JPH0554377B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は被加工物の局部的真空処理に関し、更
にとりわけ、電子ビームリソグラフイ装置での使
用に適する局部的真空エンベロプ装置に関する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

イオンインプランター、電子ビームリソグラフ
イ装置及びイオンビームリソグラフイ装置のよう
な粒子ビーム装置は、粒子ビーム源と取り扱われ
る被加工物との間の経路に沿つた領域の排気を必
要とする。被加工物は直接又はエアロツクを介し
て真空チエンバへ導入される。このような装置は
高度に複雑であり高価である。加えて、真空ポン
ピング時間は全処理のスピードの減少を生じさ
せ、市販の半導体処理装置における最も重量な要
素である。これらの問題は局限された真空処理の
発展によつて、以下に記載するように軽減され
る。

ある種の粒子ビーム処理は、その処理の間被加
工物の移動を必要とする。電子ビームリドグラフ
イでは、極めて高い精度の極小パターンが被加工
物上に露光される。高い精度を達成するために、
電子ビーム偏向場は被加工物の領域よりもずつと
小さい領域に限定される。被加工物は、一般に半
導体ウエフア又はマスクプレートであり数インチ
の大きさにできるが、一方、典型的には電子ビー
ム偏向場は被加工物上で数ミリメートルである。
被加工物の全体を露光するために、電子ビームに
関する被加工物の精確な位置決めが必要とされ
る。

被加工物の表面上の局部的領域内での真空処理
のための装置は、1982年10月19日出願の係属出願
番号第435170号において開示され、本発明の譲受
人に譲渡されている。真空処理装置は、内部処理
領域を形成するエンベロブを有している。エンベ
ロプの先端は、被加工物の表面の真空上に配置さ
れ、あらかじめ選択された間隙だけ被加工物から
隔てられている。エンベロプの先端は被加工物と
ともに、その内部処理領域と外部環境との間に非
接触段階的真空シールを形成している。真空エン
ベロプ装置は、被加工物の表面上に被加工物の大
きさと比べて小さい真空領域を与える。

被加工物の全表面を処理するために、被加工物
はエンベロプの先端に関して横方向に移動可能な
ステージ上に据え付けられる。電子ビームリソブ
フライ装置における迅速な処理を達成するため
に、典型的に１乃至10cm／秒のステージ速度が用
いられる。この移動の間、エンベロプの先端と被
加工物との間の間隙は、特定された限度内で動的
に制御されるべきである。もし間隙が非常に大き
くなると、真空領域の真空度は下がり、所望の真
空レベルに再び到達するまで処理が中断されてし
まう。リソグラフイ装置内で用いられる電子ビー
ムコラムは高真空範囲の真中で作動されねばなら
ない。典型的には、不十分な空間はコンダクタン
スの高い真空排気を提供するのに利用できる。こ
のような場合、間隙は比較的小さくなければなら
ない。高コンダクタンス性真空排気がもたらされ
得るか、或いは低圧力がその処理に許容されると
き、より大きな間隙が許される。逆に間隙は、エ
ンベロプと被加工物との接触が危くなるほどには
小さくできない。半導体ウエフアのような被加工
物は、極めてもろく、このような接触によつて永
久的損傷を受け、或いは破壊される。局部的真空
処理の間被加工物に横方向に移動を与える荷電粒
子ビーム装置は係属出願番号第431578号に開示さ
れており、一方、局部的真空処理のための間隙制
御装置は係属出願番号第435177号に開示されてお
り、どちらも1982年10月19日に出願され、本発明
の譲受者に譲渡されている。

