JPH0572718A

JPH0572718A - 露光用マスク及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0572718A
Application number: JP23832291A
Authority: JP
Inventors: Taiji Ema; 泰示江間
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-09-18
Filing date: 1991-09-18
Publication date: 1993-03-26

Abstract

(57)【要約】【目的】位相シフト法に使用する露光用マスクとこれを
用いる半導体装置の製造方法に関し、露光の際のパター
ンの縮小を抑制することを目的とする。【構成】縦横に隣接する複数の矩形領域Ｘ同士を対角線
の一方向に連結し、他方向に分離する連結領域６をもつ
平面形状のシフタパターン４、５が隣接して複数設けら
れるとともに、隣合う前記シフタパターン４、５の一方
の上に位相シフト層が形成されている露光用マスク１を
含み、又は、一方向に延びるストライプ状のシフタパタ
ーン44、45が隣接して複数形成され、隣合う前記シフタ
パターン44、45の一方の上に位相シフト層が形成される
とともに、前記シフタパターン44、45と直交する方向に
延在する帯状の遮光パターンが46一定の間隔をおいて複
数形成され、かつ、該遮光パターン46のうち前記シフト
パターン44、45と交差する部分に括れ47が形成されてい
ることを特徴とする露光用マスク41を含み構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光用マスク及び半導
体装置の製造方法に関し、より詳しくは、位相シフト法
に用いる露光用マスクとこれを使用する半導体装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】微細露光技術の進展には目覚ましいもの
があり、例えば文献 '90ＩＥＤＭ 821〜824 頁に記載さ
れているように、位相シフト法を用いた露光方法によれ
ば、ｉ線露光装置を使用して０．２μｍ程度のパターン
を形成することができる。

【０００３】この技術を適用すれば、例えばＤＲＡＭセ
ルを有する半導体記憶装置において２５６Ｍbit の実現
が可能になる。そのＤＲＡＭセルのうちスタック型のも
のは例えば図９(a) に示すような平面構造となってお
り、帯状の活性領域101 の上に絶縁膜を介して形成され
るワード線WLと、ワード線WLの両側の活性領域101 に形
成される不純物導入層102,103 と、一方の不純物導入層
102 に接続されるビット線BLと、その他方の不純物導入
層103 に接続されるキャパシタＱを有している。この場
合、ワード線WLと不純物導入層102,103 により転送トラ
ンジスタが構成され、また、ワード線WLや活性領域101
、ビット線BL、キャパシタＱの各層間には絶縁膜（不
図示）が形成され、それらを構成する膜の接続は絶縁膜
のコンタクトホールCHを通して行われる。

【０００４】ところで、キャパシタＱには種々の構造が
提案されているが、いずれも蓄積電極の表面積を増加さ
せて容量を増やす傾向にあり、例えば平面が矩形状、側
断面が図９(b) に示すような構造をしたキャパシタ104
がある。このキャパシタ104は、フィン状の蓄積電極105
、誘電体膜106 と、対向電極107 より構成されてい
る。

【０００５】なお、図中符号108 は、ＤＲＡＭセルを覆
うＰＳＧ膜を示している。ところで、キャパシタ104 は
ＤＲＡＭセルの配置にしたがって図９(a) に示すように
マトリクス状に縦横に設定されており、それらの蓄積電
極105 を上記した位相シフト法により同時にパターニン
グする場合には、図１０(a),(b) に示すような露光用マ
スク110 が使用されている。

【０００６】ここで用いられる露光用マスク110 は、縦
横方向に隣接する矩形領域111,112の面に段差を設け、
互い隣接する矩形領域111,112 の一方を透過した光の位
相を他方よりも相対的に１８０°シフトさせるものであ
り、しかも露光用マスク110を透過する光のうち段113
に沿った領域には隣接する矩形領域111 から侵入した光
が打ち消し合って光が照射されない部分が生じることに
なる。このため、上記した露光用マスク110 を用いてネ
ガ型フォトレジストを露光し、帯状の溝によって分離さ
れた矩形状のパターンが形成されれば理想的である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記したよう
な露光用マスク110を用いてｉ線による露光を行うと、
矩形領域の角の部分では、位相の相違する光の侵入量が
多くなって露光強度が小さくなり、現像後のパターンは
図１０(c) に示すような楕円形状に縮小してしまい、蓄
積電極105 の表面積が小さくなるといった問題が生じ
る。

