。
有する銅フタロシアニンを使用した電子写真感光体、お
よびε型銅フタロシアニンの製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来までの電子写真感光体は、セレン、
セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテルルな
どの無機光導電体が主として使用されてきた。近年にな
り半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定した
レーザー発振器が安価で入手出来るようになり、電子写
真用光源として用いられ始めている。従って、従来まで
用いられた短波長領域に感度を持つ材料を半導体レーザ
ー用に使うには不適当であり、長波長領域(760nm
以上)に高感度を持つ材料を開発する必要が生じてき
た。最近は有機材料、特に長波長領域に大きな吸収を持
つフタロシアニンを使用した、積層型有機感光体の研究
が盛んに行われている。例えば、電荷発生材料として
は、X型無金属フタロシアニン(X−H2 Pc)、τ型
無金属フタロシアニン(τ−H2 Pc)、二価金属フタ
ロシアニンは、ε型銅フタロシアニン(ε−CuPc)
が長波長領域に感度を持つ。三価、四価金属フタロシア
ニンとしては、クロロアルミニウムフタロシアニン(A
lPcCl)、クロロガリウムフタロシアニン(GaP
cCl)、クロロインジウムフタロシアニン(InPc
Cl)、バナジウムフタロシアニン(VOPc)および
チタニウムフタロシアニン(TiOPc)が盛んに研究
されている(特開昭57−39484号,特開昭57−
166959号,特開昭59−36254号,特開昭5
9−204045号公報等)。しかしながら、上記材料
は電子写真感度、帯電性、暗減衰、繰り返し使用時での
電子写真特性や画像の安定性に問題があった。
セレン合金、酸化亜鉛、硫化カドミウムおよびテルルな
どの無機光導電体が主として使用されてきた。近年にな
り半導体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定した
レーザー発振器が安価で入手出来るようになり、電子写
真用光源として用いられ始めている。従って、従来まで
用いられた短波長領域に感度を持つ材料を半導体レーザ
ー用に使うには不適当であり、長波長領域(760nm
以上)に高感度を持つ材料を開発する必要が生じてき
た。最近は有機材料、特に長波長領域に大きな吸収を持
つフタロシアニンを使用した、積層型有機感光体の研究
が盛んに行われている。例えば、電荷発生材料として
は、X型無金属フタロシアニン(X−H2 Pc)、τ型
無金属フタロシアニン(τ−H2 Pc)、二価金属フタ
ロシアニンは、ε型銅フタロシアニン(ε−CuPc)
が長波長領域に感度を持つ。三価、四価金属フタロシア
ニンとしては、クロロアルミニウムフタロシアニン(A
lPcCl)、クロロガリウムフタロシアニン(GaP
cCl)、クロロインジウムフタロシアニン(InPc
Cl)、バナジウムフタロシアニン(VOPc)および
チタニウムフタロシアニン(TiOPc)が盛んに研究
されている(特開昭57−39484号,特開昭57−
166959号,特開昭59−36254号,特開昭5
9−204045号公報等)。しかしながら、上記材料
は電子写真感度、帯電性、暗減衰、繰り返し使用時での
電子写真特性や画像の安定性に問題があった。
【0003】その中で、銅フタロシアニンは帯電性が高
く、安定性の優れた材料である。高い電子写真特性を持
つε−CuPcを得るためには、粗合成段階でのβ型か
ら、α型を経由して結晶転移させる必要が有り、多くの
工程が必要であった。以上の様に、半導体レーザーの発
振波長領域に高感度を有する実用的な電荷発生剤は未だ
数少なく、その開発が待たれているのが現状である。プ
リンター用光源として発光ダイオード(LED)も使用
され、その発振波長は650nm前後である。フタロシ
アニン化合物は650nm前後にも大きな吸収を持ち、
LED用電荷発生材料としても期待されている。
く、安定性の優れた材料である。高い電子写真特性を持
つε−CuPcを得るためには、粗合成段階でのβ型か
ら、α型を経由して結晶転移させる必要が有り、多くの
工程が必要であった。以上の様に、半導体レーザーの発
振波長領域に高感度を有する実用的な電荷発生剤は未だ
数少なく、その開発が待たれているのが現状である。プ
リンター用光源として発光ダイオード(LED)も使用
され、その発振波長は650nm前後である。フタロシ
アニン化合物は650nm前後にも大きな吸収を持ち、
LED用電荷発生材料としても期待されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は特定の合成法
から得られた銅フタロシアニンを使用した電子写真感光
体であり、この化合物を電荷発生剤に用いて、優れた露
光感度特性、波長特性に加え、長期にわたる繰り返し使
用時の耐劣化特性、耐刷性、画像安定性を有する電子写
真感光体を得ることにある。
