JPH0565625A - 硬質炭素積層膜 - Google Patents
硬質炭素積層膜Info
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- JPH0565625A JPH0565625A JP25481391A JP25481391A JPH0565625A JP H0565625 A JPH0565625 A JP H0565625A JP 25481391 A JP25481391 A JP 25481391A JP 25481391 A JP25481391 A JP 25481391A JP H0565625 A JPH0565625 A JP H0565625A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐摩耗部品などに用いる硬質炭素膜であっ
て、膜厚が厚く、かつ剥離が発生し難いものを提供す
る。 【構成】 基材上に硬質炭素膜とバッファ層を交互に積
層し、最外層が硬質炭素膜となるようにする。
て、膜厚が厚く、かつ剥離が発生し難いものを提供す
る。 【構成】 基材上に硬質炭素膜とバッファ層を交互に積
層し、最外層が硬質炭素膜となるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐摩耗性部品や摺動部
品、赤外線光学部品等に用いられる硬質炭素積層膜に関
するものである。
品、赤外線光学部品等に用いられる硬質炭素積層膜に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】硬質炭素膜は、アモルファス状の炭素膜
あるいは水素化炭素膜で、ａ−Ｃ：Ｈ、ｉ−Ｃ、ＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）とも呼ばれている。そ
の形成には、炭化水素ガスをプラズマで分解して成膜す
るプラズマＣＶＤ法、炭素又は炭化水素イオンを用いる
イオンビーム蒸着法、等の気相合成法が用いられる。硬
質炭素膜はヌープ硬度が２０００〜１００００と非常に
高く、表面平滑性に優れ、赤外線に対して高い透過性を
もつなどの性質を有している。現在これらの特性を生か
して種々の分野への応用が期待されており、特に耐摩耗
性部品や摺動部品、赤外線光学部品等へのコーティング
の応用研究が進められている。
あるいは水素化炭素膜で、ａ−Ｃ：Ｈ、ｉ−Ｃ、ＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）とも呼ばれている。そ
の形成には、炭化水素ガスをプラズマで分解して成膜す
るプラズマＣＶＤ法、炭素又は炭化水素イオンを用いる
イオンビーム蒸着法、等の気相合成法が用いられる。硬
質炭素膜はヌープ硬度が２０００〜１００００と非常に
高く、表面平滑性に優れ、赤外線に対して高い透過性を
もつなどの性質を有している。現在これらの特性を生か
して種々の分野への応用が期待されており、特に耐摩耗
性部品や摺動部品、赤外線光学部品等へのコーティング
の応用研究が進められている。
【０００３】ところで、硬質炭素膜は金属や誘電体など
多くの基材に対する付着性が低く、基材と硬質炭素膜と
の間にＳｉ等の中間層を用いることで前記付着性の向上
を図ってきた。又、硬質炭素膜は成膜後の残留応力が大
きく、１μｍを越える膜厚になると非常に剥離が生じ易
くなる。これはたとえＳｉなどの中間層を用いても同様
であり、通常０．５μｍ以下の比較的薄い膜厚のものが
用いられていた。
多くの基材に対する付着性が低く、基材と硬質炭素膜と
の間にＳｉ等の中間層を用いることで前記付着性の向上
を図ってきた。又、硬質炭素膜は成膜後の残留応力が大
きく、１μｍを越える膜厚になると非常に剥離が生じ易
くなる。これはたとえＳｉなどの中間層を用いても同様
であり、通常０．５μｍ以下の比較的薄い膜厚のものが
用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】硬質炭素膜を基材表面
の保護膜として使用する場合、耐用寿命などの点からで
きるだけ膜厚の厚いことが要求される。ところが前記の
とおり硬質炭素膜は残留応力の大きい膜であり、膜厚を
厚くすると極めて剥離し易くなるため、耐摩耗部品や摺
動部品などへの適用は極めて限られていた。従って、本
発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、膜厚
が厚く、剥離し難い硬質炭素膜を提供することを目的と
するものである。
の保護膜として使用する場合、耐用寿命などの点からで
