JPH0553050A - 光半導体集積回路 - Google Patents
光半導体集積回路Info
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- JPH0553050A JPH0553050A JP3211202A JP21120291A JPH0553050A JP H0553050 A JPH0553050 A JP H0553050A JP 3211202 A JP3211202 A JP 3211202A JP 21120291 A JP21120291 A JP 21120291A JP H0553050 A JPH0553050 A JP H0553050A
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- Japan
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- response time
- photosensor
- counter
- output
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】従来のオートフォーカス用ＩＣではホトセンサ
アレイ１を構成するホトセンサ１０１〜１０Ｎのうち最
も明るい（最も早く応答する）ホトセンサの応答時間Ｔ
０を基準にして各ホトセンサの応答時間をデジタル化
し、最も明るいホトセンサの明るさを基準とする各ホト
センサコントラストを表わす量子化データΣφ１を出力
するのみで、被写体の明るさを知るためにはカメラに別
に測光装置を取付ける必要があり煩わしくコスト高にな
る事を改善する。 【構成】各ホトセンサ１０１〜１０Ｎに対応するラッチ
回路８１〜８Ｎから夫々量子化データΣφ１をシリアル
データ出力１１として読出す手段としての選択器１２，
Ｐ／Ｓ変換器９から最早センサ応答時間Ｔ０を測定する
カウンタ２の計時出力２Ａをも出力させるようにする。
アレイ１を構成するホトセンサ１０１〜１０Ｎのうち最
も明るい（最も早く応答する）ホトセンサの応答時間Ｔ
０を基準にして各ホトセンサの応答時間をデジタル化
し、最も明るいホトセンサの明るさを基準とする各ホト
センサコントラストを表わす量子化データΣφ１を出力
するのみで、被写体の明るさを知るためにはカメラに別
に測光装置を取付ける必要があり煩わしくコスト高にな
る事を改善する。 【構成】各ホトセンサ１０１〜１０Ｎに対応するラッチ
回路８１〜８Ｎから夫々量子化データΣφ１をシリアル
データ出力１１として読出す手段としての選択器１２，
Ｐ／Ｓ変換器９から最早センサ応答時間Ｔ０を測定する
カウンタ２の計時出力２Ａをも出力させるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカメラのオートフォーカ
ス（自動焦点制御）用ＩＣ（ＡＦＩＣとも略記する）な
どに用いられる、ホトセンサアレイを備えた光半導体集
積回路に関する。なお以下各図において同一の符号は同
一もしくは相当部分を示す。
ス（自動焦点制御）用ＩＣ（ＡＦＩＣとも略記する）な
どに用いられる、ホトセンサアレイを備えた光半導体集
積回路に関する。なお以下各図において同一の符号は同
一もしくは相当部分を示す。
【０００２】
【従来の技術】以下図２ないし図４を用いて本発明に関
わる従来の技術を簡単に説明する。なおこの技術の詳細
は富士時報Ｖｏｌ．６４，Ｎｏ．２，１９９１，Ｐ．２
５〜Ｐ．２８「オートフォーカスＩＣ」に記されてい
る。図２はカメラに用いられるオートフォーカス（自動
焦点制御）用ＩＣの構成例を示すブロック図である。同
図において０１はＡＦＩＣ、０２（０２Ａ，０２Ｂ）は
レンズ、０３はカメラ（従ってＡＦＩＣ）を制御するマ
イクロコンピュータである。またＡＦＩＣ０１内におい
て、１（１Ａ，１Ｂ）は夫々レンズ０２Ａ，０２Ｂに対