から得られた銅フタロシアニンを使用した電子写真感光
体であり、この化合物を電荷発生剤に用いて、優れた露
光感度特性、波長特性に加え、長期にわたる繰り返し使
用時の耐劣化特性、耐刷性、画像安定性を有する電子写
真感光体を得ることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性支持体
上に、電荷発生剤を使用してなる電子写真感光体におい
て、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であること
を特徴とする電子写真感光体である。本発明の銅フタロ
シアニンは、フタル酸、フタロジニトリル、イソインド
レニンおよび/またはその誘導体、銅またはその化合
物、一般式(1)で示される化合物の存在下、不活性有
機溶媒中で反応させて得た銅フタロシアニンである。 一般式(1)
上に、電荷発生剤を使用してなる電子写真感光体におい
て、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であること
を特徴とする電子写真感光体である。本発明の銅フタロ
シアニンは、フタル酸、フタロジニトリル、イソインド
レニンおよび/またはその誘導体、銅またはその化合
物、一般式(1)で示される化合物の存在下、不活性有
機溶媒中で反応させて得た銅フタロシアニンである。 一般式(1)
【0006】
【化2】
【0007】〔式中、X1 〜X3 は水素原子、アルキル
基、アリル基、カルボキシル基、またはそれらより誘導
される基を表す。Y1 〜Y3 はカルボキシル基、ニトロ
基および/またはそれらより誘導される基を表す。Xお
よびYは同一でも異なっていても良く、Yは2つ以上の
基で閉環してイミドまたは酸無水物を形成しても良
い。〕
基、アリル基、カルボキシル基、またはそれらより誘導
される基を表す。Y1 〜Y3 はカルボキシル基、ニトロ
基および/またはそれらより誘導される基を表す。Xお
よびYは同一でも異なっていても良く、Yは2つ以上の
基で閉環してイミドまたは酸無水物を形成しても良
い。〕
【0008】さらには、フタル酸、フタロジニトリル、
イソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅または
その化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、
不活性有機溶媒中で反応させる際に、フタロシアニン誘
導体を添加して得られた銅フタロシアニンであることを
特徴とする電子写真感光体である。一般式(1)で示さ
れる化合物としては、ベンゼン−1,2,3−トリカル
ボン酸(ヘミメリット酸)、ベンゼンヘキサカルボン酸
(メリット酸)およびベンゼン−1,2,4−トリカル
ボン酸(トリメリット酸)などがあるが、これらに限ら
れるものではない。また、導電性支持体上に、電荷発生
剤および電荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体にお
いて、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であり、
電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体、ブタジエン誘導体また
は正孔輸送性樹脂の少なくとも一種以上であることを特
徴とする電子写真感光体である。
イソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅または
その化合物、一般式(1)で示される化合物の存在下、
不活性有機溶媒中で反応させる際に、フタロシアニン誘
導体を添加して得られた銅フタロシアニンであることを
特徴とする電子写真感光体である。一般式(1)で示さ
れる化合物としては、ベンゼン−1,2,3−トリカル
ボン酸(ヘミメリット酸)、ベンゼンヘキサカルボン酸
(メリット酸)およびベンゼン−1,2,4−トリカル
ボン酸(トリメリット酸)などがあるが、これらに限ら
れるものではない。また、導電性支持体上に、電荷発生
剤および電荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体にお
いて、電荷発生剤が本銅フタロシアニン化合物であり、
電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体、ブタジエン誘導体また
は正孔輸送性樹脂の少なくとも一種以上であることを特
徴とする電子写真感光体である。
【0009】本発明で使用される有機溶媒としては、α
−クロロナフタレン、エチレングリコ−ル、ジアルキル
エーテル、キノリン、スルフォランおよびジクロルベン
ゼンなど反応不活性な高沸点の溶媒が望ましい。合成し
た銅フタロシアニンクルードは、酸、アルカリ、アセト
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ピリジ
ン、キノリン、スルフォラン、α−クロルナフタレン、