実用的な局部的真空処理の達成における重大な
要素は真空エンベロプ装置の構造である。装置の
先端部分は、ウエフアと非接触シールを形成する
が、電子ビーム偏向場の大きさと比較して、実用
的には小さい面積でなければならない。ウエフア
を確実かつ平坦に保持する真空チヤツクの使用を
許すと同様、真空をそこなうことなくウエフアの
端部付近の処理を可能にすることが必要である。
電子ビームリソグラフイ装置の場合において、真
空エンベロプ装置はビームの軸線に沿つた方向に
おいて小さな大きさを持つべきである。この要件
には電子ビーム経路及び最終レンズの焦点距離の
過度の延長は避ける必要がある。そのどちらもビ
ームの収差の増加の原因になるからである。更
に、エンベロプ装置がビームの経路に沿つて小さ
いな大きさを有するとき、処理領域の真空レベル
は重大性が減少する。もし電子ビームがその総経
路長の数パーセントを越えた低真空の領域を通過
すると、ビームの影響は最小となる。もう１つの
要件は、真空エンベロプの先端と装置に連結され
た真空ポンプの各々との間に最大量のコンダクタ
ンスが与えられることである。このことは真空エ
ンベロプ、とりわけ先端の大きさが小さいために
達成が難しい。装置はガス流、とりわけガス流が
最も制限される先端近くの領域内のガス流をさえ
ぎる構造部材は備えるべきでない。エンベロプ装
置の望ましい特徴は、被加工物と電子ビームコラ
ムの磁気要素との間の磁気的シールドを与えるこ
とである。このようなシールドが与えられるとき
は、シールドはビームが真空エンベロプを通過す
るときの電子ビームの偏向及び収差を防ぐために
ビームの軸線について対称であるべきである。最
後に、真空エンベロプ装置は組み立てが容易で安
価であるべきである。

本発明全体の目的は、新規な局部的真空エンベ
ロプ装置を提供することである。

本発明の他の目的は、電子ビームリソグラフイ
装置での使用に適する局部的真空エンベロプ装置
を提供することである。

本発明の更に他の目的は、ビームの軸線方向に
は小さな大きさを有し、また、小さな面積の先端
部分を有する局部的真空エンベロプ装置を提供す
ることである。

本発明の更に他の目的は、相対的に高真空の領
域を得る性能を有する局部的真空エンベロプ装置
を提供することである。

〔発明の概要〕

本発明に従つて、被加工物の局所的真空処理の
ための真空処理チエンバへの取付けに適した装置
において、上述の目的が達成される。装置は下方
に伸びた第１スリーブを貫通するアパーチヤを備
える底板と底板の周辺で上方に伸びたフランジを
有するハウジング部材から成る。フランジは真空
ポンピングのための複数のポートを有している。
底板とフランジは組み合つてハウジング部材の内
部領域を形成する。装置は更に、ハウジング部材
の内部領域内に設けられ、アパーチヤ内に下向き
に伸び、第１スリーブの先端と同一面上にある先
端を有する下部プレートを有し、第１スリーブと
第２スリーブとの間に第１真空領域が形成され
る。第１真空領域は間にチヤネルを介して１つの
ポートとガス連絡しており、ハウジング部材及び
下部プレートの一方又は双方におけるカツトアウ
ト部分によつて形成される。好適実施例において
装置は更に、ハウジング部材の内部領域内で下部
プレートの上に設けられ、アパーチヤ内に下向き
に伸び、第１及び第２スリーブの先端と同一平面
上にある先端を有する上部プレートを有し、第２
スリーブと第３スリーブとの間に第２真空領域が
形成され、第３スリーブの内側に中央高真空領域
が形成される。第２真空領域は間にチヤネルを介
して別のポートとガス連絡しており、下部プレー
ト及び上部プレートの一方又は双方におけるカツ
トアウト部分によつて形成される。高真空領域は
上部プレートの上の内部領域の部分を介して、別
のポートとガス連絡している。本発明の特徴に従
つて、スリーブの各々は円錐台形を有する。本発
明のもう１つの特徴によつて、下部プレート及び
上部プレートは第１及び第２真空領域並びに真空
領域の真空密閉を確実にするために、ブレイジン
グ（brazing）又は適切な粘着性物質によつて連
結される。

