JPH0553727B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高純度と珪素の製造するために工業的
に利用できる珪素水素化合物、特にシラン
（SiH4）の製造方法に関する。 シランの合成法としては２つの常套法、即ち珪
化マグネシウム（Mg2Si）のプロトリチツク分解
およびテトラクロルシランと金属水素化物との反
応があるが〔Gmelin′s Handbuch d.Anorg.
Chem.Si、Suppl.Bl、第59頁（1982）〕、後者の方
法の利点は望ましくない不純物を含まないシラ
ン、特に高純度シランが得られることである。 水素化リチウムアルミニウムの発見およびこれ
の金属水素化物と他の元素の水素化物の合成への
応用以来〔フインホルト（Finholt）、ボンド
（Bond）、ビルツバツハ（Wilzbach）およびシユ
レジンガー（Schlesinger）、J.Amer.Chem、
Soc.、69、2962（1948）参照〕、SiCl4とLiAlH4と
の反応は実験室的にシランを合成するには最良で
最も簡単な方法と考えらえている〔ノルマン
（Norman）、ウエブスター（Webster）およびジ
ヨリー（Jolly）、Inorg.Syn.11、170（1768）参
照〕。この方法によつて製造されるシランは硼素
水素化合物および高位のシランを含まないので、
半導体および太陽電池工業用の珪素の製造に適し
ている（前記グメリンの便覧、第62頁参照）。し
かしながらこの方法は、比較的高価な水素化リチ
ウムアルミニウムを使用するために大規模な工業
的用途には不適である。最近の20〜25年間、好適
であるが高価なLiAlH4の代替品として安価で所
望によりコンプレツクス状の金属水素化物を得る
試みが多くなされている。ザクハルキン
（Zakharkin）ら〔Bull.Acad.Sci.（UdSSR）、
Div.Chem.Sci.、1962、1784参照〕およびアンチ
ピン（Antipin）ら〔J.Appl.Chem.（UdSSR）、
42、416（1969）参照〕によれば、SiCl4、HSiCl3
およびアルコキシンシランはNaAlH4または
KAlH4とテトラヒドロフラン（以下、THFとい
う）またはジグリム中で低温においても反応して
好収率でシランを生成する。この方法をシランを
合成するために工業的に利用することは何も知ら
れていない。 本発明に関しては次のことが重要である。即ち
既知のシラン製造法はアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の簡単な二成分水素化物、例えば
NaH、MgH2およびCaH2をそれ自体で使用せず
に、AlCl3と反応させてアルミニウムの水素化物
コンプレツクスに変換させた後で使用するか〔英
国特許第832333号明細書；C.A.、16765（1960）；
ビツト（Vit）ら、Czech.126672（1962／68）；C.
A.、70、39392（1969）参照〕、シラン製造用活性
化剤もしくは触媒またはこれらの両者の存在下で
使用するという事実である。この理由は高い温度
と圧力下で元素から製造された二成分金属水素化
物の低い溶解性および／または反応性にあると考
えられる。NaH、CaH2またはMgH2とSiCl4との
反応用触媒としては、ハロゲン化亜鉛、水素化亜
鉛、アルキル亜鉛または酸化亜鉛〔英国特許第
909950号明細書；C.A.58（1963）、2185参照〕ま
たは金属亜鉛もしくは亜鉛合金〔米国特許第
3050366号明細書；C.A.58（1963）、280参照〕が
推奨されている。SiCl4と例えばNaHとをTHF
中で反応させる場合に触媒として必要なZnCl2は
ZnCl2：SiCl4＝１：２のモル比、即ち実際上化学
量論量で添加される。また、SiCl4とNaHから
SiH4を製造する場合に触媒または活性化剤とし
てアルキル硼素またはアルキルアルミニウム（西
独国特許第1034159号明細書；C.A.56、16764；
ジエンクナー（Jenkner）、Chemiker Ztg.85、
264／72（1961）参照〕および水素化硼素または水
素化アルミニウム〔西独国特許第1085505号明細
書；C.A.21505（1961）；西独国特許第1096341号
明細書；C.A.26388（1961）参照〕も推奨されて
いるが、この場合、得られるシランに望ましくな
