JPH0554261B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0554261B2
JPH0554261B2 JP59023110A JP2311084A JPH0554261B2 JP H0554261 B2 JPH0554261 B2 JP H0554261B2 JP 59023110 A JP59023110 A JP 59023110A JP 2311084 A JP2311084 A JP 2311084A JP H0554261 B2 JPH0554261 B2 JP H0554261B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die
film
push
bonding
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59023110A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60167337A (ja
Inventor
Kyoshi Mayahara
Yutaka Makino
Takeichi Yoshida
Kenichi Oku
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2311084A priority Critical patent/JPS60167337A/ja
Publication of JPS60167337A publication Critical patent/JPS60167337A/ja
Publication of JPH0554261B2 publication Critical patent/JPH0554261B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/75301—Bonding head
    • H01L2224/75302—Shape
    • H01L2224/75303—Shape of the pressing surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01043—Technetium [Tc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウエハ内に作り込まれた複数
個の半導体素子を個々に分割して得られる半導体
素子（ダイス）をセラミツク等の回路基板あるい
はリードフレームへ自動的にボンデイングするこ
とのできるダイスボンデイング装置に関するもの
であり、特にフイルムに加熱等の方法で取り付け
られ複数個に分割された半導体素子を針状の複数
のピンを有した突き上げピンと管体から成り下端
の吸着部を有した吸着コレツトにより前記フイル
ムより分離・吸着し回転基板あるいはリードフレ
ームの所定の位置まで移載しボンデイングを行な
うボンデイング装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来ダイスボンデイング装置は第１図にその具
体構成を示すようにフイルム１を介してウエハリ
ング２に取り付けられた半導体素子（以下ダイス
と言う）３を回路基板４の所定の位置にボンデイ
ングするためにフイルム１上のダイス３を分離す
るダイス分離部５と分離されたダイス３を吸着し
移載しボンデイングするダイス移載部６とから構
成されている。ここで７はダイス３をフイルム１
から分離するための突き上げピンであり８は突き
上げピンクを上下方向に移動するカムであり回転
軸９に固定されている。またダイス移載部６はフ
イルム１から分離されたダイス３を吸着し保持す
る吸着コレツト１０と回路基板４へボンデイング
をするボンデイングコレツト１１と吸着コレツト
１０、ボンデイング１１を上下方向に駆動するレ
バー１２、連結棒１３、揺動レバー１４、カム１
５と吸着コレツト１０で吸着・保持したダイス３
を中間位置決め部１６へ移動し同時にボンデイン
グコレツト１１で吸着・保持したダイス３を回路
基板４の所定の位置に移載するための移載アーム
１７、レバー１８、移載カム１９、回転軸２０で
構成されている。また中間位置決め部１６はステ
ージ２１上に移載されたダイス３の中心とボンデ
イングコレツト１１の中心を合わせ回路基板４の
所定の位置へ位置ズレなくボンデイングするため
のダイス規正爪２２とダイス規正爪２２を駆動す
る駆動源（図示せず）とからなる。
この構成においてフイルム１からダイス３を分
離し、吸着コレツト１０で吸着・保持する工程は
第２図ａ，ｂ，ｃで示すように吸着コレツト１０
はダイス３の上面からすき間ｈの位置に停止す
る。この時の吸着コレツト１０と突き上げピン７
の間隔はＨである。次にカム８の回転により突き
上げピン７は第２図ｂまで上昇しダイス３をフイ
ルム１から分離し、さらに第２図ｃまで上昇する
間にダイス３は吸着コレツト１０に吸着保持され
