JPH0565635A - マグネトロンスパツタ用貴金属ターゲツトの修復方法 - Google Patents
マグネトロンスパツタ用貴金属ターゲツトの修復方法Info
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- JPH0565635A JPH0565635A JP4525591A JP4525591A JPH0565635A JP H0565635 A JPH0565635 A JP H0565635A JP 4525591 A JP4525591 A JP 4525591A JP 4525591 A JP4525591 A JP 4525591A JP H0565635 A JPH0565635 A JP H0565635A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 使用済みのターゲットを再利用するために、
このターゲットを簡単かつ低コストで修復することがで
きる方法の提供を目的とする。 【構成】 この方法は、マグネトロンスパッタ用貴金属
ターゲット１の表面２のスパッタされる領域に生ずる凹
部３に、前記ターゲットと同一組成の材料を充填する。
特に、前記凹部３に、前記ターゲットと同一組成の材料
１２を溶接して前記凹部３の開口端３ａの上部まで該材
料１２を充填し、その後このターゲットの表面を平滑に
する方法が特徴的である。 【効果】 ターゲット１の表面２に生ずる凹部３を簡単
かつ低コストで修復することができ、ターゲット１の材
料の無駄を防止することができ、製品のコストダウンを
図ることができる。また、基板上に均一な膜を形成する
ことができ、成膜性が低下することもなくなりスパッタ
効率も著しく向上させることができる。
このターゲットを簡単かつ低コストで修復することがで
きる方法の提供を目的とする。 【構成】 この方法は、マグネトロンスパッタ用貴金属
ターゲット１の表面２のスパッタされる領域に生ずる凹
部３に、前記ターゲットと同一組成の材料を充填する。
特に、前記凹部３に、前記ターゲットと同一組成の材料
１２を溶接して前記凹部３の開口端３ａの上部まで該材
料１２を充填し、その後このターゲットの表面を平滑に
する方法が特徴的である。 【効果】 ターゲット１の表面２に生ずる凹部３を簡単
かつ低コストで修復することができ、ターゲット１の材
料の無駄を防止することができ、製品のコストダウンを
図ることができる。また、基板上に均一な膜を形成する
ことができ、成膜性が低下することもなくなりスパッタ
効率も著しく向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ハードディスク用磁
性膜の成形や、装飾用部材の表面処理に使用されるマグ
ネトロンスパッタ装置の貴金属ターゲットの修復方法に
関するものである。
性膜の成形や、装飾用部材の表面処理に使用されるマグ
ネトロンスパッタ装置の貴金属ターゲットの修復方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜を形成する装置の１つにマグ
ネトロンスパッタがある。この装置は、電場と磁場の直
交するマグネトロン放電を利用したもので、基板温度の
上昇を低く抑えられること、ターゲットへ大電力を投入
してスパッタ速度を大きくすることができ、ミクロンオ
ーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点がある
ために、現在では、実験室はもとより本格的な量産装置
として最も多用されている薄膜装置の１つである。
ネトロンスパッタがある。この装置は、電場と磁場の直
交するマグネトロン放電を利用したもので、基板温度の
上昇を低く抑えられること、ターゲットへ大電力を投入
してスパッタ速度を大きくすることができ、ミクロンオ
ーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点がある
ために、現在では、実験室はもとより本格的な量産装置
として最も多用されている薄膜装置の１つである。
【０００３】このマグネトロンスパッタ装置において
は、ターゲットの近傍に高密度プラズマを作成し、大き
なイオン電流を流すことにより大電力化が図られてお
り、これによりマグネトロン放電を起こすことができ
る。このとき、電子はターゲットの表面近傍を略矩形状
もしくは円形状の連続した軌跡を描いて運動しており、
このことから、ターゲットの電力密度（Ｗ／ｃｍ2）を
大幅に増大することができることとなる。
は、ターゲットの近傍に高密度プラズマを作成し、大き
なイオン電流を流すことにより大電力化が図られてお
り、これによりマグネトロン放電を起こすことができ
る。このとき、電子はターゲットの表面近傍を略矩形状
もしくは円形状の連続した軌跡を描いて運動しており、
このことから、ターゲットの電力密度（Ｗ／ｃｍ2）を
大幅に増大することができることとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のター
ゲットでは、マグネトロン放電を利用することによりス
パッタリングを行っているので、前記ターゲットの表面
では、マグネトロン放電を起こす領域に沿って、すなわ
ち電子の運動している略矩形状もしくは円形状の連続し
た軌跡に沿ってスパッタリングされる。このスパッタさ
れる領域においては常に原子サイズの粒子がターゲット
の表面からたたき出され外方に散逸し続けているので、
