JPH0572291A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0572291A
JPH0572291A JP3163226A JP16322691A JPH0572291A JP H0572291 A JPH0572291 A JP H0572291A JP 3163226 A JP3163226 A JP 3163226A JP 16322691 A JP16322691 A JP 16322691A JP H0572291 A JPH0572291 A JP H0572291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
signal
circuit
terminal
test
Prior art date
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Pending
Application number
JP3163226A
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English (en)
Inventor
Michio Ouchi
陸夫 大内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0572291A publication Critical patent/JPH0572291A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】入力端子Iと、内部機能回路および内部テスト
回路へそれぞれ接続された第1および第2の出力端子O
1,O2と、これら入力端子Iと第1の出力端子O1間
に接続される通常信号入力回路2と、入力端子ITC第
2の出力端子O2間に接続されるテスト回路3とを有す
る。これらの出力端子O1,O2への出力は、通常機能
モード時とテストモード時とで異った信号を出力させ
る。 【効果】入力端子数と入力テストパターン数を低減で
き、テスト時の故障検出率を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
テスト入力ピンのオーバーヘッドを少なくする半導体装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置は入力バッファ回路を
備えているが、この半導体装置に使用されている入力バ
ッファ回路は入力信号を単に伝達する機能のみを有して
いる。通常、かかる半導体装置のテストを行なう場合、
入力端子から信号を入力し、その出力を期待値と比較す
ることにより判定を行っている。また近年、半導体装置
の大規模化及び高集積化により、テストの効率化のため
にスキャンパス法やBIST回路等が採用されている。
このスキャンパス法を用いてテストを行なうときテスト
入力数を増加させないと、テスト回路が長大となり、故
障箇所を限定するのに不向きである。また、検出率を向
上させるために、データ入力数を増加させたり、あるい
はデータの時分割化を行ない多重化を行っている。一
方、BIST回路を用いる場合は内部回路のオーバーヘ
ッドを大きくしたり、あるいはシリアルなデータを挿入
することにより、テスト回路を動作させている。この場
合は入力端子数のオーバーヘッドの増大化とテストパタ
ーンの増大化とを招きやすい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の入力バ
ッファ等の半導体装置は、テスト用入力端子数の増大化
をきたし、テストパターン数の低減やテスト時間の低減
をはかることが困難であるとともにテスト時の支障検出
率を向上できないという欠点がある。
【0004】本発明の目的は、かかる入力端子数および
テストパターン数やテスト時間を低減するとともに、テ
スト時の故障検出率を向上させることのできる半導体装
置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】第一の発明の半導体装置
は、入力端子と、内部機能回路に信号を供給する第1の
出力端子および内部テスト回路へ信号を供給する第2の
出力端子と、前記入力端子および前記第1の出力端子間
に接続される通常信号入力回路と、前記入力端子および
前記第2の出力端子間に接続され且つレベル変換回路を
備えたテスト回路とを有し、通常機能モードでは前記入
力端子からの信号を前記通常信号入力回路を介し前記第
1の出力端子に伝達するとともに前記第2の出力端子に
は固定電位を出力し、テストモード時には前記テスト回
路の前記レベル変換回路により前記通常機能モード時の
入力信号電位を基準としてオーバースウィングされた信
号を検出することにより通常内部信号電位にレベル変換
された信号を前記第2の出力端子へ伝達して構成され
る。
【0006】また、第二の発明の半導体装置は、入力端
子と、内部機能回路に信号を供給する第1の出力端子お