トルエン、ジオキサン、キシレン、クロロフォルム、四
塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロ
ロプロパン、N,N’−ジメチルアセトアミド,N−メ
チルピロリドン,N,N’−ジメチルホルムアミド等に
より精製して得られる。精製法としては溶剤洗浄、再結
晶法、ソックスレー抽出法および熱懸濁法等がある。ま
た、昇華精製することも可能である。精製方法はこれら
に限られるものではない。一般に、フタロシアニンクル
ードはβ型であるが、本発明の方法で合成した銅フタロ
シアニンは、α、β、ε型のいずれの結晶型をとること
も出来る。通常、銅フタロシアニンの中で光導電性が最
も大きなε型は、α型銅フタロシアニンを機械的磨砕法
でε型に転移させているため、工程も多く、安定した物
性を有する顔料の作成は困難であった。しかしながら、
本発明により、必要とする結晶形が一段合成で得られ、
結晶粒子径も小さな銅フタロシアニンを得ることに成功
した。 また本発明に用いられるフタロシアニン誘導体
は、フタロシアニン1分子中のベンゼン核の1個以上に
置換基を有する無金属または金属フタロシアニンを含む
ものである。
−クロロナフタレン、エチレングリコ−ル、ジアルキル
エーテル、キノリン、スルフォランおよびジクロルベン
ゼンなど反応不活性な高沸点の溶媒が望ましい。合成し
た銅フタロシアニンクルードは、酸、アルカリ、アセト
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ピリジ
ン、キノリン、スルフォラン、α−クロルナフタレン、
トルエン、ジオキサン、キシレン、クロロフォルム、四
塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロ
ロプロパン、N,N’−ジメチルアセトアミド,N−メ
チルピロリドン,N,N’−ジメチルホルムアミド等に
より精製して得られる。精製法としては溶剤洗浄、再結
晶法、ソックスレー抽出法および熱懸濁法等がある。ま
た、昇華精製することも可能である。精製方法はこれら
に限られるものではない。一般に、フタロシアニンクル
ードはβ型であるが、本発明の方法で合成した銅フタロ
シアニンは、α、β、ε型のいずれの結晶型をとること
も出来る。通常、銅フタロシアニンの中で光導電性が最
も大きなε型は、α型銅フタロシアニンを機械的磨砕法
でε型に転移させているため、工程も多く、安定した物
性を有する顔料の作成は困難であった。しかしながら、
本発明により、必要とする結晶形が一段合成で得られ、
結晶粒子径も小さな銅フタロシアニンを得ることに成功
した。 また本発明に用いられるフタロシアニン誘導体
は、フタロシアニン1分子中のベンゼン核の1個以上に
置換基を有する無金属または金属フタロシアニンを含む
ものである。
【0010】以上の方法で作製した銅フタロシアニンを
使用した電荷発生層は、光吸収効率の大きな均一層であ
り、電荷発生層中の顔料の粒子間、電荷発生層と電荷輸
送層の間、感光層と下引き層または導電性基板の間の空
隙も少ないので、繰り返し使用時での電位や感度の安定
性および鮮明な印字画像、耐印刷性等の多くの要求を満
足する電子写真感光体を得ることが出来た。n型感光体
は導電性基板上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層
の順に積層して作製されるものが一般的である。また、
p型感光体は導電性基板または下引き層上に電荷輸送
層、電荷発生層の順に積層したもの。または導電性基板
または下引き層上に電荷発生剤と適切な樹脂、必要があ
れば電荷輸送剤を加えて分散塗工して作製したものがあ
る。上記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面保
護およびトナーによるフィルミング防止等の意味でオー
バーコート層を設けることも出来る。本発明の銅フタロ
シアニンは、上記感光体のすべてに用いられる。
使用した電荷発生層は、光吸収効率の大きな均一層であ
り、電荷発生層中の顔料の粒子間、電荷発生層と電荷輸
送層の間、感光層と下引き層または導電性基板の間の空
隙も少ないので、繰り返し使用時での電位や感度の安定
性および鮮明な印字画像、耐印刷性等の多くの要求を満
足する電子写真感光体を得ることが出来た。n型感光体
は導電性基板上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層
の順に積層して作製されるものが一般的である。また、
p型感光体は導電性基板または下引き層上に電荷輸送
層、電荷発生層の順に積層したもの。または導電性基板
または下引き層上に電荷発生剤と適切な樹脂、必要があ
れば電荷輸送剤を加えて分散塗工して作製したものがあ
る。上記感光体は、必要があれば活性ガスからの表面保
護およびトナーによるフィルミング防止等の意味でオー
バーコート層を設けることも出来る。本発明の銅フタロ
シアニンは、上記感光体のすべてに用いられる。
