JPH0572719A - マスク生成方法 - Google Patents
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- JPH0572719A JPH0572719A JP4361792A JP4361792A JPH0572719A JP H0572719 A JPH0572719 A JP H0572719A JP 4361792 A JP4361792 A JP 4361792A JP 4361792 A JP4361792 A JP 4361792A JP H0572719 A JPH0572719 A JP H0572719A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ミクロン及びサブミクロンの特性をパターン
処理するための構造物１２のマスキング方法。 【構成】 構造物に吸着された分子の少なくとも一つの
単一層３２を形成し、エネルギー源４２の望ましいパタ
ーン３６に対応する部分を露光することにより、吸着さ
れた層の部分４６，４８を核形成し、核形成されるべき
部分上に選択的にビルドアップ層６６，６８を形成し、
パターン処理される構造物上にマスクを形成することを
含む。
処理するための構造物１２のマスキング方法。 【構成】 構造物に吸着された分子の少なくとも一つの
単一層３２を形成し、エネルギー源４２の望ましいパタ
ーン３６に対応する部分を露光することにより、吸着さ
れた層の部分４６，４８を核形成し、核形成されるべき
部分上に選択的にビルドアップ層６６，６８を形成し、
パターン処理される構造物上にマスクを形成することを
含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関連し、詳
細にはサブミクロン特性を形成するためマスキングする
方法に関連する。
細にはサブミクロン特性を形成するためマスキングする
方法に関連する。
【０００２】
【従来の技術及び課題】半導体業界においては、常にエ
レクトロニクス装置の高密化に向けて努力されてきた。
本産業において高密化のために、ミクロン及びサブミク
ロン寸法の特性が用いられるようになったので、その様
な微細な特性を形成するために、マスキング方法を改良
する必要性が増大した。
レクトロニクス装置の高密化に向けて努力されてきた。
本産業において高密化のために、ミクロン及びサブミク
ロン寸法の特性が用いられるようになったので、その様
な微細な特性を形成するために、マスキング方法を改良
する必要性が増大した。
【０００３】サブミクロン寸法の特性の分解能を高くす
る一つの方法は、特性のパターン処理されたイメージを
表示するために用いられる、光イメージング・システム
のアパーチャの数を増加することである。残念なこと
に、分解能を高くするために、イメージング・システム
のアパーチャの数を増加することにより、フィールドが
著しく浅くなる。
る一つの方法は、特性のパターン処理されたイメージを
表示するために用いられる、光イメージング・システム
のアパーチャの数を増加することである。残念なこと
に、分解能を高くするために、イメージング・システム
のアパーチャの数を増加することにより、フィールドが
著しく浅くなる。
【０００４】従来のマスキング技術に関連する他の問題
には、厚いレジスト層を介するレジストの露光の均等性
の欠如とレジストの下の反射金属化された表面により、
レジスト層中に散在する光などがある。これらの問題
は、初めに誤って定められたパターンを設けることによ
り、分解能の損失の問題を複合する傾向にある。従っ
て、半導体装置に、分解能の高いサブミクロン寸法の特
性を形成する方法が必要である。
には、厚いレジスト層を介するレジストの露光の均等性
の欠如とレジストの下の反射金属化された表面により、
レジスト層中に散在する光などがある。これらの問題
は、初めに誤って定められたパターンを設けることによ
り、分解能の損失の問題を複合する傾向にある。従っ
て、半導体装置に、分解能の高いサブミクロン寸法の特
性を形成する方法が必要である。
【０００５】
【課題を解決するための方法および作用】この方法はミ
クロン及びサブミクロンの特性をパターン処理するため
の構造物をマスキングする方法であり、構造物に吸着さ
れた分子の少なくとも一つの単一層を形成し、エネルギ
ー源の望ましいパターンに対応する部分を露光すること
により、吸着された層の一部を核形成し、核形成される
べき部分上に選択的にビルドアップ層を形成し、パター
ン処理される構造物上にマスクを形成することを含む。
クロン及びサブミクロンの特性をパターン処理するため
の構造物をマスキングする方法であり、構造物に吸着さ