い不純物としてアルキルシラン（活性化剤として
AlR3を使用する場合）または硼素化合物（硼素
活性化剤を使用する場合）が含まれる危険があ
る。ソ連特許第126672号明細書およびC.A.84、
166812（1976）によれば、この欠点は活性化剤と
してNaAlH4を使用することによつて回避され
る。 英国特許第909950号明細素に開示されている水
素化マグネシウムを使用するシランSiH4の実験
的製造法は特に注目すべきである。しかしながら
この明細書には、水素化マグネシウムはハロゲン
シランとの反応によつて高純度のシランを製造す
るのには適していないことが明確に教示されてい
る。 以上から明らかなように、二成分金属水素化物
を使用してハロゲンシランとの反応によつてシラ
ンを簡単でコスト的に有利に工業的規模で製造す
る方法は従来全く知られていなかつた。 ヨーロツパ特許第0003564号明細書には、均一
な遷移金属触媒を用いて温和な反応条件下で金属
マグネシウムを水素化して、常套の高温水素化法
によつて製造される水素化物とは対照的に、高い
反応性の水素化マグネシウムを得る方法が開示さ
れている。 この方法においては、周期律表〜族遷移元
素金属のハロゲン化物および有機マグネシウム化
合物から成る触媒または周期律表〜亜鉛金属
のハロゲン化物と水素化マグネシウムから成る触
媒の存在下および所望による多環芳香族化合物ま
たは第３級アミンおよび所望によるハロゲン化マ
グネシウムMgX2（Ｘ＝Cl、Br、Ｉ）の存在下に
マグネシウムと水素を反応させる。 驚くべきことに、この方法によつて容易に得ら
れる水素化マグネシウムが触媒も活性化剤も必要
とすることなくテトラクロルシランまたは他のク
ロルシランからシランを製造するのに非常に適し
たものであることが本発明者によつて見出され
た。 この反応は室温または幾分高い温度（50〜70
℃）においてさえも溶媒としての環状または線状
のエーテルもしくはTHFや１，２−ジメトキシ
エタンのようなポリエーテル中で進行し、相当す
るシランが高収率で得られる。 前記の水素化マグネシウム合成法と組み合せる
ことによつてシランが安価な原料Mg、H2および
例えばSiCl4から次式のように２段階で合成され
る。 Mg＋H2触媒 ――――→ 活性化剤MgH2 2MgH2＋SiCl4→SiH4＋2MgCl2 この方法の別の利点は、マグネシウムの水素化
とその後のMgH2とSiCl4の反応が反応媒体とし
て例えはTHFを用いた単一反応容器中でおこな
えることである。 しかしながら、前記ヨーロツパ特許明細書記載
の方法によつて調製されるMgH2を固体状で単離
し、次いで別の適当な反応溶媒中でクロルシラ
ン、例えばSiCl4と反応させてもよい。 本発明を以下の実施例によつてさらに詳細に説
明するが、これらに限定されるものではない。 実施例 １ 前記ヨーロツパ特許明細書記載の方法に準拠
し、以下のようにして水素化マグネシウムを調製
した。 粉末マグネシウム4.86ｇ（0.2モル。50メツシ
ユ）の無水THF50ml懸濁液を臭化エチル0.05ml
と混合して30分間攪拌した後、アントラセン0.36
ｇ（2.0ミリモル）を加えて３時間攪拌する（こ
の間にマグネシウムアントラセンが生成する。橙
色沈澱が分離するので明らかである。）。得られた
添加物をTiCAl30.38ｇ（2.0ミリモル）の懸濁液
に加え、更に15〜20分間攪拌する。 反応容器を常圧の水素で満し、20℃で強く攪拌
する。水素吸収量は気体用ビユレツトで計測す
る。水素の吸収はほぼ一定の速度で数日間連続し
て行つた。48時間後の水素吸収量は1300mlであつ
た。 得られた懸濁液を濾過して水素化マグネシウム
を触媒溶液から分離し、THFおよびペンタンで
洗浄するか、または減圧下に乾燥して発火性固体
状の水素化マグネシウムを得た。収率は27％であ
つた。 滴下漏斗、内部温度計、磁気スターラー、およ
びコールドフインガー（−78℃）を備えた三頚フ
ラスコ（100ml）から成り、水銀を満したガスビ
ユレツトに連結された装置に、前記のようにして
調製した水素化マグネシウム0.68ｇをアルゴン雰
囲気中で入れ、無水THF20mlで覆つた。THF20
ml中にSiCl41.04ｇ（0.7ml；6.1ｍmol）を加えた
溶液を攪拌下にMgH2懸濁液に滴下した。反応混
合物をゆつくりと加温すると約40℃でガスが発生
しはじめ、ガスの体積をガスビユレツトを用いて
測定した。反応熱によつて反応混合物の温度は一