きるだけ膜厚の厚いことが要求される。ところが前記の
とおり硬質炭素膜は残留応力の大きい膜であり、膜厚を
厚くすると極めて剥離し易くなるため、耐摩耗部品や摺
動部品などへの適用は極めて限られていた。従って、本
発明は上記の事情に鑑みてなされたものであって、膜厚
が厚く、剥離し難い硬質炭素膜を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明硬質炭素積層膜
は、上記の課題を解決するために基材上に硬質炭素膜と
バッファ層とを交互に積層することを特徴とするもので
ある。ここで、積層膜はその最外層が硬質炭素膜となる
よう形成し、基材の上に積層する順序は、バッファ層か
ら始めても、硬質炭素膜から始めてもどちらでもよい。
又、前記バッファ層の材料は、シリコン、ゲルマニウ
ム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、ガラス、
アルミナから選ばれた１種類以上を用いることが好まし
く、さらには引っ張り応力を有する膜を用いることが好
ましい。又、前記バッファ層の膜厚は適宜選択すればよ
いが、硬質炭素膜、バッファ層の膜厚及び内部応力をそ
れぞれｄ1 、ｄ2 、σ1 、σ2 とした場合、−１／１０
０σ1 ｄ1 ＜σ2 ｄ2 の関係を満たすように選択する
と、層数を多くする場合に有利である。尚、基材として
は、超硬合金、炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニ
ウム、アルミナ、窒化ほう素、炭化ほう素、ガラス、ダ
イヤモンド、等のセラミックス、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡ
ｓ、等の半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の光学材料、鉄系
合金、アルミ系合金等が適用できる。
は、上記の課題を解決するために基材上に硬質炭素膜と
バッファ層とを交互に積層することを特徴とするもので
ある。ここで、積層膜はその最外層が硬質炭素膜となる
よう形成し、基材の上に積層する順序は、バッファ層か
ら始めても、硬質炭素膜から始めてもどちらでもよい。
又、前記バッファ層の材料は、シリコン、ゲルマニウ
ム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、ガラス、
アルミナから選ばれた１種類以上を用いることが好まし
く、さらには引っ張り応力を有する膜を用いることが好
ましい。又、前記バッファ層の膜厚は適宜選択すればよ
いが、硬質炭素膜、バッファ層の膜厚及び内部応力をそ
れぞれｄ1 、ｄ2 、σ1 、σ2 とした場合、−１／１０
０σ1 ｄ1 ＜σ2 ｄ2 の関係を満たすように選択する
と、層数を多くする場合に有利である。尚、基材として
は、超硬合金、炭化けい素、窒化けい素、窒化アルミニ
ウム、アルミナ、窒化ほう素、炭化ほう素、ガラス、ダ
イヤモンド、等のセラミックス、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡ
ｓ、等の半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の光学材料、鉄系
合金、アルミ系合金等が適用できる。
【０００６】
【作用】上記のように硬質炭素膜とバッファ層を交互に
積層することで、これらの積算値で従来形成が困難であ
った厚い膜を形成することができる。又、硬質炭素膜は
１０9 〜１０10ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の圧縮応力を有して
おり、これと引っ張り応力を有するバッファ膜を交互に
積層すれば、硬質炭素膜の持つ圧縮応力が緩和あるいは
相殺され、積層膜全体として内部応力のバランスが保た
れるものと考えられ、剥離の発生し難い膜を形成するこ
とができる。
積層することで、これらの積算値で従来形成が困難であ
った厚い膜を形成することができる。又、硬質炭素膜は
１０9 〜１０10ｄｙｎ／ｃｍ2 程度の圧縮応力を有して
おり、これと引っ張り応力を有するバッファ膜を交互に
積層すれば、硬質炭素膜の持つ圧縮応力が緩和あるいは
相殺され、積層膜全体として内部応力のバランスが保た
れるものと考えられ、剥離の発生し難い膜を形成するこ
とができる。
【０００７】これらの事から、本発明におけるバッファ
層は、硬質炭素膜との付着性に優れることと、硬質炭素
膜の圧縮応力を緩和あるいは相殺すること、即ち、引っ
張り応力を有する膜であるという二つの条件を満たすこ
とが好ましい。