応して設けられたホトセンサアレイ、０４（０４Ａ，０
４Ｂ）は夫々ホトセンサアレイ１Ａ，１Ｂに対応して設
けられた量子化部、０５は量子化部０４Ａ，０４Ｂの出
力データを演算する演算部である。ここでレンズ０２Ａ
およびホトセンサアレイ１Ａからなる光学系と、レンズ
０２Ｂおよびホトセンサアレイ１Ｂからなる光学系とは
互いに面対称に構成されている。
わる従来の技術を簡単に説明する。なおこの技術の詳細
は富士時報Ｖｏｌ．６４，Ｎｏ．２，１９９１，Ｐ．２
５〜Ｐ．２８「オートフォーカスＩＣ」に記されてい
る。図２はカメラに用いられるオートフォーカス（自動
焦点制御）用ＩＣの構成例を示すブロック図である。同
図において０１はＡＦＩＣ、０２（０２Ａ，０２Ｂ）は
レンズ、０３はカメラ（従ってＡＦＩＣ）を制御するマ
イクロコンピュータである。またＡＦＩＣ０１内におい
て、１（１Ａ，１Ｂ）は夫々レンズ０２Ａ，０２Ｂに対
応して設けられたホトセンサアレイ、０４（０４Ａ，０
４Ｂ）は夫々ホトセンサアレイ１Ａ，１Ｂに対応して設
けられた量子化部、０５は量子化部０４Ａ，０４Ｂの出
力データを演算する演算部である。ここでレンズ０２Ａ
およびホトセンサアレイ１Ａからなる光学系と、レンズ
０２Ｂおよびホトセンサアレイ１Ｂからなる光学系とは
互いに面対称に構成されている。
【０００３】ホトセンサアレイ１は１列に並んだ多数の
同構造の個別のホトセンサから構成されている。図３は
１つのホトセンサ１００の構成と動作の説明図で、同図
（Ａ）はホトセンサの基本回路を、同図（Ｂ）はその動
作のタイミングを夫々示す。図３（Ａ）において、ＰＤ
はホトダイオード、Ｃはこのホトダイオードの接合容量
等からなる容量、Ｔｒはリセット用トランジスタ、ＣＰ
はコンパレータ、ＶｏはリセットトランジスタＴｒの下
側端子の電位、ＶｒｅｆはコンパレータＣＰの負入力端
子に与えられた基準電位、ＶはホトダイオードＰＤの出
力電位で、且つコンパレータＣＰの正入力端子の電位で
ある。
同構造の個別のホトセンサから構成されている。図３は
１つのホトセンサ１００の構成と動作の説明図で、同図
（Ａ）はホトセンサの基本回路を、同図（Ｂ）はその動
作のタイミングを夫々示す。図３（Ａ）において、ＰＤ
はホトダイオード、Ｃはこのホトダイオードの接合容量
等からなる容量、Ｔｒはリセット用トランジスタ、ＣＰ
はコンパレータ、ＶｏはリセットトランジスタＴｒの下
側端子の電位、ＶｒｅｆはコンパレータＣＰの負入力端
子に与えられた基準電位、ＶはホトダイオードＰＤの出
力電位で、且つコンパレータＣＰの正入力端子の電位で
ある。
【０００４】次に図３（Ａ）を参照しつつ同図（Ｂ）を
説明する。光電変換素子として用いられているホトダイ
オードＰＤには、光信号Ｌ（被写体像の園素）の強度に
比例した光電流ｉが流れる。動作の初期にリセット信号
ＲｓによりリセットトランジスタＴｒを一時的に導通し
てホトダイオード出力電位ＶをＶｏに初期化する。その
後、光電流ｉを容量Ｃ（ホトダイオードの接合容量、コ
ンパレータの入力容量など）に積分してゆくことによ
り、電位Ｖが下降し、所定の基準電位Ｖｒｅｆに達する
と、コンパレータＣＰからセンサ出力Ｓｎが出力され
る。電位ＶがＶｏからＶｒｅｆに達するまでの時間ｔｓ
は次式で与えられ、これをセンサの応答時間と定義す
る。 ｔｓ＝Ｃ・（Ｖｏ−Ｖｒｅｆ）／ｉ 次段の量子化部０４への出力はこのセンサ応答時間ｔｓ
となるので、本ホトセンサは、光信号Ｌを時間信号ｔｓ
に変換するものといえる。
説明する。光電変換素子として用いられているホトダイ
オードＰＤには、光信号Ｌ（被写体像の園素）の強度に
比例した光電流ｉが流れる。動作の初期にリセット信号
ＲｓによりリセットトランジスタＴｒを一時的に導通し
てホトダイオード出力電位ＶをＶｏに初期化する。その
後、光電流ｉを容量Ｃ（ホトダイオードの接合容量、コ
ンパレータの入力容量など）に積分してゆくことによ