時的に65℃まで上昇した。反応終了後、ガス発生
量は134ml（20℃、1bar）に達した。ガスのMS
分析により、SiH4は20.9mol％で、残りは、アル
ゴンであつた。装置の全体積を考慮すると、
SiH4の収率は80％であつた。 実施例 ２ 同一反応容器内でTi触媒を用いてTHF中で調
製したMgH2懸濁液を使用する以外は実施例１に
準拠して操作をおこなつた。SiH4を生成する
MgH2とSiCl4との反応はこの場合、25〜28℃で
進行した。SiH4の収率は76％であつた。 実施例 ３ 滴下漏斗、内部温度計、磁気スターラーおよび
還流コンデンサー（メチルアルコール、10℃）を
備えた三頚フラスコ（１）から成り、冷トラツ
プ（−78℃）に連結された装置に、前記ヨーロツ
パ特許明細書記載の方法によりTi触媒を用いて
調製した水素化マグネシウム18.56ｇをアルゴン
雰囲気中で入れ、無水グリム250mlで覆つた。グ
リム100ml中に（CH3）3SiCl107.20ｇ（126ml；
0.99mol）を加えた溶液を攪拌下、３時間で
MgH2懸濁液に滴下した。この場合、混合物の温
度は25〜27℃に上昇した。（CH3）3SiClの添加終
了後、反応混合物をアルゴン気流中で短時間で沸
点まで加熱した。冷トラツプ内に凝縮されたトリ
メチルシラン（沸点6.7℃）の収率は80％であつ
た。 【特許請求の範囲】 １ 反応系のM2Oの濃度（但し、Ｍはアルカリ
金属を示す。）が2.5重量％以下となるようにケイ
酸アルカリ金属塩溶液をアルミン酸アルカリ金属
塩溶液に添加することからなる無定形アルミノケ
イ酸塩の製造方法。
に利用できる珪素水素化合物、特にシラン
（SiH4）の製造方法に関する。 シランの合成法としては２つの常套法、即ち珪
化マグネシウム（Mg2Si）のプロトリチツク分解
およびテトラクロルシランと金属水素化物との反
応があるが〔Gmelin′s Handbuch d.Anorg.
Chem.Si、Suppl.Bl、第59頁（1982）〕、後者の方
法の利点は望ましくない不純物を含まないシラ
ン、特に高純度シランが得られることである。 水素化リチウムアルミニウムの発見およびこれ
の金属水素化物と他の元素の水素化物の合成への
応用以来〔フインホルト（Finholt）、ボンド
（Bond）、ビルツバツハ（Wilzbach）およびシユ
レジンガー（Schlesinger）、J.Amer.Chem、
Soc.、69、2962（1948）参照〕、SiCl4とLiAlH4と
の反応は実験室的にシランを合成するには最良で
最も簡単な方法と考えらえている〔ノルマン
（Norman）、ウエブスター（Webster）およびジ
ヨリー（Jolly）、Inorg.Syn.11、170（1768）参
照〕。この方法によつて製造されるシランは硼素
水素化合物および高位のシランを含まないので、
半導体および太陽電池工業用の珪素の製造に適し
ている（前記グメリンの便覧、第62頁参照）。し
かしながらこの方法は、比較的高価な水素化リチ
ウムアルミニウムを使用するために大規模な工業
的用途には不適である。最近の20〜25年間、好適
であるが高価なLiAlH4の代替品として安価で所
望によりコンプレツクス状の金属水素化物を得る
試みが多くなされている。ザクハルキン
（Zakharkin）ら〔Bull.Acad.Sci.（UdSSR）、
Div.Chem.Sci.、1962、1784参照〕およびアンチ
ピン（Antipin）ら〔J.Appl.Chem.（UdSSR）、
42、416（1969）参照〕によれば、SiCl4、HSiCl3
およびアルコキシンシランはNaAlH4または
KAlH4とテトラヒドロフラン（以下、THFとい
う）またはジグリム中で低温においても反応して
好収率でシランを生成する。この方法をシランを
合成するために工業的に利用することは何も知ら
れていない。 本発明に関しては次のことが重要である。即ち
既知のシラン製造法はアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属の簡単な二成分水素化物、例えば
NaH、MgH2およびCaH2をそれ自体で使用せず
に、AlCl3と反応させてアルミニウムの水素化物
コンプレツクスに変換させた後で使用するか〔英
国特許第832333号明細書；C.A.、16765（1960）；
ビツト（Vit）ら、Czech.126672（1962／68）；C.
