JPH0563018B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0563018B2 JPH0563018B2 JP61080518A JP8051886A JPH0563018B2 JP H0563018 B2 JPH0563018 B2 JP H0563018B2 JP 61080518 A JP61080518 A JP 61080518A JP 8051886 A JP8051886 A JP 8051886A JP H0563018 B2 JPH0563018 B2 JP H0563018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- power supply
- circuit
- semiconductor integrated
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に集積回路
内の回路ブロツクごとの電源供給の接断のできる
半導体集積回路に関する。
内の回路ブロツクごとの電源供給の接断のできる
半導体集積回路に関する。
使用者が自由にプログラム可能なバイポーラの
プログラム可能読出し専用メモリPROMやフイ
ールドプログラマブルロジツクアレイFPLAを使
用するにあたり、これらの集積回路では、プログ
ラム書込み時のみに使用する書込み回路を有し、
通常の読出し動作時にも電力を供給している。す
なわちプログラム書込み時以外でも不必要な電力
を供給しつづけている。プログラム書込み以外の
集積回路でも使用者が機能を全部使用せず不必要
となる回路ブロツクが発生することがありこの場
合も不必要な電力を供給しつづけている。
プログラム可能読出し専用メモリPROMやフイ
ールドプログラマブルロジツクアレイFPLAを使
用するにあたり、これらの集積回路では、プログ
ラム書込み時のみに使用する書込み回路を有し、
通常の読出し動作時にも電力を供給している。す
なわちプログラム書込み時以外でも不必要な電力
を供給しつづけている。プログラム書込み以外の
集積回路でも使用者が機能を全部使用せず不必要
となる回路ブロツクが発生することがありこの場
合も不必要な電力を供給しつづけている。
上述した従来の集積回路は、不必要になつた回
路ブロツクでも電力を消費して、装置の消費電力
を増大させるという欠点があつた。
路ブロツクでも電力を消費して、装置の消費電力
を増大させるという欠点があつた。
本発明の目的は、不必要となつた回路ブロツク
への電力の供給を外部から切断することのできる
集積回路を提供する事にある。
への電力の供給を外部から切断することのできる
集積回路を提供する事にある。
また、一度電力を断つた回路ブロツクが再び使
用する必要が生じた時は、ふたたび電力を供給し
て使用できる集積回路を提供する事にある。
用する必要が生じた時は、ふたたび電力を供給し
て使用できる集積回路を提供する事にある。
本発明の半導体集積回路は、複数個の回路ブロ
ツクを有する集積回路において、集積回路の電源
と前記回路ブロツクとそれらの電源端子との間
に、電気的に切断可能な素子と電気的に短絡可能
な素子とを並列に接続した複合素子を設けて構成
される。
ツクを有する集積回路において、集積回路の電源
と前記回路ブロツクとそれらの電源端子との間
に、電気的に切断可能な素子と電気的に短絡可能
な素子とを並列に接続した複合素子を設けて構成
される。
次に、本発明について図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロツ
ク図、第２図は本発明の半導体集積回路に使用す
る複合素子の第一の実施例を示す回路図、第３図
は本発明の半導体集積回路に使用する複合素子の
第二の実施例を示す回路図である。
ク図、第２図は本発明の半導体集積回路に使用す
る複合素子の第一の実施例を示す回路図、第３図
は本発明の半導体集積回路に使用する複合素子の
第二の実施例を示す回路図である。
第１図を見るに、VCCは、半導体集積回路の電
源端子であり電源線３を通して回路ブロツク１ａ
〜１ｎに電源が供給される。またVCCAa〜VCCAoは
各回路ブロツクの電源端子である。各回路ブロツ
クの電源端子VCCAa〜VCCAoと電源ライン３の間に
回路ブロツクへの電源供給の有無を決定する複合
素子２ａ〜２ｎがある。複合素子は、並列に接続
された２組の素子からなり、第一の素子は電流が
流れることにより発生したジユール熱などでその
導体部分が切断されて回路ブロツクへ供給してい
る電流を断ち、回路ブロツクが電力消費のないよ
うにするものである。第二の素子はその両端の電
圧がある値まで上昇したときに例えばゼナーブレ
ークして電流が流れ、その素子の両端が短絡する
ような素子である。従つて例えば読出し専用メモ
リのプログラムに使つた回路ブロツクを電源回路
から切断するには回路ブロツク電源端子電圧
