JPH055187B2 - - Google Patents

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JPH055187B2
JPH055187B2 JP59217571A JP21757184A JPH055187B2 JP H055187 B2 JPH055187 B2 JP H055187B2 JP 59217571 A JP59217571 A JP 59217571A JP 21757184 A JP21757184 A JP 21757184A JP H055187 B2 JPH055187 B2 JP H055187B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
本発明は、アモルフアスシリコン（以下ａ−Si
と略す）層のような半導体薄膜を用いた単位光電
変換素子の複数が集積された薄膜光電変換素子の
製造装置に関する。
【従来技術とその問題点】
ａ−Siを用いた光電変換素子は、ａ−Si層がプ
ラズマCVD法により形成され、任意の形状や大
面積化が可能である事から現在注目されている。
素子の構造としては、大きな電圧、電流を取り出
すために第２図に一例を示すような集積型構造を
とる。第２図において、ガラス基板２１の上に透
明電極膜２２、ａ−Siからなる光活性層２３およ
び金属電極層２４が順次積層されて単位光電変換
素子２０が形成され、しかも各素子２０が直列接
続されている。１枚のガラス基板２１の上に図の
ようなパターンを形成するには、各層２２，２
３，２４を全面に被着したあと主として化学的処
理に基づくエツチングを行う方法のほかに、レー
ザ光を細かく絞つて高速パターニングを実行する
レーザパターニング法が米国特許第4292092号明
細書に提案されている。基板が大面積化していく
と、化学的エツチング処理では一様で高精度のパ
ターニングを安定して行う点で問題があり、また
装置も大型化して操作が複雑になるのに対し、レ
ーザパターニングはパターン精度を向上させるこ
とができ、また自動化も可能なので操作性にすぐ
れている。一方、大面積化される基板２１の上に
ａ−Si層２３を形成する際、いわゆるピンホール
などの欠陥の発生する確率が増加し、これらは上
下の電極２２，２４の短絡の原因となり素子の歩
留りを低下させる。従つてこれらの欠陥を検出
し、これを除去することにより製造歩留りを向上
させることが行われる。欠陥検出法としては、顕
微鏡観察以外にレーザ光で走査して光電流分布を
測定する方法や電流を流して短絡点での熱の発生
を観測する方法等が知られている。欠陥を除去す
る方法としてはレーザ光で焼き切る方法や逆バイ
アス電圧をかけて焼き切る方法がある。基板の大
面積化に対してこれらの素子構成各層のパターニ
ング、ａ−Si層の欠陥検出、欠陥除去をいかに効
率良く行うかが問題となつてくる。
【発明の目的】
本発明は、この問題に対して素子構成各層のパ
ターニング、半導体薄膜の欠陥検出、欠陥除去を
単純な工程で効率良く行うことのできる集積型の
薄膜光電変換素子の製造装置を提供することを目
的とする。
【発明の要点】
本発明によれば、上記目的を達成するために、
薄膜光電変換素子製造装置を、複数個の光電変換
素子が集積された薄膜光電変換素子の各素子を構
成する各層のパターニングと、該各素子中の半導
体薄膜に存在する欠陥の検出と、該欠陥の除去と
をそれぞれレーザ光の照射によつて行う薄膜光電
変換素子製造装置であつて、直交する２方向に任
意に移動可能な支持台と、該支持台上に支持され
る素子基板にパターニングを行うレーザ光を照射
するパターニング用レーザと、前記各素子に逆バ
イアス電圧を印加する逆バイアス電圧印加手段
と、該逆バイアス電圧の印加により前記各素子に
生じる洩れ電流を測定し該各素子の良、不良を判
定する洩れ電流測定手段と、不良と判定された素
子に出力が5mWないし数十mWのレーザ光を照
射し該素子中の欠陥の検出を行う欠陥検出用可視
光レーザと、素子電極に接続される光電特性測定
装置と、検出された前記欠陥の除去を行う欠陥除
去用レーザと、を備え、かつ前記パターニング用
レーザと欠陥除去用レーザとは同一のレーザであ
るものとする。パターニングおよび欠陥の除去を
行う加工用レーザは、ＱスイツチNd：YAGレー
ザ、Nd：YAGレーザ第二高周波、Nd：YAGガ
ラスレーザ、ルビーレーザ
【CO2】レーザ、Ar
レーザ、色素レーザ等を材質、目的に応じて使い
分ける。可視光レーザは光電変換素子の使用領域
である可視光領域において素子の機能を検証して
不良単位素子部分内の欠陥の検出を行うので、
He−Neレーザ、He−Cdレーザ、色素レーザ、
Arレーザ、Krレーザ等加工用レーザに比して低
出力（数十mW以下）のものが用いられる。
【発明の実施例】
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。10cm×10cmあるいは30cm×40cmのガラス基
板を洗浄後、電子ビーム蒸着あるいは熱CVD法
