JPH0566714U - 液位及び分離液層制御装置 - Google Patents
液位及び分離液層制御装置Info
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- JPH0566714U JPH0566714U JP799592U JP799592U JPH0566714U JP H0566714 U JPH0566714 U JP H0566714U JP 799592 U JP799592 U JP 799592U JP 799592 U JP799592 U JP 799592U JP H0566714 U JPH0566714 U JP H0566714U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容器に入れられた比重の異なる2種類の液体
のそれぞれの液位を所定の範囲に保ち,安定したエッチ
ングを可能とした液位及び分離液層制御装置を提供す
る。 【構成】 比重の異なる第1,第2の液体が混入され,
前記2種の液体の飽和溶液からなる第1の層と,前記2
種の液体のうちの一方の液体からなる第2の層を有し,
前記第1,第2層の層境界を計測する第1計測手段と,
前記第2層の液位を計測する第2計測手段と,前記第
1,第2計測手段の計測結果を入力する演算手段と,前
記演算手段の演算結果に基づいて前記第1,第2液体を
補給する第1,第2液体補給手段を備えている。
のそれぞれの液位を所定の範囲に保ち,安定したエッチ
ングを可能とした液位及び分離液層制御装置を提供す
る。 【構成】 比重の異なる第1,第2の液体が混入され,
前記2種の液体の飽和溶液からなる第1の層と,前記2
種の液体のうちの一方の液体からなる第2の層を有し,
前記第1,第2層の層境界を計測する第1計測手段と,
前記第2層の液位を計測する第2計測手段と,前記第
1,第2計測手段の計測結果を入力する演算手段と,前
記演算手段の演算結果に基づいて前記第1,第2液体を
補給する第1,第2液体補給手段を備えている。
Description
【0001】
本考案は,例えばシリコンウエハのエッチング液の液位管理に用いて好適な制 御装置に関し,2種類の液の飽和溶液層の液位と全体の液位を管理するための液 位及び分離液層制御装置に関する。
【0002】
図3はシリコンの濃度差エッチングに用いる液層を示す断面図である。図にお いて1は透明容器(例えばガラス)である。この透明容器1には水100CCに 対して水酸化カリウム(以下,KOHという…比重2.12)を30gの割合で 溶解した第1液体に,イソ・プロピルアルコール(以下,IPAという…比重0 .7887)を30CCの割合で混入し飽和溶液として得られる第1の層2と, 第1液体に飽和し切れなくてIPAだけで形成される第2の層3が入れられてい る。具体的な液量の一例をあげれば直径が10cm程度のシリコンウエハを濃度 差エッチングする場合,水5000CCに対してKOHを1500g溶解し,I PAを1500CC混入して飽和溶液である第1層2の厚さが15〜16cm, 第2層3の厚さが2〜3cm程度になるような容器を用いている。エッチング時 の液の温度は70〜75℃である。
【0003】 なお,第1層がエッチング溶液として機能するのであるが,一般にエッチング すべき部分のエッチング量はこの第1層2への浸漬時間により決定している。そ の場合の条件としては先に述べた温度と第1,第2溶液の混合比が重要な要素と なる。 しかしながら,飽和溶液が直接空気に接した状態にすると飽和溶液中の水とI PAの蒸発比が異なるので時間の経過に伴って混合比が変化する。その結果,安 定したエッチングができないことになる。容器の上部のIPA(第2層3)は混 合比を一定の値(飽和状態)に維持するために寄与する。そして,従来は目視に より頻繁に層境界4(IPAの存在)を確認しながらエッチング作業を行ってい た。
【0004】
しかしながら,目視による頻繁な確認は作業能率の低下を招くという問題があ り,目視可能な容器としては透明なガラスやプラスチックを使わねばならず,作 業時の容器の破壊防止に気を配らなければならないという問題がある。 液層管理としては例えば図4に示すように液体中にフロートセンサ5を配置し てIPA(第2層3)のレベルを監視するしておき,一定のレベルを越えた時点 で警報を発する事が考えられる。
【0005】 ところで,大量のシリコンウエハのエッチング作業を連続的に行う場合,ウエ ハを複数枚取りつけたウエハキャリアを頻繁に出し入れする訳であるが,その出 し入れの際にはわずかではあるが第1層2を形成する飽和溶液が付着してくるの でこの溶液が減少してレベルが低下する。その結果,シリコンウエハの一部が飽 和溶液に浸漬されない状態となりエッチングが行われないという事態になる。