長時間ターゲットを使用し続けると、該ターゲットの表
面がえぐり採られ電子の軌跡に沿って凹部が生ずること
となる。図３は長時間使用し続けた角板型のターゲット
１の一例を示す斜視図、図４はその断面図であり、ター
ゲット１の表面２に断面が略円弧版状である略矩形状の
凹部３が生じた状態を示している。
ゲットでは、マグネトロン放電を利用することによりス
パッタリングを行っているので、前記ターゲットの表面
では、マグネトロン放電を起こす領域に沿って、すなわ
ち電子の運動している略矩形状もしくは円形状の連続し
た軌跡に沿ってスパッタリングされる。このスパッタさ
れる領域においては常に原子サイズの粒子がターゲット
の表面からたたき出され外方に散逸し続けているので、
長時間ターゲットを使用し続けると、該ターゲットの表
面がえぐり採られ電子の軌跡に沿って凹部が生ずること
となる。図３は長時間使用し続けた角板型のターゲット
１の一例を示す斜視図、図４はその断面図であり、ター
ゲット１の表面２に断面が略円弧版状である略矩形状の
凹部３が生じた状態を示している。
【０００５】この様に表面に凹部が生じてしまったター
ゲットでは、基板上に均一な膜を形成することが難しく
成膜性が著しく低下するとともに、スパッタ効率も著し
く低下するという大きな欠点があった。通常では、複数
のターゲットを用意しておきターゲットが劣化する度毎
に新規のターゲットと交換する方法が採られているが、
この方法では、ターゲットの材料の大半が無駄になって
しまうために特に貴金属ターゲットにおいて極めて高コ
ストとなり、量産等を考えた場合、製品のコストアップ
の主要因になるという問題があった。
ゲットでは、基板上に均一な膜を形成することが難しく
成膜性が著しく低下するとともに、スパッタ効率も著し
く低下するという大きな欠点があった。通常では、複数
のターゲットを用意しておきターゲットが劣化する度毎
に新規のターゲットと交換する方法が採られているが、
この方法では、ターゲットの材料の大半が無駄になって
しまうために特に貴金属ターゲットにおいて極めて高コ
ストとなり、量産等を考えた場合、製品のコストアップ
の主要因になるという問題があった。
【０００６】また、上記の様な使用済みのターゲットを
回収して溶融し、再度新しいターゲットに作成し直すこ
とも試みられているが、新製品以上にコストがかかるた
めにほとんど行われていないのが現状である。この発明
は、上記の事情に鑑みてなされたもので、使用済みのタ
ーゲットを再利用するために、このターゲットを低コス
トで修復することができる方法を提供することにある。
回収して溶融し、再度新しいターゲットに作成し直すこ
とも試みられているが、新製品以上にコストがかかるた
めにほとんど行われていないのが現状である。この発明
は、上記の事情に鑑みてなされたもので、使用済みのタ
ーゲットを再利用するために、このターゲットを低コス
トで修復することができる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なマグネトロンスパッタ用貴金属
ターゲットの修復方法を採用した。すなわち、請求項１
記載のマグネトロンスパッタ用貴金属ターゲットの修復
方法としては、マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に生ずる凹部を修復する
方法であって、当該凹部に、前記ターゲットと同一組成
からなる材料を充填することを特徴としている。
に、この発明は次の様なマグネトロンスパッタ用貴金属
ターゲットの修復方法を採用した。すなわち、請求項１
記載のマグネトロンスパッタ用貴金属ターゲットの修復
方法としては、マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に生ずる凹部を修復する
方法であって、当該凹部に、前記ターゲットと同一組成
からなる材料を充填することを特徴としている。
【０００８】また、請求項２記載のマグネトロンスパッ
タ用貴金属ターゲットの修復方法としては、マグネトロ
ンスパッタ用貴金属ターゲットの表面のスパッタされる
領域に生ずる凹部を修復する方法であって、当該凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことにより前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填
し、その後このターゲットの表面を平滑にすることを特
徴としている。
タ用貴金属ターゲットの修復方法としては、マグネトロ
ンスパッタ用貴金属ターゲットの表面のスパッタされる
領域に生ずる凹部を修復する方法であって、当該凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことにより前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填
し、その後このターゲットの表面を平滑にすることを特
徴としている。
【０００９】
【作用】この発明の請求項１記載のマグネトロンスパッ
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、前記凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を充填する
ことにより、前記凹部を簡単かつ低コストで修復する。