り、電位Ｖが下降し、所定の基準電位Ｖｒｅｆに達する
と、コンパレータＣＰからセンサ出力Ｓｎが出力され
る。電位ＶがＶｏからＶｒｅｆに達するまでの時間ｔｓ
は次式で与えられ、これをセンサの応答時間と定義す
る。 ｔｓ＝Ｃ・（Ｖｏ−Ｖｒｅｆ）／ｉ 次段の量子化部０４への出力はこのセンサ応答時間ｔｓ
となるので、本ホトセンサは、光信号Ｌを時間信号ｔｓ
に変換するものといえる。
【０００５】図２の量子化部０４は前段のホトセンサア
レイ１内の各個別ホトセンサからの応答時間ｔｓを入力
し、最も明るい（つまり光信号Ｌの強度の最も大きい、
さらに換言すれば最も短いセンサ応答時間ｔｓ＝Ｔ０を
持つ）ホトセンサの明るさを基準にして各ホトセンサの
明るさ（受光強度）の階調（コントラスト）を示す量子
化データを求める。図２の演算部０５は量子化部０４Ａ
からの各ホトセンサ別のコントラストデータ（量子化デ
ータ）の分布と量子化部０４Ｂからの各ホトセンサ別の
コントラストデータの分布との相関を調べて２つのホト
センサアレイ１Ａ，１Ｂに対する被写体の結像位置を求
め、それぞれの結像位置データからカメラと被写体との
間の距離を求めてマイクロコンピュータ０３に伝える。
これによりマイクロコンピュータ０３は図外の撮影用レ
ンズの位置を制御してピント合わせを行う。
レイ１内の各個別ホトセンサからの応答時間ｔｓを入力
し、最も明るい（つまり光信号Ｌの強度の最も大きい、
さらに換言すれば最も短いセンサ応答時間ｔｓ＝Ｔ０を
持つ）ホトセンサの明るさを基準にして各ホトセンサの
明るさ（受光強度）の階調（コントラスト）を示す量子
化データを求める。図２の演算部０５は量子化部０４Ａ
からの各ホトセンサ別のコントラストデータ（量子化デ
ータ）の分布と量子化部０４Ｂからの各ホトセンサ別の
コントラストデータの分布との相関を調べて２つのホト
センサアレイ１Ａ，１Ｂに対する被写体の結像位置を求
め、それぞれの結像位置データからカメラと被写体との
間の距離を求めてマイクロコンピュータ０３に伝える。
これによりマイクロコンピュータ０３は図外の撮影用レ
ンズの位置を制御してピント合わせを行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上述のような
ＡＦＩＣを備えたカメラで撮影を行う際に、被写体の明
るさを知りたい場合はカメラに別に測光手段を取付けて
測定を行っている。しかしながらこのような測光方式は
操作が煩わしく、かつコスト高になる欠点がある。そこ
で本発明は被写体の明るさを測定して出力し得る機能を
備えた、ＡＦＩＣ等に適用可能な光半導体集積回路を提
供することを課題とする。
ＡＦＩＣを備えたカメラで撮影を行う際に、被写体の明
るさを知りたい場合はカメラに別に測光手段を取付けて
測定を行っている。しかしながらこのような測光方式は
操作が煩わしく、かつコスト高になる欠点がある。そこ
で本発明は被写体の明るさを測定して出力し得る機能を
備えた、ＡＦＩＣ等に適用可能な光半導体集積回路を提
供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項１の光半導体集積回路は、光信号を電気信
号に変換する複数のホトセンサ（１００など）からなる
ホトセンサアレイ（１など）と、前記の各ホトセンサの
うち最も早く応答するホトセンサの応答時間（Ｔ０な
ど、以下最早センサ応答時間という）も測定する手段
（Ｔ０測定用カウンタ２など）と、この最早センサ応答
時間を基準として前記の各ホトセンサの応答時間を夫々
デジタル値に変換する手段（基本クロック発生器３，φ
０カウンタ４，比較器６，ＲＯＭ５，φ１カウンタ７，
ラッチ回路８など）と、前記最早センサ応答時間および
各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を外部に出力す
るデータ出力手段（Ｐ／Ｓ変換器９，選択器１２など）
とを備えたものとし、