れた分子の少なくとも一つの単一層を形成し、エネルギ
ー源の望ましいパターンに対応する部分を露光すること
により、吸着された層の一部を核形成し、核形成される
べき部分上に選択的にビルドアップ層を形成し、パター
ン処理される構造物上にマスクを形成することを含む。
【０００６】吸着された層は、核形成されるべきサイト
を除き、構造物から除去された後、ビルドアップ層が形
成され、構造物の一部分はミクロンまたはサブミクロン
の特性でパターン処理されて形成されるようにエッチさ
れることが望ましい。また、核形成されるべき部分及び
ビルドアップ層は、最終構造物の動作に有害でない場
合、前記最終構造物の一部分として残され、ビルドアッ
プ層は有機エッチレジストをパターン処理するために用
いられ、構造物は単一層基板または少なくとも基板層上
の一つの層であり、エネルギー源は放射エネルギーまた
は粒子エネルギーであり、核形成されるべき部分及び／
またはビルドアップ層は、真空室内で形成され、エネル
ギー解離可能なガスまたは金属から形成され得る。
を除き、構造物から除去された後、ビルドアップ層が形
成され、構造物の一部分はミクロンまたはサブミクロン
の特性でパターン処理されて形成されるようにエッチさ
れることが望ましい。また、核形成されるべき部分及び
ビルドアップ層は、最終構造物の動作に有害でない場
合、前記最終構造物の一部分として残され、ビルドアッ
プ層は有機エッチレジストをパターン処理するために用
いられ、構造物は単一層基板または少なくとも基板層上
の一つの層であり、エネルギー源は放射エネルギーまた
は粒子エネルギーであり、核形成されるべき部分及び／
またはビルドアップ層は、真空室内で形成され、エネル
ギー解離可能なガスまたは金属から形成され得る。
【０００７】
【実施例】図１では、図示されていないが、適切なシー
ルで気密にされる圧力室２２に構造物１２が置かれ、注
入口２４と放出口２６が設けられる。注入口２４と放出
口２６はそれぞれ流量バルブ２８と３０を持ち、圧力室
２２への出入りを制御する。構造物１２は実施例によ
り、材料の単一層または様々な材料の多重層であり得
る。重要な点は、構造物１２の一部をパターン処理する
必要があるということである。
ルで気密にされる圧力室２２に構造物１２が置かれ、注
入口２４と放出口２６が設けられる。注入口２４と放出
口２６はそれぞれ流量バルブ２８と３０を持ち、圧力室
２２への出入りを制御する。構造物１２は実施例によ
り、材料の単一層または様々な材料の多重層であり得
る。重要な点は、構造物１２の一部をパターン処理する
必要があるということである。
【０００８】感光性ガスが、注入口２４から圧力室２２
へ注入される。例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 ）のような感光性ガスは、光解離し（すな
わち、光の特定な波長にさらされることにより、より単
純な構成要素に分けられ）構造物１２表面に、一つ以上
の（アルミニウムのような）構成物を被着する。感光性
ガスは例えば２０トルに圧縮され、吸着されたガスの分
子の単一層３２が、構造物１２で形成される。所定時間
の後、吸着されていない感光性ガスは、放出口２６を介
して放出される。
へ注入される。例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ
（ＣＨ3 ）3 ）のような感光性ガスは、光解離し（すな
わち、光の特定な波長にさらされることにより、より単
純な構成要素に分けられ）構造物１２表面に、一つ以上
の（アルミニウムのような）構成物を被着する。感光性
ガスは例えば２０トルに圧縮され、吸着されたガスの分
子の単一層３２が、構造物１２で形成される。所定時間
の後、吸着されていない感光性ガスは、放出口２６を介
して放出される。
【０００９】その後構造物１２は図２に示されるよう
に、例えば投影プリンタのような光イメージング・シス
テム３４の中に置かれる。システム３４には、構造物１
２とフォトパターン処理マスク３６を収める部屋３５が
ある。マスク３６は構造物１２上で移動できるように部
屋３５に設けられ、例えば切抜き３８及び４０のような
切抜きが設けられ、構造物１２に移されるべき望ましい
パターンに対応する。エネルギー源４２が部屋３５に置
かれ、吸着された単一層３２を光解離するのに必要な光
を提供する。
に、例えば投影プリンタのような光イメージング・シス
テム３４の中に置かれる。システム３４には、構造物１
２とフォトパターン処理マスク３６を収める部屋３５が
ある。マスク３６は構造物１２上で移動できるように部
屋３５に設けられ、例えば切抜き３８及び４０のような