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、前記凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を充填する
ことにより、前記凹部を簡単かつ低コストで修復する。
【００１０】また、請求項２記載のマグネトロンスパッ
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、前記凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことで前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填する
ことにより、該材料とターゲットとを極めて強固に接続
し、前記凹部を簡単かつ低コストで修復する。また、こ
のターゲットの表面を平滑にすることにより、このター
ゲットを用いてスパッタリングすれば、基板上に均一な
膜が形成され、成膜性も低下せず、スパッタ効率も著し
く向上する。
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、前記凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことで前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填する
ことにより、該材料とターゲットとを極めて強固に接続
し、前記凹部を簡単かつ低コストで修復する。また、こ
のターゲットの表面を平滑にすることにより、このター
ゲットを用いてスパッタリングすれば、基板上に均一な
膜が形成され、成膜性も低下せず、スパッタ効率も著し
く向上する。
【００１１】
【実施例】以下、この発明のマグネトロンスパッタ用貴
金属ターゲットの修復方法について図１及び図２を参照
して説明する。
金属ターゲットの修復方法について図１及び図２を参照
して説明する。
【００１２】（実施例１）Ｐｔを５０WT％、Ｃｏを４９
WT％、Ｂを１WT％含む合金を真空溶解鋳造して作成した
ハードディスク用ターゲット（サイズ、１８３w×５１
０l×６t）を使用後、同一組成の８φの鋳造丸棒を溶着
棒とし、ＴＩＧ溶接（溶接電流４０Ａ）により肉盛し、
図１の様にスパッタリングにより消失した部分を埋めた
後、機械加工により表面仕上し、ハードディスク用スパ
ッタリングターゲットとして再生させた。
WT％、Ｂを１WT％含む合金を真空溶解鋳造して作成した
ハードディスク用ターゲット（サイズ、１８３w×５１
０l×６t）を使用後、同一組成の８φの鋳造丸棒を溶着
棒とし、ＴＩＧ溶接（溶接電流４０Ａ）により肉盛し、
図１の様にスパッタリングにより消失した部分を埋めた
後、機械加工により表面仕上し、ハードディスク用スパ
ッタリングターゲットとして再生させた。
【００１３】（実施例２）Ｐｔを１５WT％、Ｃｒを１２
WT％、Ｃｏを７７WT％含む合金を溶解鋳造し、熱間圧延
して作成したハードディスク用スパッタリングターゲッ
ト（サイズ、９０w×５００l×５t）を使用後、同一組
成の粉末を利用し、ＰＴＡ（プラズマ トランスファ
アーク）により肉盛し、図１の様にスパッタリングによ
り消失した部分を埋め、機械加工により表面仕上し、ハ
ードディスク用スパッタリングターゲットとして再生さ
せた。
WT％、Ｃｏを７７WT％含む合金を溶解鋳造し、熱間圧延
して作成したハードディスク用スパッタリングターゲッ
ト（サイズ、９０w×５００l×５t）を使用後、同一組
成の粉末を利用し、ＰＴＡ（プラズマ トランスファ
アーク）により肉盛し、図１の様にスパッタリングによ
り消失した部分を埋め、機械加工により表面仕上し、ハ
ードディスク用スパッタリングターゲットとして再生さ
せた。
【００１４】（実施例３）Ａｕを７５WT％、Ａｇを１
２.５WT％、Ｃｕを１２.５WT％含む１８Ｋ金合金を溶解
圧延して作成した装飾用スパッタリングターゲット（サ
イズ、１００w×５００l×５t）を使用後、同一組成の
１.６φワイヤーをフィラーメタルとしたＭＩＧ肉盛溶
接により図１の様にスパッタリングにより消失した部分
を埋め、機械加工により表面を仕上げ、スパッタリング
ターゲットとして再生させた。
２.５WT％、Ｃｕを１２.５WT％含む１８Ｋ金合金を溶解
圧延して作成した装飾用スパッタリングターゲット（サ
イズ、１００w×５００l×５t）を使用後、同一組成の
１.６φワイヤーをフィラーメタルとしたＭＩＧ肉盛溶
接により図１の様にスパッタリングにより消失した部分
を埋め、機械加工により表面を仕上げ、スパッタリング
ターゲットとして再生させた。
【００１５】以上説明した様に上記実施例のターゲット
１の修復方法によれば、凹部３に、ターゲット１と同一
組成からなる合金材料１２を溶接することで凹部３の開
口端３ａの上部までこの合金材料１２を充填することと
したので、該合金材料１２とターゲット１とを極めて強
固に接続することができ、この凹部３を簡単かつ低コス
トで修復することができる。したがって、従来のターゲ
ットを交換する方法と比べて、ターゲットの材料の無駄
を防止することができ、製品のコストダウンを図ること
ができる。また、ターゲットの回収、溶融、再成等の余
計な作業や経費も不要になる。
１の修復方法によれば、凹部３に、ターゲット１と同一
組成からなる合金材料１２を溶接することで凹部３の開
口端３ａの上部までこの合金材料１２を充填することと
したので、該合金材料１２とターゲット１とを極めて強
固に接続することができ、この凹部３を簡単かつ低コス