めに、請求項１の光半導体集積回路は、光信号を電気信
号に変換する複数のホトセンサ（１００など）からなる
ホトセンサアレイ（１など）と、前記の各ホトセンサの
うち最も早く応答するホトセンサの応答時間（Ｔ０な
ど、以下最早センサ応答時間という）も測定する手段
（Ｔ０測定用カウンタ２など）と、この最早センサ応答
時間を基準として前記の各ホトセンサの応答時間を夫々
デジタル値に変換する手段（基本クロック発生器３，φ
０カウンタ４，比較器６，ＲＯＭ５，φ１カウンタ７，
ラッチ回路８など）と、前記最早センサ応答時間および
各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を外部に出力す
るデータ出力手段（Ｐ／Ｓ変換器９，選択器１２など）
とを備えたものとし、
【０００８】請求項２の光半導体集積回路では、請求項
１に記載の光半導体集積回路において、前記データ出力
手段は共通の端子より前記の最早センサ応答時間および
各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を出力するもの
であるようにし、また
１に記載の光半導体集積回路において、前記データ出力
手段は共通の端子より前記の最早センサ応答時間および
各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を出力するもの
であるようにし、また
【０００９】請求項３の光半導体集積回路では、請求項
２に記載の光半導体集積回路において、前記共通の端子
はシリアルデータ出力端子（１１など）であるようにす
る。
２に記載の光半導体集積回路において、前記共通の端子
はシリアルデータ出力端子（１１など）であるようにす
る。
【００１０】
【作用】ホトセンサアレイを構成するホトセンサの応答
時間ｔｓのうち最も短い応答時間ｔｓ＝Ｔ０を計測する
カウンタの計数値をも、量子化部の量子化データの読出
端子から読出可能とする。
時間ｔｓのうち最も短い応答時間ｔｓ＝Ｔ０を計測する
カウンタの計数値をも、量子化部の量子化データの読出
端子から読出可能とする。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例としての要部構成を示
すブロック回路図で、図２のホトセンサアレイ１および
量子化部０４の１系統分の回路に相当する。図１におい
て１００（１０１〜１０Ｎ）はホトセンサアレイ１を構
成するＮ個のホトセンサである。またＳ１〜ＳＮは夫々
図３で述べたような各ホトセンサ１０１〜１０Ｎの出力
であり、一般的にはセンサ出力Ｓｎで表す。
すブロック回路図で、図２のホトセンサアレイ１および
量子化部０４の１系統分の回路に相当する。図１におい
て１００（１０１〜１０Ｎ）はホトセンサアレイ１を構
成するＮ個のホトセンサである。またＳ１〜ＳＮは夫々
図３で述べたような各ホトセンサ１０１〜１０Ｎの出力
であり、一般的にはセンサ出力Ｓｎで表す。
【００１２】２はホトセンサ１０１〜１０Ｎの応答時間
ｔｓのうち最も短い（つまり最も明るいホトセンサの）
応答時間ｔｓ＝Ｔ０を測定するカウンタで、このカウン
タ２は図３で述べたリセット信号Ｒｓの立下り時間ｔ＝
０から計数を開始し、各ホトセンサ１０１〜１０Ｎのセ
ンサ出力Ｓ１〜ＳＮを図外のＯＲ回路で入力して計数を
停止し、最早センサ応答時間Ｔ０を求める。なおこのカ
ウンタ２の計数出力を２Ａとする。８（８１〜８Ｎ）は
夫々ホトセンサ１０１〜１０Ｎに対応して設けられたラ
ッチ回路で、夫々ホトセンサの出力Ｓ１〜ＳＮの出力時
点に前述の量子化データ（Σφ１）をラッチする。３は
カウンタ２の計数値２Ａ（従って最早センサ応答時間Ｔ
０）を基にφ０＝／２k （例えばｋ＝７ビットの場合Ｔ
０／１２８）の基本クロックφ０を発生する基本クロッ
ク発生器である。
ｔｓのうち最も短い（つまり最も明るいホトセンサの）
応答時間ｔｓ＝Ｔ０を測定するカウンタで、このカウン