切抜きが設けられ、構造物１２に移されるべき望ましい
パターンに対応する。エネルギー源４２が部屋３５に置
かれ、吸着された単一層３２を光解離するのに必要な光
を提供する。
【００１０】エネルギー源４２は吸着された層３２と両
立性があるように選ばれる。矢印４４で示されるエネル
ギー光線は、吸着された層３２のガスを、解離するのに
十分なエネルギーを持たなければならない。例としての
み挙げるならば、約１９３ナノメートルの波長は、選択
され得る大抵のガスを、光イメージング・システムで光
解離するのに十分であろう。
立性があるように選ばれる。矢印４４で示されるエネル
ギー光線は、吸着された層３２のガスを、解離するのに
十分なエネルギーを持たなければならない。例としての
み挙げるならば、約１９３ナノメートルの波長は、選択
され得る大抵のガスを、光イメージング・システムで光
解離するのに十分であろう。
【００１１】吸着された単一層３２は、マスク３６の切
抜き３８及び４０を介して、エネルギー源４２にさらさ
れる。前述のようにエネルギー源４２は、吸着された層
３２を光解離させ、構造物１２の上に核形成されるべき
サイト４６と４８を形成させる。核形成されるべきサイ
ト４６と４８は、吸着された層３２の感光性ガスの、よ
り単純な構成要素の一つから成る。例えばもし感光性ガ
スが、トリメチルアルミニウムを含むならば、光解離に
よりメチル（ＣＨ3 ）は、構造物１２の表面から取り除
かれ、アルミニウム（Ａｌ）から成る核形成されるべき
サイトを残す。
抜き３８及び４０を介して、エネルギー源４２にさらさ
れる。前述のようにエネルギー源４２は、吸着された層
３２を光解離させ、構造物１２の上に核形成されるべき
サイト４６と４８を形成させる。核形成されるべきサイ
ト４６と４８は、吸着された層３２の感光性ガスの、よ
り単純な構成要素の一つから成る。例えばもし感光性ガ
スが、トリメチルアルミニウムを含むならば、光解離に
よりメチル（ＣＨ3 ）は、構造物１２の表面から取り除
かれ、アルミニウム（Ａｌ）から成る核形成されるべき
サイトを残す。
【００１２】核形成されるべきサイト４６と４８を囲む
吸着された層３２は、マスク３６が核形成されるべきサ
イトしか露出しないため、エネルギー源４２による影響
を受けない。この時点において、吸着された層３２の残
りの非核形成領域を、熱処理、溶解またはエッチングな
どの適切な方法により、取り除くことが望ましい。これ
により後続する段階では、よけいなもののない表面が提
供されるであろう。
吸着された層３２は、マスク３６が核形成されるべきサ
イトしか露出しないため、エネルギー源４２による影響
を受けない。この時点において、吸着された層３２の残
りの非核形成領域を、熱処理、溶解またはエッチングな
どの適切な方法により、取り除くことが望ましい。これ
により後続する段階では、よけいなもののない表面が提
供されるであろう。
【００１３】核形成されるべきサイトは、その後望まし
いパターンのマスクを形成する領域でサイトに接合する
被着を、更に始めるために用いられる。これは選択的被
着（例えば、指示エネルギーに補助された化学的蒸気被
着（ＣＶＤ）によるＷＦ6 からタングステン）によって
なされ、核形成されるべきサイトによって核形成され得
る。この方法により、ビルドアップ層６６と６８は核形
成されるべきサイト４６と４８に選択的に被着される。
これが真空でなされ得るか否かは、工程と使われる材料
による。
いパターンのマスクを形成する領域でサイトに接合する
被着を、更に始めるために用いられる。これは選択的被
着（例えば、指示エネルギーに補助された化学的蒸気被
着（ＣＶＤ）によるＷＦ6 からタングステン）によって
なされ、核形成されるべきサイトによって核形成され得
る。この方法により、ビルドアップ層６６と６８は核形
成されるべきサイト４６と４８に選択的に被着される。
これが真空でなされ得るか否かは、工程と使われる材料
による。
【００１４】図３では、ビルドアップのために準備した
核形成されるべきサイト４６と４８をもつ構造物１２
は、パターン処理されないエネルギー露光装置５０に
（例えば、タングステンの選択的被着によるビルドアッ
プの代替として）、代わりに置かれる。装置５０は、適
切に密封され、注入口５４と放出口５６を持つ真空室５
２を提供する。注入口５４と放出口５６は、それぞれ流
量バルブ５８と６０を持ち、真空室５２への出入りを制
御する。エネルギー源６２は真空室５２の上におかれ、
エネルギー露光の間、光解離を起こすのに必要な光を提
供する。エネルギー源６２はエネルギー露光に選ばれた
感光性ガスと両立性がなければならない。矢印６４で示
されるように、感光性ガスが注入口５４を介して、真空