トで修復することができる。したがって、従来のターゲ
ットを交換する方法と比べて、ターゲットの材料の無駄
を防止することができ、製品のコストダウンを図ること
ができる。また、ターゲットの回収、溶融、再成等の余
計な作業や経費も不要になる。
【００１６】また、この修復済みのターゲット１１の表
面２を平滑にしたので、この表面２を均一にスパッタす
ることができ、したがって、基板上に均一な膜を形成す
ることができ、成膜性が低下することもなくなり、スパ
ッタ効率も著しく向上させることができる。この様に、
簡単かつ低コストで修復することができるターゲットの
修復方法を提供することが可能になる。
面２を平滑にしたので、この表面２を均一にスパッタす
ることができ、したがって、基板上に均一な膜を形成す
ることができ、成膜性が低下することもなくなり、スパ
ッタ効率も著しく向上させることができる。この様に、
簡単かつ低コストで修復することができるターゲットの
修復方法を提供することが可能になる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の請求項１
記載のマグネトロンスパッタ用貴金属ターゲットの修復
方法によれば、マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に発生する凹部を修復す
る方法であって、当該凹部に、前記ターゲットと同一組
成からなる材料を充填することとしたので、当該凹部を
簡単かつ低コストで修復することができ、したがって、
従来のターゲットを交換する方法と比べて、ターゲット
の材料の無駄を防止することができ、製品のコストダウ
ンを図ることができる。また、ターゲットの回収、溶
融、再成等の余計な作業や経費も不要になる。
記載のマグネトロンスパッタ用貴金属ターゲットの修復
方法によれば、マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に発生する凹部を修復す
る方法であって、当該凹部に、前記ターゲットと同一組
成からなる材料を充填することとしたので、当該凹部を
簡単かつ低コストで修復することができ、したがって、
従来のターゲットを交換する方法と比べて、ターゲット
の材料の無駄を防止することができ、製品のコストダウ
ンを図ることができる。また、ターゲットの回収、溶
融、再成等の余計な作業や経費も不要になる。
【００１８】また、請求項２記載のマグネトロンスパッ
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、マグネトロ
ンスパッタ用貴金属ターゲットの表面のスパッタされる
領域に発生する凹部を修復する方法であって、当該凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことにより前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填
し、その後このターゲットの表面を平滑にすることとし
たので、該合金材料とターゲットとを極めて強固に接続
することができ、当該凹部を簡単かつ低コストで修復す
ることができる。したがって、従来のターゲットを交換
する方法と比べて、ターゲットの材料の無駄を防止する
ことができ、製品のコストダウンを図ることができる。
また、ターゲットの回収、溶融、再成等の余計な作業や
経費も不要になる。
タ用貴金属ターゲットの修復方法によれば、マグネトロ
ンスパッタ用貴金属ターゲットの表面のスパッタされる
領域に発生する凹部を修復する方法であって、当該凹部
に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を溶接する
ことにより前記凹部の開口端の上部までこの材料を充填
し、その後このターゲットの表面を平滑にすることとし
たので、該合金材料とターゲットとを極めて強固に接続
することができ、当該凹部を簡単かつ低コストで修復す
ることができる。したがって、従来のターゲットを交換
する方法と比べて、ターゲットの材料の無駄を防止する
ことができ、製品のコストダウンを図ることができる。
また、ターゲットの回収、溶融、再成等の余計な作業や
経費も不要になる。
【００１９】また、この修復済ターゲットの表面を平滑
にすることとしたので、前記表面を均一にスパッタする
ことができ、したがって、基板上に均一な膜を形成する
ことができ、成膜性が低下することもなくなり、スパッ
タ効率も著しく向上させることができる。この様に、簡
単かつ低コストで修復することができるターゲットの修
復方法を提供することが可能になる。
にすることとしたので、前記表面を均一にスパッタする
ことができ、したがって、基板上に均一な膜を形成する
ことができ、成膜性が低下することもなくなり、スパッ
タ効率も著しく向上させることができる。この様に、簡
単かつ低コストで修復することができるターゲットの修
復方法を提供することが可能になる。
【図１】この発明のマグネトロンスパッタ用貴金属ター
ゲットの修復方法により修復されたターゲットの斜視図
である。
ゲットの修復方法により修復されたターゲットの斜視図
である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線に添う断面図である。
【図３】従来例である凹部が生じた角板型のターゲット
の斜視図である。
の斜視図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に添う断面図である。