る。
しかしながら上記のような構成ではダイス３を
フイルム１から分離・吸着保持する時に吸着コレ
ツト１０とフイルム１上のダイス３のすき間ｈを
大きくする必要があり（なぜならフイルム１から
ダイス３が分離されるまでの突き上げ量Ａがフイ
ルム１の張力、材質等により変動しそのバラツキ
を吸収できるだけの間隔ｈを取る必要がある。） ダイス突き上げ時にダイス３が吸着コレツト１
０に吸着されずに飛びだし吸着コレツト１０で吸
着できなく吸着の信頼性が悪い。さらに吸着コレ
ツト１０に吸着保持された状態のダイス３の中心
と吸着コレツト１０の中心にズレが大きく発生し
そのバラツキ量が大きく、回路基板４の所定の位
置へ正しくボンデイングするためにはフイルム１
から分離し吸着した後に中間位置決め部１６のス
テージ２１に置いて位置規正爪でダイス３の中心
とボンデイングコレツト１１の中心を合わせるた
めの機構を設け精密な機械調整が必要であり、ダ
イス３の分離・吸着の信頼性、また装置管理上、
組立上において問題があつた。
発明の目的 本発明は上記従来の欠点を解消するものであり
構成を簡素化したダイスボンデイング装置を提供
するものである。
発明の構成 本発明のダイスボンデイング装置は多数のダイ
スが取り付けられたフイルムを保持しダイスをフ
イルムから分離し吸着する位置に位置決めする
XYステージとダイスを分離吸着し移載し回路基
板の所定の位置にボンデイングを行なうボンデイ
ングヘツド部と回路基板を所定の位置に位置決め
するXY位置決めステージとからなり、前記ヘツ
ド部において上下に摺動可能なスライドブロツク
に上下方向において一体となつて上下に動くよう
にダイスを分離吸着する突き上げピンと吸着コレ
ツトを構成することによりダイスの分離時におい
て突き上げピンと吸着コレツトの間隔をダイスの
厚みに非常に近くすることが可能となるためダイ
ス吸着の確実性が図れるとともに吸着時において
吸着コレツトの中心に対してダイスの中心の位置
ズレを極端に小さくすることが可能であり従来例
の構成のひとつである中間位置決め部を設けなく
ても回路基板の所定の位置に位置ズレなくダイス
をボンデイングすることを可能にし装置の構成を
簡素化するという特有の効果を有するものであ
る。
実施例の説明 以下本発明の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。
第３図は本発明の一実施例におけるダイスを分
離吸着する位置まで移動させ位置決めを行なう
XYステージとダイスを分離吸着し回路基板の所
定の位置にボンデイングを行なうボンデイングヘ
ツド部である。第３図において２３はダイス３を
多数有したウエハリング２を保持しダイス３を分
離吸着位置に位置決めするXYステージである。
２４はボンデイングヘツド部であり２５は上下動
可能なスライドブロツクでありガイド軸２６、ス
プライン軸２７に上下動自在に支持されている。
２８は前記スライドブロツク２５を上下に駆動す
るためのネジ軸でありカツプリング２９を介して
上下駆動モータ３０に連結されている。ここで３
１はスライドブロツク２５に固定されネジ軸２８
に螺合するメネジである。
３２は回転アームでありスプライン軸２７とス
プラインナツト３３を介して固定されスプライン
軸２７とカツプリング３４を介してモータ３５の
駆動により揺動し先端にはダイス３を吸着するた
めの吸着コレツト１０をスライド自在に支持して
いる。ここで３６はスプリングであり３７は吸着
コレツト１０の下限を制限するためのストツパー
であり調整可能に吸着コレツト１０にボルトで固
定されている。３８はダイスを吸着するための真
空源からの（図示せず）真空回路を構成するため
のチユーブである。
３９はダイス３をフイルム１から分離しない時
に突き上げピン７を下降させるためのシリンダー
を構成するシリンダブロツクであり、４０は突き
上げピン７を先端に有したピストンである。
第４図において４１はダイス３を回路基板４に
固着するための溶融体をボンデイングの前工程に
おいて一定量回路基板へ塗布するデイスペンサー
であり、４２はデイスペンサーを保持するブラケ
ツトでありスライドブロツク２５に固定されてい
る。また４３は回路基板４をXY方向に移動させ
所定のボンデイング位置へ位置決めするXY位置
決めステージである。
以上のように構成されたダイスボンデイング装
置について以下その動作を説明する。
まずフイルム１上のダイス３を分離吸着するた
めにXYステージ２３によりダイス３が位置決め
される。次にモータ３５の駆動により吸着コレツ
ト４を有した回転アーム３２がダイス３の真上に
位置決めされる（第５図ａ）。次にダイス３と当
接しないぎりぎりの位置まで上下駆動モータ３０
により下降する（第５図ｂ）。次にシリンダブロ
ツク３９とピストン４０で構成されたシリンダー
の動作によりピストン４０の先端に固定された突
き上げピン７がダイス３の下面に当接するぎりぎ
りの所まで上昇する（第５図ｃ）。次に上下駆動
モータの駆動によりスライドブロツク２５が上昇