〔好適実施例〕

被加工物の局部的真空処理を組み入れた粒子ビ
ーム装置を第１図にブロツク図形式で図解する。
電子ビームリソグラフイ装置が電子ビームコラム
１２の出力口に取り付けられた局部的真空エンベ
ロプ装置１０を備えており、その電子ビームコラ
ム１２は電源、縮小光学系、並びに射出及び偏向
光学系を備える。コラム１２はまた、整形された
ビームが用いられるときは、照射及び整形光学系
を備える。好適な電子ビームコラム１２が、1983
年３月４日に出願された米国特許出願第354822号
に開示されている。他の適切な電子ビームコラム
が当業者に知られている。コラム１２の出力は、
エンベロプ装置１０を通過し半導体ウエフア１６
などのような被加工物に衝突する細く集束された
電子ビーム１４（第２図）である。電子ビーム１
４が通過する電子源とウエフイ１６との間の全領
域は、コラム１２に連結された高真空ポンプ１７
によつて、10^-6Torr程度の高真空に保たれてい
る。実際の装置においては、それらの電子光学要
素は真空領域の外側に配置され、電子ビーム１４
が通過する中央管のみが高真空に保たれること
は、当業者には明らかである。エンベロプ装置１
０は、第１段真空ポンプ２０、第２段真空ポンプ
２２及び高真空ポンプ１７に連結されている。ウ
エフア１６は、ステージ２４上に取り付けられた
真空チヤツク１８によつて適所に支持され保たれ
ている。ステージ２４は、作動器２８によつてＸ
−Ｙテーブル上に支持され、ウエフア１６のＸ−
Ｙ位置の正確な測定のための鏡面３０を備え、真
空チヤツク１８がしつかりと連結されている。ウ
エフアは、自動ウエフア操作装置（図示せず）に
よつて真空チヤツク１８の上に置かれ、また、そ
こから取り除かれる。Ｘ−Ｙテーブル２６は、Ｘ
−Ｙ駆動装置３４によつてＸ−Ｙ平面内を動かさ
れる。ウエフア１６の正確なＸ−Ｙ位置は、レー
ザー干渉計装置３６によつて感知され、その干渉
計装置は光学信号を鏡面３０に向ける。Ｚ軸３７
は概して電子ビーム１４の経路と一致し、一方、
Ｘ軸及びＹ軸はＺ軸に垂直でウエフア１６が移動
する平面を形成することが理解される。完全な電
子ビームリソグラフイ装置は更に、制御装置又は
コンピユータ及び関連した電子装置（第１図中に
は示さず）であつて、コラム１２、駆動装置３
４、真空装置及びウエフア操作装置を制御し、ま
た、パターンデータを記憶し、ビーム制御信号を
与える電子装置を有する。

エンベロプ装置１０の頭部とウエフア１６の表
面が第２図において拡大された断面図で図示され
ている。エンベロプ装置１０は同中心のスリーブ
部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃを備え、その各々は
円錐台形を有し、スリーブ部材４０ａ，４０ｂ，
４０ｃの頭部が同一平面に置かれることで形成さ
れる先端４２を備えている。先端４２は処理の間
ウエフア１６のわずか上方に位置する。間隙Ｇは
典型的には約30マイクロメータのオーダーであ
り、先端４２とウエフア１６の表面との間に形成
される。スリーブ部材４０ａは高真空処理域４４
を形成する。操作中差動ポンピング手段は、真空
域４４と大気環境との間の間隙領域に段階的真空
シールを形成する。環状アパーチヤ４６は高真空
域４４と同中心でありスリーブ部材４０ａと４０
ｂとの間に形成され、環状アパーチヤ４８もまた
高真空域４４と同中心であり部材４０ｂと４０ｃ
との間に形成される。環状アパーチヤ４８は、第
１段真空ポンプ２０に連結されており、その真空
ポンプ２０は高真空域４４の周囲の圧力を低真空
レベルに減少させ、第１真空域を作る。環状アパ
ーチヤ４６は、第２段真空ポンプ２２に連結され
ており、その真空ポンプ２２は高真空域４４の周
囲の圧力を中間の真空レベルに減少させ、第２真
空域を作る。高真空域４４は高真空ポンプ１７に
連結されている。個々の過程において要求される
圧力に依存して、より多く又はより少ない数の真
空ポンプピングステージを段階的シールを形成す
るために用いてもよい。典型的には、直接書き込
み電子ビームリソグラフイのための先端４２の外
径は約10〜15ミリメータであり、一方、高真空域
４４の直径は約３〜５ミリメータである。エンベ
ロプ装置１０の先端がウエフア１６の表面にきわ
めて接近して置かれているとき、高真空域４４に
おいて高真空が維持される。ウエフア１６がエン
ベロプ装置１０の下で動かされるとき、電子ビー
ム１４は高真空域４４内のウエフア表面の領域上
を走査する。局限されたエンベロプ装置の付加的
情報は、出願番号第435179号の係属出願中に与え
られている。

