JPH0564408B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0564408B2 JPH0564408B2 JP21416885A JP21416885A JPH0564408B2 JP H0564408 B2 JPH0564408 B2 JP H0564408B2 JP 21416885 A JP21416885 A JP 21416885A JP 21416885 A JP21416885 A JP 21416885A JP H0564408 B2 JPH0564408 B2 JP H0564408B2
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- Japan
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- plasma chamber
- chamber
- plasma
- permanent magnet
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- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン源、特にガス等を導入しこの
ガスをプラズマ化するプラズマ室の外側室に永久
磁石が配置され、この永久磁石により前記プラズ
マをカプス磁場によつてとじ込める型のイオン源
に関する。
ガスをプラズマ化するプラズマ室の外側室に永久
磁石が配置され、この永久磁石により前記プラズ
マをカプス磁場によつてとじ込める型のイオン源
に関する。
この種のイオン源は、たとえば特開昭57−
78800号公報に記載されているようなものが知ら
れている。しかも、従来のイオン源は、フイラメ
ントとプラズマ室の内壁との間で、アーク放電が
さなれるものであるが、このアーク放電による発
熱が、前記プラズマ室の外側壁に配置されている
永久磁石にまで伝導され、前記永久磁石が加熱さ
れるという現象まで生ずる。永久磁石はそれがあ
る値（150℃）以上に熱せられると、いわゆる減
磁現象が発生し、これがもとの磁場に復帰できな
いという弊害をもらす。
78800号公報に記載されているようなものが知ら
れている。しかも、従来のイオン源は、フイラメ
ントとプラズマ室の内壁との間で、アーク放電が
さなれるものであるが、このアーク放電による発
熱が、前記プラズマ室の外側壁に配置されている
永久磁石にまで伝導され、前記永久磁石が加熱さ
れるという現象まで生ずる。永久磁石はそれがあ
る値（150℃）以上に熱せられると、いわゆる減
磁現象が発生し、これがもとの磁場に復帰できな
いという弊害をもらす。
したがつて、通常にあつては、イオン源にはそ
の永久磁石近傍に水冷管を配置し、前記永久磁石
のある値以上の温度に達成させない配慮がなされ
ている。
の永久磁石近傍に水冷管を配置し、前記永久磁石
のある値以上の温度に達成させない配慮がなされ
ている。
しかしながら、前記水冷管を配置したとしても
その配置自由度が、永久磁石あるいはその電流導
入端子によつて防げられるものであつた。したが
つて、水冷管の配置の困難な部分が生じ、その部
分における永久磁石の冷却は達成できず、前記永
久磁石の源磁現象の信頼性ある防止についての配
慮はなされていなかつた。
その配置自由度が、永久磁石あるいはその電流導
入端子によつて防げられるものであつた。したが
つて、水冷管の配置の困難な部分が生じ、その部
分における永久磁石の冷却は達成できず、前記永
久磁石の源磁現象の信頼性ある防止についての配
慮はなされていなかつた。
本発明の目的は、このような事情に基づいてな
されたものであり、永久磁石の熱による源磁現象
の防止を信頼性よく行なつたイオン源を提供する
にある。
されたものであり、永久磁石の熱による源磁現象
の防止を信頼性よく行なつたイオン源を提供する
にある。
このような目的を達成するために、本発明は、
ガス等を導入しこのガスをプラズマ化するプラズ
マ室の外側室に永久磁石が配置され、この永久磁
石により前記プラズマをカプス磁場によつてとじ
込めるイオン源において、前記プラズマ室の内側
面に沿つて熱伝導性の良好なインナーチヤンバを
配置し、このインナーチヤンバと前記プラズマ室
との間に熱逃げ手段を設けるようにしたものであ
る。
ガス等を導入しこのガスをプラズマ化するプラズ
マ室の外側室に永久磁石が配置され、この永久磁
石により前記プラズマをカプス磁場によつてとじ
込めるイオン源において、前記プラズマ室の内側
面に沿つて熱伝導性の良好なインナーチヤンバを
配置し、このインナーチヤンバと前記プラズマ室
との間に熱逃げ手段を設けるようにしたものであ
る。
第１図は本発明によるイオン源の一実施例を示
す断面図である。まず、プラズマ室１があり、こ
のプラズマ室１の上部には一対の電流導入端子３