により透明導電膜を基板上に形成する。透明導電
膜としてはインジウム錫酸化物（ITO）、SnO2あ
るいはこれらの組合わせ２層構造ITO／SnO2を
用いる。次いで第１図に示す本発明による装置の
透明なXYステージ１の上に基板２１を載せる。
XYステージ１はリニアモータ駆動で移動し、マ
イクロコンピユータ２によつて自動制御される。
基板２１の上の第１図には図示しない透明導電膜
の上に、Ｑスイツチ発振、繰り返し周波数30K
Hz、TEMモードで平均出力12W、パルス幅300ns
のNd：YAGレーザ３を用い、減光器４により出
力を４〜8Wの領域に制御してレーザ光５を照射
し、XYステージ１を移動させて第２図に示すよ
うな透明導電膜２２のパターニングを行う。次い
でａ−Si層をグロー放電プラズマ分解法で透明導
電膜２２の上に堆積し、同じくNd：YAGレーザ
３によりレーザ出力１〜4Wでａ−Si光活性層２
３のパターニングを行う。この後、電子ビーム蒸
着あるいはスパツタ蒸着等によつて銀あるいはア
ルミニウム電極を形成し、同じくNd：YAGレー
ザ３を用いてレーザ出力１〜3Wで金属電極２４
のパターニングを行う。このようにして形成され
た各単位光電変換素子２０の良、不良の判定を行
う。この判定は、XYステージ１を粗く移動させ
ながら、図示しない逆バイアス電圧印加手段によ
り２〜8mVの逆バイアス電圧を印加し、同じく
図示しない洩れ電流測定手段により暗時での各単
位素子の洩れ電流の大きさを測定し、その大きさ
が0.2〜0.5μAの範囲の所定値を越える単位素子２
０を不良としてマーキングする。上記の逆バイア
ス電圧印加手段ならびに洩れ電流測定手段は、周
知の電流電圧回路により構成することができる。
次にその不良素子２０にHe−Neレーザ６から減
光器７を介して10mW、ビーム径30μmのレーザ
光８をXYステージ１、ガラス基板２１を通して
照射し、XYステージ１を移動させて50〜500μm
ステツプでその素子全体を走査する。レーザ光照
射による光電流分布をリード線９を介して接続さ
れた光電特性検出器１０によつて測定し、素子中
で電流値が低下するところを微分処理により拡大
して検知し、短絡個所が見出された場合、直ちに
加工用レーザ３を用いて平均出力１〜5W、ビー
ム径10〜50μmのレーザ光５を照射し、短絡個所
を焼き切る。レーザ３，６のうち使用しないもの
はシヤツタを付けることにより、他のレーザによ
る測定あるいは照射を妨害しないようにする。上
の実施例ではXYステージ１を通して可視レーザ
光８を照射したが、第３図に示すように基板２１
を治具１１を用いてステージ１から浮かして支持
し、可視光レーザ６からのレーザ光８をガラス基
板２１に直接入射させるようにしてもよい。 第４図はさらに別の実施例を示し、加工用レー
ザ３からのレーザ光５と可視光レーザ６からのレ
ーザ光８を同じ側から照射するものである。この
場合はパターニングのときはガラス基板１を下に
するが欠陥個所を自動測定で走査する際にはガラ
ス基板面を上にし、欠陥除去はそのままの姿勢で
加工用レーザ光を照射する方式である。
【発明の効果】
本発明によれば、〔上記の構成を採用した結
果、〕各製造工程を行う機能の一体化により装置
の低価格化と工程の効率化、迅速化を一挙に実現
でき、透明絶縁基板を用いた素子に限らず不透明
絶縁基板あるいは金属基板を用いた集積型の薄膜
光電変換素子の製造にも使用できるので得られる
効果は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のブロツク図、第２
図はガラス基板集積型ａ−Si太陽電池の構造概念
図、第３図、第４図はそれぞれ異なる実施例のレ
ーザ照射部分についてのブロツク図である。 １……XYステージ、３……Nd：YAGレーザ、
４，７……減光器、５……加工レーザ光、６……
He−Neレーザ、８……可視レーザ光、２１……
ガラス基板、２２……透明導電膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数個の光電変換素子が集積された薄膜光電
    変換素子の各素子を構成する各層のパターニング
    と、該各素子中の半導体薄膜に存在する欠陥の検
    出と、該欠陥の除去とをそれぞれレーザ光の照射
    によつて行う薄膜光電変換素子製造装置であつ
    て、直交する２方向に任意に移動可能な支持台
    と、該支持台上に支持される素子基板にパターニ
    ングを行うレーザ光を照射するパターニング用レ
    ーザと、前記各素子に逆バイアス電圧を印加する
    逆バイアス電圧印加手段と、該逆バイアス電圧の
    印加により前記各素子に生じる洩れ電流を測定し
    該各素子の良、不良を判定する洩れ電流測定手段
    と、不良と判定された素子に出力が5mWないし
    数十mWのレーザ光を照射し該素子中の欠陥の検
    出を行う欠陥検出用可視光レーザと、素子電極に
    接続される光電特性測定装置と、検出された前記
    欠陥の除去を行う欠陥除去用レーザと、を備え、
    かつ前記パターニング用レーザと欠陥除去用レー
