JPH055220U - 半導体装置用切断金型 - Google Patents

半導体装置用切断金型

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Publication number
JPH055220U
JPH055220U JP5184491U JP5184491U JPH055220U JP H055220 U JPH055220 U JP H055220U JP 5184491 U JP5184491 U JP 5184491U JP 5184491 U JP5184491 U JP 5184491U JP H055220 U JPH055220 U JP H055220U
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JP
Japan
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punch
cutting
cutting punch
semiconductor device
resin package
Prior art date
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Pending
Application number
JP5184491U
Other languages
English (en)
Inventor
精一 大場
Original Assignee
山形日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 山形日本電気株式会社 filed Critical 山形日本電気株式会社
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Publication of JPH055220U publication Critical patent/JPH055220U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】樹脂パッケージとリードフレームとの位置ずれ
があってもダムばりを完全に打ち抜くことによって、ダ
ムばり残りの検査やホーニング等によるばり除去工程を
不要とする。 【構成】切断パンチ3の植込み部に微小の間隙8を有す
るパンチホルダ2を設け切断パンチ3の切欠き12に切
断パンチ3を止める抜け止め7を設ける。また切断パン
チ3の側面に切断パンチ3を半導体装置の樹脂パッケー
ジ10の方向に寄ねる為のばね5を設ける。さらに切断
パンチ3の先端部に間隙9を有するパンチガイド4を設
ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は樹脂封止型半導体装置の製造工程のうち、仕上工程に使用する半導体 装置用切断金型に関し、特にダムばりの打ち抜き金型に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体装置用切断金型は、図4の断面図に示すように、切断パンチ3と 、この切断パンチ3をホールドするパンチホルダー2と、切断パンチ3を止める 抜け止め7及び切断パンチ3を全周方向にガイドするパンチガイド4を有してい る。切断パンチ3は半導体装置の樹脂パッケージ10から70μm以上の間隙を 有する位置に設けられている。
【0003】 次に動作について説明する。最初に、上型ダイ1が下降することによりパンチ ガイド4と下型ダイ13との間に半導体装置のリード14をはさみ込み、半導体 装置をホールドする。さらに上型ダイ1が下降するとパンチガイドばねがたわみ 、切断パンチ3とパンチホルダー2のみが下降し、切断パンチ3がダムばり11 を打ち抜く動作となっている。
【0004】 なお、リードフレームに樹脂封止された一般的な半導体装置を図3の平面図に 示す。すなわち、リード14間のダムばり11を切断パンチ3で切断除去してい る。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
この従来の半導体装置用切断金型は、切断パンチが半導体装置の樹脂パッケー ジから70μm以上の間隙を有する位置に設けられている。これは、半導体装置 の樹脂封止を行う際に、リードフレームと樹脂封止金型との位置ずれが生じ、そ の結果、リードフレームと半導体装置の樹脂パッケージとが70μm程度の位置 ずれを生じて封止されるため、その位置ずれ分だけ切断パンチと半導体装置の樹 脂パッケージとの間に間隙を設ける必要がある。
【0006】 リードフレームと樹脂パッケージとの位置がずれた半導体装置を切断する場合 、切断パンチと樹脂パッケージとの間隙は、樹脂封止の際の位置ずれと、あらか じめ切断金型に設けられている間隙70μmとを加えた値、つまり140μm以 上となってしまう。また、打ち抜くダムばりの厚さはリードフレームの厚さと同 寸法である。したがって、リードフレームの厚さが、リードフレームと樹脂パッ ケージとのずれ量と、あらかじめ切断金型に設けられている切断パンチと樹脂パ ッケージとの間隙を加えた値より小さい場合は、図5の断面図に示すように、ダ ムばり11が確実に打ち抜かれることなく、樹脂パッケージ10の側面のリード 14間にはさまれたまま残っていまう現象が発生する。
【0007】 この現象を解決する為に、従来はパンチの形状を種々変えることが試みられて いた。その第1の方法は、切断パンチの先端を角錐形状にし、ダムばりを破砕し ようとするものであるが、最近のファインピッチリードの半導体装置においては 、ダムばりの幅が狭くなっている為、破砕することが不可能であり、有効な方法 ではない。第2の方法は、切断パンチの先端において、樹脂パッケージ側がリー ドフレームのタイバー側より早くダムばりに当る様にテーパを有する形状にする ものである。しかし、この方法も、テーパーを設けることによりパンチの先端の 摩耗が早く、効果が短期間しか接続しないことがあり、有効な方法ではない。し たがって、従来の方法では、ダムばりを確実に打ち抜くことは困難であった。さ らに、近年においては、半導体装置が軽薄短小化され、リードフレームはますま す薄くなり、ダムばりの問題が顕在化して来ている。
【0008】 このダムばり残りは、半導体装置の外観を損ねるばかりでなく、次工程のリー ド整形において残ったダムばりが整形金型上に落下し、成形の際に半導体装置の リード表面に打ち込まれて不良となったり、リード整形の際に、リードを曲げて しまい不良となる等の不具合があり、ダムばり残りを除去する為に、人間の目視 による検査やホーニングを行なう等、多くの人手を必要とする問題があった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本考案の半導体装置用切断金型は、上型において、切断パンチ植込み部にテー パ状の微小間隙を有して切断パンチをホールドするパンチホルダーと、切断パン チの抜けを止める抜け止め及び切断パンチを前記微小間隙に沿って樹脂パッケー ジに寄せる為の押圧ばねを有し、また、押圧されて傾斜した切断パンチが通る間 隙を有するパンチガイドを設けている。
【0010】
【実施例】
次に本考案について図面を参照して説明する。図1は本考案の第1の実施例の 半導体装置用切断金型を示す図で、同図(a)は全体構成を示す断面図、同図( b)は同図(a)の部分拡大断面図である。
【0011】 本実施例は、切断パンチ3の植込み部にテーパ状の微小の間隙8を有するパン チホルダ2を設け、切断パンチ3の切欠き12に切断パンチ3を止める抜け止め 7を設ける。また、切断パンチ3の側面に、切断パンチ3を半導体装置の樹脂パ ッケージ10の方向に寄せる為のばね5及びばね室6を設ける。さらに切断パン チ3の先端部に間隙9を有するパンチガイド4を設ける。
【0012】 次にその動作作用について説明する。上型ダイ1全体が下降することにより、 パンチガイド4と下型ダイ13の間に半導体装置のリード14をはさみ込む。こ の時、半導体装置の樹脂パッケージ10の側面に切断パンチ3の側面が当たり、 切断パンチ3はばね5をたわませながら樹脂パッケージ10の反対方向に逃げる 。さらに上型ダイ1が下降するとパンチガイドばね15がたわみ、切断パンチ3 が樹脂パッケージ10の側面をこすりながらダムばり11を下方へ打ち抜く。つ まり、切断パンチ3は樹脂パッケージ10の位置にならうことになり、樹脂パッ ケージ10とリードフレーム14のずれに従って切断パンチ3の位置が決まるこ とになる。
【0013】 図2は、本考案の第2の実施例の断面図であり、ばね5及びばね室6をパンチ ガイド4に設けている。また、ばね5はベアリング17を介して切断パンチ3を 押圧しているので、摩擦力が低減される。本実施例では、第1の実施例と同効果 が得られることは明白であるが、ばね5を樹脂パッケージ10の近傍に設けてい る為、切断パンチ3を寄せる力を直接受けることができる。したがって、ばね力 は小さくてすみ、ばね力の調整が容易である利点がある。
【0014】
【考案の効果】
以上説明したように本考案は、切断パンチが半導体装置の樹脂パッケージの位 置にならう様に下降するので、半導体装置の樹脂パッケージとリードフレームと の位置ずれがあっても、切断パンチと樹脂パッケージとの間隙をゼロにすること が可能である。したがって、リードフレームの板厚が極薄くなってもダムばりを 完全に打ち抜くことが可能となり、ダムばりの無い良好な半導体装置を得ること ができ、ダムばり残りの検査やホーニング等の人手が不要となる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1の実施例を示す図で、同図(a)
は全体構成を示す縦断面図、同図(b)は同図(a)の
部分拡大断面図である。
【図2】本考案の第2の実施例を示す断面図である。
【図3】リードフレームに樹脂封止された半導体装置の
平面図である。
【図4】従来の半導体装置用切断金型の断面図である。
【図5】従来のダムばり残りのメカニズムを示す断面図
である。
【符号の説明】
1 上型ダイ 2 パンチホルダー 3 切断パンチ 4 パンチガイド 5 ばね 6 ばね室 7 抜け止め 8 間隙 9 間隙 10 樹脂パッケージ 11 ダムばり 12 切欠き 13 下型ダイ 14 リード 15 パンチガイドばね 16 タイバー 17 ベアリング