A.、70、39392（1969）参照〕、シラン製造用活性
化剤もしくは触媒またはこれらの両者の存在下で
使用するという事実である。この理由は高い温度
と圧力下で元素から製造された二成分金属水素化
物の低い溶解性および／または反応性にあると考
えられる。NaH、CaH2またはMgH2とSiCl4との
反応用触媒としては、ハロゲン化亜鉛、水素化亜
鉛、アルキル亜鉛または酸化亜鉛〔英国特許第
909950号明細書；C.A.58（1963）、2185参照〕ま
たは金属亜鉛もしくは亜鉛合金〔米国特許第
3050366号明細書；C.A.58（1963）、280参照〕が
推奨されている。SiCl4と例えばNaHとをTHF
中で反応させる場合に触媒として必要なZnCl2は
ZnCl2：SiCl4＝１：２のモル比、即ち実際上化学
量論量で添加される。また、SiCl4とNaHから
SiH4を製造する場合に触媒または活性化剤とし
てアルキル硼素またはアルキルアルミニウム（西
独国特許第1034159号明細書；C.A.56、16764；
ジエンクナー（Jenkner）、Chemiker Ztg.85、
264／72（1961）参照〕および水素化硼素または水
素化アルミニウム〔西独国特許第1085505号明細
書；C.A.21505（1961）；西独国特許第1096341号
明細書；C.A.26388（1961）参照〕も推奨されて
いるが、この場合、得られるシランに望ましくな
い不純物としてアルキルシラン（活性化剤として
AlR3を使用する場合）または硼素化合物（硼素
活性化剤を使用する場合）が含まれる危険があ
る。ソ連特許第126672号明細書およびC.A.84、
166812（1976）によれば、この欠点は活性化剤と
してNaAlH4を使用することによつて回避され
る。 英国特許第909950号明細素に開示されている水
素化マグネシウムを使用するシランSiH4の実験
的製造法は特に注目すべきである。しかしながら
この明細書には、水素化マグネシウムはハロゲン
シランとの反応によつて高純度のシランを製造す
るのには適していないことが明確に教示されてい
る。 以上から明らかなように、二成分金属水素化物
を使用してハロゲンシランとの反応によつてシラ
ンを簡単でコスト的に有利に工業的規模で製造す
る方法は従来全く知られていなかつた。 ヨーロツパ特許第0003564号明細書には、均一
な遷移金属触媒を用いて温和な反応条件下で金属
マグネシウムを水素化して、常套の高温水素化法
によつて製造される水素化物とは対照的に、高い
反応性の水素化マグネシウムを得る方法が開示さ
れている。 この方法においては、周期律表〜族遷移元
素金属のハロゲン化物および有機マグネシウム化
合物から成る触媒または周期律表〜亜鉛金属
のハロゲン化物と水素化マグネシウムから成る触
媒の存在下および所望による多環芳香族化合物ま
たは第３級アミンおよび所望によるハロゲン化マ
グネシウムMgX2（Ｘ＝Cl、Br、Ｉ）の存在下に
マグネシウムと水素を反応させる。 驚くべきことに、この方法によつて容易に得ら
れる水素化マグネシウムが触媒も活性化剤も必要
とすることなくテトラクロルシランまたは他のク
ロルシランからシランを製造するのに非常に適し
たものであることが本発明者によつて見出され
た。 この反応は室温または幾分高い温度（50〜70
℃）においてさえも溶媒としての環状または線状
のエーテルもしくはTHFや１，２−ジメトキシ
エタンのようなポリエーテル中で進行し、相当す
るシランが高収率で得られる。 前記の水素化マグネシウム合成法と組み合せる
ことによつてシランが安価な原料Mg、H2および
例えばSiCl4から次式のように２段階で合成され
る。 Mg＋H2触媒 ――――→ 活性化剤MgH2 2MgH2＋SiCl4→SiH4＋2MgCl2 この方法の別の利点は、マグネシウムの水素化
とその後のMgH2とSiCl4の反応が反応媒体とし
て例えはTHFを用いた単一反応容器中でおこな
えることである。 しかしながら、前記ヨーロツパ特許明細書記載
の方法によつて調製されるMgH2を固体状で単離
し、次いで別の適当な反応溶媒中でクロルシラ
ン、例えばSiCl4と反応させてもよい。 本発明を以下の実施例によつてさらに詳細に説
明するが、これらに限定されるものではない。 実施例 １ 前記ヨーロツパ特許明細書記載の方法に準拠