層は、硬質炭素膜との付着性に優れることと、硬質炭素
膜の圧縮応力を緩和あるいは相殺すること、即ち、引っ
張り応力を有する膜であるという二つの条件を満たすこ
とが好ましい。
【０００８】付着性に関しては、付着性の高い材料を用
いることと、付着性の高い方法で成膜することがあげら
れる。材料は前記の各材料が好ましく、特にシリコン、
ゲルマニウムは真空蒸着法などの簡単な方法で成膜して
も比較的高い付着強度が得られる。もちろんこれ以外の
材料であっても、硬質炭素膜との新和性の高いものであ
ればバッファ層として使用できる。成膜方法はイオンビ
ームを用いる方法が多くの材料に対して有効である。成
膜直前のイオン照射は、基材表面の汚染除去に効果的で
あり、成膜初期のイオン照射は、界面のミキシング効果
による付着性の向上に有効である。又、硬質炭素膜とバ
ッファ層との界面に、これら両者に対して付着性の優れ
る層を挿入してもよい。
いることと、付着性の高い方法で成膜することがあげら
れる。材料は前記の各材料が好ましく、特にシリコン、
ゲルマニウムは真空蒸着法などの簡単な方法で成膜して
も比較的高い付着強度が得られる。もちろんこれ以外の
材料であっても、硬質炭素膜との新和性の高いものであ
ればバッファ層として使用できる。成膜方法はイオンビ
ームを用いる方法が多くの材料に対して有効である。成
膜直前のイオン照射は、基材表面の汚染除去に効果的で
あり、成膜初期のイオン照射は、界面のミキシング効果
による付着性の向上に有効である。又、硬質炭素膜とバ
ッファ層との界面に、これら両者に対して付着性の優れ
る層を挿入してもよい。
【０００９】引っ張り応力を有する膜であるという点に
関しては、バッファ層成膜後に引っ張り応力が残留する
材料を用いることと、硬質炭素膜が有する圧縮応力を緩
和あるいは相殺する方法で成膜することがあげられる。
材料は前記の各材料が好ましく、例えばＳｉ蒸着膜は１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2台の引っ張り応力を有しており、こ
れらを硬質炭素膜と交互に積層することで、積層膜全体
の内部応力のバランスが保たれるものと思われる。
関しては、バッファ層成膜後に引っ張り応力が残留する
材料を用いることと、硬質炭素膜が有する圧縮応力を緩
和あるいは相殺する方法で成膜することがあげられる。
材料は前記の各材料が好ましく、例えばＳｉ蒸着膜は１
０9 ｄｙｎ／ｃｍ2台の引っ張り応力を有しており、こ
れらを硬質炭素膜と交互に積層することで、積層膜全体
の内部応力のバランスが保たれるものと思われる。
【００１０】硬質炭素膜が有する圧縮応力を緩和あるい
は相殺する方法で成膜することは、上述のように硬質炭
素膜とバッファ層とを交互に積層するのだが、さらに硬
質炭素膜の膜厚に応じてバッファ層の膜厚を選択する必
要がある。理論的には硬質炭素膜が有する圧縮応力を相
殺するには、硬質炭素膜、バッファ層の膜厚及び内部応
力をそれぞれｄ1 、ｄ2 、σ1 、σ2 とした場合、−σ
1 ｄ1 ＝σ2 ｄ2 の関係にあることが必要である。例え
ば、硬質炭素膜がσ1 ＝−８×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の
圧縮の応力を有し、Ｓｉ蒸着膜バッファ層が４×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2の引っ張りの応力を有しているとき、Ｓ
ｉバッファ層は硬質炭素膜の２倍の膜厚であることが好
ましい。この膜厚と内部応力との関係について実際に種
々の試験を行った結果、−１／１００σ1 ｄ1 ＜σ2 ｄ
2 の関係を満たしていれば積層膜の剥離が発生しないこ
とが判明した。又、本発明硬質炭素膜は積層膜の積算値
で５０μｍまでは剥離が生じなかった。
は相殺する方法で成膜することは、上述のように硬質炭
素膜とバッファ層とを交互に積層するのだが、さらに硬
質炭素膜の膜厚に応じてバッファ層の膜厚を選択する必
要がある。理論的には硬質炭素膜が有する圧縮応力を相
殺するには、硬質炭素膜、バッファ層の膜厚及び内部応
力をそれぞれｄ1 、ｄ2 、σ1 、σ2 とした場合、−σ
1 ｄ1 ＝σ2 ｄ2 の関係にあることが必要である。例え
ば、硬質炭素膜がσ1 ＝−８×１０9 ｄｙｎ／ｃｍ2 の
圧縮の応力を有し、Ｓｉ蒸着膜バッファ層が４×１０9
ｄｙｎ／ｃｍ2の引っ張りの応力を有しているとき、Ｓ
ｉバッファ層は硬質炭素膜の２倍の膜厚であることが好
ましい。この膜厚と内部応力との関係について実際に種
々の試験を行った結果、−１／１００σ1 ｄ1 ＜σ2 ｄ
2 の関係を満たしていれば積層膜の剥離が発生しないこ