【0011】感光体の電荷発生層の塗工は、スピンコー
ター、アプリケーター、スプレーコーター、浸漬コータ
ー、ローラーコーター、カーテンコーターおよびビード
コーター等を用いて行い、乾燥は室温から200℃、1
0分から6時間の範囲で静止または送風条件下で行う。
乾燥後の膜厚は0.01から5ミクロン、望ましくは
0.1から1ミクロンになるように塗工される。電荷発
生層を形成する際に使用する樹脂は、広範な絶縁性樹脂
から選択出来る。また、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセンやポリシラン類などの有機
光導電性ポリマーからも選択出来る。好ましくは、ポリ
ビニルブチラール、ポリアリレート、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、フェノキシ、アクリル、ポリアミ
ド、ウレタン、エポキシ、シリコン、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノールおよびメラ
ミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることが出来る。電荷発
生層中に含有する樹脂は、100重量%以下が好ましい
がこの限りではない。樹脂は2種類以上組み合わせて使
用しても良い。また、必要があれば樹脂を使用しなくて
もよい。電荷発生層を形成する際に使用する溶剤は、下
引き層や電荷輸送層に影響を与えないものから選択する
ことが好ましい。具体的には、ベンゼン、キシレン等の
芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール等
のアルコール類、酢酸エチル、メチルセロソルブ等のエ
ステル類、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、クロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ン等の芳香族ハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類等が用いられるがこれら
に限られるものではない。
ター、アプリケーター、スプレーコーター、浸漬コータ
ー、ローラーコーター、カーテンコーターおよびビード
コーター等を用いて行い、乾燥は室温から200℃、1
0分から6時間の範囲で静止または送風条件下で行う。
乾燥後の膜厚は0.01から5ミクロン、望ましくは
0.1から1ミクロンになるように塗工される。電荷発
生層を形成する際に使用する樹脂は、広範な絶縁性樹脂
から選択出来る。また、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセンやポリシラン類などの有機
光導電性ポリマーからも選択出来る。好ましくは、ポリ
ビニルブチラール、ポリアリレート、ポリカーボネー
ト、ポリエステル、フェノキシ、アクリル、ポリアミ
ド、ウレタン、エポキシ、シリコン、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、塩酢ビ共重合体、フェノールおよびメラ
ミン樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることが出来る。電荷発
生層中に含有する樹脂は、100重量%以下が好ましい
がこの限りではない。樹脂は2種類以上組み合わせて使
用しても良い。また、必要があれば樹脂を使用しなくて
もよい。電荷発生層を形成する際に使用する溶剤は、下
引き層や電荷輸送層に影響を与えないものから選択する
ことが好ましい。具体的には、ベンゼン、キシレン等の
芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール等
のアルコール類、酢酸エチル、メチルセロソルブ等のエ
ステル類、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタ
ン、ジクロロエタン、トリクロロエチレン等の脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、クロルベンゼン、ジクロルベンゼ
ン等の芳香族ハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類等が用いられるがこれら
に限られるものではない。
【0012】電荷輸送層は電荷輸送剤単体もしくは樹脂
に溶解させて形成する。本感光体に使用される電荷輸送
剤は、電荷を輸送する能力のある化合物であれば、いか
なる種類の化合物であっても良いが、ヒドラゾン化合物
およびブタジエン化合物から選ばれる1種以上の化合物
が望ましい。電荷輸送物質は2種類以上組み合わせて使
用できる。電荷輸送層に使用できる樹脂は、電荷発生層
用樹脂として記述した中から選択出来る。塗工方法も電
荷発生層と同様の方法で塗工することが出来る。乾燥後
の膜厚は5から50ミクロン、好ましくは15から25