【０００８】蓄積容量105 を増加させるためにセル領域
を広くすることも可能であるが、高集積化の要請に反す
る。また、フィン構造のものにあってはその枚数を増や
すことも考えられるが、パターン欠陥が生じ易くなって
歩留りの上で好ましくない。

【０００９】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、露光の際のパターンの縮小を抑制できる
露光用マスクとこれを用いる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、透明基板２の上において、縦横に隣接
する複数の矩形領域Ｘ同士を対角線の一方向に連結し、
他方向に分離する連結領域６をもつ平面形状のシフタパ
ターン４、５が隣接して複数設けられるとともに、隣合
う前記シフタパターン４、５の一方の上に位相シフト層
が形成されていることを特徴とする露光用マスク１によ
って達成する。

【００１１】または、図２に例示するように、前記露光
用マスク１をネガ型フォトレジスト８の上に配設して露
光した後に、該ネガ型フォトレジスト８を現像してパタ
ーニングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法により達成する。

【００１２】または、図６に例示するように、透明基板
42の上において、一方向に延びるストライプ状のシフタ
パターン44、45が隣接して複数形成され、隣合う前記シ
フタパターン44、45の一方の上に位相シフト層が形成さ
れるとともに、前記シフタパターン44、45と直交する方
向に延在する帯状の遮光パターンが46一定の間隔をおい
て複数形成され、かつ、該遮光パターン46のうち前記シ
フトパターン44、45と交差する部分に括れ47が形成され
ていることを特徴とする露光用マスク41によって達成す
る。

【００１３】または、図７に例示するように、前記露光
用マスク41をネガ型フォトレジスト49の上に配設して露
光した後に、前記露光マスク41をシフトパターン44、45
の延在方向に移動させて２回目の露光を行い、次に、前
記ネガ型フォトレジスト49を現像してパターニングする
工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法によ
り達成する。

【００１４】または、図４、５に例示するように、半導
体基板の上方に形成された半導体膜32、37の上にネガ型
フォトレジスト38を塗布する工程と、前記露光用マスク
１、41を用いて前記ネガ型フォトレジスト38を露光、現
像し、前記ネガ型フォトレジスト38をパターニングする
工程と、パターニングされた前記ネガ型フォトレジスト
38から露出する前記半導体膜32、37をエッチングするこ
とにより、前記半導体膜32、37をパターニングしてキャ
パシタの蓄積電極39とする工程と、前記蓄積電極39の表
面に前記キャパシタの誘電体膜40ａを形成する工程と、
前記誘電体40ａの表面に前記キャパシタの対向電極40ｂ
を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法によって達成する。

【００１５】

【作用】第１、２の発明によれば、縦横に隣接する複
数の矩形領域Ｘ同士を対角線の一方向に連結し、かつ他
方向に分離する連結領域６をもつ平面形状のシフタパタ
ーン４、５を形成し、これを用いてフォトレジストの露
光を行っている。

【００１６】このため、例えば中央の矩形領域のシフタ
パターン５について考えると、連結領域によって対角線
の一方向にシフタパターン５が延びているために、この
方向の領域を通る光強度は従来に比べて増加する。しか
し、シフタパターン５の連結領域の幅を解像限界以下に
しているために、斜め方向に隣接するパターンが繋がる
ことはない。一方、対角線の他方向は連結領域により削
られているが、元々この部分の光強度は小さく、その影
響は無視できる。