とが判明した。又、本発明硬質炭素膜は積層膜の積算値
で５０μｍまでは剥離が生じなかった。
【００１１】
（実施例１）ＺｎＳｅ基材に０．１μｍのアルミナと
０．２μｍの硬質炭素膜とを交互に積層して成膜した。
成膜に用いた装置は図１に示すもので、電子ビームによ
るバッファ層蒸発源３と２基のイオン源１、２を備えて
おり、硬質炭素膜とバッファ層は共通の成膜室８で連続
して形成できる。バッファ層蒸発源３はアルミナの成膜
に用い、イオン源は１基を硬質炭素膜用のメタンイオン
源１として、他の１基を希ガスイオン源２として用い、
基材５表面のスパッタリングと各層間界面のミキシング
に適用した。又、補助ポンプを備えたターボ分子ポンプ
で５×１０-8Ｔｏｒｒまで排気し、ヒーター６により基
材温度は成膜全般にわたり、２５０℃とした。アルミナ
の膜厚は水晶振動子式の膜厚計７でモニターし、硬質炭
素膜の膜厚は成膜時間で制御した。成膜手順を以下に示
す。
０．２μｍの硬質炭素膜とを交互に積層して成膜した。
成膜に用いた装置は図１に示すもので、電子ビームによ
るバッファ層蒸発源３と２基のイオン源１、２を備えて
おり、硬質炭素膜とバッファ層は共通の成膜室８で連続
して形成できる。バッファ層蒸発源３はアルミナの成膜
に用い、イオン源は１基を硬質炭素膜用のメタンイオン
源１として、他の１基を希ガスイオン源２として用い、
基材５表面のスパッタリングと各層間界面のミキシング
に適用した。又、補助ポンプを備えたターボ分子ポンプ
で５×１０-8Ｔｏｒｒまで排気し、ヒーター６により基
材温度は成膜全般にわたり、２５０℃とした。アルミナ
の膜厚は水晶振動子式の膜厚計７でモニターし、硬質炭
素膜の膜厚は成膜時間で制御した。成膜手順を以下に示
す。
【００１２】３ＫｅＶ−Ａｒイオンによる基材表面の
洗浄。 Ａｒイオンのエネルギーを４０ＫｅＶに上げる。 Ａｒイオン照射を継続した状態でアルミナの成膜を開
始する。 ０．０１μｍ成膜したところでＡｒイオン照射を止め
る。 アルミナの膜厚が０．１μｍになった時点でアルミナ
蒸着を停止し、即座に４０ＫｅＶメタンイオン照射を開
始する。 ３０秒経過後メタンイオンのエネルギーを０．５Ｋｅ
Ｖに下げ硬質炭素膜の成膜を続ける。 ３０分経過したらメタンイオン照射を停止してに戻
る。 以上の手順を所定の回数繰り返し、硬質炭素膜とバッ
ファ層を積層して成膜を終了する。
洗浄。 Ａｒイオンのエネルギーを４０ＫｅＶに上げる。 Ａｒイオン照射を継続した状態でアルミナの成膜を開
始する。 ０．０１μｍ成膜したところでＡｒイオン照射を止め
る。 アルミナの膜厚が０．１μｍになった時点でアルミナ
蒸着を停止し、即座に４０ＫｅＶメタンイオン照射を開
始する。 ３０秒経過後メタンイオンのエネルギーを０．５Ｋｅ
Ｖに下げ硬質炭素膜の成膜を続ける。 ３０分経過したらメタンイオン照射を停止してに戻
る。 以上の手順を所定の回数繰り返し、硬質炭素膜とバッ
ファ層を積層して成膜を終了する。
【００１３】以上の手順で硬質炭素膜、バッファ層をそ
れぞれ１、３、５、１０層（合計２、６、１０、２０
層）成膜し、積層膜の剥離の有無を調べると共に硬度の
評価を行った。又、比較のためバッファ層無しで基材の
上に直接硬質炭素膜を２μｍ成膜してみた。その結果を
表１に示す。
れぞれ１、３、５、１０層（合計２、６、１０、２０
層）成膜し、積層膜の剥離の有無を調べると共に硬度の
評価を行った。又、比較のためバッファ層無しで基材の
上に直接硬質炭素膜を２μｍ成膜してみた。その結果を
表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】同表に示すようにバッファ層の無いものは
内部応力が原因と考えられる剥離が生じていたのに対
し、本発明硬質炭素膜は積層数の多いものでも剥離が無
く、厚い膜厚の硬質炭素膜が形成できることが確認され
た。
内部応力が原因と考えられる剥離が生じていたのに対
し、本発明硬質炭素膜は積層数の多いものでも剥離が無
く、厚い膜厚の硬質炭素膜が形成できることが確認され
た。
【００１６】（実施例２）次に、Ｓｉウエハ上にＳｉバ
ッファ層と硬質炭素膜とを交互にそれぞれ５層、合計１
０層成膜した。成膜に用いた装置は図２に示すもので、
硬質炭素膜とバッファ層はインラインにてそれぞれ独立
した成膜室１０及び１１で行なうことができる。バッフ
ァ層の成膜は真空蒸着法で行った。バッファ層蒸発源１
３にＳｉをセットし、バッファ層成膜室１０は補助ポン
プを備えたターボ分子ポンプで排気した。真空到達度は
８×１０-9Ｔｏｒｒであり、成膜中の真空度は２×１０
-7Ｔｏｒｒであった。一方、硬質炭素膜の成膜は、容量