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 樹脂封止したリードフレームを上金型と
    下金型とではさみ、樹脂パッケージとタイバーとの間の
    ダムばりを切断パンチで除去する半導体装置用切断金型
    において、切断パンチをホールドするパンチホルダーの
    切断パンチ植込み部にテーパ状の微小間隙を設け、この
    パンチホルダーに切断パンチの抜けを止める抜け止め及
    び切断パンチを前記微小間隙に沿って樹脂パッケージ方
    向に寄せる押圧ばねを設け、この押圧されて傾斜した切
    断パンチが通る間隙をパンチガイドに設け、前記切断パ
    ンチの先端が樹脂パッケージ側面に接触しつつ下降して
    ダムばりを切断除去することを特徴とする半導体装置用
    切断金型。
JP5184491U 1991-07-05 1991-07-05 半導体装置用切断金型 Pending JPH055220U (ja)

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JP5184491U JPH055220U (ja) 1991-07-05 1991-07-05 半導体装置用切断金型

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JP5184491U JPH055220U (ja) 1991-07-05 1991-07-05 半導体装置用切断金型

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH055220U true JPH055220U (ja) 1993-01-26

Family

ID=12898164

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JP5184491U Pending JPH055220U (ja) 1991-07-05 1991-07-05 半導体装置用切断金型

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JP (1) JPH055220U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05226553A (ja) * 1992-02-10 1993-09-03 Nec Kyushu Ltd 半導体装置のタイバー切断金型
JP2012134202A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (2)

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