１ ターゲット ２ 表面 ３ 凹部 ３ａ 開口端 １１ 修復済みのターゲット １２ 合金材料
Claims (2)
- 【請求項１】 マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に生ずる凹部を修復する
方法であって、 当該凹部に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を
充填することを特徴とするマグネトロンスパッタ用貴金
属ターゲットの修復方法。 - 【請求項２】 マグネトロンスパッタ用貴金属ターゲッ
トの表面のスパッタされる領域に生ずる凹部を修復する
方法であって、 当該凹部に、前記ターゲットと同一組成からなる材料を
溶接することにより前記凹部の開口端の上部までこの材
料を充填し、その後このターゲットの表面を平滑にする
ことを特徴とするマグネトロンスパッタ用貴金属ターゲ
ットの修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4525591A JPH0565635A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | マグネトロンスパツタ用貴金属ターゲツトの修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4525591A JPH0565635A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | マグネトロンスパツタ用貴金属ターゲツトの修復方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565635A true JPH0565635A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=12714173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4525591A Pending JPH0565635A (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | マグネトロンスパツタ用貴金属ターゲツトの修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0565635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025244A2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Heraeus, Inc. | Refurbishing spent sputtering targets |
| EP2087144A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-08-12 | Williams Advanced Materials Inc. | Process for the refurbishing of a sputtering target |
| CN102933741A (zh) * | 2010-06-16 | 2013-02-13 | 株式会社爱发科 | 溅射靶及其制造方法 |
| JP2015120974A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-07-02 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP4525591A patent/JPH0565635A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2003025244A2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Heraeus, Inc. | Refurbishing spent sputtering targets |
| WO2003025244A3 (en) * | 2001-09-17 | 2004-10-14 | Heraeus Inc | Refurbishing spent sputtering targets |
| US7175802B2 (en) | 2001-09-17 | 2007-02-13 | Heraeus, Inc. | Refurbishing spent sputtering targets |
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| EP2087144A4 (en) * | 2007-07-17 | 2011-04-13 | Williams Advanced Materials Inc | METHOD FOR REHABILITATION OF A CATHODIC SPUTTER TARGET |
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| JP2015120974A (ja) * | 2013-11-25 | 2015-07-02 | 株式会社フルヤ金属 | スパッタリングターゲットの再生方法及び再生スパッタリングターゲット |
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