結合式の平行平板型電極を用いる高周波プラズマＣＶＤ
法で行った。硬質炭素膜成膜室１１は補助ポンプを備え
た油拡散ポンプで排気され、真空到達度は８×１０-9Ｔ
ｏｒｒであった。ここで、原料ガスであるメタンを５×
１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、基材温度を２５０℃とし
た。そして成膜した硬質炭素膜とバッファ層の各内部応
力を測定するとともに、硬質炭素膜の膜厚は０．６μｍ
に固定し、Ｓｉバッファ層の膜厚を５０Åから２．０μ
ｍの範囲で変化させて、積層膜の剥離の有無について調
べてみた。その結果を表２に示す。
ッファ層と硬質炭素膜とを交互にそれぞれ５層、合計１
０層成膜した。成膜に用いた装置は図２に示すもので、
硬質炭素膜とバッファ層はインラインにてそれぞれ独立
した成膜室１０及び１１で行なうことができる。バッフ
ァ層の成膜は真空蒸着法で行った。バッファ層蒸発源１
３にＳｉをセットし、バッファ層成膜室１０は補助ポン
プを備えたターボ分子ポンプで排気した。真空到達度は
８×１０-9Ｔｏｒｒであり、成膜中の真空度は２×１０
-7Ｔｏｒｒであった。一方、硬質炭素膜の成膜は、容量
結合式の平行平板型電極を用いる高周波プラズマＣＶＤ
法で行った。硬質炭素膜成膜室１１は補助ポンプを備え
た油拡散ポンプで排気され、真空到達度は８×１０-9Ｔ
ｏｒｒであった。ここで、原料ガスであるメタンを５×
１０-4Ｔｏｒｒまで導入し、基材温度を２５０℃とし
た。そして成膜した硬質炭素膜とバッファ層の各内部応
力を測定するとともに、硬質炭素膜の膜厚は０．６μｍ
に固定し、Ｓｉバッファ層の膜厚を５０Åから２．０μ
ｍの範囲で変化させて、積層膜の剥離の有無について調
べてみた。その結果を表２に示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】同表に示すように、−σ1 ｄ1 がσ2ｄ2
よりも十分小さい場合、例えば−１／１００σ1 ｄ1 ＜
σ2 ｄ2 を満たす程度であれば積層膜に剥離が発生しな
いことが確認された。
よりも十分小さい場合、例えば−１／１００σ1 ｄ1 ＜
σ2 ｄ2 を満たす程度であれば積層膜に剥離が発生しな
いことが確認された。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、従来困難とされて
きた硬質炭素膜の厚膜化がバッファ層と交互に積層する
という間接的な方法ではあるが可能となった。これによ
り、耐摩耗部品や摺動部品などの耐用寿命を格段に向上
させることができ、又無反射コート、全反射コートなど
の光学コートにも有効利用することができる。
きた硬質炭素膜の厚膜化がバッファ層と交互に積層する
という間接的な方法ではあるが可能となった。これによ
り、耐摩耗部品や摺動部品などの耐用寿命を格段に向上
させることができ、又無反射コート、全反射コートなど
の光学コートにも有効利用することができる。
【図１】本発明炭素膜の成膜に用いた装置の概略図であ
る。
る。
【図２】本発明炭素膜の成膜に用いた装置の概略図であ
る。
る。
１ メタンイオン源 ２ 希ガスイオン源 ３、１３ バッファ層蒸発源 ４、１４ シャッター ５、１５ 基材 ６、１６ ヒーター ７ 膜厚計 ８ 成膜室 １０ バッファ層成膜室 １１ 硬質炭素膜成膜室 １７ 基材ホルダー兼高周波電極 １８ 接地電極 ２０、２１ 予備室
Claims (4)
- 【請求項１】 基材上に硬質炭素膜とバッファ層とを交
互に積層し、最外層が硬質炭素膜となることを特徴とす
る硬質炭素積層膜。 - 【請求項２】 バッファ層の材料として、シリコン、ゲ
ルマニウム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、
ガラス、アルミナから選ばれた１種類以上を用いること
を特徴とする請求項１記載の硬質炭素積層膜。 - 【請求項３】 バッファ層に引っ張り応力を有する膜を
用いることを特徴とする請求項１記載の硬質炭素積層
膜。 - 【請求項４】 硬質炭素膜、バッファ層の膜厚及び内部
応力をそれぞれｄ1、ｄ2 、σ1 、σ2 とした場合、−
１／１００σ1 ｄ1 ＜σ2 ｄ2 の関係にあることを特徴