タ２は図３で述べたリセット信号Ｒｓの立下り時間ｔ＝
０から計数を開始し、各ホトセンサ１０１〜１０Ｎのセ
ンサ出力Ｓ１〜ＳＮを図外のＯＲ回路で入力して計数を
停止し、最早センサ応答時間Ｔ０を求める。なおこのカ
ウンタ２の計数出力を２Ａとする。８（８１〜８Ｎ）は
夫々ホトセンサ１０１〜１０Ｎに対応して設けられたラ
ッチ回路で、夫々ホトセンサの出力Ｓ１〜ＳＮの出力時
点に前述の量子化データ（Σφ１）をラッチする。３は
カウンタ２の計数値２Ａ（従って最早センサ応答時間Ｔ
０）を基にφ０＝／２k （例えばｋ＝７ビットの場合Ｔ
０／１２８）の基本クロックφ０を発生する基本クロッ
ク発生器である。
【００１３】次に４〜７の回路は各ホトセンサ１００の
応答時間ｔｓと最早センサ応答時間Ｔ０との差ｔｓ−Ｔ
０を各ホトセンサの明るさの階調（コントラスト）を表
す量子化データに変換して計測する回路である。即ち４
は後述のクロックφ１の入力ごとにリセットされ、基本
クロックφ０を計数しその計数値をＸとして出力するカ
ウンタ、６はφ０カウンタ４の計数値ＸがＲＯＭ５の出
力値Ｙに一致するごとにクロックφ１を出力する比較器
である。５はクロックφ１の発生間隔を定める前記の値
Ｙを比較器６に出力するＲＯＭで、この発生間隔Ｙはク
ロックφ１の累計値Σφ１と共に可変設定される。即ち
ＲＯＭ５の出力としての発生間隔Ｙはクロックφ１の累
計値Σφ１をアドレスとしてＲＯＭ５から読出され比較
器６に与えられる。７は比較器６から出力されるクロッ
クφ１を計数し累計値Σφ１として出力するカウンタで
ある。このカウンタ７の出力Σφ１はホトセンサ１０１
〜１０Ｎの出力Ｓ１〜ＳＮの発生ごとに対応するラッチ
回路８１〜８Ｎに夫々ラッチされて前述の量子化データ
（コントラストデータ）となる。
応答時間ｔｓと最早センサ応答時間Ｔ０との差ｔｓ−Ｔ
０を各ホトセンサの明るさの階調（コントラスト）を表
す量子化データに変換して計測する回路である。即ち４
は後述のクロックφ１の入力ごとにリセットされ、基本
クロックφ０を計数しその計数値をＸとして出力するカ
ウンタ、６はφ０カウンタ４の計数値ＸがＲＯＭ５の出
力値Ｙに一致するごとにクロックφ１を出力する比較器
である。５はクロックφ１の発生間隔を定める前記の値
Ｙを比較器６に出力するＲＯＭで、この発生間隔Ｙはク
ロックφ１の累計値Σφ１と共に可変設定される。即ち
ＲＯＭ５の出力としての発生間隔Ｙはクロックφ１の累
計値Σφ１をアドレスとしてＲＯＭ５から読出され比較
器６に与えられる。７は比較器６から出力されるクロッ
クφ１を計数し累計値Σφ１として出力するカウンタで
ある。このカウンタ７の出力Σφ１はホトセンサ１０１
〜１０Ｎの出力Ｓ１〜ＳＮの発生ごとに対応するラッチ
回路８１〜８Ｎに夫々ラッチされて前述の量子化データ
（コントラストデータ）となる。
【００１４】図４はクロックφ１と量子化データとの関
係を示すタイムチャートである。即ちリセット信号Ｒｓ
の立下り時点ｔ＝０を基点にしてカウンタ２により最早
センサ応答時間Ｔ０が測定されるが、以後基本クロック
φ０，従ってクロックφ１が発生する。このクロックφ
１の間隔はｔｓ−Ｔ０の時間の経過と共に（つまりホト
センサが暗くなるにつれ、換言すればΣφ１の増加と共
に）大きくなるようにＲＯＭ５によって与えられる。こ
の例ではセンサ出力Ｓｎの発生時、クロックφ１の累計
値Σφ１はｍであり、このホトセンサ１００に対応する
ラッチ回路８には量子化データΣφ１＝ｍがラッチされ
ることになる。
係を示すタイムチャートである。即ちリセット信号Ｒｓ
の立下り時点ｔ＝０を基点にしてカウンタ２により最早
センサ応答時間Ｔ０が測定されるが、以後基本クロック
φ０，従ってクロックφ１が発生する。このクロックφ
１の間隔はｔｓ−Ｔ０の時間の経過と共に（つまりホト
センサが暗くなるにつれ、換言すればΣφ１の増加と共
に）大きくなるようにＲＯＭ５によって与えられる。こ