【００１７】これにより形成されるフォトレジスト８の
平面形状は図２(c)のように菱形状となり、従来の楕円
形状に比べてパターン面積が増加する。また、第３、４
の発明によれば、シフタパターン44、45をストライプ状
に複数形成する一方、シフタパターン44、45に直交する
方向に遮光パターン46を間隔をおいて複数形成し、その
うちシフタパターン44、45と交差する部分に括れ47を設
けている。

【００１８】このため、遮光パターン46の領域に挟まれ
る１つのシフタパターン45の角における露光領域が括れ
47により拡張されることになり、シフタパターン45の角
における露光領域の後退が抑制され、光照射面積が広が
り、これにより形成されるフォトレジスト49のパターン
は、図７(c) に示すように楕円よりも矩形に近い平面形
状となりそのパターン面積が増えることになる。

【００１９】また、第５の発明によれば、上記した露光
用マスク１、41をキャパシタの蓄積電極39を形成する際
に使用しているために、蓄積電極39の平面積が従来に比
べて大きくなり、その分だけキャパシタ容量が増加す
る。

【００２０】

【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。（ａ）本発明の第１実施例の説明図１(a) は本発明の一実施例装置を示す平面図、同図
(b) は、そのＡ−Ａ線断面図である。

【００２１】図中符号１は、ネガ型フォトレジストを露
光して矩形に近い潜像パターンを縦横に複数形成するた
めの露光用マスクで、この露光用マスク１のパターン
は、石英基板２の表面に設けた凹凸の段３によって区画
されている。

【００２２】ここで、露光用マスク１に入射する光の波
長をλとし、石英基板２の屈折率をｎとすると、凹状シ
フタパターン４と凸状シフタパターン５の段差ｄは、ｄ
＝λ／２（ｎ−１）の式に基づいて求められ、段３によ
って区画された各々の領域はシフタパターンとなり、凹
状シフタパターン４と凸状シフタパターン５に入射する
光はそれぞれ相対的に位相反転して透過し、その光がネ
ガ型フォトレジストに照射する。

【００２３】また、段３によって区画された露光用マス
ク１のシフタパターンは、図１(a)の破線に示すように
縦横に同じ大きさに配置される矩形領域Ｘの対角線の一
方を帯状の連結部６によって繋ぎ、その方向にある複数
の矩形領域Ｘを一体化するとともに、対角線の他方向の
矩形領域Ｘ相互間を連結部６によって分断するような形
状となっている。この場合の連結部６は、一体化される
矩形領域Ｘと同じ高さとなり、隣接する領域とは段３に
より区画されている。

【００２４】露光用マスク１の大きさは、例えば矩形領
域Ｘの長さＬが約１μｍ、その幅Ｗが約０．６μｍであ
り、また、連結部６の対角線の一方向の幅ｓが解像限界
以下、例えば約０．１５μｍである。

【００２５】次に、上述した露光用マスク１を用いてフ
ォトレジストをパターニングする工程について説明す
る。まず、図２(a) に示すように、パターニング対象と
なる膜７の上面にネガ型フォトレジスト８を塗布した後
に、露光用マスク１をその上方に配置し、ｉ線の光源を
用いてフォトレジスト８を露光すると、図２(b) に示す
ように、菱形の角を落とした潜像パターンが形成され
る。

【００２６】即ち、露光用マスク１の凹状シフタパター
ン４と凸状シフタパターン５に入射する光は同一である
が、段３によって石英基板２の厚さが異なり、いずれか
の領域において透過する光が相対的に位相反転するよう
な段差ｄになっている。このため、縦横方向に隣設され
た各矩形領域Ｘには、それぞれ所定の位相θの光と位相
が１８０°シフトした光（θ＋１８０°）が透過してフ
ォトレジスト８に照射される。一方、段３の下とその近
傍では、隣の領域から１８０°位相がずれた光が侵入
し、位相の異なる光が打ち消しあってフォトレジストに
光が照射されない領域が生じる。