室５２を満たす。エネルギー源６２は活性化され、矢印
６５で示されるエネルギー光線を放ち、この光線は、感
光性ガスで満たされた真空室５２へ通り抜ける。エネル
ギー光線はガスをより単純な構成要素へと光解離し、圧
縮可能、及び圧縮不可能な原子を作る。圧縮可能な原子
は、核形成されるべきサイト４６と４８で選択的に核形
成される。従って、核形成されるべきサイト４６と４８
は、ビルドアップ層６６と６８を形成する圧縮可能な原
子の層を組み立てる。所定の時間の後、残りのガスは矢
印７０で示されるように、放出口５６から放出される。
従って、もし感光性ガスがトリメチルアルミニウムなら
ば、エネルギー光線６６はガスを部分的に解離された物
質に解離する。三つのメチル分子のうち一つか二つは圧
縮不可能なガスのままであるが、一方アルミニウム原子
及び残っているメチル分子は圧縮可能であろう。圧縮可
能な原子は核形成されるべきサイト４６と４８上に集ま
り、ビルドアップ層６６と６８を形成するため更に解離
する。
核形成されるべきサイト４６と４８をもつ構造物１２
は、パターン処理されないエネルギー露光装置５０に
（例えば、タングステンの選択的被着によるビルドアッ
プの代替として）、代わりに置かれる。装置５０は、適
切に密封され、注入口５４と放出口５６を持つ真空室５
２を提供する。注入口５４と放出口５６は、それぞれ流
量バルブ５８と６０を持ち、真空室５２への出入りを制
御する。エネルギー源６２は真空室５２の上におかれ、
エネルギー露光の間、光解離を起こすのに必要な光を提
供する。エネルギー源６２はエネルギー露光に選ばれた
感光性ガスと両立性がなければならない。矢印６４で示
されるように、感光性ガスが注入口５４を介して、真空
室５２を満たす。エネルギー源６２は活性化され、矢印
６５で示されるエネルギー光線を放ち、この光線は、感
光性ガスで満たされた真空室５２へ通り抜ける。エネル
ギー光線はガスをより単純な構成要素へと光解離し、圧
縮可能、及び圧縮不可能な原子を作る。圧縮可能な原子
は、核形成されるべきサイト４６と４８で選択的に核形
成される。従って、核形成されるべきサイト４６と４８
は、ビルドアップ層６６と６８を形成する圧縮可能な原
子の層を組み立てる。所定の時間の後、残りのガスは矢
印７０で示されるように、放出口５６から放出される。
従って、もし感光性ガスがトリメチルアルミニウムなら
ば、エネルギー光線６６はガスを部分的に解離された物
質に解離する。三つのメチル分子のうち一つか二つは圧
縮不可能なガスのままであるが、一方アルミニウム原子
及び残っているメチル分子は圧縮可能であろう。圧縮可
能な原子は核形成されるべきサイト４６と４８上に集ま
り、ビルドアップ層６６と６８を形成するため更に解離
する。
【００１５】図４は、本発明による好ましい実施例の最
終段階の結果を示す。ビルドアップ層６６と６８の下の
望ましいパターンは、ハロゲンを主成分としたエチャン
トによる、プラズマ・ドライ・エッチングのような、適
切なエッチング工程により、ビルドアップ層６６と６８
の下以外の構造物１２をエッチングし、構造物１２へ移
されても良い。これにより、構造物１２の一部、核形成
されるべきサイト４６と４８及びビルドアップ層６６と
６８をそれぞれ含む、層状の柱が形成される。
終段階の結果を示す。ビルドアップ層６６と６８の下の
望ましいパターンは、ハロゲンを主成分としたエチャン
トによる、プラズマ・ドライ・エッチングのような、適
切なエッチング工程により、ビルドアップ層６６と６８
の下以外の構造物１２をエッチングし、構造物１２へ移
されても良い。これにより、構造物１２の一部、核形成
されるべきサイト４６と４８及びビルドアップ層６６と
６８をそれぞれ含む、層状の柱が形成される。
【００１６】一旦プラズマ・エッチングが終了すると、
例えば、用いられた材料及び後続の処理工程と、終了し
た装置への影響によるが、エッチングプロセスにより核
形成されるべきサイト４６と４８、及びビルドアップ層
が取り除かれるか、または、そのままで残され得る。こ
の結果、構造物１２上に望ましいサブミクロンのパター
ンが形成される。
例えば、用いられた材料及び後続の処理工程と、終了し
た装置への影響によるが、エッチングプロセスにより核
形成されるべきサイト４６と４８、及びビルドアップ層
が取り除かれるか、または、そのままで残され得る。こ
の結果、構造物１２上に望ましいサブミクロンのパター
ンが形成される。
【００１７】上述の方法は、様々な実施例及び様々な工
程と材料において用いられ得る。構造物１２上にパター
ン処理されたイメージを表示するために用いられるエネ
ルギーは、ソースの広域スペクトルを囲み得る。これら
はＨｇアーク放電ランプからのｇラインやｉラインのよ