【0006】 図4に示す装置では液全体レベルしか分からないので,このような状態の解決 はできない。なお,上記の問題を解決するためには作業中のIPAの蒸発や飽和 溶液の目減りが問題にならない程度に深くて大きな容器を用意すれば良いがIP Aは発火を伴う危険物であり,廃液処理の関係からもその使用量は最小限に抑え る必要がある。
【0007】 本考案は上記従来技術の問題点を解決するためになされたもので,第1層2と 第2層3の両方のレベルを検出する手段と,その検出結果に応じて各液の補給手 段を設けることにより安定したエッチングが可能な装置を提供することを目的と する。
【0008】
上記課題を解決する為に本考案は,比重の異なる第1,第2の液体が混入され ,前記2種の液体の飽和溶液からなる第1の層と,前記2種の液体のうちの一方 の液体からなる第2の層を有し,前記第1,第2層の層境界を計測する第1計測 手段と,前記第2層の液位を計測する第2計測手段と,前記第1,第2計測手段 の計測結果を入力する演算手段と,前記演算手段の演算結果に基づいて前記第1 ,第2液体を補給する第1,第2液体補給手段を備えたことを特徴とするもので ある。
【0009】
第1計測手段は飽和溶液のレベルを検出し,所定のレベルに達した時点で演算 手段に信号を発する。演算手段は第1液体補給手段に信号を発して第1液体を補 給する。補給により所定のレベルに達した時点で第1計測手段は演算手段に信号 を発する。演算手段は第1液体補給手段に信号を発して第1液体の補給を停止す る。同様に第2計測手段は第2液体のレベルを検出し,所定のレベルに達した時 点で演算手段に信号を発する。演算手段は第2液体補給手段に信号を発して第2 液体を補給する。補給により所定のレベルに達した時点で第2計測手段は演算手 段に信号を発する。演算手段は第2液体補給手段に信号を発して第2液体の補給 を停止する
【0010】
始めに図2(a)〜(c)を用いて本考案で使用する液層検知フロートについ て説明する。なお,図3と同一要素には同一符号を付している。 (a)図において,10は液層検知手段であり,支持棒12及びフロート13 で構成されている。このフロート13は第1,第2液体の層境界に位置するよう に形成され,中央部には支持棒12よりもわずかに大きな貫通孔が形成されてお り,図(b),(c)に示すように層境界の変位に応じて移動する。このフロー トの変位は例えばフロートの内径側に配置された永久磁石と支持棒内に配置され た磁気検出手段等公知の技術により検出されて電気信号としてリード線14を介 して取り出される。
【0011】 図1は本考案の液位及び分離液層制御装置の一実施例を示す構成図である。 図において1aは容器(例えばステンレス)であり,図3で述べた容器と同様 の容積中に同様の量の第1の層2と,第2の層3が入れられている。10は図2 で述べた層境界を計測する第1計測手段である。11は図4で述べたと同様のフ ロートセンサであり,第2の層3(IPA)の液位を計測する第2計測手段であ る。
【0012】 15はポンプ,16は第1液体(水+KOH)タンクであり第1液体補給手段 を構成している。同様に15aはポンプ,17は第2液体タンクであり第2液体 (IPA)補給手段を構成している。18は第1,第2計測手段10,11から の信号をリード線14を介して入力する演算装置である。
【0013】 上記の構成において,第1計測手段10は第1の層(飽和溶液)2のレベル( 層境界)を検出し,所定のレベル(下限)に達した時点で演算手段18に信号を 発する。そして,演算手段18は第1液体補給手段に信号を発してポンプ15を 起動し第1液体2を補給する。補給により所定のレベル(上限)に達した時点で 第1計測手段10は演算手段18に信号を発する。演算手段18は第1液体補給 手段に信号を発してポンプ15を停止し第1液体の補給を終了する。
【0014】 同様に第2計測手段11は第2液体(IPA)のレベルを検出し,所定のレベ ル(下限)に達した時点で演算手段18に信号を発する。演算手段18は第2液 体補給手段に信号を発して第2液体を補給する。補給により所定のレベル(上限 )に達した時点で第2計測手段11は演算手段18に信号を発する。演算手段1 8は第2液体補給手段に信号を発して第2液体の補給を停止する。 なお,本実施例においては装置をエッチング液の液量管理に利用した場合につ いて説明したがこの例に限ることなく,比重の異なる2液の全体の液位と層境界 の液位のレベル管理が必要なものであれば各種の作業に適用可能である。また, 3種類のフロートを用意し,容器に異なった3種の比重を有する液体を入れ,3 層に分かれた各層の液位を検出することも可能である。