ミクロンが良い。下引き層としてはポリアミド類、カゼ
イン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブ
チラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物
などが用いられる。本発明の材料は、電子写真感光体と
して複写機やプリンターに使用されるだけではなく、太
陽電池、光電変換素子、エレクトロルミネッセンス(E
L)素子および光ディスク用吸収材料としても好適であ
る。
に溶解させて形成する。本感光体に使用される電荷輸送
剤は、電荷を輸送する能力のある化合物であれば、いか
なる種類の化合物であっても良いが、ヒドラゾン化合物
およびブタジエン化合物から選ばれる1種以上の化合物
が望ましい。電荷輸送物質は2種類以上組み合わせて使
用できる。電荷輸送層に使用できる樹脂は、電荷発生層
用樹脂として記述した中から選択出来る。塗工方法も電
荷発生層と同様の方法で塗工することが出来る。乾燥後
の膜厚は5から50ミクロン、好ましくは15から25
ミクロンが良い。下引き層としてはポリアミド類、カゼ
イン、ポリビニルアルコール、ゼラチン、ポリビニルブ
チラール等の樹脂類、酸化アルミニウム等の金属酸化物
などが用いられる。本発明の材料は、電子写真感光体と
して複写機やプリンターに使用されるだけではなく、太
陽電池、光電変換素子、エレクトロルミネッセンス(E
L)素子および光ディスク用吸収材料としても好適であ
る。
【0013】
【実施例】本発明の実施例について具体的に説明する。
例中で部とは重量部を示す。 実施例 1 無水フタル酸30部、塩化第一銅9部、尿素48部およ
びメリット酸1.26部をスルフォラン230部中20
0℃で5時間加熱撹拌する。100℃以下まで冷却した
後に、60℃の温水250部で洗浄する。次に、2%塩
酸500部にリスラリーして、60℃で1時間撹拌した
後濾過して27.9部の銅フタロシアニンを得た。得ら
れた銅フタロシアニンは、X線回折図においてブラッグ
角度(2θ±0.2度)が7.6および9.2に特徴的
なピークを有するε型であった。
例中で部とは重量部を示す。 実施例 1 無水フタル酸30部、塩化第一銅9部、尿素48部およ
びメリット酸1.26部をスルフォラン230部中20
0℃で5時間加熱撹拌する。100℃以下まで冷却した
後に、60℃の温水250部で洗浄する。次に、2%塩
酸500部にリスラリーして、60℃で1時間撹拌した
後濾過して27.9部の銅フタロシアニンを得た。得ら
れた銅フタロシアニンは、X線回折図においてブラッグ
角度(2θ±0.2度)が7.6および9.2に特徴的
なピークを有するε型であった。
【0014】実施例 2 原料として、フタロニトリル30部、塩化第一銅9部、
ヘミメリット酸1.26部およびスルフォラン230部
を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成および
精製して26.8部の銅フタロシアニンを得た。
ヘミメリット酸1.26部およびスルフォラン230部
を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成および
精製して26.8部の銅フタロシアニンを得た。
【0015】実施例 3 フタロニトリル30部の代わりに、2−アミノイミノイ
ソインドレニン35部を使用する以外は、実施例1と同
様の方法で合成および精製して27.3部の銅フタロシ
アニンを得た。
ソインドレニン35部を使用する以外は、実施例1と同
様の方法で合成および精製して27.3部の銅フタロシ
アニンを得た。
【0016】実施例 4〜6 合成時の添加剤として、第1表のフタロシアニン誘導体
1部を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成お
よび精製して、順に26.1,25.8および24.9
部の銅フタロシアニンを得た。
1部を使用する以外は、実施例1と同様の方法で合成お
よび精製して、順に26.1,25.8および24.9
部の銅フタロシアニンを得た。
【0017】
【表1】
【0018】実施例 7 合成時の添加剤としてε型銅フタロシアニンを使用する
以外は、実施例1と同様の方法で合成および精製して2
6.1部の銅フタロシアニンを得た。
以外は、実施例1と同様の方法で合成および精製して2
6.1部の銅フタロシアニンを得た。
【0019】比較例 1 フタロニトリル30部、塩化第一銅9部をキノリン40
0部中で210℃で8時間撹拌した後に、蒸留で溶媒を
取り除いた。温水およびアセトンで洗浄、濾過して2
7.5部の銅フタロシアニンクルードを得た。この銅フ
タロシアニンクルード20部を、98%硫酸の中に少し
ずつ溶解し、撹拌する。続いて、この硫酸溶液を800
0部の水中に注入して結晶を析出させる。この結晶を酸
が残留しなくなるまで蒸留水で洗浄して、α型銅フタロ
シアニン19部を得た。 このα型銅フタロシアニン1
0部、実施例4で使用した銅フタロシアニン誘導体0.