うな、普段用いられているものを含む。あるいは例え
ば、遠紫外光、Ｘ線、ｅビームまたはイオンソースが用
いられ得る。従って、特定のエネルギー源による制限が
克服される。光解離と感光の用語は、上述の便宜上、用
いられるが、例えば記述された放射エネルギーまたは電
磁気エネルギーまたは粒子エネルギーなどで置き換えら
れ得る。（例：光解離はエネルギー解離と置き換えられ
得る）
程と材料において用いられ得る。構造物１２上にパター
ン処理されたイメージを表示するために用いられるエネ
ルギーは、ソースの広域スペクトルを囲み得る。これら
はＨｇアーク放電ランプからのｇラインやｉラインのよ
うな、普段用いられているものを含む。あるいは例え
ば、遠紫外光、Ｘ線、ｅビームまたはイオンソースが用
いられ得る。従って、特定のエネルギー源による制限が
克服される。光解離と感光の用語は、上述の便宜上、用
いられるが、例えば記述された放射エネルギーまたは電
磁気エネルギーまたは粒子エネルギーなどで置き換えら
れ得る。（例：光解離はエネルギー解離と置き換えられ
得る）
【００１８】マスキング層を作るため、核形成され得る
被着工程もまた、範囲が広域である。例えば、化学的蒸
気被着（ＣＶＤ）、光活性化または高プラズマＣＶＤ、
または電子サイクロトロン共鳴被着に用いられる、いか
なる気体も用いられ得る。（一般的に有機金属またはメ
タルハロゲンが用いられる）被着される材料は金属、絶
縁体または半導体であり得る。金属の選択は有機金属
（マスキング技術に普段用いられるもの）の低温領域に
限られるものではないが、実施例によって引き出され
る。結果として、上述のマスキング設計の実施例は非常
に多様である。例えば、高分解度イオン・インプラン
ト、酸化シリコン、または下にあるフィルムのエッチン
グをマスクするために用いられ得る。マスキングは他の
マスキング材料をパターン処理するために用いられ、そ
の後最終工程でパーマネント特性を非直接的にパターン
処理するため（例：有機エッチレジストをマスクするた
め）に用いられ得る。
被着工程もまた、範囲が広域である。例えば、化学的蒸
気被着（ＣＶＤ）、光活性化または高プラズマＣＶＤ、
または電子サイクロトロン共鳴被着に用いられる、いか
なる気体も用いられ得る。（一般的に有機金属またはメ
タルハロゲンが用いられる）被着される材料は金属、絶
縁体または半導体であり得る。金属の選択は有機金属
（マスキング技術に普段用いられるもの）の低温領域に
限られるものではないが、実施例によって引き出され
る。結果として、上述のマスキング設計の実施例は非常
に多様である。例えば、高分解度イオン・インプラン
ト、酸化シリコン、または下にあるフィルムのエッチン
グをマスクするために用いられ得る。マスキングは他の
マスキング材料をパターン処理するために用いられ、そ
の後最終工程でパーマネント特性を非直接的にパターン
処理するため（例：有機エッチレジストをマスクするた
め）に用いられ得る。
【００１９】後述の表１は、前述の方法で用いられ得る
材料の一例リストである。表はマスキング材料（例え
ば、Ａ１核形成されるべき領域及び／またはビルドアッ
プ層）、キャリア類（例えば、光解離可能なガスとして
のＡ１（ＣＨ3）3 またはエネルギー解離可能なガスと
してのＷＦ6 ）、及びエッチングされた材料（例えば、
サブミクロンの特性が形成される、構造物１２の上部
層）の可能な組み合わせを含む。表は明確化と例のため
であり、限定的な意味のものと解釈すべきではない。
材料の一例リストである。表はマスキング材料（例え
ば、Ａ１核形成されるべき領域及び／またはビルドアッ
プ層）、キャリア類（例えば、光解離可能なガスとして
のＡ１（ＣＨ3）3 またはエネルギー解離可能なガスと
してのＷＦ6 ）、及びエッチングされた材料（例えば、
サブミクロンの特性が形成される、構造物１２の上部
層）の可能な組み合わせを含む。表は明確化と例のため
であり、限定的な意味のものと解釈すべきではない。
【表１】
【００２０】これまで、好ましい実施例について詳しく
説明してきた。本発明の範囲には、ここに述べられたも
のと異なる実施例も含むことを理解されたい。含むとい
う表現は、本発明の範囲を考慮した場合、排除されない
という意味に解釈されるべきである。
説明してきた。本発明の範囲には、ここに述べられたも
のと異なる実施例も含むことを理解されたい。含むとい
う表現は、本発明の範囲を考慮した場合、排除されない
という意味に解釈されるべきである。
【００２１】本発明を実施例に関して説明してきたが、
この説明は限定的な意味のものと解釈されるべきではな
い。本発明の他の実施例と共に、説明された実施例の各
種の修正及び組み合わせが、本明細書を参考にして同業