することによりスライドブロツク２５と上下方向
に一体となつて動く吸着コレツト１０と突き上げ
ピン７が上昇しダイス３を吸着コレツト１０へ分
離吸着し保持する（第５図ｄ，ｅ）。次に前記シ
リンダーの駆動により突き上げピン７は下降する
（第５図ｆ）。次にモータ３５の駆動により回転ア
ーム３２はあらかじめXYステージ４３によつて
所定の位に位置決めされ前工程においてデイスペ
ンサー４１によつて溶融体の塗布された回路基板
４の真上に位置決めされる。次に上下駆動モータ
３０の駆動によりダイス３を吸着保持した吸着コ
レツト１０が下降し前記溶融体の上にダイス３を
押し付けてボンデイングを行なう。この時前工程
にある回路基板４′へはデイスペンサー４１によ
つて溶融体が塗布される。次に吸着コレツト１０
は上下駆動モータの駆動により上昇し回路基板４
から離れモータ３５の駆動により元の位置まで回
転し戻される。このようにフイルム１に取り付け
られたダイス３を分離する時点において突き上げ
ピン７と吸着コレツト１０はダイス３をわずかな
すき間を保持して挾みこんだ状態で分離し吸着す
ることが可能なためダイス３の中心と吸着コレツ
ト１０の中心とがずれることなく、また吸着の確
実性が高く正しく回路基板４へダイス３をボンデ
イングすることが可能となつたものである。
発明の効果 このように本発明によれば、ダイスを位置決め
するXYステージと基板すなわち回路基板を位置
決めするXY位置決めステージと、ボンデイング
ヘツド部で構成されダイスを分離吸着する時点に
おいて、上下に摺動可能なスライドブロツクと一
体となつて動くことが可能な突き上げピンおよび
吸着コレツトによりわずかなすき間を保持した状
態でダイスを挾みこみ、分離し吸着するためダイ
スの分離吸着の確実性が非常に高く、さらには吸
着保持されるダイスの中心と吸着コレツトの中心
の位置ズレが極端に小さくなり従来例のダイスボ
ンデイング装置の構成で非常に重要な働きをする
ダイスの中間位置決め工程を設けなくても回路基
板へ位置精度よくボンデイングすることを可能に
したものであり、ダイスボンデイングの信頼性を
向上させ、ボンデイングスピードを向上させ、ま
た構成が簡素化できその実用効果は大なるものが
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダイスボンデイング装置の構成
を示す断面図、第２図ａ，ｂ，ｃは従来のダイス
吸着工程を示す断面図、第３図は本発明の一実施
例の断面図、第４図は同平面図、第５図ａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅ，ｆはダイス分離吸着の工程を示す断
面図である。 １……フイルム、３……ダイス、７……突き上
げピン、１０……吸着コレツト、２３……XYス
テージ、２５……スライドブロツク、３０……上
下駆動モータ、３１……メネジ、３２……回転ア
ーム、３５……モータ、３９……シリンダブロツ
ク、４０……ピストン、４１……デイスペンサ
ー、４３……XY位置決めステージ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 多数の半導体素子が作り込まれフイルムなど
    に取り付けられ、複数個に分割された半導体素子
    をフイルムから分離し基体の所定の位置にダイス
    ボンデイングする装置であつて、前記半導体素子
    の取り付けられたフイルムを保持しＸ方向ならび
    にＹ方向へ移動させ半導体素子を前記フイルムか
    ら分離し吸着する位置に位置決めするXYステー
    ジと、上下動自在に軸支されたスライドブロツク
    とねじで螺合されたねじを介して前記スライドブ
    ロツクを上下動する駆動源と、前記半導体素子の
    下方に配され上下２つの位置に位置決め可能で前
    記スライドブロツクに取り付けられた突き上げピ
    ンと、前記スライドブロツクに上下方向に固定さ
    れ前記突き上げピンと対抗した位置で半導体素子
    を吸着保持する吸着コレツトを有した回動自在な
    アームと、前記アームを回転駆動する駆動源とで
    構成され、前記突き上げピンの上限位置は、対向
    する前記吸着コレツトと突き上げピンとの上下間
    隔を半導体素子の厚みによりわずかに大きくなる
    位置とし、下限位置は、前記XYステージがXY
    方向に自由に移動できる位置としたボンデイング
    ヘツド部と、基体を保持しXY方向に移動させ基
    体の所定の位置にボンデイングをおこなうための
    XY位置決めステージとからなるダイスボンデイ
    ング装置。