【0015】
以上実施例とともに具体的に説明した様に,本考案のによれば容器に入れられ た比重の異なる2種類の液体のそれぞれの液位を所定の範囲に保つことが可能で ある。従ってこの装置を半導体製造プロセスのエッチング液の液量管理に利用す れば,安定したエッチングが可能となり,頻繁な目視確認が不要なので作業効率 が向上する。また,容器の材質も透明部材に限定されないので金属(例えばステ ンレス鋼)を利用すれば,容器破損に対する余計な配慮も不要である。
【提出日】平成4年12月24日
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】考案の詳細な説明
【補正方法】変更
【0001】
本考案は,例えばシリコンウエハのエッチング液の液位管理に用いて好適な制 御装置に関し,2種類の液の飽和溶液層の液位と全体の液位を管理するための液 位及び分離液層制御装置に関する。
【0002】
図3はシリコンの濃度差エッチングに用いる液層を示す断面図である。図にお いて1は透明容器(例えばガラス)である。この透明容器1には水100CCに 対して水酸化カリウム(以下,KOHという…比重2.12)を30gの割合で 溶解した第1液体に,イソ・プロピルアルコール(以下,IPAという…比重0 .7887)を30CCの割合で混入し飽和溶液として得られる第1の層2と, 第1液体に飽和し切れなくてIPAだけで形成される第2の層3が入れられてい る。具体的な液量の一例をあげれば直径が10cm程度のシリコンウエハを濃度 差エッチングする場合,水5000CCに対してKOHを1500g溶解し,I PAを1500CC混入して飽和溶液である第1層2の厚さが15〜16cm, 第2層3の厚さが2〜3cm程度になるような容器を用いている。エッチング時 の液の温度は70〜75℃である。
【0003】 なお,第1層がエッチング溶液として機能するのであるが,一般にエッチング すべき部分のエッチング量はこの第1層2への浸漬時間により決定している。そ の場合の条件としては先に述べた温度と第1,第2溶液の混合比が重要な要素と なる。 しかしながら,飽和溶液が直接空気に接した状態にすると飽和溶液中の水とI PAの蒸発比が異なるので時間の経過に伴って混合比が変化する。その結果,安 定したエッチングができないことになる。容器の上部のIPA(第2層3)は混 合比を一定の値(飽和状態)に維持するために寄与する。そして,従来は目視に より頻繁に層境界4(IPAの存在)を確認しながらエッチング作業を行ってい た。
【0004】
しかしながら,目視による頻繁な確認は作業能率の低下を招くという問題があ り,目視可能な容器としては透明なガラスやプラスチックを使わねばならず,作 業時の容器の破壊防止に気を配らなければならないという問題がある。 液層管理としては例えば図4に示すように液体中にフロートセンサ5を配置し てIPA(第2層3)のレベルを監視するしておき,一定のレベルを越えた時点 で警報を発する事が考えられる。
【0005】 ところで,大量のシリコンウエハのエッチング作業を連続的に行う場合,ウエ ハを複数枚取りつけたウエハキャリアを頻繁に出し入れする訳であるが,その出 し入れの際にはわずかではあるが第1層2を形成する飽和溶液が付着してくるの でこの溶液が減少してレベルが低下する。その結果,シリコンウエハの一部が飽 和溶液に浸漬されない状態となりエッチングが行われないという事態になる。
【0006】 図4に示す装置では液全体レベルしか分からないので,このような状態の解決 はできない。なお,上記の問題を解決するためには作業中のIPAの蒸発や飽和 溶液の目減りが問題にならない程度に深くて大きな容器を用意すれば良いがIP Aは発火を伴う危険物であり,廃液処理の関係からもその使用量は最小限に抑え る必要がある。
【0007】 本考案は上記従来技術の問題点を解決するためになされたもので,第1層2と 第2層3の両方のレベルを検出する手段と,その検出結果に応じて各液の補給手 段を設けることにより安定したエッチングが可能な装置を提供することを目的と する。
【0008】
上記課題を解決する為に本考案は,比重の異なる第1,第2の液体が混入され ,前記2種の液体の飽和溶液からなる第1の層と,前記2種の液体のうちの一方 の液体からなる第2の層を有し,前記第1,第2層の層境界を計測する第1計測 手段と,前記第2層の液位を計測する第2計測手段と,前記第1,第2計測手段 の計測結果を入力する演算手段と,前記演算手段の演算結果に基づいて前記第1 ,第2液体を補給する第1,第2液体補給手段を備えたことを特徴とするもので ある。