VCCAa〜VCCAoのうち該当する電圧、例えばVCCAa
は、トランジスタ４ａの制御端子５ａに電圧を加
えこれを導通することにより複合素子に電源端子
電圧VCCが加えられそのときの電流はほとんど第
一の素子に流れる電流となり第一の素子を切断す
れば回路ブロツク１ａは独立して電流電源が流れ
なくなる。
源端子であり電源線３を通して回路ブロツク１ａ
〜１ｎに電源が供給される。またVCCAa〜VCCAoは
各回路ブロツクの電源端子である。各回路ブロツ
クの電源端子VCCAa〜VCCAoと電源ライン３の間に
回路ブロツクへの電源供給の有無を決定する複合
素子２ａ〜２ｎがある。複合素子は、並列に接続
された２組の素子からなり、第一の素子は電流が
流れることにより発生したジユール熱などでその
導体部分が切断されて回路ブロツクへ供給してい
る電流を断ち、回路ブロツクが電力消費のないよ
うにするものである。第二の素子はその両端の電
圧がある値まで上昇したときに例えばゼナーブレ
ークして電流が流れ、その素子の両端が短絡する
ような素子である。従つて例えば読出し専用メモ
リのプログラムに使つた回路ブロツクを電源回路
から切断するには回路ブロツク電源端子電圧
VCCAa〜VCCAoのうち該当する電圧、例えばVCCAa
は、トランジスタ４ａの制御端子５ａに電圧を加
えこれを導通することにより複合素子に電源端子
電圧VCCが加えられそのときの電流はほとんど第
一の素子に流れる電流となり第一の素子を切断す
れば回路ブロツク１ａは独立して電流電源が流れ
なくなる。
次に、プログラムの修正をするためには第二の
素子の短絡をする必要がある。このときはトラン
ジスタ４ａを導通させて電源電圧VCCを例えばゼ
ナーブレークする電圧まで上げてそのときに流れ
る電流により第二の素子を短絡させて、ふたたび
回路ブロツク１ａを使うことができるようにな
る。
素子の短絡をする必要がある。このときはトラン
ジスタ４ａを導通させて電源電圧VCCを例えばゼ
ナーブレークする電圧まで上げてそのときに流れ
る電流により第二の素子を短絡させて、ふたたび
回路ブロツク１ａを使うことができるようにな
る。
次に、半導体集積回路に使用する複合素子の第
一の実施例の構成と作動を説明する。第２図に示
すように半導体集積回路に使用する複合素子の第
一の実施例は、熱溶融素子１０とゼナーダイオー
ド１１とが並列に接続されている。熱溶融素子１
０は例えばタングステン、ポリシリコンなどの薄
膜で作られ一定以上の電流が流れると切断され熱
溶融物質からなつており可溶片の役をしている。
ゼナーダイオード１１は、電源電流の方向に対し
て逆方向に接続され、あらかじめ規定された電位
まで上昇するとゼナーブレークして電流が流れ、
一定電流以上流れると陰極と陽極間にアルミスパ
イクが走り、短絡する事ができる。このようにし
て、熱溶融素子１０およびゼナーダイオード１１
を並列接続したものは電気的に切断・短絡が可能
となつている。もちろん熱溶融素子を切断するの
に必要な電流とゼナーが短絡されるのに必要な電
流は異なり、この場合熱溶融素子の方が小さい電
流で切断される。
一の実施例の構成と作動を説明する。第２図に示
すように半導体集積回路に使用する複合素子の第
一の実施例は、熱溶融素子１０とゼナーダイオー
ド１１とが並列に接続されている。熱溶融素子１
０は例えばタングステン、ポリシリコンなどの薄
膜で作られ一定以上の電流が流れると切断され熱
溶融物質からなつており可溶片の役をしている。
ゼナーダイオード１１は、電源電流の方向に対し
て逆方向に接続され、あらかじめ規定された電位
まで上昇するとゼナーブレークして電流が流れ、
一定電流以上流れると陰極と陽極間にアルミスパ
イクが走り、短絡する事ができる。このようにし
て、熱溶融素子１０およびゼナーダイオード１１
を並列接続したものは電気的に切断・短絡が可能
となつている。もちろん熱溶融素子を切断するの
に必要な電流とゼナーが短絡されるのに必要な電
流は異なり、この場合熱溶融素子の方が小さい電
流で切断される。
さらに、半導体集積回路に使用する複合素子の
第二の実施例の構成と作動を説明する。
第二の実施例の構成と作動を説明する。
第３図に示すように本発明の半導体集積回路に
使用する複合素子の第二の実施例は電源電流方向
と順方向に接続されたダイオード２１と熱溶融物
質からなる熱溶融素子２０とを直列に接続した素
子列と、エミツタの電流方向が電源電流の方向と
逆方向に接続されたオープンベーストランジスタ
２２とを並列接続をして構成した例であり、複合
素子の第一の実施例と同一の動作を行う。この複
合素子ではダイオード２１とオープンベーストラ
ンジスタ２２は電源電流の方向と逆方向に耐電圧
をもたせることができるので、複合素子の第二の
実施例を使用した半導体集積回路は回路ブロツク
１ａ〜１ｎの作動状況によつて電源端子電圧VCC
が回路ブロツク電源端子電圧VCCA（すなわちVCCAa
〜VCCAo）より高くなつても複合素子の熱溶融素