本発明に従つた局部的真空エンベロプ装置１０
の構造が第３−６図に詳しく示されている。組立
てたエンベロプ装置１０が第３図に示されてお
り、一方、エンベロプ装置の各要素が第４−６図
に示されている。組立てたエンベロプ装置の平面
図が第３Ａ図に示されており、第３Ｂ図は第３Ａ
図の３Ｂ−３Ｂ線を通る断面図である。エンベロ
プ装置１０はハウジング部分６０を備えており、
そのハウジング部材内には下部板６２、上部板６
４及び盲板取付け板６６が据付けられている。エ
ンベロプ装置１０の上部表面６８は、電子ビーム
１４が先端４２を通る電子ビームコラム１２の取
り付けに適している。エンベロプ装置１０の先端
４２は、エンベロプ装置の主要部から下方に伸び
て被加工物と非接触シールをなしている。真空ポ
ンプ１７，２０及び２２の接続は以下に記載する
ようにエンベロプ装置１０の周りになされてい
る。

第４Ａ及び４Ｂ図を見ると、ハウジング部材６
０は、概して平坦な底板７０とその周りで上方に
伸びるフランジ７２を有している。フランジ７２
は、適切な導管を介して真空ポンプ１７，２０，
２２に接続するのに適した複数のポート７４，７
５，７６，７７が与えられている。フランジ７２
は更にハウジング部材６０を真空密閉して電子ビ
ームコラム１２に取り付けるための複数の据え付
け穴及び０−リングが与えられている。ポート７
４，７５，７６，７７の近傍のフランジ７２の部
分は、第４Ｂ図に示されるように、下向きかつ内
側に曲げられており、エンベロプ装置１０を真空
ポンピング装置に取り付け、また、分解すること
を容易にしている。底板７０及びフランジ７２は
組み合つてハウジング部材６０の円筒型内部領域
８２を形成する。スリーブ４０ｃは円錐台形を有
し、底板７０の中央から下方向に伸びている。ス
リーブ４０Ｃはハウジング部材６０の底部分を貫
いてアパーチヤ８４を形成している。

下部プレート６２は、第３Ｂ図に示されるよう
にハウジング部材６０の下部部分に据え付けられ
ている。第５Ａ図及び５Ｂ図を参照すると、下部
プレート６２は内部領域８２内に据え付けるのに
適した概して円形の輪郭を有し、円錐台形でスリ
ーブ４０ｃ内に納められているところの下部に伸
びるスリーブ４０ｂを有している。下部板６２は
更に、放射上に置かれハウジング部材６０内でポ
ート７４，７５，７６，７７の周りに妨げられな
い領域を与えるところの複数のカツトアウト
（cutout）８４を有している。各々の構成要素上
のアライメントホール（alignment holes）８６
が放射状に整列されると、ハウジング部材６０及
びプレート６２，６４は適切に整列させられる。
チヤネル８８は、スリーブ４０ｂの外側と下部プ
レート６２の周囲にあるカツトアウト８４の１つ
との間の下部プレート６２の底部表面に割り込め
られている。チヤネル９０は、スリーブ４０ｂの
内側と別のカツトアウト８４との間の下部プレー
ト６２の上部表面に割り込まれている。

第６Ａ及び６Ｂ図を参照すると、上部プレート
６４は概して平坦な底板９２及び円錐台形を有す
る下方に伸びるスリーブ４０ａを備える。上部プ
レート６４は更に、底板９２の周囲で上方に伸び
たフランジ９４及び下部プレート６２上のカツト
アウト８４と並べられた複数のカツトアツト９６
を有する。スリーブ４０ａは下部プレート６２の
スリーブ４０ｂ内でちようど納まるように置かれ
ている。