者には明らかとなるであろう。従って、添付の特許請求
の範囲がそれらの修正または実施例を含むものと解釈さ
れるべきである。
この説明は限定的な意味のものと解釈されるべきではな
い。本発明の他の実施例と共に、説明された実施例の各
種の修正及び組み合わせが、本明細書を参考にして同業
者には明らかとなるであろう。従って、添付の特許請求
の範囲がそれらの修正または実施例を含むものと解釈さ
れるべきである。
【００２２】以上の説明に関して更に以下の事項を開示
する。 （１） ミクロン及びサブミクロン特性をパターン処理
する構造物をマスキングする方法であって、前記構造物
に吸着された分子の少なくとも一つの単一層を形成し、
エネルギー源の望ましいパターンに対応した前記部分を
露光することによって前記吸着された層の部分を核形成
し、パターン処理されるべき前記構造物上にマスクを形
成する前記核形成されるべき部分上に選択的にビルドア
ップ層を形成することを含む。
する。 （１） ミクロン及びサブミクロン特性をパターン処理
する構造物をマスキングする方法であって、前記構造物
に吸着された分子の少なくとも一つの単一層を形成し、
エネルギー源の望ましいパターンに対応した前記部分を
露光することによって前記吸着された層の部分を核形成
し、パターン処理されるべき前記構造物上にマスクを形
成する前記核形成されるべき部分上に選択的にビルドア
ップ層を形成することを含む。
【００２３】（２） 第１項の方法で、前記吸着された
層は、前記ビルドアップ層が形成される前に、核形成さ
れるべきサイトを除き、前記構造物から取り除かれる。
層は、前記ビルドアップ層が形成される前に、核形成さ
れるべきサイトを除き、前記構造物から取り除かれる。
【００２４】（３） 第１項の方法で、前記構造物の一
部は、パターン処理されたミクロンまたはサブミクロン
特性を形成するためエッチングされる。
部は、パターン処理されたミクロンまたはサブミクロン
特性を形成するためエッチングされる。
【００２５】（４） 第３項の方法で、前記核形成され
るべき部分及び前記ビルドアップ層は、最終構造物の動
作に対し有害ではなく、前記最終構造物の一部分として
残される。
るべき部分及び前記ビルドアップ層は、最終構造物の動
作に対し有害ではなく、前記最終構造物の一部分として
残される。
【００２６】（５） 第１項の方法で、前記核形成され
るべき部分と前記ビルドアップ層は有機エッチレジスト
をパターン処理するために用いられる。
るべき部分と前記ビルドアップ層は有機エッチレジスト
をパターン処理するために用いられる。
【００２７】（６） 第１項の方法で、前記構造物は単
一層基板である。
一層基板である。
【００２８】（７） 第１項の方法で、前記構造物は基
板層上の少なくとも一つの層である。
板層上の少なくとも一つの層である。
【００２９】（８） 第１項の方法で、前記エネルギー
源は放射エネルギー源である。
源は放射エネルギー源である。
【００３０】（９） 第１項の方法で、前記エネルギー
源は粒子エネルギー源である。
源は粒子エネルギー源である。
【００３１】（１０） 第１項の方法で、前記核形成さ
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層は真空室
内で形成される。
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層は真空室
内で形成される。
【００３２】（１１） 第１項の方法で、前記核形成さ
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層はエネル
ギー解離ガスから形成される。
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層はエネル
ギー解離ガスから形成される。
【００３３】（１２） 第１項の方法で、前記核形成さ
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層は金属で
ある。
れるべき部分及び／または前記ビルドアップ層は金属で
ある。
【００３４】（１３） この方法はミクロン及びサブミ
クロンの特性をパターン処理するための構造物１２をマ
スキングする方法であり、構造物に吸着された分子の少
なくとも一つの単一層３２を形成し、エネルギー源４２
の望ましいパターン３６に対応する部分を露光すること
により、吸着された層の部分４６、４８を核形成し、核
形成されるべき部分上に選択的にビルドアップ層６６、
６８を形成し、パターン処理される構造物上にマスクを
形成することを含む。
クロンの特性をパターン処理するための構造物１２をマ