し、以下のようにして水素化マグネシウムを調製
した。 粉末マグネシウム4.86ｇ（0.2モル。50メツシ
ユ）の無水THF50ml懸濁液を臭化エチル0.05ml
と混合して30分間攪拌した後、アントラセン0.36
ｇ（2.0ミリモル）を加えて３時間攪拌する（こ
の間にマグネシウムアントラセンが生成する。橙
色沈澱が分離するので明らかである。）。得られた
添加物をTiCAl30.38ｇ（2.0ミリモル）の懸濁液
に加え、更に15〜20分間攪拌する。 反応容器を常圧の水素で満し、20℃で強く攪拌
する。水素吸収量は気体用ビユレツトで計測す
る。水素の吸収はほぼ一定の速度で数日間連続し
て行つた。48時間後の水素吸収量は1300mlであつ
た。 得られた懸濁液を濾過して水素化マグネシウム
を触媒溶液から分離し、THFおよびペンタンで
洗浄するか、または減圧下に乾燥して発火性固体
状の水素化マグネシウムを得た。収率は27％であ
つた。 滴下漏斗、内部温度計、磁気スターラー、およ
びコールドフインガー（−78℃）を備えた三頚フ
ラスコ（100ml）から成り、水銀を満したガスビ
ユレツトに連結された装置に、前記のようにして
調製した水素化マグネシウム0.68ｇをアルゴン雰
囲気中で入れ、無水THF20mlで覆つた。THF20
ml中にSiCl41.04ｇ（0.7ml；6.1ｍmol）を加えた
溶液を攪拌下にMgH2懸濁液に滴下した。反応混
合物をゆつくりと加温すると約40℃でガスが発生
しはじめ、ガスの体積をガスビユレツトを用いて
測定した。反応熱によつて反応混合物の温度は一
時的に65℃まで上昇した。反応終了後、ガス発生
量は134ml（20℃、1bar）に達した。ガスのMS
分析により、SiH4は20.9mol％で、残りは、アル
ゴンであつた。装置の全体積を考慮すると、
SiH4の収率は80％であつた。 実施例 ２ 同一反応容器内でTi触媒を用いてTHF中で調
製したMgH2懸濁液を使用する以外は実施例１に
準拠して操作をおこなつた。SiH4を生成する
MgH2とSiCl4との反応はこの場合、25〜28℃で
進行した。SiH4の収率は76％であつた。 実施例 ３ 滴下漏斗、内部温度計、磁気スターラーおよび
還流コンデンサー（メチルアルコール、10℃）を
備えた三頚フラスコ（１）から成り、冷トラツ
プ（−78℃）に連結された装置に、前記ヨーロツ
パ特許明細書記載の方法によりTi触媒を用いて
調製した水素化マグネシウム18.56ｇをアルゴン
雰囲気中で入れ、無水グリム250mlで覆つた。グ
リム100ml中に（CH3）3SiCl107.20ｇ（126ml；
0.99mol）を加えた溶液を攪拌下、３時間で
MgH2懸濁液に滴下した。この場合、混合物の温
度は25〜27℃に上昇した。（CH3）3SiClの添加終
了後、反応混合物をアルゴン気流中で短時間で沸
点まで加熱した。冷トラツプ内に凝縮されたトリ
メチルシラン（沸点6.7℃）の収率は80％であつ
た。 【特許請求の範囲】 １ 反応系のM2Oの濃度（但し、Ｍはアルカリ
金属を示す。）が2.5重量％以下となるようにケイ
酸アルカリ金属塩溶液をアルミン酸アルカリ金属
塩溶液に添加することからなる無定形アルミノケ
イ酸塩の製造方法。
Claims (1)
- に記載の方法。 ７ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反応
を20〜70℃でおこなう第１項〜第６項いずれかに
記載の方法。 ８ マグネシウムの水素化反応およびその後の水
素化マグネシウムとクロルシランとの反応を同一
容器内でおこなう第１項〜第７項いずれかに記載
の方法。 ９ クロルシランがテトラクロルシランである第
８項記載の方法。 １０ (i) ハロゲンシランと (ii) (a)周期律表第〜族遷移元素金属のハロゲ
ン化物と有機マグネシウム化合物から成る触媒
もしくは周期律表第〜族遷移元素金属のハ
ロゲン化物と水素化マグネシウムから成る触媒
および(b)多環芳香族化合物もしくは第３級アミ
ンの存在下で、マグネシウムと水素を反応させ
ることによつて得られる水素化マグネシウムと
を、触媒も活性化剤も使用することなく溶媒中
で反応させることを特徴とする珪素水素化合物
の製造方法。 １１ 珪素水素化合物がシラン（SiH4）である