【００２７】また、各シフタパターン４，５の連結部６
は、隣のシフタパターンからの光の侵入を抑制するの
で、相殺されない光が矩形領域Ｘの角に広く入り込んで
フォトレジスト８を照射する。

【００２８】連結部６の幅ｓは、解像限界以下に設定さ
れているために、対角線方向に隣設するパターン同士を
接続させることはない。一方、露光用マスク１におい
て、連結部６により分断される対角線方向の領域におい
ては、図１０に示す従来ものと比較してシフタパターン
が削られているが、元々この部分の光強度は小さく、そ
の影響は無視できる。

【００２９】この結果、連結部６に近い矩形領域Ｘの角
の領域では、従来のマスクを用いた場合よりも打ち消さ
れない光量が増加するため、露光後のフォトレジスト８
を現像すると、図２(b) に示すような菱形に近い形状と
なり、従来のマスクを使用する場合に比べてパターン面
積が従来のものよりも斜線の部分だけ拡大する。その増
加量は、１５％程度である。

【００３０】次に、このマスクの形成工程を図３に基づ
いて簡単に説明する。まず、図３(a) に示すように、石
英基板２にクロム膜１１を堆積し、電子線用レジスト１
２を塗布し、図３(b) に示すように、矩形領域の対角線
の一方を連結するような領域に電子線を照射し、電子線
用レジスト１２を現像する。ここで、クロム膜１１を堆
積するのは、電子線描画時のチャンージアップによりパ
ターン描画の位置等がズレるのを防止するためである。

【００３１】ついで、パターニングされた電子線用レジ
スト１２をマスクにして、塩素系ガスを用いたプラズマ
エッチング法によりクロム膜１１をパターニングし、続
いて電子線レジスト１２を溶剤により除去する（図３
(c))。

【００３２】さらに、図３(d）に示すように、フッ素系
ガスを使用したプラズマエッチング法により、クロム膜
１２から露出している石英基板２を段差ｄが得られるま
で薄層化し、段３を形成する。

【００３３】最後に、塩素系ガスを用いたプラズマエッ
チング法によってクロム膜１２を除去すると、段３によ
り区画されたシフタパターン４，５が形成され、これに
より図１に示すような露光用マスク１が完成する。

【００３４】次に、上述した位相シフト法によるＤＲＡ
Ｍのキャパシタを形成する工程を図４，５に基づいて簡
単に説明する。まず、図４(a) に示すようにｐ型シリコ
ン基板２１の表面には、活性領域を囲むSiO₂膜２２が選
択酸化法により形成され、その活性領域には１００Å程
度の厚さのSiO₂膜２３が形成されている。

【００３５】そして、活性領域のSiO₂膜２３の上には不
純物を含有した多結晶シリコンよりなるゲート電極２４
が形成され、また、ゲート電極２４の両側の活性領域に
はｎ型のソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）層２５，２６が形
成されており、これらによりＤＲＡＭセルの転送トラン
ジスタが構成されている。

【００３６】また、それらの上には層間絶縁膜２７が形
成されており、層間絶縁膜２７上に配線されるビット線
２８はコンタクトホール２９を通して一方のＳ／Ｄ層２
５に接続されている。

【００３７】このような状態において、まず、全体に窒
化膜３０を形成し、ついで、SiO₂膜３１、多結晶シリコ
ン膜３２、SiO₂膜３３を順に積層する。ついで、全体に
フォトレジスト３４を塗布してこの上方に一般的な露光
用マスクを配置して露光を行ってからフォトレジスト３
４を現像し、これにより、ビット線２８に接続されない
方のＳ／Ｄ層２６の上に窓３５を形成する。

【００３８】ついで、フォトレジスト３４をマスクに用
い、窓３５から露出する最上のSiO₂膜２３からシリコン
基板２１表面までをエッチングして蓄積電極用のコンタ
クトホール３６を開口する（図４(b))。