第３Ａ及び３Ｂ図に示されるようなブランクオ
フプレート（blankoff plate）６６は、平坦な半
円形デイスクでその中央に半円形のカツトオフ１
００を有する。ブランクオフプレート６６は、上
部プレート６４の２つのカツトアウト９６を真空
密閉にシールする。上部プレート６４が強磁性体
物質であるとき、軸方向に対称な磁気特性が得ら
れるように反強磁性体のブランクオフプレート６
６が必要とされる。

エンベロプ装置１０は、第３Ａ及び３Ｂ図にお
けるように、放射状に並んだアラインメイントホ
ール８６をもつて、下部プレート６２、上部プレ
ート６４及びハウジング部材６０内に置かれたブ
ランクオフプレート６６から組み立てられる。ロ
ウ付けフオイルが接触面の間に置かれる。次に組
立体はロウ付けフオイルが十分に溶けるだけの温
度まで加熱され、それにより全接触表面がロウ付
けされる。ロウ付けは、様々な真空通路が真空密
閉にシールされる。別の組立体技術において、真
空密閉シールをするために接触面の間にエポキシ
（epoxy）のような粘着性物質が用いられる。ス
リーブ４０ａ，４０ｂ，４０ｃは同中心であり、
それらの先端は同一平面にありエンベロプ装置１
０の先端４２を形成している。真空領域４４はス
リーブ４０ａによつて形成される。環状アパーチ
ヤ４６又は第２真空領域は真空領域４４と同中心
であり、スリーブ４０ａ及び４０ｂによつて形成
される。環状アパーチヤ４８又は第１真空領域は
真空領域４４と同中心でありスリーブ４０ｂ及び
４０ｃによつて形成される。

操作中、第１段真空ポンプ２０は特有の導管に
よつてポート７４（第４Ａ図）に連結される。環
状アパーチヤ４８は下部プレート６２とハウジン
グ部材６０との間のチヤネル８８（第５Ａ及び５
Ｂ図）を介してポート７４に連結されている。第
２段真空ポンプ２２はポート７５（第４Ａ図）に
連結されている。環状リング４６は下部プレート
６２と上部プレート６４との間のチヤネル９０
（第５Ａ及び５Ｂ図）を介してポート７５に連結
されている。高真空ポンプ１７は特有の導管によ
つてポート７６（第４Ａ図）に連結されている。
真空領域４４は第３図に最も良く見られるように
上部プレート６４の上のハウジング部材６０の内
部領域８２を介してポート７６に連結されてい
る。従つて、操作の間先端４２がちようど被加工
物の上に位置するとき、真空領域４４と大気環境
との間の間隙領に段階的真空シールが与えられ
る。上記のように、領域４４内の所望の真空レベ
ルに依存して、より多くの又はより少ない真空ポ
ンピング段階を用いてもよい。ポート７７を介し
て付加的段階を真空ポンプに連結してもよい。他
に高真空ポンプ１７がポート７７に連結されても
よく、それによつて真空領域４４と真空ポンプ１
７との間に付加的コンダクタンスを与える。

ハウジング部材６０は、典型的には鉄のような
強磁性材から製造され、電子ビームコラム１２の
磁気要素と被加工物との間の磁気的シールド機能
をなしとげる。好適実施例では、下部プレート６
２はチタンで非磁性材であり、上部プレート６４
は鉄である。エンベロプ装１０はそれにより二重
の磁気的シールドを与える。磁気シールド要素６
０，６４は電子ビーム軸に対して概して対称であ
り、ビームがエンベロプ装置１０を通過するとき
ビームに対する影響を防いでいる。上部プレート
６４上の２つのカツトアウト９６は、対称的形状
を確実にする以外の機能は有さない。ブランクオ
フプレート６６は、非磁性材であり、非機能的カ
ツトアウト９６を密閉する。