よび内部テスト回路へ信号を供給する第2の出力端子
と、前記入力端子および前記第1の出力端子間に接続さ
れ且つ記憶回路を備えた通常信号入力回路と、前記入力
端子および前記第2の出力端子間に接続されるテスト回
路とを有し、通常機能モードでは前記入力端子からの信
号を前記第1の出力端子に伝達するとともに前記第2の
出力端子には固定電位を出力し、テストモード時にはテ
ストモード直前の前記入力端子からの信号を前記記憶回
路により保持して前記第1の出力端子に出力するととも
に前記第2の出力端子には前記入力端子からの信号を伝
達して構成される。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0008】図1(a),(b)はそれぞれ本発明の一
実施例を説明するための入力バッファ回路図および入力
信号振幅特性図である。図1(a)に示すように、本実
施例は入力バッファ回路1を表わし、入力端子Iからの
入力信号を第1の出力端子O1へ伝達する通常信号入力
回路2と、入力端子Iからの入力信号をレベル変換し且
つモード入力信号Cの制御によりハイ又はロウを第2の
出力端子O2へ伝達するテスト入力回路3とを有してい
る。この通常信号入力回路2はインバータG1,G2を
有し、またテスト入力回路3は入力信号Iに対するロウ
側信号レベル変換回路4と、ハイ側信号レベル変換回路
5と、MOSトランジスタT1〜T4で形成されるトラ
ンスファーゲートと、これらトランスファーゲート出力
および制御端子Cからモード入力信号のNAND論理を
とるNANDゲートN1とを備えている。
【0009】また、図1(b)に示すように、制御端子
Cからは、通常機能動作モードおよびテストモードによ
り異った信号が入力される。すなわち、通常機能動作モ
ード時入力信号振幅Aと、テストモード時入力信号振幅
Bとが入力される。
【0010】かかる入力バッファ回路1において、第1
の出力端子O1からは通常信号回路2を介して入力信号
Iが出力される。また、テストモード時には、通常信号
入力回路からの信号を第1の出力端子O1に出力すると
ともに、第2の出力端子O2にはロウ側又はハイ側のレ
ベル変換回路4又は5の出力を選択して伝達される。
【0011】図2は図1(a)に示す入力バッファ回路
を機能回路に接続したLSI回路図である。図2に示す
ように、このLSI回路は複数の入力バッファ回路1か
ら複数段のフリップ・フロップ(F/F)7を有する機
能回路6及び複数のスキャンパス8へ信号分配を行って
いる例である。入力バッファ回路1の通常信号入力回路
2はテストモード時もデータ保持機能を有するので、機
能回路6の状態の固定を可能にする。これにより、入力
端子数の増加等のオーバーヘッドが解消され、スキャン
パス8におけるパスの多重化を可能にしている。
【0012】図3は図1に示す入力バッファ回路を機能
回路およびBIST回路に接続したLSI回路図であ
る。図3に示すように、このLSI回路も入力バッファ
1から機能回路9及びデコーダ回路10と比較器12を
備えたBIST回路10へ信号を分配している。本例で
用いられているBIST回路10の機能は、各入力バッ
ファ回路1のテスト出力O2より入力された第1のデー
タをデコーダ回路11でアドレス変換し、機能回路9内
に設けられたテストノードからノードデータを読み出す
と共に、前記第1のデータの他に他の入力バッファ回路
1から入力された第2のデータと比較する機能を有して
いる。かかるアーキテクチャーの場合も、図2のケース
と同様、入力端子数の増加等のオーバーヘッドが解消さ
れ、スキャンパスの多重化を可能にする。
【0013】図4は本発明の他の実施例を説明するため
の入力バッファ回路図である。図4に示すように、本実
施例の入力バッファ回路1は入力端子Iからの入力信号
を保持して第1の出力端子O1に出力する通常信号入力
回路2と、入力端子Iからの入力信号および制御端子C
からのモード信号の論理をとるテスト入力回路3とを有
している。この通常信号入力回路2はインバータ回路G
1〜G3と、MOSトランジスタT5〜T8とを有し、
制御端子CからインビータG4,G5を介したモード信
号により、MOSトランジスタT5〜T8で保持してい
るデータを第1の出力端子O1に出力する。また、テス
ト入力回路3は入力信号とモード信号のNAND論理を
とるNANDゲートN1を有し、その結果を第2の出力
端子O2へ出力する。
【0014】かかる入力バッファ回路1における通常入
力モード時は、MOSトランジスタT5,T6によるト
ランスファーゲートが開いており、入力信号はインバー
タG1のトランスファゲート,インバータG2の経路を
通り第1の出力端子O1から出力される。その時、テス
ト入力回路3はモード信号入力Cがないため、NAND
ゲートN1の出力、すなわち第2の出力端子O2は
“1”レベルに固定される。一方、テストモード時は、
モード信号入力Cにより通常信号入力回路2のトランス
ファーゲートが閉じ、G3→T7→G2のパスで第1の