スキングする方法であり、構造物に吸着された分子の少
なくとも一つの単一層３２を形成し、エネルギー源４２
の望ましいパターン３６に対応する部分を露光すること
により、吸着された層の部分４６、４８を核形成し、核
形成されるべき部分上に選択的にビルドアップ層６６、
６８を形成し、パターン処理される構造物上にマスクを
形成することを含む。
【００３５】〔注意〕 （Ｃ）著作権。テキサス・インスツルメンツ・インコー
ポレーティッド１９９１年。本特許明細書の開示の一部
分は著作権及びマスクワーク保護の対象となる資料を含
んでいる。本著作権及びマスクワークの所有者は、本特
許書類または特許開示が特許及び商標庁の特許書類また
は記録に用いられるために複写されることに異議を唱え
るものではないが、それ以外については、あらゆる著作
権及びマスクワークに関する権利が保有される。 〔関連出願に関するクロス・リファレンス〕次の米国特
許及び特許出願をここに参考のために引用する。 出願番号 出願日 テキサス社番号 ５５５，２２９ １９９０年７月１９日 ＴＩ−１０８２４Ａ ６０６，２３１ １９９０年１０月３１日 ＴＩ−１４２３７
ポレーティッド１９９１年。本特許明細書の開示の一部
分は著作権及びマスクワーク保護の対象となる資料を含
んでいる。本著作権及びマスクワークの所有者は、本特
許書類または特許開示が特許及び商標庁の特許書類また
は記録に用いられるために複写されることに異議を唱え
るものではないが、それ以外については、あらゆる著作
権及びマスクワークに関する権利が保有される。 〔関連出願に関するクロス・リファレンス〕次の米国特
許及び特許出願をここに参考のために引用する。 出願番号 出願日 テキサス社番号 ５５５，２２９ １９９０年７月１９日 ＴＩ−１０８２４Ａ ６０６，２３１ １９９０年１０月３１日 ＴＩ−１４２３７
【図１】吸着された層の形成を示す断面図。
【図２】核形成されるべきサイトの形成段階を示す断面
図。
図。
【図３】パターン処理されていないエネルギー露出の断
面図。
面図。
【図４】パターンを移すのにエッチャントを用いた後の
結果を示す断面図。
結果を示す断面図。
１２ 構造物 ２２ 圧力室 ３２ 吸着された層 ３６ 望ましいパターン ４２，６２ エネルギー源 ４６，４８ 核形成されるべきサイト ５２ 真空室 ２４，５４ 注入口 ２８，３０，５８，６０ 流量バルブ ２６，５６ 放出口 ６６，６８ ビルドアップ層
Claims (1)
- 【請求項１】 ミクロン及びサブミクロン特性をパター
ン処理する構造物をマスキングする方法であって、 前記構造物に吸着された分子の少なくとも一つの単一層
を形成し、 エネルギー源の望ましいパターンに対応した前記部分を
露光することによって前記吸着された層の部分を核形成
し、 パターン処理されるべき前記構造物上にマスクを形成す
る前記核形成されるべき部分上に選択的にビルドアップ
層を形成することを含むマスク生成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US66253891A | 1991-02-28 | 1991-02-28 | |
| US662538 | 1991-02-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572719A true JPH0572719A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=24658124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4361792A Pending JPH0572719A (ja) | 1991-02-28 | 1992-02-28 | マスク生成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6432317B1 (ja) |
| EP (1) | EP0501278B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0572719A (ja) |
| DE (1) | DE69227137T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515641A (ja) * | 2012-02-21 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 原子層堆積リソグラフィ |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6878417B2 (en) * | 1997-11-12 | 2005-04-12 | John C. Polanyi | Method of molecular-scale pattern imprinting at surfaces |