上記のように真空処理がより低い真空レベルを
可能にし、空間がより高いコンダクタンス真空ポ
ンピングを可能にするとき、エンベロプ装置にお
ける真空ポンピングステージの数は減少できる。
第3A及び3B図を見ると、開示されたエンベロプ
装置は、上部プレート６４を排除し、使用してい
ないポートを密閉する適切なブランクオフプレー
トを与え、残つたスリーブ４０ｂ，４０ｃを所望
の大きさにスケーリング（scaling）することに
よつて２つのステージに減少させることができ
る。

スリーブ４０ａ，４０ｂ，４０ｃは円錐台形を
有するように示され記載されたが、例えば、円筒
スリーブのような他の形状も用いることができる
ことが理解されるであろう。更に、真空領域４４
は円形である必要がないばかりでなく、各々の真
空処理で要求されるような細長く伸びた又は他の
任意の形状でもよい。

本発明に従つた局部的真空エンベロプ装置の一
例においては、電子ビーム軸に沿つたエンベロプ
装置の大きさは約1.25インチ（3.17cm）である。
先端の外径は約0.5インチ（1.27cm）である。高
真空領域４４において達成される真空は、先端と
被加工物との間に約20マイクロメータの間隙をも
つて約１×10^-5トルである。

現在考えられた本発明の好適実施例が示され記
載されてきたが、添付した特許請求の範囲によつ
て限定された本発明の範囲から離れることなく
様々な変化や変更態様が可能なことが当業者には
明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に関する装置を組み入れた電子
ビーム露光装置の略示ブロツク図である。第２図
は第１図に図示された局部的真空エンベロプ装置
の拡大断面図である。第３Ａ及び３Ｂ図は、各々
本発明に関するエンベロプ装置の平面図と断面図
である。第４Ａ及び４Ｂ図は、各々エンベロプ装
置のハウジング部材の平面図と断面図である。第
５Ａ及び５Ｂ図は、各々エンベロプ装置の下部プ
レートの平面図と断面図である。第６Ａ及び６Ｂ
図は、各々エンベロプ装置の上部プレートの平面
図と断面図である。 主要符号の説明、１０……局部的真空エンベロ
プ装置、１２……電子ビームコラム、１６……半
導体ウエフア、１７……高真空ポンプ、｛４０ａ，
４０ｂ，４０ｃ｝……スリーブ、４２……先端、
｛４６，４８｝……環状アパーチヤ、６０……ハ
ウジング部材、６２……下部プレート、６４……
上部プレート、｛７２，９４｝……フランジ、｛７
４，７５，７６，７７｝……ポート、８２……内
部領域、｛８４，９６，１００｝……カツトアウ
ト、｛８８，９０｝……チヤネル。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 被加工物の局部的真空処理のための真空処理
   チエンバの取付けに適した装置であつて、 ａ 下方に伸びた第１スリーブを有し、それによ
   つてアパーチヤを有する底板と、該底板の周辺
   で上方に伸びたフランジとを有し、該フランジ
   は真空ポンピングのための複数のポートを有
   し、前記底板と前記フランジが組み合わさつて
   前記ハウジング部材の内部領域を形成すること
   ろのハウジング部材と、 ｂ 前記第１スリーブの内側の前記アパーチヤ内
   へ下方へと伸びる第２スリーブを備え、前記第
   １スリーブの先端と同平面上にある先端を有す
   るハウジング部材の前記内部領域内に据え付け
   られた下部プレートであつて、 第１真空領域が前記第１スリーブと前記第２
   スリーブとの間に形成され、前記第１真空領域
   が間にチヤネルを介して前記ポートの最初の１
   つとガス連絡され、前記ハウジング部材及び前
   記下部プレートの片方又は双方にあるカツトア
   ウト部分によつて形成されているところの下部
   プレートと、 ｃ 前記第２スリーブの内側の前記アパーチヤ内
   へ下方へと伸びる第３スリーブを備え、前記第
   １及び第２スリーブの先端と同平面上にある先
   端を有するハウジング部材の前記内部領域内で
   前記下部プレートの上方に据え付けられた上部
   プレートであつて、 前記第２スリーブと前記第３スリーブとの間
   に第２真空領域が形成され、高真空領域が前記
   第３スリーブ内に形成され、前記第２真空領域