出力端子O1にテストモード時前の入力信号を出力し且
つN1が固定からアクティブとなり、第2の出力端子O
2へテスト信号を伝達する。
【0015】尚、本実施例も前述した一実施例と同様に
図2および図3で説明した機能回路6あるいは9との接
続が行われる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置はテスト回路へのデータ入力信号を通常機能入力信号
と共有化する入力バッファを用いることにより、入力端
子数および入力テストパターン数を低減でき、テスト時
の故障検出率を向上させることができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を説明するための入力バッフ
ァ回路および入力信号振幅を表わす図である。
【図2】図1に示す入力バッファ回路を機能回路に接続
したLSI回路図である。
【図3】図1に示す入力バッファ回路を機能回路に接続
したLSI回路図である。
【図4】本発明の他の実施例を説明するための入力バッ
ファ回路図である。
【符号の説明】
1 入力バッファ回路 2 通常信号入力回路 3 テスト入力回路 4 ロウ側信号レベル変換回路 5 ハイ側信号レベル変換回路 6,9 機能回路 7 フリップフロップ(F/F) 8 スキャンパス 10 BIST 11 デコーダ回路 12 比較器 G1〜G5 インバータ回路 N1 NANDゲート T1〜T8 MOSトランジスタ I,I1〜I6 入力 O1,O2 出力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 15/78 510 K 7530−5L H03K 19/0175

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と、内部機能回路に信号を供給
    する第1の出力端子および内部テスト回路へ信号を供給
    する第2の出力端子と、前記入力端子および前記第1の
    出力端子間に接続される通常信号入力回路と、前記入力
    端子および前記第2の出力端子間に接続され且つレベル
    変換回路を備えたテスト回路とを有し、通常機能モード
    では前記入力端子からの信号を前記通常信号入力回路を
    介し前記第1の出力端子に伝達するとともに前記第2の
    出力端子には固定電位を出力し、テストモード時には前
    記テスト回路の前記レベル変換回路により前記通常機能
    モード時の入力信号電位を基準としてオーバースウィン
    グされた信号を検出することにより通常内部信号電位に
    レベル変換された信号を前記第2の出力端子へ伝達する
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 入力端子と、内部機能回路に信号を供給
    する第1の出力端子および内部テスト回路へ信号を供給
    する第2の出力端子と、前記入力端子および前記第1の
    出力端子間に接続され且つ記憶回路を備えた通常信号入
    力回路と、前記入力端子および前記第2の出力端子間に
    接続されるテスト回路とを有し、通常機能モードでは前
    記入力端子からの信号を前記第1の出力端子に伝達する
    とともに前記第2の出力端子には固定電位を出力し、テ
    ストモード時にはテストモード直前の前記入力端子から
    の信号を前記記憶回路により保持して前記第1の出力端
    子に出力するとともに前記第2の出力端子には前記入力
    端子からの信号を伝達することを特徴とする半導体装
    置。
JP3163226A 1991-07-04 1991-07-04 半導体装置 Pending JPH0572291A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6138255A (en) * 1998-04-22 2000-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and method for monitoring its internal signal

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6138255A (en) * 1998-04-22 2000-10-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and method for monitoring its internal signal
US6430717B1 (en) 1998-04-22 2002-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and method for monitoring its internal signal

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19991207