JP2311084A 1984-02-09 1984-02-09 ダイスボンデイング装置 Granted JPS60167337A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2311084A JPS60167337A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 ダイスボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2311084A JPS60167337A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 ダイスボンデイング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60167337A JPS60167337A (ja) 1985-08-30
JPH0554261B2 true JPH0554261B2 (ja) 1993-08-12

Family

ID=12101330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2311084A Granted JPS60167337A (ja) 1984-02-09 1984-02-09 ダイスボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60167337A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5479961B2 (ja) * 2010-03-16 2014-04-23 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置及び実装方法
JP6519761B2 (ja) * 2017-08-25 2019-05-29 上野精機株式会社 電子部品受渡し装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56120136A (en) * 1980-02-28 1981-09-21 Toshiba Corp Pellet mounting method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56120136A (en) * 1980-02-28 1981-09-21 Toshiba Corp Pellet mounting method

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60167337A (ja) 1985-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4381601A (en) Apparatus for mounting electronic components
US5174021A (en) Device manipulation apparatus and method
JPH1051152A (ja) 可撓性ラミナをアライメント・ピン上に積み重ねる方法及び装置
JPH0554261B2 (ja)
JPH08227904A (ja) チップボンディング装置
US4029536A (en) Methods of and apparatus for mounting articles to a carrier member
JPS6255947A (ja) チツプ部品移載装着装置
US3855034A (en) Method and apparatus for bonding in miniaturized electrical circuits
JPH0691348B2 (ja) 電子部品自動装着装置
JP2736637B2 (ja) チップボンディング方法
KR0161436B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP2765190B2 (ja) フリップチップのボンディング装置
JPS59186334A (ja) ボンデイング装置
US5018938A (en) Method and apparatus for separating chips
JPH07456Y2 (ja) チップ突き上げ装置
JPS6224635A (ja) フリツプチツプボンダ−
JPH0638425Y2 (ja) ダイボンダのチップ搬送機構
JPS59186333A (ja) ボンデイング装置
JP2921164B2 (ja) リードのボンディング装置
JP2802871B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置およびこれを用いる半導体チップのピックアップ方法
JPH0815238B2 (ja) 電子部品自動装着装置
JPH04350950A (ja) チップの位置決め装置
JPS5933975B2 (ja) 半導体搭載装置
JPH0639448Y2 (ja) ボンデイング装置
JP2514697Y2 (ja) マウンタ

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term