    ザとは同一のレーザであることを特徴とする薄膜
    光電変換素子製造装置。
JP59217571A 1984-10-17 1984-10-17 薄膜光電変換素子製造装置 Granted JPS6196774A (ja)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04266068A (ja) * 1991-02-20 1992-09-22 Canon Inc 光電変換素子及びその製造方法
US20080029152A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Erel Milshtein Laser scribing apparatus, systems, and methods
US7879685B2 (en) * 2006-08-04 2011-02-01 Solyndra, Inc. System and method for creating electric isolation between layers comprising solar cells
JP5210056B2 (ja) * 2008-06-05 2013-06-12 芝浦メカトロニクス株式会社 レーザ加工装置
TW201013963A (en) 2008-08-15 2010-04-01 Ulvac Inc Method and apparatus for manufacturing solar battery
TW201027770A (en) * 2008-11-04 2010-07-16 Ulvac Inc Method and apparatus for manufacturing solar battery
JP5558339B2 (ja) * 2010-12-28 2014-07-23 京セラ株式会社 光電変換モジュールの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5753986A (ja) * 1980-07-25 1982-03-31 Eastman Kodak Co
JPS5986269A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4301409A (en) * 1978-06-06 1981-11-17 California Institute Of Technology Solar cell anomaly detection method and apparatus
US4287473A (en) * 1979-05-25 1981-09-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Nondestructive method for detecting defects in photodetector and solar cell devices
US4640002A (en) * 1982-02-25 1987-02-03 The University Of Delaware Method and apparatus for increasing the durability and yield of thin film photovoltaic devices
JPS58158977A (ja) * 1982-02-25 1983-09-21 ユニバ−シテイ・オブ・デラウエア 薄膜太陽電池を製造する方法及び装置
JPS5994884A (ja) * 1982-11-24 1984-05-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS59107579A (ja) * 1982-12-11 1984-06-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS6014441A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置作製方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5753986A (ja) * 1980-07-25 1982-03-31 Eastman Kodak Co
JPS5986269A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法

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Publication number Publication date
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EP0179403A2 (en) 1986-04-30
EP0179403A3 (en) 1988-08-31

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