【００３９】この後に、全体に第二の多結晶シリコン膜
３７を積層し、続いてその上にネガ型フォトレジスト３
８を塗布する（図４(c))。そして、上記したようなシフ
タパターン４，５のある露光用マスク１とｉ線の光源を
使用し、露光用マスク１の矩形領域Ｘの中央を蓄積電極
用コンタクトホール３６に重なるように位置合わせして
ネガ型フォトレジスト３８を露光し、これを現像する
と、フォトレジスト３８は図２(c) に示すような平面形
状にパターニングされる（図５(d))。

【００４０】そこで、フォトレジスト３８をマスクにし
て最上層の多結晶シリコン膜３７と、その下のSiO₂膜３
３、多結晶シリコン膜３２を順にエッチングすると、多
結晶シリコン膜３２，３７の平面形状は図２(c) のよう
になり、またその断面形状は図５(e) に示すようなフィ
ン状となる。この多結晶シリコン膜３２，３７はキャパ
シタの蓄積電極３９となる。

【００４１】この後に、窒化膜３０の上のSiO₂膜３１，
３３を弗酸により等方的にエッチングし、ついで、蓄積
電極３９の表面に誘電体膜４０ａを被覆し、さらにＣＶ
Ｄ法によって全体に不純物を含有する多結晶シリコンを
形成して、これを対向電極４０ａとして使用する（図５
(f))。

【００４２】このような工程により形成された蓄積電極
３９、誘電体膜４０ａ及び対向電極４０ｂによってキャ
パシタが構成される。（ｂ）本発明の第２実施例の説明上記した実施例はシフタのみからなる露光用マスクを構
成しているが、遮光膜クロムパターンを併用して露光用
マスクを構成することもでき、以下にその実施例を説明
する。

【００４３】図６(a) は、本発明の第２実施例を示す露
光用マスクの平面図、同図(b),(c),(d)はそのＢ−Ｂ
線、Ｃ−Ｃ線断面図、Ｄ−Ｄ線断面図である。図中符号
４１は、石英基板４２の上面の縦方向に延びるストライ
プ状のシフタパターンを有する露光用マスクで、隣接す
るシフタパターンは段４３により縦方向に区画されて凹
状のシフタパターン４４と凸状のシフタパターン４５が
形成されている。

【００４４】また、ストライプのシフタパターン４４，
４５の上には、横方向に帯状に延在するクロムよりなる
遮光膜パターン４６が複数形成され、この遮光膜パター
ン４６のうちシフタパターン４４，４５と交差する領域
とその近傍には括れ４７が形成され、これにより遮光膜
パターン４６に覆われる範囲を部分的に狭くしている。

【００４５】例えば、帯状のシフタパターン４４，４５
の幅が１．０μｍの場合に、遮光膜パターン４６の幅を
０．７μｍ、遮光膜パターン４６の間隔を０．５μｍと
するとともに、遮光膜パターン４６のうちシフタパター
ン４６との交差領域では横方向０．４μｍ程度、縦方向
０．２μｍ程度の括れ４７を設ける。また、段４３によ
る段差ｄは第１実施例と同じ式によって決定される。

【００４６】次に、上記した露光用マスク４１を使用し
て、フォトレジストに潜像パターンを形成する工程を説
明する。まず、図７(a) に示すように、被パターニング
膜４８にネガ型ｉ線用レジスト４９を塗布した後に、そ
の上方に露光用マスク４１を配置し、図７(b) に示すよ
うに、ｉ線光源の光により露光を行うと、遮光膜パター
ン４６に挟まれた領域のシフタパターン４４，４５を透
過した光がｉ線用レジスト４９に照射されることにな
る。

【００４７】この場合、隣接するシフタパターン４４，
４５を透過する光はそれぞれ段差ｄによって位相が相対
的に１８０°シフトする。また、段４３近傍の光は隣の
パターン領域まで広がるために、パターンの境界に沿っ
て光が照射されない部分が生じる。

【００４８】一方、シフタパターン４４，４５の境界と
その近傍領域では、遮光膜パターン４６の括れ４７によ
って露光される領域が広がっているために、従来の露光
用マスクのように長方形の角が大きく後退することはな
く、光の照射領域が広がる。

【００４９】したがって、ｉ線用レジスト４９に転写さ
れるパターンは、図７(c) に示すように楕円よりも矩形
に近い形状になり、矩形の角が大きく後退することが抑
制される。これにより、光強度の大きな領域が斜線で示
す範囲まで広がり、その面積は図１０に示す従来のもの
よりも約３０％増加する。

【００５０】ところで、１回の露光を終えた状態では、
遮光膜パターン４６の下のｉ線レジスト４９は未露光部
分のままであり、この領域にパターンを形成する場合に
は、露光用マスクを縦方向に移設して未露光領域にシフ
タパターン４４，４５を位置させて２回目の露光を行
う。これにより、図７(c) の二点鎖線で示すように、前
工程で形成したと同じ形状の潜像パターンが未露光領域
に形成される。

【００５１】そしてこの後に、ｉ線用レジスト４９を現
像すると、０．２μｍ程度の間隔で、矩形状の角が取れ
た状態のシフタパターンが縦横に並ぶことになる。これ
により蓄積電極を形成すると、パターンの平面積は３０
％程度増加し、キャパシタ容量の増加に寄与することに
なる。

【００５２】次に、シフタパターン４４，４５及び遮光
膜パターン４６を有する露光用マスク４１の形成工程に
ついて説明する。まず、図８(a),(b) に示すように、石
英基板４２にクロム膜５０を堆積した後に、第１実施例
と同様な方法によりそのクロム膜５０をパターニングし
て幅１μｍ程度のストライプパターンを形成する。

【００５３】ついで、第１実施例と同様にクロム膜５０
をマスクに用いて石英基板４２をエッチングして薄層化
し、これによりシフタパターン４４，４５を形成する。
さらに、ストライプ状のクロム膜５０を除去した後に、
再び全面に別のクロム膜５１を堆積し、この上に電子線
用レジスト（不図示）を塗布し、図８(a) の一点鎖線で
囲むような電子線描画を行ってから電子線用レジストを
現像する。そして、電子線用レジストをマスクにして第
２のクロム膜５１をエッチングしてこれを遮光膜パター
ン４６となし、これにより露光用マスク４１が完成す
る。

【００５４】なお、上記した２つの実施例ではシフタパ
ターン４、５、44、45を段によって形成しているが、石
英基板の上にSiO₂等の位相シフト層を形成してシフタパ
ターンを構成してもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように第１、２の発明によれ
ば、縦横に隣接する複数の矩形領域同士を対角線の一方
向に連結し、かつ他方向に分離する連結領域をもつ平面
形状のシフタパターンを形成し、これを用いてフォトレ
ジストの露光を行っているので、矩形領域のシフタパタ
ーンは連結領域によって対角線の一方向に延びているた
めに、この方向の領域を通る光強度は従来に比べて増加
し、これにより形成されるフォトレジストの平面形状は
菱形状となり、従来の楕円形状よりもパターン面積を増
加することができる。

【００５６】しかも、シフタパターンの連結領域の幅を
解像限界以下にしているので、対角線の一方向に隣接す
るパターンが繋がることはなく、また、対角線の他方向
は連結領域により削られているが、元々この部分の光強
度は小さく、その影響は無視でき、パターンの分離を確
実に行うことができる。

【００５７】また、第３、４の発明によれば、シフタパ
ターンをストライプ状に複数形成する一方、シフタパタ
ーンに直交する方向に遮光パターンを間隔をおいて複数
形成し、そのうちシフタパターンと交差する部分に括れ
を設けているので、遮光パターンの領域に挟まれる１つ
のシフタパターンの角における露光領域が、その括れに
よって拡張され、これにより形成されるフォトレジスト
のパターンは、楕円よりも矩形に近い平面形状となりそ
のパターン面積を増加することができる。