5部をジエチレングリコール60部とともにボールミル
で30時間かけてε型に結晶転移させた後、洗浄して
9.5部のε型銅フタロシアニンを得た。
0部中で210℃で8時間撹拌した後に、蒸留で溶媒を
取り除いた。温水およびアセトンで洗浄、濾過して2
7.5部の銅フタロシアニンクルードを得た。この銅フ
タロシアニンクルード20部を、98%硫酸の中に少し
ずつ溶解し、撹拌する。続いて、この硫酸溶液を800
0部の水中に注入して結晶を析出させる。この結晶を酸
が残留しなくなるまで蒸留水で洗浄して、α型銅フタロ
シアニン19部を得た。 このα型銅フタロシアニン1
0部、実施例4で使用した銅フタロシアニン誘導体0.
5部をジエチレングリコール60部とともにボールミル
で30時間かけてε型に結晶転移させた後、洗浄して
9.5部のε型銅フタロシアニンを得た。
【0020】次に、実施例および比較例で作成した銅フ
タロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写真感光
体の作製方法を述べる。共重合ナイロン(アミランCM
−8000;東レ(株)製)10部をエタノール190
部と共にボールミルで3時間混合した後、その塗液をポ
リエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にアル
ミニウムを蒸着したシート上にワイヤーバーで塗工す
る。乾燥した後、膜厚0.5ミクロンの下引き層を持つ
シートを得た。銅フタロシアニン2部をボールミル10
時間後に、テトラヒドロフラン97部にポリビニルブチ
ラール樹脂1部(BH−3;積水化学(株)製)を溶解
した樹脂液と共にボールミルで6時間分散した。この分
散液を下引き層上に塗工して、乾燥した後膜厚0.3ミ
クロンの電荷発生層を作製した。 ヒドラゾン誘導体
(a)またはブタジエン誘導体(b)を電荷輸送剤とし
て、電荷輸送剤1部、ポリカーボネート樹脂(パンライ
トK−1300;帝人化成(株)製)1部をジクロロメ
タン8部で混合溶解した。この塗液を電荷発生層上に塗
工して乾燥させた後に膜厚20ミクロンの電荷輸送層を
形成して、その電子写真特性を測定した。また、正孔輸
送性樹脂であるポリ(メチルフェニルシリレン)(PM
PS)(c)を使用した場合は、樹脂単独で膜厚20ミ
クロンの電荷輸送層を形成した。 (2)
タロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写真感光
体の作製方法を述べる。共重合ナイロン(アミランCM
−8000;東レ(株)製)10部をエタノール190
部と共にボールミルで3時間混合した後、その塗液をポ
リエチレンテレフタレート(PET)フィルム上にアル
ミニウムを蒸着したシート上にワイヤーバーで塗工す
る。乾燥した後、膜厚0.5ミクロンの下引き層を持つ
シートを得た。銅フタロシアニン2部をボールミル10
時間後に、テトラヒドロフラン97部にポリビニルブチ
ラール樹脂1部(BH−3;積水化学(株)製)を溶解
した樹脂液と共にボールミルで6時間分散した。この分
散液を下引き層上に塗工して、乾燥した後膜厚0.3ミ
クロンの電荷発生層を作製した。 ヒドラゾン誘導体
(a)またはブタジエン誘導体(b)を電荷輸送剤とし
て、電荷輸送剤1部、ポリカーボネート樹脂(パンライ
トK−1300;帝人化成(株)製)1部をジクロロメ
タン8部で混合溶解した。この塗液を電荷発生層上に塗
工して乾燥させた後に膜厚20ミクロンの電荷輸送層を
形成して、その電子写真特性を測定した。また、正孔輸
送性樹脂であるポリ(メチルフェニルシリレン)(PM
PS)(c)を使用した場合は、樹脂単独で膜厚20ミ
クロンの電荷輸送層を形成した。 (2)
【0021】
【化3】
【0022】(3)
【化4】
【0023】感光体の電子写真特性は、以下の方法で測
定した。静電複写紙試験装置(EPA−8100;川口
電機製作所(株)製)により、スタティックモード2、
コロナ帯電は−5.2(kV)、1(μW)の780n
mの単色光を照射して、帯電量が初期の1/2まで減少
する時間から半減露光量感度(E1/2)を調べた。
定した。静電複写紙試験装置(EPA−8100;川口
電機製作所(株)製)により、スタティックモード2、
コロナ帯電は−5.2(kV)、1(μW)の780n
mの単色光を照射して、帯電量が初期の1/2まで減少
する時間から半減露光量感度(E1/2)を調べた。
【0024】
【表2】
【0025】
【表3】
【0026】
【表4】
【0027】表2〜4の結果より、実施例の銅フタロシ
アニンを使用した感光体は、帯電性、感度などの電子写
真特性が良好であり、760nm以上の半導体レ−ザー
波長領域でも高感度であった。以上の結果より、本発明
の銅フタロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写
真感光体は、電子写真特性の優れた感光体であった。
アニンを使用した感光体は、帯電性、感度などの電子写
真特性が良好であり、760nm以上の半導体レ−ザー
波長領域でも高感度であった。以上の結果より、本発明
の銅フタロシアニンを電荷発生剤として使用した電子写
真感光体は、電子写真特性の優れた感光体であった。