が固設されており、この電流導入端子３からプラ
ズマ室１内に延設してそれぞれフイラメント２が
配置されている。また前記各電流導入端子３のほ
ぼ中央部にはガス導入口４が配置され、このガス
導入口４を通して前記プラズマ室１内に所定のガ
スを流入できるようになつている。また、このよ
うな電流導入端子３およびガス導入口４が備えら
れたプラズマ室１の上部外側および外側壁には、
前記プラズマ室１内にカプス磁場を形成するため
の永久磁石６がそれぞれ配置されている。プラズ
マ室１の上部に配置されている永久磁石６は、前
記ガス導入口４を中心として同心円状に配置され
多環状形をなしている。またプラズマ室１の外側
壁にはプラズマ室１の中心軸に沿う棒状の磁石が
前記外側壁円周に沿つて並設され、第３図の平面
図に示すように全体として放射状に配置されたも
のとなつている。さらに、前記プラズマ室１の底
部には電極７が配置されている。
す断面図である。まず、プラズマ室１があり、こ
のプラズマ室１の上部には一対の電流導入端子３
が固設されており、この電流導入端子３からプラ
ズマ室１内に延設してそれぞれフイラメント２が
配置されている。また前記各電流導入端子３のほ
ぼ中央部にはガス導入口４が配置され、このガス
導入口４を通して前記プラズマ室１内に所定のガ
スを流入できるようになつている。また、このよ
うな電流導入端子３およびガス導入口４が備えら
れたプラズマ室１の上部外側および外側壁には、
前記プラズマ室１内にカプス磁場を形成するため
の永久磁石６がそれぞれ配置されている。プラズ
マ室１の上部に配置されている永久磁石６は、前
記ガス導入口４を中心として同心円状に配置され
多環状形をなしている。またプラズマ室１の外側
壁にはプラズマ室１の中心軸に沿う棒状の磁石が
前記外側壁円周に沿つて並設され、第３図の平面
図に示すように全体として放射状に配置されたも
のとなつている。さらに、前記プラズマ室１の底
部には電極７が配置されている。
また、前記プラズマ室１の内側壁にはその内側
側面と若干の間隙を有し、かつ前記内側壁の周方
向に沿つて延在し、全体として円筒状となるイン
ナーチヤンバ５が配置されている。このチヤンバ
はたとえばステンレスあるいはモリブデン等で構
成される。このインナーチヤンバ５の上端部およ
び下端部はそれぞれ若干肉厚が厚く形成され、こ
れにより前記プラズマ室１の内側壁に当接されて
いるとともに、この当接部において、前記プラズ
マ室１とボルト８によつて固定されている。
側面と若干の間隙を有し、かつ前記内側壁の周方
向に沿つて延在し、全体として円筒状となるイン
ナーチヤンバ５が配置されている。このチヤンバ
はたとえばステンレスあるいはモリブデン等で構
成される。このインナーチヤンバ５の上端部およ
び下端部はそれぞれ若干肉厚が厚く形成され、こ
れにより前記プラズマ室１の内側壁に当接されて
いるとともに、この当接部において、前記プラズ
マ室１とボルト８によつて固定されている。
さらに、前記プラズマ室１の上内壁にもその上
内壁面と若干の間隙を有して円板状のインナーチ
ヤンバ５が配置されている。このインナーチヤン
バ５の周辺部は若干肉厚が厚く形成され、これに
より前記プラズマ室１の上内壁に当接されている
とともに、この当接部において、前記プラズマ室
１とボルト８によつて固定されている。
内壁面と若干の間隙を有して円板状のインナーチ
ヤンバ５が配置されている。このインナーチヤン
バ５の周辺部は若干肉厚が厚く形成され、これに
より前記プラズマ室１の上内壁に当接されている
とともに、この当接部において、前記プラズマ室
１とボルト８によつて固定されている。
このように構成したイオン源は、インナーチヤ
ンバ５をアノード、フイラメント２をカソードと
して電流を流すことにより、この間にアーク放電
を起こさせることになる。このアーク放電は、プ
ラズマ室１内のガスを電離させてプラズマを発生
させる。このプラズマはプラズマ室１の外部に配
置された永久磁石６によるカプス磁場によりプラ
ズマ室１内にとじ込められる。
ンバ５をアノード、フイラメント２をカソードと
して電流を流すことにより、この間にアーク放電
を起こさせることになる。このアーク放電は、プ
ラズマ室１内のガスを電離させてプラズマを発生
させる。このプラズマはプラズマ室１の外部に配
置された永久磁石６によるカプス磁場によりプラ
ズマ室１内にとじ込められる。
この際において、前記アーク放電によりインナ
ーチヤンバ５は加熱されるが、プラズマ室１の内
壁面との間には間隙を有しているため、前記プラ
ズマ室１の中央部への直接の熱伝導は避けられ、
プラズマ室の上下端に固設されたボルト８を介し
て放熱がなされることになる。
ーチヤンバ５は加熱されるが、プラズマ室１の内
壁面との間には間隙を有しているため、前記プラ
ズマ室１の中央部への直接の熱伝導は避けられ、
プラズマ室の上下端に固設されたボルト８を介し
て放熱がなされることになる。