【0009】
第1計測手段は飽和溶液のレベルを検出し,所定のレベルに達した時点で演算 手段に信号を発する。演算手段は第1液体補給手段に信号を発して第1液体を補 給する。補給により所定のレベルに達した時点で第1計測手段は演算手段に信号 を発する。演算手段は第1液体補給手段に信号を発して第1液体の補給を停止す る。同様に第2計測手段は第2液体のレベルを検出し,所定のレベルに達した時 点で演算手段に信号を発する。演算手段は第2液体補給手段に信号を発して第2 液体を補給する。補給により所定のレベルに達した時点で第2計測手段は演算手 段に信号を発する。演算手段は第2液体補給手段に信号を発して第2液体の補給 を停止する
【0010】
始めに図2(a)〜(c)を用いて本考案で使用する液層検知フロートについ て説明する。なお,図3と同一要素には同一符号を付している。 (a)図において,10は液層検知手段であり,支持棒12及びフロート13 で構成されている。このフロート13は第1,第2液体の層境界に位置するよう に形成され,中央部には支持棒12よりもわずかに大きな貫通孔が形成されてお り,図(b),(c)に示すように層境界の変位に応じて移動する。このフロー トの変位は例えばフロートの内径側に配置された永久磁石と支持棒内に配置され た磁気検出手段等公知の技術により検出されて電気信号としてリード線14を介 して取り出される。
【0011】 図1は本考案の液位及び分離液層制御装置の一実施例を示す構成図である。 図において1aは容器(例えばステンレス)であり,図3で述べた容器と同様 の容積中に同様の量の第1の層2と,第2の層3が入れられている。10は図2 で述べた層境界を計測する第1計測手段である。11は図4で述べたと同様のフ ロートセンサであり,第2の層3(IPA)の液位を計測する第2計測手段であ る。
【0012】 15はポンプ,16は第1液体(水+KOH)タンクであり第1液体補給手段 を構成している。同様に15aはポンプ,17は第2液体タンクであり第2液体 (IPA)補給手段を構成している。18は第1,第2計測手段10,11から の信号をリード線14を介して入力する演算装置である。
【0013】 上記の構成において,第1計測手段10は第1の層(飽和溶液)2のレベル( 層境界)を検出し,所定のレベル(下限)に達した時点で演算手段18に信号を 発する。そして,演算手段18は第1液体補給手段に信号を発してポンプ15を 起動し第1液体2を補給する。補給により所定のレベル(上限)に達した時点で 第1計測手段10は演算手段18に信号を発する。演算手段18は第1液体補給 手段に信号を発してポンプ15を停止し第1液体の補給を終了する。
【0014】 同様に第2計測手段11は第2液体(IPA)のレベルを検出し,所定のレベ ル(下限)に達した時点で演算手段18に信号を発する。演算手段18は第2液 体補給手段に信号を発して第2液体を補給する。補給により所定のレベル(上限 )に達した時点で第2計測手段11は演算手段18に信号を発する。演算手段1 8は第2液体補給手段に信号を発して第2液体の補給を停止する。 なお,本実施例においては装置をエッチング液の液量管理に利用した場合につ いて説明したがこの例に限ることなく,比重の異なる2液の全体の液位と層境界 の液位のレベル管理が必要なものであれば各種の作業に適用可能である。また, 3種類のフロートを用意し,容器に異なった3種の比重を有する液体を入れ,3 層に分かれた各層の液位を検出することも可能である。
【0015】
以上実施例とともに具体的に説明した様に,本考案のによれば容器に入れられ た比重の異なる2種類の液体のそれぞれの液位を所定の範囲に保つことが可能で ある。従ってこの装置を半導体製造プロセスのエッチング液の液量管理に利用す れば,安定したエッチングが可能となり,頻繁な目視確認が不要なので作業効率 が向上する。また,容器の材質も透明部材に限定されないので金属(例えばステ ンレス鋼)を利用すれば,容器破損に対する余計な配慮も不要である。
【図1】本考案の液位及び分離液層制御装置の一実施例
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図2】本考案で使用する液層検出装置(第1計測手
段)の説明図である。
段)の説明図である。
【図3】従来例を示す断面図である。
【図4】液体中にフロートセンサ5を配置した従来例を
示す断面図である。
示す断面図である。
1a 容器 2 第1の層 3 第2の層 4 層境界 10 第1計測手段 11 第2計測手段 14 リード線 15,15a ポンプ 16 第1液体タンク 17 第2液体タンク 18 演算手段