【0028】
【発明の効果】本発明により合成した銅フタロシアニン
を電荷発生材料として使用することにより、優れた電子
写真特性を有する電子写真感光体を得ることが出来た。
本発明により、ε型銅フタロシアニンを一段で合成する
ことが出来る。さらには、そのε型銅フタロシアニンの
電子写真特性は、従来のα-CuPc からニーダーでミリン
グして結晶転移させたものより良好であった。
を電荷発生材料として使用することにより、優れた電子
写真特性を有する電子写真感光体を得ることが出来た。
本発明により、ε型銅フタロシアニンを一段で合成する
ことが出来る。さらには、そのε型銅フタロシアニンの
電子写真特性は、従来のα-CuPc からニーダーでミリン
グして結晶転移させたものより良好であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 直樹 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内 (72)発明者 森 高見 東京都中央区京橋二丁目3番13号 東洋イ ンキ製造株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 電荷発生剤が、フタル酸、フタロジニト
リル、イソインドレニンおよび/またはその誘導体、銅
またはその化合物、下記一般式(1)で示される化合物
の存在下で、不活性有機溶媒中で反応させてなる銅フタ
ロシアニンであることを特徴とする電子写真感光体。 一般式(1) 【化1】 〔式中、X1 〜X3 は水素原子、アルキル基、アリル
基、カルボキシル基、またはそれらより誘導される基を
表す。Y1 〜Y3 はカルボキシル基、ニトロ基および/
またはそれらより誘導される基を表す。XおよびYは同
一でも異なっていても良く、Yは2つ以上の基で閉環し
てイミドまたは酸無水物を形成しても良い。〕 - 【請求項2】 銅フタロシアニンがε型であることを特
徴とする請求項1記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 フタル酸、フタロジニトリル、イソイン
ドレニンおよび/またはその誘導体、銅またはその化合
物、下記一般式(1)で示される化合物の存在下、不活
性有機溶媒中で反応させる際に、フタロシアニン誘導体
を添加することを特徴とする請求項1または2記載の電
子写真感光体。 - 【請求項4】 フタル酸、フタロジニトリル、イソイン
ドレニンおよび/またはその誘導体、銅またはその化合
物、下記一般式(1)で示される化合物の存在下、不活
性有機溶媒中で反応させる際に、銅フタロシアニンを添
加することを特徴とする請求項1または2記載の電子写
真感光体。 - 【請求項5】 導電性支持体上に、電荷発生剤および電
荷輸送剤を使用してなる電子写真感光体において、電荷
発生剤が請求項1〜4記載の銅フタロシアニン化合物で
あり、電荷輸送剤がヒドラゾン誘導体、ブタジエン誘導
体または正孔輸送性樹脂の少なくとも一種以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項6】 フタル酸、フタロジニトリル、イソイン
ドレニンおよび/またはその誘導体、銅またはその化合
物、下記一般式(1)で示される化合物の存在下で、不
活性有機溶媒中で反応させることを特徴とするε型銅フ
タロシアニンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26267091A JPH0572776A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26267091A JPH0572776A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0572776A true JPH0572776A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17378974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26267091A Pending JPH0572776A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0572776A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002121420A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 銅フタロシアニン顔料及びその製造方法 |
KR100484589B1 (ko) * | 1999-07-21 | 2005-04-20 | 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 | 복합안료, 착색조성물 및 화상기록제 |
KR100959874B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2010-05-27 | 주식회사 퍼스트칼라 | 마이크로파를 이용한 ε형 동프탈로시아닌 그 안료의 제조장치 및 방법 |