子が誤つた動作をしないという特徴がある。
使用する複合素子の第二の実施例は電源電流方向
と順方向に接続されたダイオード２１と熱溶融物
質からなる熱溶融素子２０とを直列に接続した素
子列と、エミツタの電流方向が電源電流の方向と
逆方向に接続されたオープンベーストランジスタ
２２とを並列接続をして構成した例であり、複合
素子の第一の実施例と同一の動作を行う。この複
合素子ではダイオード２１とオープンベーストラ
ンジスタ２２は電源電流の方向と逆方向に耐電圧
をもたせることができるので、複合素子の第二の
実施例を使用した半導体集積回路は回路ブロツク
１ａ〜１ｎの作動状況によつて電源端子電圧VCC
が回路ブロツク電源端子電圧VCCA（すなわちVCCAa
〜VCCAo）より高くなつても複合素子の熱溶融素
子が誤つた動作をしないという特徴がある。
以上説明したように本発明は、不必要になつた
回路ブロツクへの電源供給を外部から停止させる
ことや、再び供給する事のできる効率的な電力の
使用を可能とした集積回路を提供できるという効
果がある。
回路ブロツクへの電源供給を外部から停止させる
ことや、再び供給する事のできる効率的な電力の
使用を可能とした集積回路を提供できるという効
果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロツ
ク図、第２図は本発明の半導体集積回路に使用す
る複合素子の第一の実施例の構成を示す回路図、
第３図は本発明の半導体集積回路に使用する複合
素子の第二の実施例の構成を示す回路図。 １ａ〜１ｎ……回路ブロツク、２ａ〜２ｎ……
複合素子、３……電源線、４ａ〜４ｎ……トラン
ジスタ、５ａ〜５ｎ……制御端子。
ク図、第２図は本発明の半導体集積回路に使用す
る複合素子の第一の実施例の構成を示す回路図、
第３図は本発明の半導体集積回路に使用する複合
素子の第二の実施例の構成を示す回路図。 １ａ〜１ｎ……回路ブロツク、２ａ〜２ｎ……
複合素子、３……電源線、４ａ〜４ｎ……トラン
ジスタ、５ａ〜５ｎ……制御端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数個の回路ブロツクを有する集積回路にお
いて、集積回路の電源と前記回路ブロツクとそれ
らの電源端子との間に、電気的に切断可能な素子
と電気的に短絡可能な素子とを並列に接続した複
合素子を設けたことを特徴とする集積回路。 ２ 前記複合素子が、熱溶融物質を備えてなる熱
溶融素子と、電源電流の方向と逆方向に接続され
たゼナーダイオードとを、並列接続されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導
体集積回路。 ３ 前記複合素子が、前記電源電流の方向と順方
向に接続されたダイオードと熱溶融物質を備えて
なる熱溶融素子とを直列に接続した素子列と、エ
ミツタの電流方向が前記電源電流の方向と逆方向
に接続されたオープンペーストランジスタとを、
並列接続されてなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080518A JPS62235750A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61080518A JPS62235750A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62235750A JPS62235750A (ja) | 1987-10-15 |
| JPH0563018B2 true JPH0563018B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=13720529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61080518A Granted JPS62235750A (ja) | 1986-04-07 | 1986-04-07 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62235750A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002216493A (ja) | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Mitsubishi Electric Corp | 救済修正回路および半導体記憶装置 |
-
1986
- 1986-04-07 JP JP61080518A patent/JPS62235750A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62235750A (ja) | 1987-10-15 |
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