第１０項記載の方法。 １２ ハロゲンシランがテトラクロルシランであ
る第１０項記載の方法。 １３ 溶媒として鎖状もしくは環状のモノエーテ
ルもしくはポリエーテルを使用する第１０項〜第
１２項いずれかに記載の方法。 １４ 溶媒がテトラヒドロフランまたはグリコー
ルジメチルエーテルである第１３項記載の方法。 １５ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を０〜150℃でおこなう第１０項〜第１４項い
ずれかに記載の方法。 １６ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を20〜70℃でおこなう第１０項〜第１５項いず
れかに記載の方法。 １７ マグネシウムの水素化反応およびその後の
水素化マグネシウムとクロルシランとの反応を同
一容器内でおこなう第１０項〜第１６項いずれか
に記載の方法。 １８ クロルシランがテトラクロルシランである
第１７項記載の方法。 １９ (i) ハロゲンシランと (ii) (a)周期律表第〜族遷移元素金属のハロゲ
ン化物と有機マグネシウム化合物から成る触媒
もしくは周期律表第〜族遷移元素金属のハ
ロゲン化物と水素化マグネシウムから成る触媒
および(b)ハロゲン化マグネシウムMgX2（Ｘ＝
Cl、Br、Ｉ）の存在下で、マグネシウムと水
素を反応させることによつて得られる水素化マ
グネシウムとを、 触媒も活性化剤も使用することなく溶媒中で反応
させることを特徴とする珪素水素化合物の製造方
法。 ２０ 珪素水素化合物がシラン（SiH4）である
第１９項記載の方法。 ２１ ハロゲンシランがテトラクロルシランであ
る第１９項記載の方法。 ２２ 溶媒として鎖状もしくは環状のモノエーテ
ルもしくはポリエーテルを使用する第１９項〜第
２１項いずれかに記載の方法。 ２３ 溶媒がテトラヒドロフランまたはグリコー
ルジメチルエーテルである第２２項記載の方法。 ２４ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を０〜150℃でおこなう第１９項〜第２３項い
ずれかに記載の方法。 ２５ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を20〜70℃でおこなう第１９項〜第２４項いず
れかに記載の方法。 ２６ マグネシウムの水素化反応およびその後の
水素化マグネシウムとクロルシランとの反応を同
一容器内でおこなう第１９項〜第２５項いずれか
に記載の方法。 ２７ クロルシランがテトラクロルシランである
第２６項記載の方法。 ２８ (i) ハロゲンシランと (ii) (a)周期律表第〜族遷移元素金属のハロゲ
ン化物と有機マグネシウム化合物から成る触媒
もしくは周期律表第〜族遷移元素金属のハ
ロゲン化物と水素化マグネシウムから成る触
媒、(b)多環芳香族化合物もしくは第３級アミン
および(c)ハロゲン化マグネシウムMgX2（Ｘ＝
Cl、Br、Ｉ）の存在下で、マグネシウムと水
素を反応させることによつて得られる水素化マ
グネシウムとを、 触媒も活性化剤も使用することなく溶媒中で反応
させることを特徴とする珪素水素化合物の製造方
法。 ２９ 珪素水素化合物がシラン（SiH4）である
第２８項記載の方法。 ３０ ハロゲンシランがテトラクロルシランであ
る第２８項記載の方法。 ３１ 溶媒として鎖状もしくは環状のモノエーテ
ルもしくはポリエーテルを使用する第２８項〜第
３０項いずれかに記載の方法。 ３２ 溶媒がテトラヒドロフランまたはグリコー
ルジメチルエーテルである第３１項記載の方法。 ３３ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を０〜150℃でおこなう第２８項〜第３２項い
ずれかに記載の方法。 ３４ ハロゲンシランと水素化マグネシウムの反
応を20〜70℃でおこなう第２８項〜第３３項いず
れかに記載の方法。 ３５ マグネシウムの水素化反応およびその後の
水素化マグネシウムとクロルシランとの反応を同
一容器内でおこなう第２８項〜第３４項いずれか
に記載の方法。 ３６ クロルシランがテトラクロルシランである
第３５項記載の方法。
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