JP2017005162A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP26267091A patent/JPH0572776A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100484589B1 (ko) * | 1999-07-21 | 2005-04-20 | 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 | 복합안료, 착색조성물 및 화상기록제 |
JP2002121420A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-04-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 銅フタロシアニン顔料及びその製造方法 |
KR100959874B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2010-05-27 | 주식회사 퍼스트칼라 | 마이크로파를 이용한 ε형 동프탈로시아닌 그 안료의 제조장치 및 방법 |
JP2017005162A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2561940B2 (ja) | ガリウムフタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH0629975B2 (ja) | 積層型電子写真用感光体 | |
JPS63198067A (ja) | 光半導体材料およびこれを用いた電子写真感光体 | |
US6656651B1 (en) | Photoconductive members | |
JPH01299874A (ja) | r型チタニウムフタロシアニン化合物,その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH0572776A (ja) | 電子写真感光体およびε型銅フタロシアニンの製造方法 | |
US5420268A (en) | Oxytitanium phthalocyanine imaging members and processes thereof | |
JP2000212462A (ja) | チタニルテトラアザポルフィリン誘導体混合物及びそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH10111576A (ja) | 電子写真感光体 | |
US5534376A (en) | Tetrafluoro hydroxygallium phthalocyanines and photoconductive imaging members | |
JP2599170B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05301876A (ja) | 新規なピレン系化合物及びその製造法並びに該化合物を含む電子写真感光体 | |
JP2542716B2 (ja) | ε型ニッケルフタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH0572775A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP3601627B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH01144057A (ja) | 光半導体材料およびこれを用いた電子写真感光体 | |
JP2819745B2 (ja) | バナジルフタロシアニン結晶、その製造方法及び電子写真感光体 | |
JPH01247464A (ja) | ε型亜鉛フタロシアニン化合物およびそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH01230581A (ja) | 新規な無金属フタロシアニン化合物,その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH10254155A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH08283599A (ja) | チタニルフタロシアニン顔料の製造方法及びかかる方法によって得られるチタニルフタロシアニン顔料を含有する電子写真感光体 | |
JPH02183262A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02256059A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2693955B2 (ja) | チタンフタロシアニン化合物,その製造方法およびそれを用いた電子写真感光体 | |
US5491228A (en) | Preparative processes for dihydroxygermanium phthalocyanine |