JPH0558058B2 - - Google Patents
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- JPH0558058B2 JPH0558058B2 JP23547886A JP23547886A JPH0558058B2 JP H0558058 B2 JPH0558058 B2 JP H0558058B2 JP 23547886 A JP23547886 A JP 23547886A JP 23547886 A JP23547886 A JP 23547886A JP H0558058 B2 JPH0558058 B2 JP H0558058B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は鉛シエブレル相化合物の薄膜を基板反
応法により製造する方法に関するものである。 （従来の技術） 三元系モリブデンクラスター化合物は、シエブ
レル相化合物（一般式MxMo6X8-y、Ｍ＝金属、
Ｘ＝硫黄、セレン、テルル）と呼ばれ、1970年代
始めにシエブレルらにより合成された化合物であ
る（ジヤーナル・オブ・ソリツド・ステイト・ケ
ミストリー、３、515（1971）参照）。シエブレル
相は、Mo6S8、Mo6Se8、Mo6Te8クラスターが
単純立方に近い形で配列してできる間隙に、第三
成分の金属Ｍが入り込んでクラスター間の結合を
安定化する構造を有するものである。このシエブ
レル相化合物は、化合物超伝導体として研究され
て来た。特に、鉛シエブレル相化合物（一般式
PbxMo6S8-y、0.95≦ｘ≦1.05、7.55≦８−ｙ≦
7.80）は比較的高い超伝導転移温度（Tc約14K）
と共に高い上部臨界磁場（Hc2約600KG）を持ち
合金系化合物にべて強力な磁場を発生させること
ができることから注目され、線材および薄膜合成
が行われている。 従来シエブレル相化合物は、各構成成分（金
属、硫黄、セレンあるいはテルル）の粉末を所定
の比に混合し、真空石英封管で1000−1200℃に加
熱する等により製造していた。しかし、この方法
で得られた化合物は融解温度が高く、線引、圧
延、高温メルトの急冷等に適しておらず、薄膜お
よび線材を製造することは困難であつた。 これまで、シエブレル相化合物の薄膜は、スパ
ツタ法（エイチ・エル・ルオーら、ジヤーナル・
オブ・ソリツド・ステイト・ケミストリー、15、
271（1975））や化合物単体成分を蒸発させ反応を
行わせる蒸発法（ケイ・シ・チら、テイン・ソリ
ツド・フイルム、47、９（1977））などがある。前
者は、くさび形の銅をかぶせたMoS2デイスクか
らなるスパツタリングターゲツトを用い、アルゴ
ン雰囲気中、高周波電力を印加して基板上にスパ
ツタし、得られた薄膜をさらに減圧下ヘリウム雰
囲気にて石英封管で焼きなますものである。後者
は、モリブデン金属ロツドに10kVの加速電圧で
電子線をあて、モリブデン蒸気とした後、他の成
分単体も高温に保ち各成分蒸気により三成分気体
反応を行わせ、基板上にシエブレル相化合物薄膜
を生成させるものである。しかしこれらの方法
は、高周波電力や加速電子線を用いるため装置が
大型かつ複雑化する欠点を持つている。 最近、ハマサキらは、モリブデンテープ上に鉛
をイオンプレーテイングしたものをMoS2と共に
石英管中に真空封印し、1000℃でMoS2による平
衡硫黄分圧下で反応させ鉛シエブレル相化合物薄
膜を合成している（ハマサキら、アイイーイーイ
ー・トランザクシヨン・オン・マグネテイスク、
21、471（1985））。また、クボらは、鉛シエブレル
相化合物の線材化を行つている。まず、Mo：
Pb：MoS2を５：２：７の比に混合し、圧粉ペレ
ツトとした後タンタル製チユーブ内にいれる。そ
の外に銅チユーブを入れ最終径1.05mmに成るまで
線引し、コイル状に巻き、1000−2000Kg／cm2、
850−1050℃の条件下で１−４時間加熱し合成し
た（インターナシヨナル・シンポジウム・オン・
フラツクス・ピンニング・アンド・エレクトロマ
グネテイク・プロパテイーズ・イン・スーパーコ
ンダクター、（1985）フクオカ）。 （発明が解決しようとする問題点） 最近申請者らは、化学輸送法により銅シエブレ
ル相化合物薄膜の合成に成功した（特願昭59−
65407、ヒノデら、マテリアル・リサーチ・ビユ
レチイン、20、611（1985））。この方法は輸送剤に
ハロゲンを用い、温度差をつけた石英封管中の一
方にMoS2基板を置き、ハロゲン化銅と基板の
MoS2とを直接反応させ、銅シエブレル相化合物
薄膜を合成するものである。この方法は、前記の
方法に比較し、装置が小型化し、工程および操作
が簡略化した利点があるが、鉛シエブレル相化合
物の場合には適用することができなかつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、上記難点を解消し、小型で簡
便な装置を用いて、合金系に比べて強力な磁場が
得られる鉛シエブレル相化合物の薄膜および線材
を容易に合成できる製造方法を提供することであ
る。本発明では、前記スパツタ法等よりも安価
で、装置が小型で、かつ操作が簡便な基板反応法
を用いて、MoまたはMoS2基板あるいはMo線上
に鉛シエブレル相化合物薄膜を製造する。 （発明の構成） 本発明は基板とガスとの化学反応による基板反
応法を用いる。本発明は、MoS2、Mo片または
Mo線を基板として高温側に置き、低温側のPbS
（硫化鉛）と同じく低温側においたMoまたは
MoS2と反応させて分解し、高温側の基板上で反
応させ鉛シエブレル相化合物薄膜を製造すること
を特徴とする。 基板として用いるMoは、例えば市販のモリブ
デン箔を小片に切り出し、研摩後、洗浄、乾燥さ
せる。Mo線は王水により表面を清浄し、蒸留
水、アセトンで洗浄後、乾燥させる。MoS2基板
は、前記のMo片を、H2S／H2系緩衝気体混合法
を用いて硫黄分圧を制御しMo−Ｓ系の平衡硫黄
分圧−組成等温線（スズキら、マテリアル・リサ
ーチ・ビユレテイン、16、1085（1981））に基づ
き、MoS2相の安定な条件下で反応させ、表面を
硫化することにより得られる。PbS（硫化鉛）は、
例えば市販の酢酸鉛をH2S気流中で加熱し硫化す
ることにより得られる。 反応の雰囲気は、真空状態が好ましいが、不活
性ガス気体等、非酸化性雰囲気であればよい。従
がつて基板とガスとの化学反応は、例えば石英封
管を用いて行うことができ、基板（Mo片、Mo
線またはMoS2）を一端に置き、他端にPbSとMo
またはMoS2を置き真空封印し、高温側と低温側
を別々に温度制御した電気炉中に設置する。この
場合PbSを低温側に置き、MoまたはMoS2と反応
させ分解し、高温側の基板上で反応を行わせ、鉛
シエブレル相化合物薄膜を製造する。 （実施例） 以下に実施例に基づき本発明をさらに詳細に説
明する。 実施例 １ MoS2基板を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜
の製造 厚さ0.02cmのモリブデン箔を0.50×1.50cmに切
り出し、エメリーペーパー1000番で研摩した後、
蒸留水、アセトンで洗浄し、乾燥させる。このモ
リブデン箔をH2S／H2系緩衝気体混合法により
硫黄分圧を制御し、950℃、log（Ps2／atm）＝−
2.70の条件下で反応させ、モリブデン箔の表面に
MoS2（二硫化モリブデン）を生成させる。この
ときのMoS2の膜厚は反応前後の重量変化から反
応時間10−70時間で10−30μｍと計算された。 このようにして得られたMoS2基板を一端に置
き、他端に酢酸鉛をH2S気流中で350℃、72時間
硫化してして得たPbS（硫化鉛）と、Moまたは
MoS2箔を入れて真空封印した石英封管を電気炉
中に設置する。MoS2基板は、両面とも硫化する
ように、石英製のフツクで吊し、石英封管が壁と
接触しないようにした。 電気炉は高温側と低温側を別々に温度制御で
き、石英封管のPbS側を低温側、MoS2基板を高
温側とした。反応時間は12−64時間であつた。 第１図には、高温側を900℃、低温側を835℃に
温度制御したときの温度勾配と石英封管の位置関
係を示した。 図のように、PbSを低温側に置き、Moまたは
MoS2により分解し、高温側に置いたMoS2基板
上で反応を行わせ、鉛シエブレル相化合物薄膜を
合成した。 高温側の温度を高くし過ぎると、合成した薄膜
が剥離してしまい滑らかな膜が合成できず、低温
側の温度を低くし過ぎると、膜は合成されなかつ
た。また、PbSを石英封管の体積に対して30mg／
cm3以上封印したときには鉛シエブレル相化合物薄
膜を得ることはできなかつた。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定を行つた。 第２図ａに、このＸ線回折図を示した。この図
に示した回折線は、第２図ｂに示した鉛シエブレ
ル相化合物の粉末Ｘ線回折図に比べて、回折線の
位置（角度）は同じであるが、回折線の強度（回
折線の高さ）が異なつていることがわかる。第２
図ａを第２図ｂと比べると合成した薄膜において
第２図ａの図中に示した指数（hoh）の回折線が
強くなつていることが観察される。このことか
ら、合成した鉛シエブレル相化合物が薄膜上で、
ある配向を持つて成長していると考えられる。 そこで、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて、
薄膜の表面の形態を観察した。その結果を第３図
に示した。第３図は薄膜の表面写真である。この
写真から、四角いブロツク状に結晶化しているこ
とが観測される。従つて、鉛シエブレル相化合物
の結晶構造を考慮すると、ブロツク一つ一つが単
結晶であり、その単結晶が積み重なつて成長して
おり、そのため特定方向に配向し（hoh）の回折
線が強くなつたと考えられる。このような配向を
持つた成長形態の鉛シエブレル相化合物を特に製
造することもできる。 実施例 ２ Mo基板を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜の
製造 0.50cm×1.50cm×0.02cmに切り出したモリブデ
ン箔を、エメリーペーパー1000番で研摩した後、
蒸留水、アセトンで洗浄し、乾燥させる。 Mo基板を一端に置き、PbSとMoまたはMoS2
を他端に真空封印した石英封管を高温側（950℃）
と低温側（835℃）を別々に温度制御した電気炉
中に設置する（第１図参照）。 反応時間は、12−72時間とした。 PbSを40mg／cm3（石英封管の単位体積当り40
mg）以上加えた場合には、Ｘ線回折によりMoS2
の回折線のみが得られ、鉛シエブレル相化合物薄
膜は合成されなかつた。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定した。 この場合、（実施例１）のMoS2基板を用いた
場合のように、特定の回折線の強度が強くなるよ
うな現象は観測されなかつた。このことから、
Mo基板を用いた場合には、特定の配向性を持た
ないで結晶が成長していると考えられる。そこ
で、（実施例１）と同様に薄膜表面の走査型電子
顕微鏡（SEM）写真を撮影した。それを第４図
に示す。この場合、予想されたように結晶に配向
性は観測されなかつた。 実施例 ３ Mo線を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜の製造 0.50mmφまたは1.0mmφのモリブデン線を約６
cmに切り出し、全長が1.5cmに成るように折り曲
げ加工し、王水により表を清浄した後、蒸留水、
アセトンで洗浄し、乾燥させる。 このようにして得られたMo線を一端に置き、
PbSとMoまたはMoS2を他端に真空封印した石英
封管を高温側（950℃）と低温側（835℃）を別々
に温度制御した電気炉中に設置する（第１図参
照）。 反応時間等の製造条件は、（実施例２）と同様
とした。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定した。 この場合、線を試料板に直接貼りつけて回折図
を測定したため、線が円柱状をしていることか
ら、2θ＝10−90°（CuKα線）の範囲で２−３本の
回折線しか観測されなかつたが、表面を削つて粉
末Ｘ線回折を行つたところ、第２図ｂの鉛シエブ
レル相化合物の回折図が得られた。Mo基板を用
いた（実施例２）の結果を考え合わせると、Mo
線の場合も得られた鉛シエブレル相化合物薄膜は
特定の配向性を持たずに結晶成長していると考え
られる。 （発明の効果） 以上、本発明は、基板反応法により鉛シエブレ
ル相化合物薄膜を製造することができたので、従
来の製造法に比べて、一段階で反応を行うことが
でき、特に、（実施例２）、（実施例３）では、モ
リブデン金属とPbSを用いるだけであり、工程お
よび操作を簡略化することができた。また、小型
の簡便な装置を使用するので大幅に製造コスト引
下げることができ、容易に工業的に利用できる。
特に超伝導の性質を有し、上部臨界磁場（Hc2）
が高いことから強力な磁場を発生させることがで
る化合物超伝導体材料として利用できると共に、
他のシエブレル相化合物の製造に応用範囲が広げ
られる。
応法により製造する方法に関するものである。 （従来の技術） 三元系モリブデンクラスター化合物は、シエブ
レル相化合物（一般式MxMo6X8-y、Ｍ＝金属、
Ｘ＝硫黄、セレン、テルル）と呼ばれ、1970年代
始めにシエブレルらにより合成された化合物であ
る（ジヤーナル・オブ・ソリツド・ステイト・ケ
ミストリー、３、515（1971）参照）。シエブレル
相は、Mo6S8、Mo6Se8、Mo6Te8クラスターが
単純立方に近い形で配列してできる間隙に、第三
成分の金属Ｍが入り込んでクラスター間の結合を
安定化する構造を有するものである。このシエブ
レル相化合物は、化合物超伝導体として研究され
て来た。特に、鉛シエブレル相化合物（一般式
PbxMo6S8-y、0.95≦ｘ≦1.05、7.55≦８−ｙ≦
7.80）は比較的高い超伝導転移温度（Tc約14K）
と共に高い上部臨界磁場（Hc2約600KG）を持ち
合金系化合物にべて強力な磁場を発生させること
ができることから注目され、線材および薄膜合成
が行われている。 従来シエブレル相化合物は、各構成成分（金
属、硫黄、セレンあるいはテルル）の粉末を所定
の比に混合し、真空石英封管で1000−1200℃に加
熱する等により製造していた。しかし、この方法
で得られた化合物は融解温度が高く、線引、圧
延、高温メルトの急冷等に適しておらず、薄膜お
よび線材を製造することは困難であつた。 これまで、シエブレル相化合物の薄膜は、スパ
ツタ法（エイチ・エル・ルオーら、ジヤーナル・
オブ・ソリツド・ステイト・ケミストリー、15、
271（1975））や化合物単体成分を蒸発させ反応を
行わせる蒸発法（ケイ・シ・チら、テイン・ソリ
ツド・フイルム、47、９（1977））などがある。前
者は、くさび形の銅をかぶせたMoS2デイスクか
らなるスパツタリングターゲツトを用い、アルゴ
ン雰囲気中、高周波電力を印加して基板上にスパ
ツタし、得られた薄膜をさらに減圧下ヘリウム雰
囲気にて石英封管で焼きなますものである。後者
は、モリブデン金属ロツドに10kVの加速電圧で
電子線をあて、モリブデン蒸気とした後、他の成
分単体も高温に保ち各成分蒸気により三成分気体
反応を行わせ、基板上にシエブレル相化合物薄膜
を生成させるものである。しかしこれらの方法
は、高周波電力や加速電子線を用いるため装置が
大型かつ複雑化する欠点を持つている。 最近、ハマサキらは、モリブデンテープ上に鉛
をイオンプレーテイングしたものをMoS2と共に
石英管中に真空封印し、1000℃でMoS2による平
衡硫黄分圧下で反応させ鉛シエブレル相化合物薄
膜を合成している（ハマサキら、アイイーイーイ
ー・トランザクシヨン・オン・マグネテイスク、
21、471（1985））。また、クボらは、鉛シエブレル
相化合物の線材化を行つている。まず、Mo：
Pb：MoS2を５：２：７の比に混合し、圧粉ペレ
ツトとした後タンタル製チユーブ内にいれる。そ
の外に銅チユーブを入れ最終径1.05mmに成るまで
線引し、コイル状に巻き、1000−2000Kg／cm2、
850−1050℃の条件下で１−４時間加熱し合成し
た（インターナシヨナル・シンポジウム・オン・
フラツクス・ピンニング・アンド・エレクトロマ
グネテイク・プロパテイーズ・イン・スーパーコ
ンダクター、（1985）フクオカ）。 （発明が解決しようとする問題点） 最近申請者らは、化学輸送法により銅シエブレ
ル相化合物薄膜の合成に成功した（特願昭59−
65407、ヒノデら、マテリアル・リサーチ・ビユ
レチイン、20、611（1985））。この方法は輸送剤に
ハロゲンを用い、温度差をつけた石英封管中の一
方にMoS2基板を置き、ハロゲン化銅と基板の
MoS2とを直接反応させ、銅シエブレル相化合物
薄膜を合成するものである。この方法は、前記の
方法に比較し、装置が小型化し、工程および操作
が簡略化した利点があるが、鉛シエブレル相化合
物の場合には適用することができなかつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明の目的は、上記難点を解消し、小型で簡
便な装置を用いて、合金系に比べて強力な磁場が
得られる鉛シエブレル相化合物の薄膜および線材
を容易に合成できる製造方法を提供することであ
る。本発明では、前記スパツタ法等よりも安価
で、装置が小型で、かつ操作が簡便な基板反応法
を用いて、MoまたはMoS2基板あるいはMo線上
に鉛シエブレル相化合物薄膜を製造する。 （発明の構成） 本発明は基板とガスとの化学反応による基板反
応法を用いる。本発明は、MoS2、Mo片または
Mo線を基板として高温側に置き、低温側のPbS
（硫化鉛）と同じく低温側においたMoまたは
MoS2と反応させて分解し、高温側の基板上で反
応させ鉛シエブレル相化合物薄膜を製造すること
を特徴とする。 基板として用いるMoは、例えば市販のモリブ
デン箔を小片に切り出し、研摩後、洗浄、乾燥さ
せる。Mo線は王水により表面を清浄し、蒸留
水、アセトンで洗浄後、乾燥させる。MoS2基板
は、前記のMo片を、H2S／H2系緩衝気体混合法
を用いて硫黄分圧を制御しMo−Ｓ系の平衡硫黄
分圧−組成等温線（スズキら、マテリアル・リサ
ーチ・ビユレテイン、16、1085（1981））に基づ
き、MoS2相の安定な条件下で反応させ、表面を
硫化することにより得られる。PbS（硫化鉛）は、
例えば市販の酢酸鉛をH2S気流中で加熱し硫化す
ることにより得られる。 反応の雰囲気は、真空状態が好ましいが、不活
性ガス気体等、非酸化性雰囲気であればよい。従
がつて基板とガスとの化学反応は、例えば石英封
管を用いて行うことができ、基板（Mo片、Mo
線またはMoS2）を一端に置き、他端にPbSとMo
またはMoS2を置き真空封印し、高温側と低温側
を別々に温度制御した電気炉中に設置する。この
場合PbSを低温側に置き、MoまたはMoS2と反応
させ分解し、高温側の基板上で反応を行わせ、鉛
シエブレル相化合物薄膜を製造する。 （実施例） 以下に実施例に基づき本発明をさらに詳細に説
明する。 実施例 １ MoS2基板を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜
の製造 厚さ0.02cmのモリブデン箔を0.50×1.50cmに切
り出し、エメリーペーパー1000番で研摩した後、
蒸留水、アセトンで洗浄し、乾燥させる。このモ
リブデン箔をH2S／H2系緩衝気体混合法により
硫黄分圧を制御し、950℃、log（Ps2／atm）＝−
2.70の条件下で反応させ、モリブデン箔の表面に
MoS2（二硫化モリブデン）を生成させる。この
ときのMoS2の膜厚は反応前後の重量変化から反
応時間10−70時間で10−30μｍと計算された。 このようにして得られたMoS2基板を一端に置
き、他端に酢酸鉛をH2S気流中で350℃、72時間
硫化してして得たPbS（硫化鉛）と、Moまたは
MoS2箔を入れて真空封印した石英封管を電気炉
中に設置する。MoS2基板は、両面とも硫化する
ように、石英製のフツクで吊し、石英封管が壁と
接触しないようにした。 電気炉は高温側と低温側を別々に温度制御で
き、石英封管のPbS側を低温側、MoS2基板を高
温側とした。反応時間は12−64時間であつた。 第１図には、高温側を900℃、低温側を835℃に
温度制御したときの温度勾配と石英封管の位置関
係を示した。 図のように、PbSを低温側に置き、Moまたは
MoS2により分解し、高温側に置いたMoS2基板
上で反応を行わせ、鉛シエブレル相化合物薄膜を
合成した。 高温側の温度を高くし過ぎると、合成した薄膜
が剥離してしまい滑らかな膜が合成できず、低温
側の温度を低くし過ぎると、膜は合成されなかつ
た。また、PbSを石英封管の体積に対して30mg／
cm3以上封印したときには鉛シエブレル相化合物薄
膜を得ることはできなかつた。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定を行つた。 第２図ａに、このＸ線回折図を示した。この図
に示した回折線は、第２図ｂに示した鉛シエブレ
ル相化合物の粉末Ｘ線回折図に比べて、回折線の
位置（角度）は同じであるが、回折線の強度（回
折線の高さ）が異なつていることがわかる。第２
図ａを第２図ｂと比べると合成した薄膜において
第２図ａの図中に示した指数（hoh）の回折線が
強くなつていることが観察される。このことか
ら、合成した鉛シエブレル相化合物が薄膜上で、
ある配向を持つて成長していると考えられる。 そこで、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて、
薄膜の表面の形態を観察した。その結果を第３図
に示した。第３図は薄膜の表面写真である。この
写真から、四角いブロツク状に結晶化しているこ
とが観測される。従つて、鉛シエブレル相化合物
の結晶構造を考慮すると、ブロツク一つ一つが単
結晶であり、その単結晶が積み重なつて成長して
おり、そのため特定方向に配向し（hoh）の回折
線が強くなつたと考えられる。このような配向を
持つた成長形態の鉛シエブレル相化合物を特に製
造することもできる。 実施例 ２ Mo基板を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜の
製造 0.50cm×1.50cm×0.02cmに切り出したモリブデ
ン箔を、エメリーペーパー1000番で研摩した後、
蒸留水、アセトンで洗浄し、乾燥させる。 Mo基板を一端に置き、PbSとMoまたはMoS2
を他端に真空封印した石英封管を高温側（950℃）
と低温側（835℃）を別々に温度制御した電気炉
中に設置する（第１図参照）。 反応時間は、12−72時間とした。 PbSを40mg／cm3（石英封管の単位体積当り40
mg）以上加えた場合には、Ｘ線回折によりMoS2
の回折線のみが得られ、鉛シエブレル相化合物薄
膜は合成されなかつた。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定した。 この場合、（実施例１）のMoS2基板を用いた
場合のように、特定の回折線の強度が強くなるよ
うな現象は観測されなかつた。このことから、
Mo基板を用いた場合には、特定の配向性を持た
ないで結晶が成長していると考えられる。そこ
で、（実施例１）と同様に薄膜表面の走査型電子
顕微鏡（SEM）写真を撮影した。それを第４図
に示す。この場合、予想されたように結晶に配向
性は観測されなかつた。 実施例 ３ Mo線を用いた鉛シエブレル相化合物薄膜の製造 0.50mmφまたは1.0mmφのモリブデン線を約６
cmに切り出し、全長が1.5cmに成るように折り曲
げ加工し、王水により表を清浄した後、蒸留水、
アセトンで洗浄し、乾燥させる。 このようにして得られたMo線を一端に置き、
PbSとMoまたはMoS2を他端に真空封印した石英
封管を高温側（950℃）と低温側（835℃）を別々
に温度制御した電気炉中に設置する（第１図参
照）。 反応時間等の製造条件は、（実施例２）と同様
とした。 鉛シエブレル相化合物薄膜の相同定 前記のようにして得られた鉛シエブレル相化合
物薄膜をＸ線回折により相同定した。 この場合、線を試料板に直接貼りつけて回折図
を測定したため、線が円柱状をしていることか
ら、2θ＝10−90°（CuKα線）の範囲で２−３本の
回折線しか観測されなかつたが、表面を削つて粉
末Ｘ線回折を行つたところ、第２図ｂの鉛シエブ
レル相化合物の回折図が得られた。Mo基板を用
いた（実施例２）の結果を考え合わせると、Mo
線の場合も得られた鉛シエブレル相化合物薄膜は
特定の配向性を持たずに結晶成長していると考え
られる。 （発明の効果） 以上、本発明は、基板反応法により鉛シエブレ
ル相化合物薄膜を製造することができたので、従
来の製造法に比べて、一段階で反応を行うことが
でき、特に、（実施例２）、（実施例３）では、モ
リブデン金属とPbSを用いるだけであり、工程お
よび操作を簡略化することができた。また、小型
の簡便な装置を使用するので大幅に製造コスト引
下げることができ、容易に工業的に利用できる。
特に超伝導の性質を有し、上部臨界磁場（Hc2）
が高いことから強力な磁場を発生させることがで
る化合物超伝導体材料として利用できると共に、
他のシエブレル相化合物の製造に応用範囲が広げ
られる。
第１図は本発明実施例による電気炉の温度勾配
と石英封管の位置関係を示すグラフであり、縦軸
は温度Ｔ（℃）、横軸は長さ（cm）を示す。第２図
は鉛シエブレル相化合物のＸ線回折図を示す図で
あり、ａは本発明（実施例１）による薄膜および
ｂは粉末試料から合成したPb1.05Mo6S7.65粉末に
ついて示す。第３図は本発明（実施例１）により
得られた薄膜の表面を示す図である。第４図は本
発明（実施例２）により得られた薄膜の表面を示
す図である。第３図および第４図は図面に代わる
写真であり、薄膜の結晶構造を示す走査型電子顕
微鏡写真である。
と石英封管の位置関係を示すグラフであり、縦軸
は温度Ｔ（℃）、横軸は長さ（cm）を示す。第２図
は鉛シエブレル相化合物のＸ線回折図を示す図で
あり、ａは本発明（実施例１）による薄膜および
ｂは粉末試料から合成したPb1.05Mo6S7.65粉末に
ついて示す。第３図は本発明（実施例１）により
得られた薄膜の表面を示す図である。第４図は本
発明（実施例２）により得られた薄膜の表面を示
す図である。第３図および第４図は図面に代わる
写真であり、薄膜の結晶構造を示す走査型電子顕
微鏡写真である。
Claims (1)
- １ Mo（モリブデン）またはMoS2（二硫化モリ
ブデン）を基板として高温側に置き、低温側の
PbS（硫化鉛）を同じく低温側に置いたMo、また
はMoS2により分解させ、前記の高温側の基板上
で反応させ、一般式PbxMo6S8-yで表わされる鉛
シエブレル相化合物の薄膜を製造することを特徴
とする基板反応法による鉛シエブレル相化合物薄
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547886A JPS6393854A (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 基板反応法による鉛シエブレル相化合物薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547886A JPS6393854A (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 基板反応法による鉛シエブレル相化合物薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393854A JPS6393854A (ja) | 1988-04-25 |
| JPH0558058B2 true JPH0558058B2 (ja) | 1993-08-25 |
Family
ID=16986660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23547886A Granted JPS6393854A (ja) | 1986-10-04 | 1986-10-04 | 基板反応法による鉛シエブレル相化合物薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2889468A1 (en) | 2013-12-19 | 2015-07-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Control apparatus for general purpose engine |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002275000A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-25 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 高平坦性ファセットを有する高品質バルク単結晶の成長法 |
-
1986
- 1986-10-04 JP JP23547886A patent/JPS6393854A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2889468A1 (en) | 2013-12-19 | 2015-07-01 | Honda Motor Co., Ltd. | Control apparatus for general purpose engine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393854A (ja) | 1988-04-25 |
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