の例ではセンサ出力Ｓｎの発生時、クロックφ１の累計
値Σφ１はｍであり、このホトセンサ１００に対応する
ラッチ回路８には量子化データΣφ１＝ｍがラッチされ
ることになる。
【００１５】再び図１に戻り、９，１０はラッチ回路８
１〜８Ｎにラッチされた量子化データΣφ１を読出すた
めの回路で、１２は読出信号１０に応じて各ラッチ回路
８１〜８Ｎのラッチデータ（量子化データΣφ１）を選
択入力する選択器、９は選択器１２によって選択された
パラレルデータをシリアルデータに変換し、シリアルデ
ータ出力１１として出力するパラレル／シリアル変換器
（Ｐ／Ｓ変換器とも略記する）である。
１〜８Ｎにラッチされた量子化データΣφ１を読出すた
めの回路で、１２は読出信号１０に応じて各ラッチ回路
８１〜８Ｎのラッチデータ（量子化データΣφ１）を選
択入力する選択器、９は選択器１２によって選択された
パラレルデータをシリアルデータに変換し、シリアルデ
ータ出力１１として出力するパラレル／シリアル変換器
（Ｐ／Ｓ変換器とも略記する）である。
【００１６】本発明では特にカウンタ２の出力２Ａをも
読出信号１０を介し選択器１２により選択し、Ｐ／Ｓ変
換器９を介してシリアルデータ出力１１として読出し得
るようにした点が従来と異なる。このようにして本発明
を適用したＡＦＩＣは各ホトセンサ別の量子化データ
（コントラストデータ）の他に最も明るいホトセンサの
応答時間を検出して出力するので撮影者は容易に被写体
の明るさを検知することができる。
読出信号１０を介し選択器１２により選択し、Ｐ／Ｓ変
換器９を介してシリアルデータ出力１１として読出し得
るようにした点が従来と異なる。このようにして本発明
を適用したＡＦＩＣは各ホトセンサ別の量子化データ
（コントラストデータ）の他に最も明るいホトセンサの
応答時間を検出して出力するので撮影者は容易に被写体
の明るさを検知することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、光半導体集積回路が光
信号を電気信号に変換する複数のホトセンサ１００から
なるホトセンサアレイ１と、前記の各ホトセンサ１００
のうち最も早く応答するホトセンサの応答時間（Ｔ０、
以下最早センサ応答時間という）も測定する手段Ｔ０測
定用カウンタ２と、この最早センサ応答時間Ｔ０を基準
として前記の各ホトセンサ１００の応答時間ｔｓを夫々
デジタル値に変換する手段としての基本クロック発生器
３，φ０カウンタ４，比較器６，ＲＯＭ５，φ１カウン
タ７，ラッチ回路８などと、前記最早センサ応答時間お
よび各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を共通のシ
リアルデータ出力端子１１より外部に出力するデータ出
力手段としてのＰ／Ｓ変換器９，選択器１２などとを備
えるようにしたので、特別な測定手段を用いずに測距エ
リアの明るさを正確に測定することが可能となり、従
来、カメラに別個に組合せた測光手段を省略することが
可能となる。
信号を電気信号に変換する複数のホトセンサ１００から
なるホトセンサアレイ１と、前記の各ホトセンサ１００
のうち最も早く応答するホトセンサの応答時間（Ｔ０、
以下最早センサ応答時間という）も測定する手段Ｔ０測
定用カウンタ２と、この最早センサ応答時間Ｔ０を基準
として前記の各ホトセンサ１００の応答時間ｔｓを夫々
デジタル値に変換する手段としての基本クロック発生器
３，φ０カウンタ４，比較器６，ＲＯＭ５，φ１カウン
タ７，ラッチ回路８などと、前記最早センサ応答時間お
よび各ホトセンサに夫々対応するデジタル値を共通のシ
リアルデータ出力端子１１より外部に出力するデータ出
力手段としてのＰ／Ｓ変換器９，選択器１２などとを備
えるようにしたので、特別な測定手段を用いずに測距エ
リアの明るさを正確に測定することが可能となり、従
来、カメラに別個に組合せた測光手段を省略することが
可能となる。