したがつて、プラズマ室１の壁面において永久
磁石６が配置されている部分には直接の熱伝導は
なされないことになる。このため永久磁石６の
150℃以上の加熱を抑制することができ、前記永
久磁石６の減磁現象を信頼性よく防止することが
できるようになる。
磁石６が配置されている部分には直接の熱伝導は
なされないことになる。このため永久磁石６の
150℃以上の加熱を抑制することができ、前記永
久磁石６の減磁現象を信頼性よく防止することが
できるようになる。
上述した実施例では、インナーチヤンバ５はプ
ラズマ室１の内壁と若干の空隙を形成して配置さ
せたものである。しかし、第２図に示すように、
前記空隙を形成せず、インナーチヤンバ５をプラ
ズマ室１の内壁に当接させるようにしてもよい。
この場合にあつても、前記当接部はインナーチヤ
ンバ５とプラズマ室１の内壁の表面の粗さによつ
て微小な間隙層が形成されることから、熱伝導性
の面からみて充分な効果を奏し得る。第３図は第
２図のＡ−Ａ線における断面図を示し、インナー
チヤンバ５とプラズマ室１の内壁とが当接してい
ることを表わしている。
ラズマ室１の内壁と若干の空隙を形成して配置さ
せたものである。しかし、第２図に示すように、
前記空隙を形成せず、インナーチヤンバ５をプラ
ズマ室１の内壁に当接させるようにしてもよい。
この場合にあつても、前記当接部はインナーチヤ
ンバ５とプラズマ室１の内壁の表面の粗さによつ
て微小な間隙層が形成されることから、熱伝導性
の面からみて充分な効果を奏し得る。第３図は第
２図のＡ−Ａ線における断面図を示し、インナー
チヤンバ５とプラズマ室１の内壁とが当接してい
ることを表わしている。
以上説明したことから明らかなように、本発明
によるイオン源によれば、永久磁石の熱による源
磁現象の防止を信頼性よく行なうことができるよ
うになる。
によるイオン源によれば、永久磁石の熱による源
磁現象の防止を信頼性よく行なうことができるよ
うになる。
第１図は本発明によるイオン源の一実施例を示
す断面図、第２図は本発明によるイオン源の他の
実施例を示す断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線
における断面図である。 １……プラズマ室、２……フイラメント、５…
…インナーチヤンバ、６……永久磁石。
す断面図、第２図は本発明によるイオン源の他の
実施例を示す断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線
における断面図である。 １……プラズマ室、２……フイラメント、５…
…インナーチヤンバ、６……永久磁石。
Claims (1)
- １ ガス等を導入しこのガスをプラズマ化するプ
ラズマ室の外側壁に永久磁石が配置され、この永
久磁石により前記プラズマをカプス磁場によつて
とじ込めるイオン源において、前記プラズマ室の
内側面に沿つて熱伝導性の良好なインナーチヤン
バを配置し、このインナーチヤンバと前記プラズ
マ室との間に熱逃げ手段を設けてなることを特徴
とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21416885A JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21416885A JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273530A JPS6273530A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0564408B2 true JPH0564408B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16651359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21416885A Granted JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273530A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2540492B2 (ja) * | 1986-01-16 | 1996-10-02 | 日新電機株式会社 | イオン源用ア−クチヤンバ−装置 |
| JP2007165107A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21416885A patent/JPS6273530A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6273530A (ja) | 1987-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |