JPH0557801U - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ばね端子２２および２４ならびに中央端子３
４は、ステンレスからなる端子本体を含み、各端子本体
の外表面全面には、Ｎｉめっき層が形成される。そし
て、各端子の下方端部（プリント基板等と半田付けされ
る部分）２６，２８および３６には、半田付けが容易な
半田やＳｎ等のめっき層がＮｉめっき層に重ねて形成さ
れる。また、ばね部分３０および３２の素子電極との接
触部には、導電率の大きいＡｇ等のめっき層がＮｉめっ
き層に重ねて形成される。 【効果】 主としてＮｉ（卑金属）を用いて各端子をめ
っきするようにしているので、製造コストを低減でき
る。また半田付けが容易なめっき層によって半田付性を
向上でき、導電率の大きいめっき層によって接触部での
発熱量を低減できる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は正特性サーミスタ装置に関し、特にたとえばカラーテレビ消磁回路 等に用いられる、正特性サーミスタ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図８に示す正特性サーミスタ装置１は、たとえばフェノール樹脂からなるケー ス２を含む。ケース２の内部中央部には中央端子３が配置され、ケース２の内側 壁には中央端子３の一方主面および他方主面のそれぞれと対向するように、ばね 端子４および５が配置される。そして、中央端子３とばね端子４とによって加熱 用正特性サーミスタ素子６が挟持され、中央端子３とばね端子５とによって制御 用正特性サーミスタ素子７が挟持される。このような正特性サーミスタ装置１に おける中央端子３，ばね端子４および５としては、従来では、ステンレスからな る端子本体の外表面全面に半田付性や導電率の向上等のためにＡｇめっき層を形 成したものが用いられていた。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

端子本体の外表面全面に貴金属であるＡｇめっき層を形成した上述の従来技術 では、その製造コストが高いという問題点があった。また、Ａｇめっき層の外表 面が硫化する恐れがあり、硫化した場合には、プリント基板等への半田付性が悪 くなってしまうという問題点もあった。

【０００４】 それゆえに、この考案の主たる目的は、製造コストを低減できしかも半田付性 を向上できる、正特性サーミスタ装置を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

この考案は、正特性サーミスタ素子と、正特性サーミスタ素子の素子電極と接 触される接触部および外部と半田付けされる半田付部を有する端子とを含む正特 性サーミスタ装置において、端子は、ステンレスからなる本体、本体の外表面の 全面に形成されるかつＮｉからなる第１めっき層、および半田付部の第１めっき 層外表面に形成されるかつ半田付けが容易な第２めっき層を含むことを特徴とす る、正特性サーミスタ装置である。

【０００６】

【作用】

Ｎｉ（卑金属）からなる第１めっき層がステンレスからなる端子本体を防食し 、半田付けが容易なＳｎ等の第２めっき層が半田付性を向上する。

【０００７】

【考案の効果】

この考案によれば、第１めっき層に主として卑金属であるＮｉを用いるように しているので、製造コストを低減できる。また、第２めっき層によって半田付性 を向上できる。そして、接触部に導電率の大きいＡｇ等の第３めっき層を形成す れば接触部での発熱量を低減できる。

【０００８】 この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行 う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００９】

【実施例】

図１および図２を参照して、この実施例の正特性サーミスタ装置１０は消磁用 正特性サーミスタ装置として構成されたものであり、上面開口のたとえばフェノ ール樹脂などの絶縁性樹脂からなるケース１２を含む。ケース１２の対向する側 壁１４および１６には、それぞれ溝１８および２０が形成され、溝１８および２ ０には、それぞればね端子２２（図３）および２４が固定的に嵌め込まれる。こ のとき、ばね端子２２および２４のそれぞれの下方端部２６および２８（図１） がケース１２から下方外部へと引き出され、それぞれのばね部分３０および３２ がケース１２の内方に臨まされる。また、ばね端子２６とばね端子２８との略中 間には、中央端子３４（図４）が配置され、その下方端部３６（図１）がケース １２から下方外部へと引き出される。そして、加熱用正特性サーミスタ素子３８ がばね部分３０と中央端子３４とによって押圧挟持され、制御用正特性サーミス タ素子４０がばね部分３２と中央端子３４とによって押圧挟持される。ケース１ ２には蓋４２が被せられる。

【００１０】 図３に示すばね端子２２は、図５からよくわかるように、ステンレスからなる 本体４４を含み、本体４４の外表面全面にはＮｉめっき層４６が形成される。そ して、たとえばプリント基板等と半田付けされる下方端部２６には、半田付けが 容易な半田やＳｎ等のめっき層４８がＮｉめっき層４６に重ねて形成される。ま た、ばね部分３０の正特性サーミスタ素子３８（図１）の素子電極との接触部に は、たとえば図３に示すように、たとえば導電率の大きいＡｇ等のめっき層５０ がＮｉめっき層４６に重ねて形成される。ばね端子２４は、ばね端子２２と同様 に形成されるので、その詳細な説明は省略する。

【００１１】 図４に示す中央端子３４は、ばね端子２２（図５）と同様にステンレスからな る図示しない本体を含み、本体の外表面全面にＮｉめっき層４６が形成される。 そして、プリント基板等と半田付けされる下方端部３６には、半田付けが容易な 半田やＳｎ等のめっき層４８がＮｉめっき層４６に重ねて形成される。 この実施例によれば、ステンレスからなる各端子本体の外表面全面に、化学的 に安定でかつ安価なＮｉめっき層４６を形成するようにしているので、各端子本 体を防食でき、かつ全体として製造コストを低減できる。また、各端子のプリン ト基板等と半田付けされる部分には、さらに半田付けが容易なめっき層４８を形 成するようにしているので、半田付性を向上できる。そして、ばね部分３０およ び３２の素子電極との接触部には、さらに導電率の大きいめっき層５０を形成す るようにしているので、接触部での発熱量を低減できる。

【００１２】 なお、上述の実施例では、ステンレスからなる本体の外表面上に直接Ｎｉめっ き層４６を形成するようにしているが、本体とＮｉめっき層４６との間にたとえ ば導電性を向上する等のためにＣｕ等の他のめっき層を形成するようにしてもよ い。 また、ばね端子２２および２４ならびに中央端子３４の形状は実施例に限定さ れるものではなく、ばね端子２２および２４としては、たとえば図６に示すよう な形状のものが用いられてもよい。

【００１３】 そして、上述の実施例では、Ｎｉめっき層４６の外表面上の必要部分にのみめ っき層４８あるいは５０を形成するようにしているが、めっき作業の便宜上、た とえば図７に示すように、本来必要でない部分５２あるいは５４等を同時にめっ きするようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の一実施例を示す図解図である。

【図２】図１の実施例の蓋を外した状態を示す平面図で
ある。

【図３】図１の実施例で用いられるばね端子を示す図解
図である。

【図４】図１の実施例で用いられる中央端子を示す図解
図である。

【図５】図３におけるＶ−Ｖ線拡大断面図である。

【図６】ばね端子の変形例を示す斜視図である。

【図７】ばね部分へのめっき方法を示す図解図である。

【図８】従来技術を示す図解図である。

【符号の説明】

１０ …正特性サーミスタ装置 ２２，２４ …ばね端子 ３４ …中央端子 ３８，４０ …正特性サーミスタ素子 ４４ …本体 ４６，４８，５０ …めっき層

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】正特性サーミスタ素子と、前記正特性サー
   ミスタ素子の素子電極と接触される接触部および外部と
   半田付けされる半田付部を有する端子とを含む正特性サ
   ーミスタ装置において、 前記端子は、ステンレスからなる本体、前記本体の外表
   面の全面に形成されるかつＮｉからなる第１めっき層、
   および前記半田付部の前記第１めっき層外表面に形成さ
   れるかつ半田付けが容易な第２めっき層を含むことを特
   徴とする、正特性サーミスタ装置。
2. 【請求項２】前記端子は、少なくとも前記接触部の前記
   第１めっき層外表面に形成されるかつ導電率の大きな材
   料からなる第３めっき層をさらに含む、請求項１記載の
   正特性サーミスタ装置。
3. 【請求項３】前記端子は、前記本体と前記第１めっき層
   との間に形成されるかつ導電率の大きな材料からなる第
   ４めっき層をさらに含む、請求項１または２記載の正特
   性サーミスタ装置。