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月24日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】実用新案登録請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【実用新案登録請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 J 7342−4M
Claims (1)
- 【請求項1】 比重の異なる第1,第2の液体が混入さ
れ,前記2種の液体の飽和溶液からなる第1の層と,前
記2種の液体のうちの一方の液体からなる第2の層を有
し,前記第1,第2層の層境界を計測する第1計測手段
と,前記第2層の液位を計測する第2計測手段と,前記
第1,第2計測手段の計測結果を入力する演算手段と,
前記演算手段の演算結果に基づいて前記第1,第2液体
を補給する第1,第2液体補給手段を備えたことを特徴
とする液位及び分離液層制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP799592U JPH0566714U (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液位及び分離液層制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP799592U JPH0566714U (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液位及び分離液層制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0566714U true JPH0566714U (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=11680987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP799592U Withdrawn JPH0566714U (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液位及び分離液層制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0566714U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999067814A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Procede et appareil d'attaque chimique anisotrope |
JP2005079382A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | エッチング装置 |
JP2006151854A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | メタクリル酸グリシジルの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP799592U patent/JPH0566714U/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999067814A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-29 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Procede et appareil d'attaque chimique anisotrope |
KR100399525B1 (ko) * | 1998-06-25 | 2003-09-26 | 미쯔비시 마테리알 실리콘 가부시끼가이샤 | 이방성 에칭 방법 및 장치 |
JP2005079382A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | エッチング装置 |
JP2006151854A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | メタクリル酸グリシジルの製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19960606 |