【図１】本発明の実施例としての要部構成を示すブロッ
ク回路図
ク回路図
【図２】ＡＦＩＣの基本構成を示す図
【図３】ホトセンサの構成と動作の説明図
【図４】クロックφ１と量子化データとの関係を示すタ
イムチャート
イムチャート
０１ ＡＦＩＣ ０２（０２Ａ，０２Ｂ） レンズ ０３ マイクロコンピュータ ０４（０４Ａ，０４Ｂ） 量子化部 ０５ 演算部 １（１Ａ，１Ｂ） ホトセンサアレイ ２ Ｔ０測定用カウンタ ３ 基準クロック発生器 ４ φ０カウンタ ５ ＲＯＭ ６ 比較器 ７ φ１カウンタ ８（８１〜８Ｎ） ラッチ回路 ９ Ｐ／Ｓ変換器 １０ 読出信号 １１ シリアルデータ出力 １２ 選択器 １００（１０１〜１０Ｎ） ホトセンサ ｔｓ センサ応答時間 Ｔ０ 最早センサ応答時間 Ｓｎ（Ｓ１〜ＳＮ） センサ出力 φ０ 基本クロック φ１ クロック Σφ１ 量子化データ
Claims (3)
- 【請求項１】光信号を電気信号に変換する複数のホトセ
ンサからなるホトセンサアレイと、 前記の各ホトセンサのうち最も早く応答するホトセンサ
の応答時間（以下最早センサ応答時間という）を測定す
る手段と、 この最早センサ応答時間を基準として前記の各ホトセン
サの応答時間を夫々デジタル値に変換する手段と、 前記最早センサ応答時間および各ホトセンサに夫々対応
するデジタル値を外部に出力するデータ出力手段とを備
えたことを特徴とする光半導体集積回路。 - 【請求項２】請求項１に記載の光半導体集積回路におい
て、前記データ出力手段は共通の端子より前記の最早セ
ンサ応答時間および各ホトセンサに夫々対応するデジタ
ル値を出力するものであることを特徴とする光半導体集
積回路。 - 【請求項３】請求項２に記載の光半導体集積回路におい
て、前記共通の端子はシリアルデータ出力端子であるこ
とを特徴とする光半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211202A JPH0553050A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 光半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3211202A JPH0553050A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 光半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553050A true JPH0553050A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16602052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3211202A Pending JPH0553050A (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 光半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07274072A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | 受光素子およびその駆動方法 |
-
1991
- 1991-08-23 JP JP3211202A patent/JPH0553050A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07274072A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Nec Corp | 受光素子およびその駆動方法 |
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