【００５８】また、第５の発明によれば、上記した露光
用マスクをキャパシタの蓄積電極を形成する際に使用し
ているために、セルの面積を増やすことなく蓄積電極の
平面積を大きくすることができ、その分だけキャパシタ
容量が増加する。

【００５９】しかも、フィン型キャパシタにあってはフ
ィンの枚数を増やすことなく容量を増加することがで
き、歩留りを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例装置を示す平面図及び断面
図である。

【図２】本発明の第１実施例の露光用マスクを用いた露
光方法を示す側面図及び平面図である。

【図３】本発明の第１実施例装置の形成工程を示す断面
図及び平面図である。

【図４】本発明の第１実施例の露光用マスクを用いたＤ
ＲＡＭセルの形成工程の一例を示す断面図（その１）で
ある。

【図５】本発明の第１実施例の露光用マスクを用いたＤ
ＲＡＭセルの形成工程の一例を示す断面図（その２）で
ある。

【図６】本発明の第２実施例装置を示す平面図及び断面
図である。

【図７】本発明の第２実施例の露光用マスクを用いた露
光方法を示す側面図及び平面図である。

【図８】本発明の第２実施例装置の形成工程を示す断面
図及び平面図である。

【図９】ＤＲＡＭセルの一例を示す平面図と、フィン状
電極を有するキャパシタの一例を示す断面図である。

【図１０】従来の露光用マスクの一例を示す平面図と断
面図である。

【符号の説明】

１露光用マスク２石英基板（透明基板）３段４凹状シフタパターン５凸状シフタパターン６連結部Ｘ矩形領域 41 露光用マスク 42 石英基板（透明基板） 43 段 44 凹状シフタパターン 45 凸状シフタパターン 46 遮光膜パターン 47 括れ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 27/13 8223−4Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板（２）の上において、縦横に隣接
する複数の矩形領域（Ｘ）同士を解像限界以下の幅で対
角線の一方向に連結し、他方向に分離する連結領域
（６）をもつ平面形状のシフタパターン（４、５）が隣
接して複数設けられるとともに、隣合う前記シフタパタ
ーン（４、５）の一方の上に位相シフト層が形成されて
いることを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】請求項１記載の露光用マスク（１）をネガ
型フォトレジスト（８）の上に配設して露光した後に、
該ネガ型フォトレジスト（８）を現像してパターニング
する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項３】透明基板（42）の上において、一方向に延
びるストライプ状のシフタパターン（44、45）が隣接し
て複数形成され、隣合う前記シフタパターン（44、45）
の一方の上に位相シフト層が形成されるとともに、前記シフタパターン（44、45）と直交する方向に延在す
る帯状の遮光パターンが（46）一定の間隔をおいて複数
形成され、かつ、該遮光パターン（46）のうち前記シフ
トパターン（44、45）と交差する部分に括れ（47）が形
成されていることを特徴とする露光用マスク。
【請求項４】請求項３記載の露光用マスク（41）をネガ
型フォトレジスト（49）の上に配設して露光した後に、
前記露光マスク（41）をシフトパターン（44、45）の延
在方向に移動させて２回目の露光を行い、次に前記ネガ型フォトレジスト（49）を現像してパター
ニングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項５】半導体基板の上方に形成された半導体膜
（32、37）の上にネガ型フォトレジスト（38）を塗布す
る工程と、請求項１、２に記載の露光用マスク（１、41）を用いて
前記ネガ型フォトレジスト（38）を露光、現像し、前記
ネガ型フォトレジスト（38）をパターニングする工程
と、パターニングされた前記ネガ型フォトレジスト（38）か
ら露出する前記半導体膜（32、37）をエッチングするこ
とにより、前記半導体膜（32、37）をパターニングして
キャパシタの蓄積電極（39）とする工程と、前記蓄積電極（39）の表面に前記キャパシタの誘電体膜
（40ａ）を形成する工程と、前記誘電体（40ａ）の表面に前記キャパシタの対向電極
（40ｂ）を形成する工程とを有することを特徴とする半
導体装置の製造方法。