とする請求項１記載の硬質炭素積層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25481391A JP3246513B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ダイヤモンドライクカーボン積層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25481391A JP3246513B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ダイヤモンドライクカーボン積層膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0565625A true JPH0565625A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3246513B2 JP3246513B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=17270240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25481391A Expired - Fee Related JP3246513B2 (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | ダイヤモンドライクカーボン積層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246513B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006527791A (ja) * | 2003-06-16 | 2006-12-07 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 少なくとも一つの水素含有アモルファスカーボンを含んでなる、機械部品用コーティング、およびコーティングの堆積方法 |
| JP2008254144A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Osg Corp | 硬質被膜および硬質被膜被覆工具 |
| JP2017128491A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品 |
| WO2017126394A1 (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5287395B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-09-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 耐熱性、耐久性に優れる耐摩耗性工具部材 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP25481391A patent/JP3246513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008254144A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Osg Corp | 硬質被膜および硬質被膜被覆工具 |
| JP2017128491A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品 |
| WO2017126394A1 (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品 |
| CN108474871A (zh) * | 2016-01-18 | 2018-08-31 | 住友电气工业株式会社 | 光学元件 |
| US20190023609A1 (en) * | 2016-01-18 | 2019-01-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical component |
| US10807908B2 (en) | 2016-01-18 | 2020-10-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical component |
| JP2020180378A (ja) * | 2016-01-18 | 2020-11-05 | 住友電気工業株式会社 | 光学部品 |
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| JP3246513B2 (ja) | 2002-01-15 |
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