| WO2018209019A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | Arch Chemicals, Inc. | Floating pool sanitizer with locking device |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7608152A (nl) * | 1975-07-28 | 1977-02-01 | Hitachi Ltd | Werkwijze voor de vorming van patronen. |
| US4282647A (en) * | 1978-04-04 | 1981-08-11 | Standard Microsystems Corporation | Method of fabricating high density refractory metal gate MOS integrated circuits utilizing the gate as a selective diffusion and oxidation mask |
| US4560421A (en) * | 1980-10-02 | 1985-12-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| DE3377597D1 (en) * | 1982-04-12 | 1988-09-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Method for forming micropattern |
| WO1983004269A1 (en) * | 1982-06-01 | 1983-12-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
| US4615904A (en) * | 1982-06-01 | 1986-10-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Maskless growth of patterned films |
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| EP0470784A3 (en) * | 1990-08-10 | 1993-03-03 | Motorola Inc. | Method for selectively depositing a thin film |
| US5110760A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of nanometer lithography |
-
1992
- 1992-02-18 EP EP92102658A patent/EP0501278B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-18 DE DE69227137T patent/DE69227137T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-28 JP JP4361792A patent/JPH0572719A/ja active Pending
-
1994
- 1994-08-04 US US08/286,106 patent/US6432317B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015515641A (ja) * | 2012-02-21 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 原子層堆積リソグラフィ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69227137D1 (de) | 1998-11-05 |
| EP0501278A1 (en) | 1992-09-02 |
| DE69227137T2 (de) | 1999-04-22 |
| EP0501278B1 (en) | 1998-09-30 |
| US6432317B1 (en) | 2002-08-13 |
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