   は間に第２チヤネルを介して前記ポートの第２
   ポートとガス連絡され、前記下部プレート及び
   前記上部プレートの片方又は双方のカツトアウ
   ト部分によつて形成されており、前記高真空領
   域は、前記上部プレートの上の前記内部領域の
   部分を介して前記ポートの第３ポートとガス連
   絡されているところの上部プレート、 から成るところの装置。 ２ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
   つて、 前記第１スリーブ、前記第２スリーブ、前記第
   ３スリーブの各々が、円錐台形状を有するところ
   の装置。 ３ 特許請求の範囲第２項に記載された装置であ
   つて、 前記第１真空領域及び前記第２真空領域が構造
   上の部材によつて妨害されることなく、それによ
   つて比較的高い真空コンダクタンスを提供すると
   ころの装置。 ４ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
   つて、 前記ハウジング部材上の前記フランジが、前記
   装置を前記処理チエンバに据え付け、前記装置と
   前記処理チエンバとの間に真空シールをするため
   の手段を有するところの装置。 ５ 特許請求の範囲第１項に記載された装置であ
   つて、 前記ハウジング部材が強磁性材で作られ、処理
   チエンバと被加工物との間に磁気的シールドをな
   しているところの装置。 ６ 特許請求の範囲第５項に記載された装置であ
   つて、 前記上部プレートが強磁性材で作られ、前記下
   部プレートが低い透磁率の物質で作られ、処理チ
   エンバと被加工物との間に二重の磁気的シールド
   をなしているところの装置。 ７ 特許請求の範囲第６項に記載された装置であ
   つて、 前記高真空領域を通り前記被加工物に達する荷
   電粒子ビームの通路に適し、前記荷電粒子ビーム
   への影響を最小にするために前記ハウジング部材
   及び前記上部プレートが前記高真空領域の中心軸
   線に関して概して対称であるところの装置。 ８ 特許請求の範囲第７項に記載された装置であ
   つて、 前記ハウジング、前記下部プレート及び前記上
   部プレートの接触表面のブレイジングによつて組
   み立てられているところの装置。 ９ 特許請求の範囲第７項に記載された装置であ
   つて、 前記ハウジング部材、前記下部プレート及び前
   記上部プレートの接触表面を粘着性物質でシール
   することにより組み立てられているところの装
   置。 １０ 特許請求の範囲第１項に記載された装置で
   あつて、 前記ハウジング部材の前記内部領域が概して円
   筒形状を有し、その内部の中心に前記第１、第２
   及び第３スリーブが置かれているところの装置。 １１ 特許請求の範囲第１０項に記載された装置
   であつて、 電子ビームリソグラフイコラムへの取付けに適
   するところの装置。 １２ 被加工物の局部的真空処理のための真空処
   理チエンバの取付けに適した装置であつて、 ａ 下方に伸びた第１スリーブを有し、それによ
   つてアパーチヤを有する底板と、該底板の周辺
   で上方に伸びたフランジとを有し、該フランジ
   は真空ポンピングのための複数のポートを有
   し、前記底板と前記フランジが組み合わさつて
   前記ハウジング部材の内部領域を形成するとこ
   ろのハウジング部材と、 ｂ 前記アパーチヤ内へ下方へと伸びる第２スリ
   ーブを備え、前記第１スリーブの先端と同平面
   上にある先端を有するハウジング部材の前記内
   部領域内に据え付けられた下部プレートであつ
   て、 第１真空領域が前記第１スリーブと前記第２
   スリーブとの間に形成され、高真空領域が前記
   第２スリーブの内側に形成され、前記第１真空
   領域が間にチヤネルを介して前記ポートの１つ
   とガス連絡され、前記ハウジング部材及び前記
   下部プレートの片方又は双方にあるカツトアウ
   ト部分によつて形成され、前記高真空領域は、
   前記下部プレート上の前記内部領域の部分を介
   して、別の前記ポートとガス連絡しているとこ
   ろの下部プレート、 から成るところの装置。